本發(fā)明涉及一種用于中頻感應(yīng)爐的可控硅檢測保護(hù)裝置及中頻感應(yīng)爐。

背景技術(shù)：

隨著社會的發(fā)展與科技的進(jìn)步，中頻感應(yīng)熔煉爐的噸位已越來越大，單機(jī)容量也越來越大。國內(nèi)熔煉爐最大為60t，單機(jī)容量已達(dá)到35000kva。隨著單機(jī)容量的增大，作為感應(yīng)熔煉爐電源系統(tǒng)中變流器件的半導(dǎo)體可控硅的容量也越來越大，價(jià)格也越來越高。同時，單機(jī)容量的增大使得大容量可控硅在使用時必須通過串并聯(lián)的方式再次增加變流橋的容量，這樣可控硅之間就存在均壓和均流的問題，由于不均壓和不均流的問題使得可控硅的使用處在比較危險(xiǎn)的環(huán)境中，比較容易損壞。在兩串或四串的可控硅組件中，如果一只損壞，那么其他幾只可控硅由于均壓或均流的問題就很容易繼續(xù)損壞。

目前，中頻感應(yīng)熔煉爐設(shè)備上對可控硅的檢測保護(hù)裝置無法做到好用及實(shí)用的地步，甚至一些中頻感應(yīng)熔煉爐設(shè)備上根本沒有相應(yīng)的檢測保護(hù)裝置，因此需要一種可控硅檢測保護(hù)裝置對每一只可控硅進(jìn)行有效的檢測和保護(hù)，以免損壞的擴(kuò)大。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是為了克服現(xiàn)有技術(shù)中中頻感應(yīng)熔煉爐設(shè)備無法對每一只可控硅進(jìn)行有效的檢測和保護(hù)，甚至一些中頻感應(yīng)熔煉爐設(shè)備上根本沒有相應(yīng)的檢測保護(hù)裝置的缺陷，提供一種用于中頻感應(yīng)爐的可控硅檢測保護(hù)裝置及中頻感應(yīng)爐。

本發(fā)明是通過下述技術(shù)方案來解決上述技術(shù)問題：

一種用于中頻感應(yīng)爐的可控硅檢測保護(hù)裝置，其特點(diǎn)在于，所述可控硅檢測保護(hù)裝置包括信號取樣與處理電路及聯(lián)鎖控制電路，所述信號取樣與處 理電路與所述聯(lián)鎖控制電路電連接；

所述信號取樣與處理電路用于獲取可控硅兩端的壓降信號并將所述壓降信號與預(yù)設(shè)電位信號進(jìn)行比較，所述信號取樣與處理電路還用于根據(jù)比較結(jié)果發(fā)送保護(hù)信號至所述聯(lián)鎖控制電路，所述聯(lián)鎖控制電路用于根據(jù)所述保護(hù)信號輸出故障信號。

較佳地，所述信號取樣與處理電路包括信號取樣模塊、比較器及鎖存器，所述信號取樣模塊與所述比較器電連接，所述比較器與所述鎖存器電連接，所述鎖存器與所述聯(lián)鎖控制電路電連接；

所述信號取樣模塊用于獲取可控硅兩端的壓降信號并發(fā)送至所述比較器，所述比較器用于將所述壓降信號與預(yù)設(shè)電位信號進(jìn)行比較并根據(jù)比較結(jié)果發(fā)送置位信號至所述鎖存器，所述鎖存器用于根據(jù)所述置位信號發(fā)送保護(hù)信號至所述聯(lián)鎖控制電路。

在本方案中，預(yù)設(shè)電位信號表征保護(hù)起始點(diǎn)，所述保護(hù)起始點(diǎn)可手動設(shè)定，這是針對于一般中頻感應(yīng)爐剛開始啟動后，可控硅上的壓降信號并不穩(wěn)定，有可能造成偽故障，所以設(shè)定一個閾值，當(dāng)中頻電壓達(dá)到一定高度時，即可控硅上壓降穩(wěn)定后才開始投入檢測，避免了偽故障信號的采集。

