本發(fā)明涉及鋁電解領(lǐng)域，具體是指一種電磁干擾濾波的電流損耗抑制型便攜式開關(guān)電源。

背景技術(shù)：

便攜式開關(guān)電源的興起和發(fā)展為現(xiàn)代電子工業(yè)注入了一股新鮮血液，并且經(jīng)過長時間發(fā)展便攜式開關(guān)電源已成為人們生活中使用的電子產(chǎn)品必不可缺的組成部分，因而，便攜式開關(guān)電源的性能是否穩(wěn)定便成為了電子產(chǎn)品的工作狀態(tài)是否穩(wěn)定的重要因數(shù)。隨著電子產(chǎn)品的不斷發(fā)展，人們對，便攜式開關(guān)電源在性能、可靠性、安全性等方面的要求也越來越高。然而，現(xiàn)有的便攜式開關(guān)電源存在自身對電流損耗過高的問題，而導(dǎo)致負(fù)載能力低；并且，現(xiàn)有的便攜式開關(guān)電源還存在輸出電流不穩(wěn)定的問題，從而不能滿足人們的要求。

因此，提供一種既能降低電流損耗，又能輸出穩(wěn)定的電流的便攜式開關(guān)電源便成是當(dāng)務(wù)之急。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有的便攜式開關(guān)電源因存在自身對電流的損耗過高，輸出電流不穩(wěn)定的缺陷，提供一種電磁干擾濾波的電流損耗抑制型便攜式開關(guān)電源。

本發(fā)明的目的用以下技術(shù)方案實現(xiàn)：一種電磁干擾濾波的電流損耗抑制型便攜式開關(guān)電源，主要由控制芯片U2，變壓器T1，變壓器T2，二極管整流器U1，與變壓器T2原邊電感線圈的同名端相連接的電流損耗抑制電路，P極經(jīng)電阻R1后與二極管整流器U1的正極輸出端相連接、N極與控制芯片U2的VIN管腳相連接的穩(wěn)壓二極管D1，正極與二極管整流器U1的正極相連接、負(fù)極與二極管整流器U1的負(fù)極輸出端相連接后接地的極性電容C1，一端與極性電容C1的正極相連接、另一端與極性電容C1的負(fù)極相連接的電阻R2，串接在二極管整流器U1的其中一個輸入端與變壓器T1副邊電感線圈的同名端之間的開關(guān)S，N極與電流損耗抑制電路相連接、P極經(jīng)電阻R11后與控制芯片U2的VOUT管腳相連接的二極管D5，正極經(jīng)電阻R12后與二極管D5的P極相連接、負(fù)極接地的極性電容C6，分別與控制芯片U2的ON/OF管腳和GND管腳相連接的反激式轉(zhuǎn)換電路，串接在控制芯片U2的FB管腳與反激式轉(zhuǎn)換電路之間的電磁干擾濾波電路，以及分別與變壓器T2副邊電感線圈的同名端和非同名端相連接的高阻抗電壓輸出電路組成；所述變壓器T2的原邊電感線圈的非同名端接地；所述控制芯片U2的VC管腳與二極管整流器U1的負(fù)極輸出端相連接、其LX管腳與BST管腳相連接；所述二極管整流器U1的另一個輸入端與變壓器T1副邊電感線圈的非同名端相連接。

