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一種能抗超高浪涌電壓的漏電保護(hù)開關(guān)的制作方法

文檔序號(hào):12066825閱讀:435來源:國(guó)知局
一種能抗超高浪涌電壓的漏電保護(hù)開關(guān)的制作方法與工藝

本發(fā)明涉及一種能抗超高浪涌電壓的漏電保護(hù)開關(guān),屬于電學(xué)技術(shù)領(lǐng)域。



背景技術(shù):

上述的普遍使用的能抵抗浪涌電壓的漏電開關(guān),一般是基于電阻吸收的作用,通過串接電阻的吸收以能夠抵抗浪涌電壓。目前市場(chǎng)上普片使用的漏電開關(guān)都只能抵抗4000V浪涌電壓,這個(gè)浪涌電壓一般表現(xiàn)為雷擊作用,如果這個(gè)雷擊的信號(hào)非常強(qiáng)烈的時(shí)候,一般的漏電開關(guān)就會(huì)被這個(gè)雷擊信號(hào)所損壞。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

為了解決上述問題,本發(fā)明提供了一種能抗超高浪涌電壓的漏電保護(hù)開關(guān),能夠起到對(duì)7000V浪涌電壓的保護(hù)作用,能夠很好的起到對(duì)此產(chǎn)品的保護(hù)。本發(fā)明的漏電保護(hù)開關(guān),在保證了漏電開關(guān)的漏電保護(hù)功能情況下,還能夠保證在有極強(qiáng)的雷擊的時(shí)候,此漏電保護(hù)開關(guān)還能夠正常的工作。

本發(fā)明的能抗超高浪涌電壓的漏電保護(hù)開關(guān),主要包括浪涌電壓處理模塊、電源處理模塊、漏電信號(hào)檢測(cè)模塊、漏電信號(hào)處理模塊、驅(qū)動(dòng)單元、執(zhí)行機(jī)構(gòu);所述浪涌電壓處理模塊與電源處理模塊連接,漏電信號(hào)檢測(cè)模塊和電源處理模塊均與漏電信號(hào)處理模塊連接,驅(qū)動(dòng)單元連接漏電信號(hào)處理模塊和執(zhí)行機(jī)構(gòu);浪涌電壓處理模塊中包括扼流圈T1、壓敏電阻RV1、吸收電感H1、壓敏電阻RV2。

在一種實(shí)施方式中,浪涌電壓處理模塊中包括扼流圈T1、壓敏電阻RV1、吸收電感H1、壓敏電阻RV2,依次通過導(dǎo)線以串接方式連接。

在一種實(shí)施方式中,電源處理模塊中包括橋式整流器和濾波器,整流器和濾波器之間是串接方式。

在一種實(shí)施方式中,所述整流器是通過橋式方式連接的。

在一種實(shí)施方式中,漏電信號(hào)檢測(cè)模塊包括互感器ZCT、取樣電阻R1、高頻吸收電容C1,通過串接方式連接。

在一種實(shí)施方式中,漏電信號(hào)處理模塊包括信號(hào)處理芯片。

在一種實(shí)施方式中,驅(qū)動(dòng)單元包括P1可控硅。可控硅信號(hào)控制端連接在漏電處理芯片的輸出端,可控硅的驅(qū)動(dòng)端連接在執(zhí)行機(jī)構(gòu)端上。

在一種實(shí)施方式中,執(zhí)行機(jī)構(gòu)包括電磁鐵、執(zhí)行機(jī)構(gòu)。電磁鐵里面的動(dòng)作鐵心和機(jī)械動(dòng)作機(jī)構(gòu)連接,當(dāng)鐵心動(dòng)作時(shí)候,會(huì)帶動(dòng)機(jī)械結(jié)構(gòu)動(dòng)作。

在一種實(shí)施方式中,電源處理模塊負(fù)責(zé)給漏電信號(hào)處理模塊提供電源,漏電信號(hào)檢測(cè)模塊時(shí)負(fù)責(zé)提供信號(hào)給后面的處理模塊。

