一種磁粉探傷儀電源處理電路和磁粉探傷儀的制作方法

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一種磁粉探傷儀電源處理電路和磁粉探傷儀的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及磁粉探傷設(shè)備【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種磁粉探傷儀電源處理電路和磁粉探傷儀，所述磁粉探傷儀包括磁粉探傷儀電源處理電路，所述磁粉探傷儀電源處理電路，包括升壓電路、控制電路和H橋電路，所述控制電路和H橋電路連接，所述H橋電路還和升壓電路連接，所述控制電路控制H橋電路的輸出波形，以便H橋電路輸出0～60Hz的電壓頻率信號(hào)?？梢?，一種磁粉探傷儀電源處理電路和磁粉探傷儀，集成了直流和交流兩種探傷工作模式，可在不更換探傷儀的前提下對(duì)工件進(jìn)行表面缺陷、近表面缺陷和深埋缺陷的全面檢測(cè)，操作簡(jiǎn)單且使用方便。
【專利說明】
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本實(shí)用新型涉及磁粉探傷設(shè)備【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種磁粉探傷儀電源處理電路和磁粉探傷儀。一種磁粉探傷儀電源處理電路和磁粉探傷儀

【背景技術(shù)】
[0002] 目前市場(chǎng)上的磁粉探傷儀，主要分為交流磁粉探傷儀和直流磁粉探傷儀兩種。交流磁粉探傷儀一般產(chǎn)生50HZ交流磁場(chǎng)，用于檢測(cè)工件表面和近表面的缺陷，對(duì)工件深埋缺陷的檢測(cè)能力比較弱。直流磁粉探傷儀一般產(chǎn)生直流磁場(chǎng)，用于檢測(cè)工件的深埋缺陷，對(duì)工件表面和近表面缺陷的檢測(cè)能力比較弱。所以，若要對(duì)一工件進(jìn)行全面檢測(cè)，常常需要用交流磁粉探傷儀檢測(cè)一遍工件表面和近表面的缺陷，再用直流磁粉探傷儀檢測(cè)一遍工件深埋的缺陷，導(dǎo)致整個(gè)探傷檢測(cè)的周期長(zhǎng)且操作繁瑣。實(shí)用新型內(nèi)容
[0003] 本實(shí)用新型的目的在于提出一種磁粉探傷儀電源處理電路和磁粉探傷儀，集成了直流和交流兩種探傷工作模式，可在不更換探傷儀的前提下對(duì)工件進(jìn)行表面缺陷、近表面缺陷和深埋缺陷的全面檢測(cè)，操作簡(jiǎn)單且使用方便。
[0004] 為達(dá)此目的，本實(shí)用新型采用以下技術(shù)方案：
[0005] 第一方面，提供一種磁粉探傷儀電源處理電路，包括升壓電路、控制電路和Η橋電路，所述控制電路和Η橋電路連接，所述Η橋電路還和升壓電路連接，所述控制電路控制Η 橋電路的輸出波形，以便Η橋電路輸出0?60Hz的電壓頻率信號(hào)。
[0006] 其中，所述電壓頻率信號(hào)包括直流電壓頻率信號(hào)、交流定頻電壓頻率信號(hào)和15? 50Hz交流掃頻電壓頻率信號(hào)。
[0007] 其中，所述升壓電路包括SG2525AP芯片U1，所述SG2525AP芯片U1上設(shè)置有第1 管腳、第2管腳、第3管腳、第4管腳、第5管腳、第6管腳、第7管腳、第8管腳、第9管腳、第10管腳、第11管腳、第12管腳、第13管腳、第14管腳、第15管腳和第16管腳；
[0008] 所述第1管腳的第一路依次通過電阻R10和電容C7連接第9管腳，所述第1管腳的第二路通過電容C13接地，所述第1管腳的第三路連接電阻R19的一端的第一路，所述第 2管腳的第一路通過電阻R17接地，所述第2管腳的第二路連接電阻R14的一端，所述第3 管腳懸空，所述第4管腳懸空，所述第5管腳的第一路通過電容C12接地，所述第5管腳第二路通過電阻R16連接第7管腳，所述第6管腳通過電阻R13接地，所述第8管腳通過電容 C11接地，所述第10管腳的第一路通過電阻R1接地，所述第10管腳的第二路通過電容C1 接地，所述第10管腳的第三路通過電阻R2連接SHD端，所述第11管腳的第一路連接電阻 R11的一端，所述第11管腳的第二路連接電阻R12的一端，所述第12管腳接地，所述第13 管腳的第一路連接電源BAT+端，所述第13管腳的第二路通過電容C4接地，所述第13管腳的第三路通過電容C5接地，所述第14管腳的第一路連接電阻R3的一端，所述第14管腳的第二路連接電阻R4的一端，所述第15管腳連接電源BAT+端，所述第16管腳連接電阻R14 的另一端的第一路；