較佳地，所述信號取樣模塊包括壓降光信號輸入模塊及光電轉(zhuǎn)換模塊，所述壓降光信號輸入模塊與所述光電轉(zhuǎn)換模塊電連接，所述光電轉(zhuǎn)換模塊與所述比較器電連接；

所述壓降光信號輸入模塊用于將所述可控硅兩端的壓降轉(zhuǎn)換成的壓降光信號發(fā)送至所述光電轉(zhuǎn)換模塊，所述光電轉(zhuǎn)換模塊用于將所述壓降光信號轉(zhuǎn)換成壓降信號并發(fā)送至所述比較器。

在本方案中，因所述信號取樣與處理電路的取樣信號為光信號，通過所述光電轉(zhuǎn)換模塊將取樣的光信號轉(zhuǎn)換為可利用的電信號，這樣可避免可控硅上強(qiáng)電的進(jìn)入，起到了很好的高低壓隔離作用。

較佳地，所述信號取樣與處理電路還包括保護(hù)忽略開關(guān)，所述保護(hù)忽略開關(guān)用于切斷所述鎖存器輸出的保護(hù)信號。

在本方案中，所述保護(hù)忽略開關(guān)連接至保護(hù)忽略插頭，當(dāng)某一路保護(hù)忽略插頭拔出，對應(yīng)的所述保護(hù)忽略開關(guān)使此路的保護(hù)信號無法輸出，從而忽略故障，使設(shè)備繼續(xù)運(yùn)行。

根據(jù)設(shè)備現(xiàn)場使用情況，例如當(dāng)熔煉爐熔煉鋼水接近滿爐出鋼，此時如果由于故障信號保護(hù)鎖定，必須停機(jī)更換可控硅，否則無法開機(jī)，這樣會影響生產(chǎn)進(jìn)度，同時由于時間的耽擱，鋼水溫度損失很大，再次升溫又造成了能耗的浪費(fèi)。但此時如果直接將保護(hù)忽略插頭拔出，斷開保護(hù)信號輸出，復(fù)位后故障信號消除，則可繼續(xù)開機(jī)工作。

較佳地，所述可控硅檢測保護(hù)裝置還包括預(yù)設(shè)電位電路，所述預(yù)設(shè)電位電路分別與所述比較器及所述鎖存器電連接，所述預(yù)設(shè)電位電路用于將所述比較器或所述鎖存器的輸入端的電位限制在恒定的電位上。

在本方案中，在設(shè)備正常工作情況下，將所述比較器或所述鎖存器的輸入端電位限制在恒定的電位上，從而滿足使用的要求和消除干擾。

較佳地，所述可控硅檢測保護(hù)裝置還包括閾值調(diào)整電路，所述閾值調(diào)整電路包括中頻電壓輸入模塊、閾值調(diào)整電位器及電壓比較器；

所述中頻電壓輸入模塊及所述閾值調(diào)整電位器分別與所述電壓比較器電連接，所述電壓比較器與所述聯(lián)鎖控制電路電連接；

所述中頻電壓輸入模塊用于將中頻電壓信號發(fā)送至所述電壓比較器，所述閾值調(diào)整電位器用于調(diào)整閾值電壓信號并將所述閾值電壓信號發(fā)送至所述電壓比較器，所述電壓比較器用于將所述中頻電壓信號或啟動電位信號與所述閾值電壓信號進(jìn)行比較并根據(jù)比較結(jié)果輸出待機(jī)信號或運(yùn)行信號至所述聯(lián)鎖控制電路。

較佳地，所述閾值調(diào)整電路還包括啟動預(yù)檢模塊，所述啟動預(yù)檢模塊與所述電壓比較器電連接，所述啟動預(yù)檢模塊用于將啟動電位信號發(fā)送至所述電壓比較器，所述啟動電位信號用于所述啟動電位信號表征的電位高于所述閾值電壓信號表征的電位。

