本實(shí)用新型涉及太陽(yáng)能光伏技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種適用于PERC電池片的雙面鍍膜石墨框。

背景技術(shù)：

目前，PERC電池片(鈍化發(fā)射區(qū)背面電池，Passivated emitter rear contact solar cells)鍍膜需要使用兩臺(tái)相互獨(dú)立的鍍膜機(jī)臺(tái)，原因在于，現(xiàn)有的鍍膜機(jī)臺(tái)無(wú)法實(shí)現(xiàn)雙面鍍膜，具體地，是由于鍍膜機(jī)臺(tái)的承載裝置，該承載裝置包括多個(gè)陣列排布的石墨框，而石墨框的結(jié)構(gòu)如圖1所示，石墨框包括石墨邊框1，所述石墨邊框1的內(nèi)側(cè)設(shè)置有用于承載硅片2的臺(tái)階3，常用的石墨邊框1的厚度為6mm，而開(kāi)設(shè)的臺(tái)階3的寬度為3mm，臺(tái)階3的厚度為5.2mm，石墨邊框1的寬度為5.5mm，也即相鄰的兩個(gè)石墨框中，石墨邊框1的背對(duì)背的邊框的臺(tái)階3的端面之間的距離為11mm，采用這種石墨框構(gòu)成的承載裝置承載厚度為0.2mm的硅片2時(shí)，硅片2搭放在臺(tái)階3上，臺(tái)階3的臺(tái)階面到邊框的頂面的距離為0.8mm，這時(shí)，邊框的頂面會(huì)高出硅片2的頂面，因而硅片2的邊緣處會(huì)受到石墨邊框1的頂部的高度影響，因而不能很好地實(shí)現(xiàn)硅片2的正面的鍍膜，同時(shí)，由于臺(tái)階3的寬度過(guò)大，導(dǎo)致硅片2與臺(tái)階3搭接的寬大過(guò)大，從而硅片2的背面的邊緣處會(huì)有將近2mm的寬度被遮擋，而這遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)了硅片的預(yù)留邊緣寬度1mm的余量，因而影響硅片2的背面的鍍膜。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的在于提出一種適用于PERC電池片的雙面鍍膜石墨框，能夠使用一臺(tái)鍍膜機(jī)臺(tái)進(jìn)行上下兩面鍍膜，從而節(jié)省一臺(tái)鍍膜機(jī)臺(tái)，極大地降低生產(chǎn)成本。

為達(dá)此目的，本實(shí)用新型采用以下技術(shù)方案：

一種適用于PERC電池片的雙面鍍膜石墨框，包括內(nèi)部中空的石墨邊框，所述石墨邊框的每個(gè)邊框的頂面均設(shè)置有臺(tái)階和斜面，所述臺(tái)階和所述斜面由內(nèi)至外設(shè)置，所述臺(tái)階的豎直面的頂端連接所述斜面的底端，多個(gè)所述斜面形成上大下小的倒錐形開(kāi)口結(jié)構(gòu)，所述臺(tái)階的豎直面的高度略大于硅片的厚度，所述臺(tái)階的寬度略大于硅片的預(yù)留邊緣寬度。