本發(fā)明的主要改進(jìn)點(diǎn)集中在原理圖的浪涌電壓處理模塊,說明如下,當(dāng)出現(xiàn)由于雷擊而產(chǎn)生極高浪涌電壓信號(hào)的時(shí)候,這個(gè)極高的浪涌信號(hào)經(jīng)過扼流圈T1和壓敏電阻RV1形成一個(gè)回路,將此極高的浪涌電壓信號(hào)進(jìn)行第一級(jí)能量吸收,然后再通過吸收電感H1和壓敏電阻RV2形成一個(gè)回路,將此浪涌電壓信號(hào)進(jìn)行第二級(jí)能量吸收,這樣就不會(huì)損壞后面的電路,從而起到保護(hù)開關(guān)的作用。

本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和效果:

本發(fā)明的能抗超高浪涌電壓的漏電保護(hù)開關(guān),能夠用于家庭或者電力保護(hù)場(chǎng)合,對(duì)于由于漏電產(chǎn)生的人身安全以及電力設(shè)備起到保護(hù)作用,此產(chǎn)品是一種帶有極強(qiáng)抗超高浪涌電壓功能的漏電保護(hù)開關(guān),適合一些需要在戶外安裝漏電保護(hù)開關(guān)的場(chǎng)合。

附圖說明

圖1為本發(fā)明的能抗超高浪涌電壓的漏電保護(hù)開關(guān)結(jié)構(gòu)示意圖;

圖2為本發(fā)明的能抗超高浪涌電壓的漏電保護(hù)開關(guān)電路原理圖。

具體實(shí)施方案

下面是對(duì)本發(fā)明進(jìn)行具體描述。

實(shí)施例1

如圖1所示,為本發(fā)明的能抗超高浪涌電壓的漏電保護(hù)開關(guān)結(jié)構(gòu)示意圖。其工作原理介紹如下:

1:浪涌電壓處理模塊,負(fù)責(zé)吸收來自外部的極高浪涌電壓信號(hào),一共有四個(gè)組成部分,扼流圈T1、壓敏電阻RV1、吸收電感H1、壓敏電阻RV2,這4個(gè)組成部分通過串接方式連接的。當(dāng)出現(xiàn)雷擊的時(shí)候,如果這個(gè)雷擊的極高浪涌電壓輸入到此模塊當(dāng)中的時(shí)候,首先通過扼流圈T1,將這個(gè)突變的極高浪涌電壓起到阻斷的作用,將此極高的電壓信號(hào)進(jìn)行一個(gè)衰減的作用,另外也起到對(duì)此電壓形成的突加電流起到限流的作用,然后通過后面的壓敏電阻RV1將高壓信號(hào)實(shí)現(xiàn)第1級(jí)的吸收,由于前面有扼流圈T1的限流作用,所以RV1就不會(huì)被高電流所損壞,由于第1級(jí)的吸收不能很徹底,還是會(huì)有較高的殘壓,這樣就需要吸收電感H1的進(jìn)一步限流作用,以及壓敏電阻RV2的徹底吸收作用,這樣經(jīng)過2級(jí)處理后的浪涌電壓就會(huì)被徹底吸收掉,不會(huì)再對(duì)后面的電路產(chǎn)生影響,能夠很好的保護(hù)開關(guān)。

2:電源處理模塊,負(fù)責(zé)將開關(guān)的電源(外部輸入的220V交流電)輸入到電源處理模塊當(dāng)中,這一部分的作用為將市電工頻交流電,經(jīng)過橋式整流器B1的整流,將50Hz的220V交流電轉(zhuǎn)變成直流電,再通過大功率降壓電阻R1的降壓,將電壓降低到后續(xù)元件所需要的電壓值,C1電容為濾波電容,將脈動(dòng)的直流電濾波成線性直流電。

3:漏電信號(hào)檢測(cè)模塊,這一部分模塊負(fù)責(zé)將漏電信號(hào)進(jìn)行檢測(cè)和收集,主要由三個(gè)組成部分,互感器ZCT,取樣電阻R2,高頻吸收電容C2。當(dāng)用電設(shè)備出現(xiàn)漏電的時(shí)候,此互感器ZCT會(huì)將此漏電信號(hào)感應(yīng)到,同時(shí)將此漏電信號(hào)采集轉(zhuǎn)化成電壓信號(hào),然后通過取樣電阻R2將此電壓信號(hào)進(jìn)行取樣。在這里這個(gè)C2電容也是很關(guān)鍵的,由于電網(wǎng)電壓中往往會(huì)參雜很多高頻干擾信號(hào),此電容C2就能對(duì)這些不是漏電的高頻電壓信號(hào)進(jìn)行過濾,防止影響此產(chǎn)品正常工作,C3電容為抗干擾電容,防止有高頻干擾信號(hào)進(jìn)入芯片,R3電阻為限流電阻,限制互感器感應(yīng)的電流,防止電流過大損壞芯片U1.