在本方案中，當(dāng)中頻感應(yīng)爐沒有啟動的情況下，可通過所述啟動預(yù)檢模 塊來進(jìn)行所述可控硅檢測保護(hù)裝置的預(yù)檢，所述啟動預(yù)檢模塊直接將所述電壓比較器的同相輸入端拉為高電位，相當(dāng)于中頻感應(yīng)爐啟動成功，且有較高的中頻反饋電壓，從而控制所述電壓比較器的輸出端為高電位有效輸出。

較佳地，所述閾值調(diào)整電路還包括整流分壓模塊，所述整流分壓模塊與所述中頻電壓輸入模塊電連接，所述整流分壓模塊用于對所述中頻電壓信號進(jìn)行整流分壓并發(fā)送至所述電壓比較器。

較佳地，所述聯(lián)鎖控制電路包括待機(jī)模塊、運(yùn)行模塊、保護(hù)模塊及復(fù)位模塊；

所述待機(jī)模塊分別與所述電壓比較器及所述鎖存器電連接，所述運(yùn)行模塊分別與所述電壓比較器及所述鎖存器電連接，所述保護(hù)模塊分別與所述鎖存器、所述運(yùn)行模塊及所述待機(jī)模塊電連接，所述復(fù)位模塊分別與所述運(yùn)行模塊及所述保護(hù)模塊電連接；

所述待機(jī)模塊用于接收所述待機(jī)信號時提示待機(jī)，所述運(yùn)行模塊用于接收所述運(yùn)行信號時提示運(yùn)行，所述保護(hù)模塊用于接收所述保護(hù)信號時輸出故障信號并發(fā)送待機(jī)提示信號至所述待機(jī)模塊，所述復(fù)位模塊用于復(fù)位所述保護(hù)信號。

較佳地，所述可控硅檢測保護(hù)裝置還包括保護(hù)輸出電路，所述保護(hù)輸出電路與所述信號取樣與處理電路電連接，所述保護(hù)輸出電路用于接收所述保護(hù)信號時輸出報(bào)警信號或停機(jī)信號。

在本方案中，通過所述保護(hù)輸出電路將報(bào)警信號發(fā)送至下級控制電路中的報(bào)警電路，或?qū)⑼C(jī)信號發(fā)送至下級控制電路中的報(bào)警電路，從而完成設(shè)備的報(bào)警或停機(jī)動作。

較佳地，所述可控硅檢測保護(hù)裝置還包括切斷電路，所述切斷電路與所述信號取樣與處理電路電連接，所述切斷電路用于接收外故障信號時切斷所述信號取樣與處理電路。

在本方案中，所述切斷電路在接收外故障信號時通過切斷所述信號取樣與處理電路來切斷保護(hù)信號的輸出，因此通過所述切斷電路，所述可控硅檢 測保護(hù)裝置可自動識別其他故障信號引起設(shè)備停機(jī)并造成可控硅失壓的情況，從而提高檢測的準(zhǔn)確性。

較佳地，所述可控硅檢測保護(hù)裝置還包括電源模塊，所述電源模塊與所述切斷電路電連接，所述電源模塊用于為所述可控硅檢測保護(hù)裝置的運(yùn)行提供電源，所述電源模塊還用于驅(qū)動所述切斷電路。

一種中頻感應(yīng)爐，其特點(diǎn)在于，所述中頻感應(yīng)爐包括如上述的用于中頻感應(yīng)爐的可控硅檢測保護(hù)裝置。

在符合本領(lǐng)域常識的基礎(chǔ)上，上述各優(yōu)選條件，可任意組合，即得本發(fā)明各較佳實(shí)例。

本發(fā)明的積極進(jìn)步效果在于：

本發(fā)明提供的用于中頻感應(yīng)爐的可控硅檢測保護(hù)裝置可實(shí)時有效地檢測中頻感應(yīng)爐中每一只可控硅的狀態(tài)，一旦發(fā)現(xiàn)有損害的可控硅，立即對主電路進(jìn)行保護(hù)，以使得防止損毀更多的可控硅，從而避免事故的擴(kuò)大。