[0009] 電阻R14的另一端的第二路通過電容C9接地，電阻R14的另一端的第三路通過電容C10接地，所述電阻R11的另一端的第一路連接IRF3205ZS型的M0S場(chǎng)效應(yīng)管Q3的柵極，所述電阻R11的另一端的第二路連接電阻R8的一端，電阻R8的另一端接地，M0S場(chǎng)效應(yīng)管 Q3的漏極的第一路連接IRF3205ZS型的M0S場(chǎng)效應(yīng)管Q4的漏極，M0S場(chǎng)效應(yīng)管Q3的漏極的第二路連接電容C8的一端，M0S場(chǎng)效應(yīng)管Q3的漏極的第三路連接變壓器的第一電壓輸入端，M0S場(chǎng)效應(yīng)管Q3的源極接地，所述電阻R12的另一端的第一路連接M0S場(chǎng)效應(yīng)管Q4的柵極，所述電阻R12的另一端的第二路連接電阻R9的一端，電阻R9的另一端接地，M0S場(chǎng)效應(yīng)管Q4的源極接地，所述電阻R3的另一端的第一路連接IRF3205ZS型的M0S場(chǎng)效應(yīng)管Q1 的柵極，所述電阻R3的另一端的第二路連接電阻R5的一端，電阻R5的另一端接地，M0S場(chǎng) 效應(yīng)管Q1的漏極的第一路連接IRF3205ZS型的M0S場(chǎng)效應(yīng)管Q2的漏極，M0S場(chǎng)效應(yīng)管Q1 的漏極的第二路連接電阻R7的一端，M0S場(chǎng)效應(yīng)管Q1的漏極的第三路連接變壓器的第二電壓輸入端，M0S場(chǎng)效應(yīng)管Q1的源極接地，所述電阻R4的另一端的第一路連接M0S場(chǎng)效應(yīng) 管Q2的柵極，所述電阻R4的另一端的第二路連接電阻R6的一端，電阻R6的另一端接地， M0S場(chǎng)效應(yīng)管Q2的源極接地，電阻R7的另一端和電容C8的另一端連接；
[0010] 變壓器的第一電壓輸出端的第一路連接FR207型的二極管D1的負(fù)極，變壓器的第一電壓輸出端的第二路連接FR207型的二極管D2的正極，變壓器的第二電壓輸出端的第一路連接FR207型的二極管D3的正極，變壓器的第二電壓輸出端的第二路連接FR207型的二極管D4的負(fù)極，二極管D1的正極接地，二極管D2的負(fù)極的第一路連接二極管D3的負(fù)極，二極管D2的負(fù)極的第二路依次通過電阻R15和電阻R18連接電阻R19的一端的第二路，電阻R19的另一端接地，二極管D2的負(fù)極的第三路連接電源VCC-H端，二極管D2的負(fù)極的第四路通過電容C6接地，二極管D4的正極接地。
[0011] 其中，所述控制電路包括ATmega8A-AU芯片U5，所述ATmega8A-AU芯片U5上設(shè)置有第1管腳、第2管腳、第3管腳、第4管腳、第5管腳、第6管腳、第7管腳、第8管腳、第9 管腳、第10管腳、第11管腳、第12管腳、第13管腳、第14管腳、第15管腳、第16管腳、第 17管腳、第18管腳、第19管腳、第20管腳、第21管腳、第22管腳、第23管腳、第24管腳、第25管腳、第26管腳、第27管腳、第28管腳、第29管腳、第30管腳、第31管腳和第32管腳；
[0012] 所述第12管腳連接RUN端，所述第13管腳連接BATStatus端，所述第14管腳懸空，所述第15管腳連接M0SI端，所述第16管腳連接MIS0端，所述第17管腳連接CLK 端，所述第7管腳連接XTAL1端的一端，所述第8管腳連接XTAL2端的一端，所述第30管腳連接PD0端，所述第31管腳連接PD1端，所述第32管腳連接ShutDown端，所述第1 管腳連接PD3端，所述第2管腳連接LED0端的一端，所述第9管腳連接LED1端的一端，所述第10管腳懸空，所述第11管腳連接單刀雙擲開關(guān)SF的動(dòng)端2,單刀雙擲開關(guān)SF的不動(dòng) 端3接地，單刀雙擲開關(guān)SF的不動(dòng)端1通過電阻Rc連接電源VCC-5V端，所述第23管腳連接AD-BAT端的一端，所述第24管腳懸空，所述第25管腳連接MCUShutDown端，所述第 26管腳連接LightON端，所述第27管腳連接AHIN端，所述第28管腳連接ALIN端，所述第19管腳連接BHIN端，所述第22管腳連接BLIN端，所述第29管腳連接RESET端的一端，所述第6管腳、第4管腳和第18管腳的第一路分別連接電源VCC-5V端，所述第6管腳、第4管腳和第18管腳的第二路分別通過電容C28接地，所述第21管腳、第5管腳和第3管腳的第一路分別接地，所述第21管腳、第5管腳和第3管腳的第二路分別連接電容C29的一端，電容C29的另一端的第一路連接所述第20管腳，電容C29的另一端的第二路連接電阻R45的一端，電阻R45的另一端連接Vref端的一端；