4:漏電信號(hào)處理模塊,這一部分的主要作用為將上一單元(漏電信號(hào)檢測(cè)模塊)采集到的漏電信號(hào),經(jīng)過信號(hào)處理芯片的處理和識(shí)別,當(dāng)此漏電信號(hào)達(dá)到此芯片U1的設(shè)定輸出閥值的時(shí)候,此漏電處理芯片會(huì)給下一工作單元(驅(qū)動(dòng)單元)輸出一個(gè)信號(hào)。此芯片U1的1、2腳為信號(hào)采集腳,采集互感器ZCT感應(yīng)的漏電信號(hào),U1的4、5腳為抗干擾信號(hào)處理引腳,通過電容C4將干擾信號(hào)吸收掉,U1的6腳為信號(hào)鎖存器,將漏電輸出信號(hào)進(jìn)行鎖存,防止信號(hào)以為丟失,U1的7腳為芯片信號(hào)輸出引腳。其中和7腳向連接的電容C6為抗干擾吸收電容。防止可控硅Q1的誤工作。

5:驅(qū)動(dòng)單元,驅(qū)動(dòng)單元部分主要是1個(gè)元件,為P1可控硅,當(dāng)漏電處理芯片輸出一個(gè)信號(hào)后,可控硅P1會(huì)打開工作,這個(gè)時(shí)候就會(huì)給執(zhí)行機(jī)構(gòu)單元提供很大的電流,這個(gè)動(dòng)作執(zhí)行機(jī)構(gòu)就會(huì)將開關(guān)斷電,起到對(duì)人身和用電設(shè)備的保護(hù)作用,其中和芯片U1的7腳向連接的電容C6為抗干擾吸收電容。防止可控硅Q1的誤工作。

6:執(zhí)行機(jī)構(gòu)K1,當(dāng)驅(qū)動(dòng)單元發(fā)出驅(qū)動(dòng)信號(hào)后,此執(zhí)行機(jī)構(gòu)K1就會(huì)開啟工作,將開關(guān)斷電,起到對(duì)人身和用電設(shè)備的保護(hù)作用。

實(shí)施例2:

如圖2為本發(fā)明的能抗超高浪涌電壓的漏電保護(hù)開關(guān)電路原理圖。

RV1、RV2壓敏電阻和T1、H1電感組成抗浪涌系統(tǒng),防止過大的外部擊電壓損壞電路中其他元件,外部輸入的220V交流電通過整流橋B1將交流電整流成脈動(dòng)直流電,然后這個(gè)脈動(dòng)直流電通過電阻R1降壓和C1電容的濾波作用,變成低壓的純直流電,此純直流電通過芯片的8腳給芯片U1提供電源。當(dāng)電路中出現(xiàn)漏電的時(shí)候,互感器ZCT會(huì)將此漏電信號(hào)采集,采集的信號(hào)為低電壓交流信號(hào),通過電阻R2的取樣,在通過去干擾電容C2的作用輸入到芯片的U1芯片的2腳,當(dāng)此漏電信號(hào)在芯片2腳的電壓高于芯片U1的1腳參考電壓后,芯片會(huì)將高電平信號(hào)輸出給U1I芯片的4腳,芯片4,5腳相連接的電容C4為延時(shí)電容,在這里起到延時(shí)輸出的作用,芯片6腳為鎖存器,將此高平信號(hào)進(jìn)行鎖存,防止以外丟失此高電平信號(hào),C5,C6在此為抗干擾電容,芯片U1的7腳會(huì)將此高電平信號(hào)輸出給可控硅Q1,當(dāng)可控硅Q1開始打開工作的時(shí)候,通過電磁鐵T1的電流就會(huì)很大,這樣電磁鐵T1中的動(dòng)鐵芯就會(huì)開始動(dòng)作,這樣就能驅(qū)動(dòng)K1動(dòng)作,將此開關(guān)斷開,起到保護(hù)人身和設(shè)備的作用。

雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例公開如上,但其并非用以限定本發(fā)明,任何熟悉此技術(shù)的人,在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi),都可做各種的改動(dòng)與修飾,因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)該以權(quán)利要求書所界定的為準(zhǔn)。

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