所述電流損耗抑制電路由場效應(yīng)管MOS4，三極管VT7，三極管VT8，正極經(jīng)電阻R30后與三極管VT7的發(fā)射極相連接、負(fù)極與二極管D5的N相連接的極性電容C15，正極經(jīng)電阻R29后與極性電容C15的負(fù)極相連接、負(fù)極接地的極性電容C16，P極與極性電容C15的正極相連接、N極經(jīng)電阻R31后與三極管VT7的基極相連接的二極管D13，正極經(jīng)電阻R32后與二極管D13的N極相連接、負(fù)極經(jīng)電阻R33后與三極管VT8的集電極相連接的極性電容C17，P極與極性電容C17的正極相連接、N極與三極管VT7的集電極相連接的二極管D14，P極與極性電容C17的負(fù)極相連接、N極與三極管VT7的集電極相連接的二極管D15，N極與場效應(yīng)管MOS4的源極相連接、P極經(jīng)電感L3后與三極管VT7的發(fā)射極相連接的二極管D16，一端與二極管D16的P極相連接、另一端與三極管VT7的集電極相連接的可調(diào)電阻R35，正極與場效應(yīng)管MOS4的柵極相連接、負(fù)極經(jīng)電阻R36后與三極管VT7的集電極相連接的極性電容C18，一端與三極管VT7的集電極相連接、另一端接地的電阻R37，負(fù)極經(jīng)電阻R34后與三極管VT8的基極相連接、正極順次經(jīng)電阻R39和可調(diào)電阻R38后與場效應(yīng)管MOS4的漏極相連接的極性電容C19，以及正極與場效應(yīng)管MOS4的漏極相連接、負(fù)極接地的極性電容C20組成；所述三極管VT8的集電極接地；所述場效應(yīng)管MOS4的漏極還與變壓器T2原邊電感線圈的同名端相連接。

進(jìn)一步的，所述電磁干擾濾波電路由場效應(yīng)管MOS2，場效應(yīng)管MOS3，三極管VT5，三極管VT6，負(fù)極經(jīng)電感線圈DL后與場效應(yīng)管MOS2的漏極相連接、正極與控制芯片U2的FB管腳相連接的極性電容C10，負(fù)極經(jīng)電阻R20后與極性電容C10的負(fù)極相連接，正極經(jīng)電阻R21后與場效應(yīng)管MOS2的漏極相連接的極性電容C11，N極經(jīng)電阻R22后與極性電容C10的負(fù)極相連接、P極經(jīng)電阻R26后與三極管VT5的發(fā)射極相連接的二極管D9，正極經(jīng)電阻R24后與二極管D9的P極相連接、負(fù)極經(jīng)可調(diào)電阻R25后與三極管VT6的基極相連接的極性電容C12，P極與極性電容C12的負(fù)極相連接、N極與場效應(yīng)管MOS3的柵極相連接的二極管D10，負(fù)極與三極管VT5的發(fā)射極相連接后接地、正極經(jīng)電阻R27后與場效應(yīng)管MOS3的源極相連接的極性電容C13，正極與三極管VT6的集電極相連接、負(fù)極接地的極性電容C14，P極與場效應(yīng)管MOS3的漏極相連接、N極與極性電容C14的負(fù)極相連接的二極管D11，P極與三極管VT6的集電極相連接、N極經(jīng)電阻R23后與極性電容C11的正極相連接的穩(wěn)壓二極管D12，以及一端與穩(wěn)壓二極管D12的N極相連接、另一端接地的電阻R28組成；所述極性電容C10的負(fù)極還與二極管D10的P極相連接；所述三極管VT5的集電極還與場效應(yīng)管MOS3的柵極相連接、其基極還與極性電容C13的正極相連接；所述三極管VT6的發(fā)射極還與場效應(yīng)管MOS2的柵極相連接；所述穩(wěn)壓二極管D12的N極還與反激式轉(zhuǎn)換電路相連接。

所述反激式轉(zhuǎn)換電路由三極管VT1，三極管VT2，負(fù)極與三極管VT1的集電極相連接、正極經(jīng)電阻R4后與控制芯片U2的ON/OF管腳相連接的極性電容C3，P極與極性電容C3的正極相連接、N極與三極管VT1的集電極相連接的二極管D2，正極經(jīng)電阻R3后與二極管D2的P極相連接、負(fù)極接地的極性電容C2，一端與極性電容C2的正極相連接、另一端與三極管VT2的集電極相連接的電感L1，正極經(jīng)電阻R6后與三極管VT2的集電極相連接、負(fù)極經(jīng)電阻R8后與三極管VT2的發(fā)射極相連接的極性電容C5，N極經(jīng)可調(diào)電阻R5后與三極管VT1的基極相連接、P經(jīng)電阻R7后與極性電容C5的負(fù)極相連接的二極管D3，負(fù)極與三極管VT1的發(fā)射極相連接、正極與三極管VT2的基極相連接的極性電容C4，一端與極性電容C4的負(fù)極相連接、另一端與極性電容C4的正極相連接的電阻R9，以及P極與極性電容C5的負(fù)極相連接、N極經(jīng)可調(diào)電阻R10后與三極管VT1的發(fā)射極相連接的二極管D4組成；所述二極管D3的N極還與三極管VT2的集電極相連接；所述可調(diào)電阻R10的可調(diào)端與穩(wěn)壓二極管D12的N極相連接；所述二極管D4的N極與控制芯片U2的GND管腳相連接后接地。