附圖說明

圖1為本發(fā)明較佳實(shí)施例的用于中頻感應(yīng)爐的可控硅檢測保護(hù)裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為圖1中信號取樣與處理電路的電路示意圖。

圖3為圖1中聯(lián)鎖控制電路的電路示意圖。

圖4為圖1中閾值調(diào)整電路的電路示意圖。

圖5為圖1中保護(hù)輸出電路的電路示意圖。

圖6為圖1中第一預(yù)設(shè)電位電路的電路示意圖。

圖7為圖1中第二預(yù)設(shè)電位電路的電路示意圖。

圖8為圖1中切斷電路的電路示意圖。

圖9為圖1中電源模塊的電路示意圖。

具體實(shí)施方式

下面舉個較佳實(shí)施例，并結(jié)合附圖來更清楚完整地說明本發(fā)明。

如圖1所示，本實(shí)施例提供的用于中頻感應(yīng)爐的可控硅檢測保護(hù)裝置包括信號取樣與處理電路1、聯(lián)鎖控制電路2、閾值調(diào)整電路3、保護(hù)輸出電路4、第一預(yù)設(shè)電位電路51、第二預(yù)設(shè)電位電路52、切斷電路6及電源模塊7；

信號取樣與處理電路1分別與聯(lián)鎖控制電路2、保護(hù)輸出電路4、第一預(yù)設(shè)電位電路51、第二預(yù)設(shè)電位電路52及切斷電路6電連接，聯(lián)鎖控制電路2與閾值調(diào)整電路3電連接，切斷電路6與電源模塊7電連接。

信號取樣與處理電路1用于獲取可控硅兩端的壓降信號并將所述壓降信號與預(yù)設(shè)電位信號進(jìn)行比較，信號取樣與處理電路1還用于根據(jù)比較結(jié)果發(fā)送保護(hù)信號至聯(lián)鎖控制電路2，聯(lián)鎖控制電路2用于根據(jù)所述保護(hù)信號輸出故障信號，所述故障信號用于停止中頻感應(yīng)爐的工作或使中頻感應(yīng)爐發(fā)出報(bào)警提示。

其中，如圖2所示，信號取樣與處理電路1包括信號4個信號取樣模塊11、4個比較器13、鎖存器14及4個保護(hù)忽略開關(guān)15，每一個信號取樣模塊11均包括壓降光信號輸入模塊及光電轉(zhuǎn)換模塊12。

雖然在本實(shí)施例中示出各個部件的具體數(shù)量，但并不僅限于此數(shù)量，可根據(jù)實(shí)際實(shí)況進(jìn)行相應(yīng)的調(diào)整，且信號取樣模塊11的數(shù)量可由需檢測的可控硅的數(shù)量而定。

每一個所述壓降光信號輸入模塊與對應(yīng)的光電轉(zhuǎn)換模塊12電連接，光電轉(zhuǎn)換模塊12與對應(yīng)的比較器13電連接，每一個比較器13分別與鎖存器14電連接，每一個保護(hù)忽略開關(guān)15分別與鎖存器14電連接。

所述壓降光信號輸入模塊用于將對應(yīng)的可控硅兩端的壓降轉(zhuǎn)換成的壓降光信號發(fā)送至光電轉(zhuǎn)換模塊12，光電轉(zhuǎn)換模塊12用于將所述壓降光信號轉(zhuǎn)換成壓降信號并發(fā)送至比較器13，比較器13用于將所述壓降信號與預(yù)設(shè)電位信號進(jìn)行比較并根據(jù)比較結(jié)果發(fā)送置位信號至鎖存器14，鎖存器14用于根據(jù)所述置位信號發(fā)送保護(hù)信號至聯(lián)鎖控制電路2。

具體的，光電轉(zhuǎn)換模塊12將轉(zhuǎn)換后的所述壓降信號發(fā)送到對應(yīng)的三極 管基極并控制三極管發(fā)射極電位，從而控制比較器13的反相輸入端。