[0013] 所述Vref端的另一端的第一路通過電阻R48連接電源VCC-5V端，Vref端的另一端的第二路連接TL431IDBZR型的可調(diào)式精密并聯(lián)穩(wěn)壓器U6的負(fù)極，可調(diào)式精密并聯(lián)穩(wěn)壓器U6的正極接地，Vref端的另一端的第三路連接可調(diào)式精密并聯(lián)穩(wěn)壓器U6的輸出電壓設(shè) 定端的一端，所述輸出電壓設(shè)定端的另一端通過電容C34接地，所述XTAL1端的另一端的第一路連接8MHz晶體振蕩器Y1的一端，所述XTAL1端的另一端的第二路通過電容C31接地，所述XTAL2端的另一端的第一路連接8MHz晶體振蕩器Y1的另一端，所述XTAL2端的另一端的第二路通過電容C33接地，所述RESET端的另一端的第一路通過電阻R47連接電源 VCC-5V端，所述RESET端的另一端的第二路通過電容C30接地，所述AD-BAT端的另一端的第一路通過電阻R46連接電源BAT+端，所述AD-BAT端的另一端的第二路通過電阻R49 接地，所述AD-BAT端的另一端的第三路通過電容C32接地，所述LED0端的另一端通過電阻Rb連接雙向發(fā)光二極管D16的第一信號(hào)輸入端，所述LED1端的另一端通過電阻Rd連接雙向發(fā)光二極管D16的第二信號(hào)輸入端，雙向發(fā)光二極管D16的電源輸入端連接VCC-5V 端。
[0014] 其中，所述Η橋電路包括IR2110型或IR2110S型的驅(qū)動(dòng)1C芯片U2，以及IR2110 型或IR2110S型的驅(qū)動(dòng)1C芯片U3，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U2和驅(qū)動(dòng)1C芯片U3分別設(shè)置有第1 管腳、第2管腳、第3管腳、第4管腳、第5管腳、第6管腳、第7管腳、第8管腳、第9管腳、第10管腳、第11管腳、第12管腳、第13管腳、第14管腳、第15管腳和第16管腳；
[0015] 所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U2的第1管腳的第一路連接ΙΝ4148型的二極管D9的負(fù)極，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U2的第1管腳的第二路連接電阻R29的一端，電阻R29的另一端連接二極管D9的正極的第一路，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U2的第2管腳接地，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U2的第3 管腳的第一路連接ΙΝ4007型的二極管D7的正極，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U2的第3管腳的第二路通過電容C20接地，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U2的第3管腳的第三路通過電容C23接地，所述驅(qū) 動(dòng)1C芯片U2的第3管腳的第四路連接電源ΒΑΤ+端，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U2的第4管腳懸空，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U2的第5管腳懸空，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U2的第6管腳的第一路連接電容C15的一端，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U2的第6管腳的第二路連接電阻R22的一端，所述驅(qū)動(dòng)1C 