所述高阻抗電壓輸出電路由場效應(yīng)管MOS1，三極管VT3，三極管VT4，正極與變壓器T2副邊電感線圈的非同名端相連接、負(fù)極經(jīng)電阻R14后與三極管VT3的發(fā)射極相連接的極性電容C7，P極經(jīng)電阻R13后與極性電容C7的負(fù)極相連接、N極與三極管VT3的發(fā)射極相連接的二極管D6，P極與極性電容C7的負(fù)極相連接、N極經(jīng)電阻R16后與三極管VT3的基極相連接的二極管D7，正極與變壓器T2副邊電感線圈的同名端相連接、負(fù)極與場效應(yīng)管MOS1的漏極相連接后接地的極性電容C8，正極經(jīng)電阻R15后與三極管VT3的發(fā)射極相連接、負(fù)極經(jīng)電阻R17后與三極管VT3的集電極相連接的極性電容C9，一端與極性電容C9的負(fù)極相連接、另一端與三極管VT4的發(fā)射極相連接的可調(diào)電阻R18，以及P極經(jīng)電阻R19后與三極管VT4的基極相連接、N極經(jīng)電感L2后與場效應(yīng)管MOS1的柵極相連接的二極管D8組成；所述場效應(yīng)管MOS1的柵極還有三極管VT4的集電極相連接、其源極與三極管VT3的集電極相連接；所述二極管D8的N極與場效應(yīng)管MOS1的柵極共同形成高阻抗電壓輸出電路的輸出端。

為了本發(fā)明的實際使用效果，所述的處理芯片U2則優(yōu)先采用了MAX5035集成芯片來實現(xiàn)。

本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下優(yōu)點及有益效果：

(1)本發(fā)明能有效的降低電流的傳導(dǎo)損耗和電路所造成的電流損耗，并且本發(fā)明還能對脈沖寬度進(jìn)行調(diào)整，能有效的避免本發(fā)明的磁性組件的磁性強(qiáng)度出現(xiàn)飽和狀態(tài)，從而確保了本發(fā)明能有效的降低自身對電流的損耗，能有效的提高本發(fā)明負(fù)載能力，很好的滿足人們的要求。

(2)本發(fā)明能有效的降低穩(wěn)態(tài)時候的自身損耗的功耗，并且能對啟動時的瞬間高電流進(jìn)行抑制，有效的減小了啟動時的電流損耗，從而確保了本發(fā)明能降低自身對電流的損耗。

(3)本發(fā)明能將電路中的強(qiáng)電磁干擾電波進(jìn)行消除或抑制，使電路中的電流波形保持平穩(wěn)，能有效的降低電路中的電流損耗，從而提高了本發(fā)明的負(fù)載能力。

(4)本發(fā)明能對輸出電流的異常波動進(jìn)行抑制，使輸出電流的強(qiáng)度保持穩(wěn)定，從而提高了本發(fā)明輸出電流的穩(wěn)定性。

(5)本發(fā)明的處理芯片U2則優(yōu)先采用了MAX5035集成芯片來實現(xiàn)，該芯片與外圍電路相結(jié)合，能有效的確保本發(fā)明降低自身對電流損耗的可靠性。

附圖說明

圖1為本發(fā)明的整體結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為本發(fā)明的電磁干擾濾波電路的電路結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3為本發(fā)明的電流損耗抑制電路的電路結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

下面結(jié)合具體實施例對本發(fā)明作進(jìn)一步地詳細(xì)說明，但本發(fā)明的實施方式不限于此。

實施例

如圖1所示，本發(fā)明主要由控制芯片U2，變壓器T1，變壓器T2，二極管整流器U1，電阻R1，電阻R2，電阻R11，電阻R12，開關(guān)S，極性電容C1，極性電容C6，穩(wěn)壓二極管D1，二極管D5，電流損耗抑制電路，電磁干擾濾波電路，反激式轉(zhuǎn)換電路，以及高阻抗電壓輸出電路組成。