優(yōu)選的，所述斜面相對(duì)于水平面的傾斜角度為12.77°～21.85°。

進(jìn)一步優(yōu)選的，所述斜面相對(duì)于水平面的傾斜角度為16.5°。

優(yōu)選的，所述石墨邊框的寬度為10～15mm。

進(jìn)一步優(yōu)選的，所述石墨邊框的寬度為10mm。

優(yōu)選的，所述臺(tái)階的厚度為1.5～1.8mm。

進(jìn)一步優(yōu)選的，所述臺(tái)階的厚度為1.5mm。

優(yōu)選的，所述臺(tái)階的寬度為1.2～1.8mm。

進(jìn)一步優(yōu)選的，所述臺(tái)階的寬度為1.5mm。

優(yōu)選的，所述臺(tái)階的豎直面的高度為0.5～0.8mm。

本實(shí)用新型的有益效果為：

本實(shí)用新型的適用于PERC電池片的雙面鍍膜石墨框，包括內(nèi)部中空的石墨邊框，所述石墨邊框的每個(gè)邊框的頂面均設(shè)置有臺(tái)階和斜面，所述臺(tái)階和所述斜面由內(nèi)至外設(shè)置，所述臺(tái)階的豎直面的頂端連接所述斜面的底端，多個(gè)所述斜面形成上大下小的倒錐形開(kāi)口結(jié)構(gòu)，所述臺(tái)階的豎直面的高度略大于硅片的厚度，所述臺(tái)階的寬度略大于硅片的預(yù)留邊緣寬度；其將臺(tái)階的豎直面的高度設(shè)置為略大于硅片的厚度，也就是說(shuō)，當(dāng)硅片置于臺(tái)階的臺(tái)階面上時(shí)，硅片的頂面略低于臺(tái)階的豎直面的頂端，也即略低于斜面的底端，從而降低硅片的頂面與石墨邊框的頂端的落差，進(jìn)而在正面鍍膜時(shí)，可以有效防止因突然抖動(dòng)造成的硅片掉落，也可以較好地緩解石墨邊框本身的高度對(duì)硅片的正面邊緣的影響；同時(shí)，根據(jù)實(shí)際生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)可知，預(yù)留邊緣寬度一般為1mm左右，因而將臺(tái)階的寬度設(shè)置為略大于硅片的預(yù)留邊緣寬度，當(dāng)硅片放置于臺(tái)階的臺(tái)階面上時(shí)，臺(tái)階面與硅片的邊緣的搭接寬度則不會(huì)過(guò)大，因而盡可能的縮小了臺(tái)階面對(duì)于硅片的背面的遮擋，從而有利于背面鍍膜，因此，通過(guò)斜面與臺(tái)階的配合，使得其能夠使用一臺(tái)鍍膜機(jī)臺(tái)進(jìn)行上下兩面鍍膜，從而節(jié)省一臺(tái)鍍膜機(jī)臺(tái)，極大地降低生產(chǎn)成本。

附圖說(shuō)明

圖1是現(xiàn)有技術(shù)中的石墨框的俯視結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2是圖1中的石墨框的側(cè)視結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3是本實(shí)用新型的石墨框的俯視結(jié)構(gòu)示意圖。

圖4是圖3中的石墨框的側(cè)視結(jié)構(gòu)示意圖。

圖中：1-石墨邊框；2-硅片；3-臺(tái)階；4-斜面。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖并通過(guò)具體實(shí)施方式來(lái)進(jìn)一步說(shuō)明本實(shí)用新型的技術(shù)方案。

如圖3、4所示，一種適用于PERC電池片的雙面鍍膜石墨框，包括內(nèi)部中空的石墨邊框1，所述石墨邊框1的每個(gè)邊框的頂面均設(shè)置有臺(tái)階3和斜面4，所述臺(tái)階3和所述斜面4由內(nèi)至外設(shè)置，所述臺(tái)階3的豎直面的頂端連接所述斜面4的底端，多個(gè)所述斜面4形成上大下小的倒錐形開(kāi)口結(jié)構(gòu)，所述臺(tái)階3的豎直面的高度略大于硅片2的厚度，所述臺(tái)階3的寬度略大于硅片2的預(yù)留邊緣寬度。

優(yōu)選的，所述斜面4相對(duì)于水平面的傾斜角度為12.77°～21.85°。所述斜面4相對(duì)于水平面的傾斜角度為13°、13.5°、14°、14.4°、15°、15.8°、16°、16.3°、17°、17.9°、18°、18.1°、19°、19.7°、20.3°、21°、21.85°。進(jìn)一步優(yōu)選的，所述斜面4相對(duì)于水平面的傾斜角度為16.5°。

優(yōu)選的，所述石墨邊框1的寬度為10～15mm。所述石墨邊框1的寬度為10mm、10.2mm、10.4mm、10.6mm、10.8mm、11mm、11.2mm、11.4mm、11.6mm、11.8mm、12mm、12.2mm、12.4mm、12.6mm、12.8mm、13mm、13.2mm、13.4mm、13.6mm、13.8mm、14mm、14.2mm、14.6mm、14.8mm、15mm。進(jìn)一步優(yōu)選的，所述石墨邊框1的寬度為10mm。