芯片U2的第6管腳的第三路連接IRF840ASPBF型的M0S場(chǎng)效應(yīng)管Q5的源極，所述驅(qū)動(dòng)1C 芯片U2的第6管腳的第四路連接VHL端，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U2的第6管腳的第五路連接 IRF840ASPBF型的M0S場(chǎng)效應(yīng)管Q7的漏極，電容C15的另一端的第一路連接二極管D7的負(fù)極，電容C15的另一端的第二路連接所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U2的第7管腳，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片 U2的第8管腳的第一路連接電阻R21的一端，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U2的第8管腳的第二路連接ΙΝ4148型的二極管D6的負(fù)極，電阻R21的另一端的第一路連接電阻R22的另一端，電阻 R21的另一端的第二路連接二極管D6的正極，電阻R21的另一端的第三路連接M0S場(chǎng)效應(yīng) 管Q5的柵極，M0S場(chǎng)效應(yīng)管Q5的漏極連接電源VCC-H端，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U2的第9管腳懸空，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U2的第10管腳懸空，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U2的第11管腳的第一路通過電容C14接地，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U2的第11管腳的第二路通過電容C17接地，所述驅(qū)動(dòng) 1C芯片U2的第11管腳的第三路連接電源VCC-5V端，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U2的第12管腳連接控制電路的AHIN端，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U2的第13管腳連接SHD端的一端，SHD端的另一端通過電阻R27接地，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U2的第14管腳連接控制電路的ALIN端，所述驅(qū)動(dòng) 1C芯片U2的第15管腳接地，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U2的第16管腳懸空；
[0016] 所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U3的第1管腳的第一路連接IN4148型的二極管D10的負(fù)極，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U3的第1管腳的第二路連接電阻R30的一端，電阻R30的另一端連接二極管D10的正極的第一路，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U3的第2管腳接地，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U3的第3 管腳的第一路連接IN4007型的二極管D8的正極，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U3的第3管腳的第二路通過電容C21接地，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U3的第3管腳的第三路通過電容C22接地，所述驅(qū) 動(dòng)1C芯片U3的第3管腳的第四路連接電源BAT+端，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U3的第4管腳懸空，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U3的第5管腳懸空，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U3的第6管腳的第一路連接電容C19的一端，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U3的第6管腳的第二路連接電阻R23的一端，所述驅(qū)動(dòng)1C 