連接時，穩(wěn)壓二極管D1的P極經(jīng)電阻R1后與二極管整流器U1的正極輸出端相連接，N極與控制芯片U2的VIN管腳相連接。極性電容C1的正極與二極管整流器U1的正極相連接，負(fù)極與二極管整流器U1的負(fù)極輸出端相連接后接地。電阻R2的一端與極性電容C1的正極相連接，另一端與極性電容C1的負(fù)極相連接。

同時，開關(guān)S串接在二極管整流器U1的其中一個輸入端與變壓器T1副邊電感線圈的同名端之間。二極管D5的N極與電流損耗抑制電路相連接，P極經(jīng)電阻R11后與控制芯片U2的VOUT管腳相連接。極性電容C6的正極經(jīng)電阻R12后與二極管D5的P極相連接，負(fù)極接地。電流損耗抑制電路與變壓器T2原邊電感線圈的同名端相連接。反激式轉(zhuǎn)換電路分別與控制芯片U2的ON/OF管腳和GND管腳相連接。電磁干擾濾波電路串接在控制芯片U2的FB管腳與反激式轉(zhuǎn)換電路之間。高阻抗電壓輸出電路分別與變壓器T2副邊電感線圈的同名端和非同名端相連接。

所述變壓器T2的原邊電感線圈的非同名端接地；所述控制芯片U2的VC管腳與二極管整流器U1的負(fù)極輸出端相連接，其LX管腳與BST管腳相連接；所述二極管整流器U1的另一個輸入端與變壓器T1副邊電感線圈的非同名端相連接。實施時，所述的變壓器T1原邊電感線圈的同名端和非同名端共同形成本發(fā)明的輸入端并與市電相連接。為了本發(fā)明的實際使用效果，所述的處理芯片U2則優(yōu)先采用了MAX5035集成芯片來實現(xiàn)。

進(jìn)一步地，所述反激式轉(zhuǎn)換電路由三極管VT1，三極管VT2，電阻R3，電阻R4，可調(diào)電阻R5，電阻R6，電阻R7，電阻R8，電阻R9，可調(diào)電阻R10，極性電容C2，極性電容C3，極性電容C4，極性電容C5，電感L1，二極管D2，二極管D3，以及二極管D4組成。

連接時，極性電容C3的負(fù)極與三極管VT1的集電極相連接，正極經(jīng)電阻R4后與控制芯片U2的ON/OF管腳相連接。二極管D2的P極與極性電容C3的正極相連接，N極與三極管VT1的集電極相連接。極性電容C2的正極經(jīng)電阻R3后與二極管D2的P極相連接，負(fù)極接地。電感L1的一端與極性電容C2的正極相連接，另一端與三極管VT2的集電極相連接。

其中，極性電容C5的正極經(jīng)電阻R6后與三極管VT2的集電極相連接，負(fù)極經(jīng)電阻R8后與三極管VT2的發(fā)射極相連接。二極管D3的N極經(jīng)可調(diào)電阻R5后與三極管VT1的基極相連接，P經(jīng)電阻R7后與極性電容C5的負(fù)極相連接。

同時，極性電容C4的負(fù)極與三極管VT1的發(fā)射極相連接，正極與三極管VT2的基極相連接。電阻R9的一端與極性電容C4的負(fù)極相連接，另一端與極性電容C4的正極相連接。二極管D4的P極與極性電容C5的負(fù)極相連接，N極經(jīng)可調(diào)電阻R10后與三極管VT1的發(fā)射極相連接。

所述二極管D3的N極還與三極管VT2的集電極相連接；所述可調(diào)電阻R10的可調(diào)端與穩(wěn)壓二極管D12的N極相連接；所述二極管D4的N極與控制芯片U2的GND管腳相連接后接地。

更進(jìn)一步地，所述高阻抗電壓輸出電路由場效應(yīng)管MOS1，三極管VT3，三極管VT4，電阻R13，電阻R14，電阻R15，電阻R16，電阻R17，可調(diào)電阻R18，電阻R19，電感L2，極性電容C7，極性電容C8，極性電容C9，二極管D6，二極管D7，以及二極管D8組成。