所述壓降信號與ds端輸入的所述預(yù)設(shè)電位信號進(jìn)行比較后，比較器13輸出端控制鎖存器14的置位端，但前提是sk端無輸入，由fw端輸入的復(fù)位信號控制鎖存器14的復(fù)位端，鎖存器14根據(jù)輸入端的置、復(fù)位情況，輸出相應(yīng)的高低電平，從而控制串聯(lián)至鎖存器14輸出端的三極管的導(dǎo)通截止情況，則對應(yīng)的二極管輸出保護(hù)信號至bh端。

保護(hù)忽略開關(guān)15連接至保護(hù)忽略插頭，當(dāng)某一路保護(hù)忽略插頭拔出，對應(yīng)的保護(hù)忽略開關(guān)15使此路的保護(hù)信號無法輸出，從而忽略故障，使設(shè)備繼續(xù)運(yùn)行。

根據(jù)設(shè)備現(xiàn)場使用情況，例如當(dāng)熔煉爐熔煉鋼水接近滿爐出鋼，此時如果由于故障信號保護(hù)鎖定，必須停機(jī)更換可控硅，否則無法開機(jī)，這樣會影響生產(chǎn)進(jìn)度，同時由于時間的耽擱，鋼水溫度損失很大，再次升溫又造成了能耗的浪費(fèi)。但此時如果直接將保護(hù)忽略插頭拔出，斷開保護(hù)信號輸出，復(fù)位后故障信號消除，則可繼續(xù)開機(jī)工作。

因信號取樣與處理電路1取樣信號為光信號，通過光電轉(zhuǎn)換模塊12將取樣的光信號轉(zhuǎn)換為可利用的電信號，這樣可避免可控硅上強(qiáng)電的進(jìn)入，起到了很好的高低壓隔離作用。

預(yù)設(shè)電位信號表征保護(hù)起始點(diǎn)，所述保護(hù)起始點(diǎn)可手動設(shè)定，這是針對于一般中頻感應(yīng)爐剛開始啟動后，可控硅上的壓降信號并不穩(wěn)定，有可能造成偽故障，所以設(shè)定一個閾值，當(dāng)中頻電壓達(dá)到一定高度時，即可控硅上壓降穩(wěn)定后才開始投入檢測，避免了偽故障信號的采集。

如圖4所示，閾值調(diào)整電路3包括中頻電壓輸入模塊31、整流分壓模塊32、啟動預(yù)檢模塊、閾值調(diào)整電位器34及電壓比較器35，所述啟動預(yù)檢模塊包括啟動預(yù)檢按鈕33。

中頻電壓輸入模塊31與整流分壓模塊32電連接，整流分壓模塊32、所述啟動預(yù)檢模塊及閾值調(diào)整電位器34分別與電壓比較器35電連接。

中頻電壓輸入模塊31用于將中頻電壓信號發(fā)送至整流分壓模塊32，整 流分壓模塊32用于對所述中頻電壓信號進(jìn)行整流分壓并發(fā)送至電壓比較器35，所述啟動預(yù)檢模塊用于將啟動電位信號發(fā)送至電壓比較器35，所述啟動電位信號用于預(yù)檢所述可控硅檢測保護(hù)裝置，閾值調(diào)整電位器34用于調(diào)整閾值電壓信號并將所述閾值電壓信號發(fā)送至電壓比較器35，電壓比較器35用于將所述中頻電壓信號或所述啟動電位信號與所述閾值電壓信號進(jìn)行比較并根據(jù)比較結(jié)果輸出待機(jī)信號或運(yùn)行信號至聯(lián)鎖控制電路2。

具體的，設(shè)備啟動成功后發(fā)送中頻電壓信號，經(jīng)整流分壓后發(fā)送至電壓比較器35的同相輸入端，反相輸入端為經(jīng)閾值調(diào)整電位器34調(diào)整后的閾值電壓信號，所述閾值電壓信號與所述中頻電壓信號進(jìn)行比較后，控制電壓比較器35輸出端qk端的電位，所述閾值電壓信號與所述中頻電壓信號的比較直接決定了中頻電壓的起控點(diǎn)。