芯片U3的第6管腳的第三路連接IRF840ASPBF型的M0S場(chǎng)效應(yīng)管Q6的源極，所述驅(qū)動(dòng)1C 芯片U3的第6管腳的第四路連接VHR端，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U3的第6管腳的第五路連接 IRF840ASPBF型的M0S場(chǎng)效應(yīng)管Q8的漏極，電容C19的另一端的第一路連接二極管D8的負(fù)極，電容C19的另一端的第二路連接所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U3的第7管腳，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片 U3的第8管腳的第一路連接電阻R20的一端，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U3的第8管腳的第二路連接IN4148型的二極管D5的負(fù)極，電阻R23的另一端的第一路連接電阻R20的另一端，電阻 R23的另一端的第二路連接二極管D5的正極，電阻R23的另一端的第三路連接M0S場(chǎng)效應(yīng) 管Q6的柵極，M0S場(chǎng)效應(yīng)管Q6的漏極連接電源VCC-Η端，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U3的第9管腳懸空，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U3的第10管腳懸空，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U3的第11管腳的第一路通過電容C16接地，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U3的第11管腳的第二路通過電容C18接地，所述驅(qū)動(dòng) 1C芯片U3的第11管腳的第三路連接電源VCC-5V端，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U3的第12管腳連接控制電路的BHIN端，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U3的第13管腳連接SHD端的一端，所述SHD端的另一端通過電阻R24接地，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片IR2110的第14管腳連接控制電路的BLIN端，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片IR2110的第15管腳接地，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片IR2110的第16管腳懸空；
[0017] 二極管D9的正極的第二路連接電阻R25的一端，二極管D9的正極的第三路連接 M0S場(chǎng)效應(yīng)管Q7的柵極，電阻R25的另一端的第一路連接M0S場(chǎng)效應(yīng)管Q7的源極，電阻R25 的另一端的第二路連接I-SAMP端，電阻R25的另一端的第三路連接電阻R28的一端，二極管D10的正極的第二路連接電阻R26的一端，二極管D10的正極的第三路連接M0S場(chǎng)效應(yīng) 管Q8的柵極，電阻R26的另一端的第一路連接M0S場(chǎng)效應(yīng)管Q8的源極，電阻R26的另一端的第二路連接I-SAMP端，電阻R26的另一端的第三路連接電阻R28的一端，電阻R28的另一端接地。
[0018] 其中，所述磁粉探傷儀電源處理電路還包括過流保護(hù)電路，所述過流保護(hù)電路和控制電路連接，所述過流保護(hù)電路包括LM2903M型的電壓比較器芯片U4B和LM2903M型的電壓比較器U4A；