連接時，極性電容C7的正極與變壓器T2副邊電感線圈的非同名端相連接，負(fù)極經(jīng)電阻R14后與三極管VT3的發(fā)射極相連接。二極管D6的P極經(jīng)電阻R13后與極性電容C7的負(fù)極相連接，N極與三極管VT3的發(fā)射極相連接。二極管D7的P極與極性電容C7的負(fù)極相連接，N極經(jīng)電阻R16后與三極管VT3的基極相連接。極性電容C8的正極與變壓器T2副邊電感線圈的同名端相連接，負(fù)極與場效應(yīng)管MOS1的漏極相連接后接地。

同時，極性電容C9的正極經(jīng)電阻R15后與三極管VT3的發(fā)射極相連接，負(fù)極經(jīng)電阻R17后與三極管VT3的集電極相連接?？烧{(diào)電阻R18的一端與極性電容C9的負(fù)極相連接，另一端與三極管VT4的發(fā)射極相連接。二極管D8的P極經(jīng)電阻R19后與三極管VT4的基極相連接，N極經(jīng)電感L2后與場效應(yīng)管MOS1的柵極相連接。

所述場效應(yīng)管MOS1的柵極還有三極管VT4的集電極相連接，其源極與三極管VT3的集電極相連接；所述二極管D8的N極與場效應(yīng)管MOS1的柵極共同形成高阻抗電壓輸出電路的輸出端。實施時，該高阻抗電壓輸出電路的輸出端則與電子產(chǎn)品相連接。

如圖2所示，所述電磁干擾濾波電路由場效應(yīng)管MOS2，場效應(yīng)管MOS3，三極管VT5，三極管VT6，電阻R20，電阻R21，電阻R22，電阻R23，電阻R24，可調(diào)電阻R25，電阻R26，電阻R27，電阻R28，電感線圈DL，極性電容C10，極性電容C11，極性電容C12，極性電容C13，極性電容C14，二極管D9，二極管D10，二極管D11，以及穩(wěn)壓二極管D12組成。

連接時，極性電容C10的負(fù)極經(jīng)電感線圈DL后與場效應(yīng)管MOS2的漏極相連接，正極與控制芯片U2的FB管腳相連接。極性電容C11的負(fù)極經(jīng)電阻R20后與極性電容C10的負(fù)極相連接，正極經(jīng)電阻R21后與場效應(yīng)管MOS2的漏極相連接。二極管D9的N極經(jīng)電阻R22后與極性電容C10的負(fù)極相連接，P極經(jīng)電阻R26后與三極管VT5的發(fā)射極相連接。極性電容C12的正極經(jīng)電阻R24后與二極管D9的P極相連接，負(fù)極經(jīng)可調(diào)電阻R25后與三極管VT6的基極相連接。

同時，二極管D10的P極與極性電容C12的負(fù)極相連接，N極與場效應(yīng)管MOS3的柵極相連接。極性電容C13的負(fù)極與三極管VT5的發(fā)射極相連接后接地，正極經(jīng)電阻R27后與場效應(yīng)管MOS3的源極相連接。極性電容C14的正極與三極管VT6的集電極相連接，負(fù)極接地。二極管D11的P極與場效應(yīng)管MOS3的漏極相連接，N極與極性電容C14的負(fù)極相連接。穩(wěn)壓二極管D12的P極與三極管VT6的集電極相連接，N極經(jīng)電阻R23后與極性電容C11的正極相連接。電阻R28的一端與穩(wěn)壓二極管D12的N極相連接，另一端接地。

所述極性電容C10的負(fù)極還與二極管D10的P極相連接；所述三極管VT5的集電極還與場效應(yīng)管MOS3的柵極相連接，其基極還與極性電容C13的正極相連接；所述三極管VT6的發(fā)射極還與場效應(yīng)管MOS2的柵極相連接；所述穩(wěn)壓二極管D12的N極還與反激式轉(zhuǎn)換電路相連接。