優(yōu)選的，所述臺(tái)階3的厚度為1.5～1.8mm。所述臺(tái)階3的厚度為1.5mm、1.55mm、1.6mm、1.65mm、1.7mm、1.75mm、1.8mm。進(jìn)一步優(yōu)選的，所述臺(tái)階3的厚度為1.5mm。

優(yōu)選的，所述臺(tái)階3的寬度為1.2～1.8mm。所述臺(tái)階3的寬度為1.2mm、1.3mm、1.4mm、1.5mm、1.6mm、1.7mm、1.8mm。進(jìn)一步優(yōu)選的，所述臺(tái)階3的寬度為1.5mm。

優(yōu)選的，所述臺(tái)階3的豎直面的高度為0.5～0.8mm。所述臺(tái)階3的豎直面的高度為0.5mm、0.55mm、0.6mm、0.65mm、0.70mm、0.75mm、0.8mm。進(jìn)一步優(yōu)選的，所述臺(tái)階3的豎直面的高度為0.5mm。

在本實(shí)施例中，臺(tái)階3的寬度可以為略小于或者等于臺(tái)階3的厚度，這樣可以保證向內(nèi)凸出設(shè)置的臺(tái)階的機(jī)械強(qiáng)度，不至于彎曲，導(dǎo)致影響鍍膜。

本實(shí)用新型的石墨框，將石墨邊框的寬度加寬，在此基礎(chǔ)上，設(shè)置斜面4，斜面4的高度為平緩下降，從而可以形成長(zhǎng)緩坡?tīng)畹慕Y(jié)構(gòu)，再配合臺(tái)階3，使得臺(tái)階3的臺(tái)階面與斜面的底端的高度，也就是臺(tái)階3的豎直面的高度略大于硅片的厚度0.2mm，這樣可以有效降低硅片的頂面與石墨邊框的頂端的落差，進(jìn)而在正面鍍膜時(shí)，可以有效防止因突然抖動(dòng)造成的硅片掉落，確保上下面鍍膜正常，且上下鍍膜均無(wú)繞射情況，也可以較好地緩解石墨邊框本身的高度對(duì)硅片的正面邊緣的影響；同時(shí)，根據(jù)實(shí)際生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)可知，預(yù)留邊緣寬度一般為1mm左右，因而將臺(tái)階的寬度設(shè)置為略大于硅片的預(yù)留邊緣寬度，也即一定程度上減小了臺(tái)階的寬度，當(dāng)硅片放置于臺(tái)階的臺(tái)階面上時(shí)，臺(tái)階面與硅片的邊緣的搭接寬度則不會(huì)過(guò)大，因而盡可能的縮小了臺(tái)階面對(duì)于硅片的背面的遮擋，最大限度的減少硅片背面未鍍膜區(qū)域的量，從而有利于背面鍍膜，因此，通過(guò)斜面與臺(tái)階的配合，使得其能夠使用一臺(tái)鍍膜機(jī)臺(tái)進(jìn)行上下兩面鍍膜，從而節(jié)省一臺(tái)鍍膜機(jī)臺(tái)，極大地降低生產(chǎn)成本。

此外，本實(shí)用新型的雙面鍍膜石墨框，在多個(gè)組合之后可以形成承載裝置，這種承載裝置可以用于在一臺(tái)鍍膜機(jī)進(jìn)行上下兩面鍍膜，極大地降低生產(chǎn)成本。

以上結(jié)合具體實(shí)施例描述了本實(shí)用新型的技術(shù)原理。這些描述只是為了解釋本實(shí)用新型的原理，而不能以任何方式解釋為對(duì)本實(shí)用新型保護(hù)范圍的限制。基于此處的解釋，本領(lǐng)域的技術(shù)人員不需要付出創(chuàng)造性的勞動(dòng)即可聯(lián)想到本實(shí)用新型的其它具體實(shí)施方式，這些方式都將落入本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。