當(dāng)設(shè)備沒有啟動的情況下，可通過啟動預(yù)檢按鈕33來進(jìn)行所述可控硅檢測保護(hù)裝置的預(yù)檢，當(dāng)手動按下啟動預(yù)檢按鈕33后，所述啟動預(yù)檢模塊直接將電壓比較器35的同相輸入端拉為高電位，相當(dāng)于設(shè)備啟動成功，且有較高的中頻反饋電壓，從而控制qk端為高電位有效輸出。

如圖3所示，聯(lián)鎖控制電路2包括待機(jī)模塊、運(yùn)行模塊、保護(hù)模塊及復(fù)位模塊，所述待機(jī)模塊包括待機(jī)繼電器21及待機(jī)指示燈l25，所述運(yùn)行模塊包括運(yùn)行繼電器22及運(yùn)行指示燈l27，所述保護(hù)模塊包括保護(hù)繼電器23及保護(hù)指示燈l28，所述復(fù)位模塊包括復(fù)位繼電器24、復(fù)位按鈕25及復(fù)位指示燈l26；

j11至j18均為待機(jī)繼電器21的端口，j21至j28均為復(fù)位繼電器24的端口，j31至j38均為運(yùn)行繼電器22的端口，j41至j48均為保護(hù)繼電器23的端口。

所述待機(jī)模塊分別與電壓比較器35及鎖存器14電連接，所述運(yùn)行模塊分別與電壓比較器35及鎖存器14電連接，所述保護(hù)模塊分別與鎖存器14、所述運(yùn)行模塊及所述待機(jī)模塊電連接，所述復(fù)位模塊分別與所述運(yùn)行模塊及所述保護(hù)模塊電連接。

所述待機(jī)模塊用于接收所述待機(jī)信號時提示待機(jī)，所述運(yùn)行模塊用于接收所述運(yùn)行信號時提示運(yùn)行，所述保護(hù)模塊用于接收所述保護(hù)信號時輸出故障信號并發(fā)送待機(jī)提示信號至所述待機(jī)模塊，所述復(fù)位模塊用于復(fù)位所述保護(hù)信號。

具體的，當(dāng)設(shè)備啟動后，中頻電壓未達(dá)到閥值電壓時，qk端為低電平輸出，三極管q68飽和導(dǎo)通，待機(jī)指示燈l25亮，待機(jī)繼電器21動作，sk端接地，鎖存器14輸出低電平，無保護(hù)信號輸出。

當(dāng)中頻電壓升高，達(dá)到閾值電壓后，三極管q68截止，待機(jī)繼電器21復(fù)位，sk端懸空，三極管q67飽和導(dǎo)通，運(yùn)行指示燈l27亮，運(yùn)行繼電器22吸合，鎖存器14的qd端高電平，鎖存器14投入工作，同時j35端與j37端接通，運(yùn)行繼電器22自鎖。

當(dāng)有保護(hù)信號輸入時，鎖存器14的輸出端高電位并鎖存，bh端有高電平輸出，三極管q69飽和導(dǎo)通，保護(hù)指示燈l28亮，保護(hù)繼電器23吸合，j42端與j44端接通，待機(jī)指示燈l25亮，待機(jī)繼電器21得電動作，sk端接地，拉為低電平，鎖存器14輸入端為初始狀態(tài)，等待下次巡檢開始。

保護(hù)繼電器23吸合情況下，j45端與j47端接通，保護(hù)繼電器23自鎖，當(dāng)故障信號解除后，由于鎖存器14的作用，保護(hù)信號仍然保持，此時須通過按復(fù)位按鈕25將保護(hù)信號復(fù)位，當(dāng)按下復(fù)位按鈕25后，j26端和j27端、j22端和j23端分別斷開，運(yùn)行繼電器22與保護(hù)繼電器23分別失壓釋放，電路又回到原始狀態(tài)，等待下次巡檢開始。