如圖3所示，所述電流損耗抑制電路由場效應(yīng)管MOS4，三極管VT7，三極管VT8，電阻R29，電阻R30，電阻R31，電阻R32，電阻R33，電阻R34，可調(diào)電阻R35，電阻R36，電阻R37，可調(diào)電阻R38，電阻R39，極性電容C15，極性電容C16，極性電容C17，極性電容C18，極性電容C19，極性電容C20，電感L3，二極管D13，二極管D14，二極管D15，以及二極管D16組成。

連接時，極性電容C15的正極經(jīng)電阻R30后與三極管VT7的發(fā)射極相連接，負(fù)極與二極管D5的N相連接。極性電容C16的正極經(jīng)電阻R29后與極性電容C15的負(fù)極相連接，負(fù)極接地。二極管D13的P極與極性電容C15的正極相連接，N極經(jīng)電阻R31后與三極管VT7的基極相連接。極性電容C17的正極經(jīng)電阻R32后與二極管D13的N極相連接，負(fù)極經(jīng)電阻R33后與三極管VT8的集電極相連接。

其中，二極管D14的P極與極性電容C17的正極相連接，N極與三極管VT7的集電極相連接。二極管D15的P極與極性電容C17的負(fù)極相連接，N極與三極管VT7的集電極相連接。二極管D16的N極與場效應(yīng)管MOS4的源極相連接，P極經(jīng)電感L3后與三極管VT7的發(fā)射極相連接?？烧{(diào)電阻R35的一端與二極管D16的P極相連接，另一端與三極管VT7的集電極相連接。極性電容C18的正極與場效應(yīng)管MOS4的柵極相連接，負(fù)極經(jīng)電阻R36后與三極管VT7的集電極相連接。

同時，電阻R37的一端與三極管VT7的集電極相連接，另一端接地。極性電容C19的負(fù)極經(jīng)電阻R34后與三極管VT8的基極相連接，正極順次經(jīng)電阻R39和可調(diào)電阻R38后與場效應(yīng)管MOS4的漏極相連接。極性電容C20的正極與場效應(yīng)管MOS4的漏極相連接，負(fù)極接地。所述三極管VT8的集電極接地；所述場效應(yīng)管MOS4的漏極還與變壓器T2原邊電感線圈的同名端相連接。實施時，所述電流損耗抑制電路中的電阻R29～電阻R34均采用5Ω的電阻，可調(diào)電阻R35和可調(diào)電阻R38則可根據(jù)啟動時所產(chǎn)生的高電流的值進(jìn)行相應(yīng)的調(diào)節(jié)，使電路對電流的損耗降到最低。

運行時，本發(fā)明的反激式轉(zhuǎn)換電路能有效的降低電流的傳導(dǎo)損耗和電路所造成的電流損耗，并且該電路還能對脈沖寬度進(jìn)行調(diào)整，能有效的避免本發(fā)明的磁性組件的磁性強(qiáng)度出現(xiàn)飽和狀態(tài)，從而確保了本發(fā)明能有效的降低自身對電流的損耗，有效提高本發(fā)明的負(fù)載能力。同時，本發(fā)明的高阻抗電壓輸出電路能對輸出電流的異常波動進(jìn)行抑制，使輸出電流的強(qiáng)度保持穩(wěn)定，從而提高了本發(fā)明輸出電流的穩(wěn)定性，很好的滿足人們的要求。其中，本發(fā)明的電流損耗抑制電路能有效的降低穩(wěn)態(tài)時候的自身損耗的功耗，并且能對啟動時的瞬間高電流進(jìn)行抑制，有效的減小了啟動時的電流損耗，從而確保了本發(fā)明能降低自身對電流的損耗。

同時，本發(fā)明的電磁干擾濾波電路能將電路中的強(qiáng)電磁干擾電波進(jìn)行消除或抑制，使電路中的電流波形保持平穩(wěn)，能有效的降低電路中的電流損耗，從而提高了本發(fā)明的負(fù)載能力。本發(fā)明的處理芯片U2則優(yōu)先采用具有過壓保護(hù)、過流保護(hù)和性能穩(wěn)定等優(yōu)點的MAX5035集成芯片來實現(xiàn)，該芯片與外圍電路相結(jié)合，能有效的確保本發(fā)明降低自身對電流損耗的可靠性。

如上所述，便可很好的實現(xiàn)本發(fā)明。