如圖5所示，保護(hù)輸出電路4用于接收所述保護(hù)信號時輸出報(bào)警信號或停機(jī)信號。

具體的，當(dāng)所述保護(hù)信號輸出后，bh端為高電平，三極管q65及三極管q66飽和導(dǎo)通，保護(hù)動作指示燈亮，保護(hù)動作繼電器rly1和rly2得電吸合，輔助開閉點(diǎn)動作，并將報(bào)警信號發(fā)送至下級控制電路中的報(bào)警電路，或?qū)⑼C(jī)信號發(fā)送至下級控制電路中的報(bào)警電路，從而完成設(shè)備的報(bào)警或停機(jī)動作。

如圖6及圖7所示，第一預(yù)設(shè)電位電路51與鎖存器14的復(fù)位端fw端電連接，第二預(yù)設(shè)電位電路52與比較器13的同相輸入端ds端電連接，第一預(yù)設(shè)電位電路51用于將鎖存器14的fw端的電位限制在恒定的電位上，第二預(yù)設(shè)電位電路52用于將比較器13的ds端的電位限制在恒定的電位上，在設(shè)備正常工作情況下，將fw端及ds端的電位限制在恒定的電位上，從而滿足使用的要求和消除干擾。

具體的，fw端及ds端分別從分壓電阻上取得恒定電位，同時各電位分別接入旁路電容，從而去除高頻等其他干擾信號。

如圖8所示，切斷電路6用于接收外故障信號時停止信號取樣與處理電路1的工作。

具體的，當(dāng)有水壓低或水溫高等其他非可控硅故障發(fā)生時，設(shè)備由于其他故障信號，通過其他保護(hù)系統(tǒng)停機(jī)，此時可控硅全部失壓，但其控制節(jié)點(diǎn)接入con5端子后，外故障繼電器jdq5動作，sk端接地并置為低電平，此時鎖存器14停止動作，無保護(hù)信號輸出，這樣其他故障導(dǎo)致的可控硅失壓不會被作為可控硅損害故障來處理。

通過切斷電路6，所述可控硅檢測保護(hù)裝置可自動識別其他故障信號引起設(shè)備停機(jī)并造成可控硅失壓的情況，從而提高檢測的準(zhǔn)確性。

如圖9所示，電源模塊7用于為所述可控硅檢測保護(hù)裝置的運(yùn)行提供電源，電源模塊7還用于驅(qū)動切斷電路6。

具體的，ac/dc18v電源進(jìn)入后經(jīng)過二極管整流，電容濾波，ls7815cv與fs2096用于穩(wěn)壓后輸出純凈的dc15v和dc5v電源供所述可控硅檢測保護(hù)裝置使用，其中dc15v為隔離的兩路，一路用于驅(qū)動切斷電路6，另一路為其他電路提供電源。

本實(shí)施例還提供一種中頻感應(yīng)爐，所述中頻感應(yīng)爐包括如上述的用于中頻感應(yīng)爐的可控硅檢測保護(hù)裝置。

本實(shí)施例提供的用于中頻感應(yīng)爐的可控硅檢測保護(hù)裝置可實(shí)時有效地檢測中頻感應(yīng)爐中每一只可控硅的狀態(tài)，一旦發(fā)現(xiàn)有損害的可控硅，立即對 主電路進(jìn)行保護(hù)，以使得防止損毀更多的可控硅，從而避免事故的擴(kuò)大。

雖然以上描述了本發(fā)明的具體實(shí)施方式，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，這僅是舉例說明，本發(fā)明的保護(hù)范圍是由所附權(quán)利要求書限定的。本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不背離本發(fā)明的原理和實(shí)質(zhì)的前提下，可以對這些實(shí)施方式做出多種變更或修改，但這些變更和修改均落入本發(fā)明的保護(hù)范圍。