[0019] 所述電壓比較器芯片U4B的負(fù)輸入端的第一路通過電容C24連接控制電路的Vref 端，所述電壓比較器芯片U4B的負(fù)輸入端的第二路通過電阻R32連接控制電路的Vref端，所述電壓比較器芯片U4B的負(fù)輸入端的第三路通過電阻R33接地，所述電壓比較器芯片U4B 的正輸入端的第一路連接IN4148型的二極管D14的負(fù)極，所述電壓比較器芯片U4B的正輸入端的第二路通過電阻R39接地，所述電壓比較器芯片U4B的正輸入端的第三路通過電容 C26接地，所述電壓比較器芯片U4B的正輸入端的第四路通過電阻R42連接I-SAMP端，所述電壓比較器芯片U4B的輸出端的第一路通過電阻R34連接電源VCC-5V端，所述電壓比較器芯片U4B的輸出端的第二路連接IN4148型的二極管D12的正極，所述電壓比較器芯片U4B 的輸出端的第三路連接二極管D14的正極；
[0020] 所述電壓比較器U4A的負(fù)輸入端的第一路通過電阻R40接地，所述電壓比較器U4A 的負(fù)輸入端的第二路連接電阻R36的一端，所述電壓比較器U4A的負(fù)輸入端的第三路連接電容C25的一端，所述電壓比較器U4A的正輸入端的第一路通過電阻R37連接控制電路的 Vref端，所述電壓比較器U4A的正輸入端的第二路通過電容C27接地，所述電壓比較器U4A 的正輸入端的第三路連接IN4148型的二極管D15的負(fù)極，所述電壓比較器U4A的輸出端的第一路連接二極管D15的正極，所述電壓比較器U4A的輸出端的第二路連接IN4148型的二極管D13的正極，所述電壓比較器U4A的輸出端的第三路通過電阻R35連接電源VCC-5V端，所述電壓比較器U4A的電源輸入端連接電源VCC-5V端，所述電壓比較器U4A的電源輸出端接地；
[0021] 二極管D13的負(fù)極的第一路連接電阻R41的一端，二極管D13的負(fù)極的第二路連接SHD端，二極管D13的負(fù)極的第三路連接1N4148型的二極管Dm的負(fù)極，二極管Dm 的正極連接控制電路的MCUShutDown端，二極管D13的負(fù)極的第四路通過電阻R31連接 MMSZ5244-G型的穩(wěn)壓二極管D11的正極，二極管D13的負(fù)極的第五路連接二極管D12的負(fù) 極，穩(wěn)壓二極管D11的負(fù)極的第一路連接電源BAT+端，穩(wěn)壓二極管D11的負(fù)極的第二路連接電阻R36的另一端，穩(wěn)壓二極管D11的負(fù)極的第三路連接電容C25的另一端，電阻R41的另一端的第一路通過電阻R43接地，電阻R41的另一端的第二路連接CS8050型的三極管 Q9的基極，三極管Q9的發(fā)射極接地，三極管Q9的集電極的第一路通過電阻R38連接電源 VCC-5V端，三極管Q9的集電極的第二路連接控制電路的ShutDown端。
[0022] 其中，所述磁粉探傷儀電源處理電路還包括充電電路，所述充電電路和控制電路連接，所述充電電路包括MAX745EAP芯片U7，所述MAX745EAP芯片U7設(shè)置有第1管腳、第2 管腳、第3管腳、第4管腳、第5管腳、第6管腳、第7管腳、第8管腳、第9管腳、第10管腳、第11管腳、第12管腳、第13管腳、第14管腳、第15管腳、第16管腳、第17管腳、第18管腳、第19管腳和第20管腳；
[0023] 所述第1管腳接地，所述第2管腳的第一路通過電容C37接地，所述第2管腳的第二路連接充電輸入Charge端，所述第2管腳的第三路通過電容C35接地，所述第2管腳的第四路通過電容C36接地，所述第2管腳的第五路連接AUIRF7303Q型的M0S場(chǎng)效應(yīng)管Q10A 的漏極，所述第3管腳通過電容C39接地，所述第4管腳依次通過電阻R50和電容C40接地，所述第5管腳通過電容C45接地，所述第6管腳的第一路連接電阻R54的一端，所述第6管腳的第二路通過電阻RT1接地，所述第7管腳的第一路通過電容C47接地，所述第7管腳的第二路連接電阻R54的另一端，所述第7管腳的第三路連接電阻R55的一端，所述第7管腳的第四路連接電阻R56的一端，所述第8管腳的第一路連接電阻R55的另一端，所述第8管腳的第二路通過電阻R62接地，所述第9管腳的第一路連接電阻R56的另一端，所述第9管腳的第二路通過電阻R59接地，所述第10管腳接地，所述第11管腳連接VL端，所述第12管腳接地，所述第13管腳通過電阻R57連接VL端，所述第14管腳的第一路連接電阻R52的一端，所述第14管腳的第二路通過電容C41接地，所述第14管腳的第三路通過電容C42接地，所述第14管腳的第四路連接BIT-IN端，所述第14管腳的第五路通過CCFIN7型的保險(xiǎn) 絲F1連接電源BAT+端，所述第15管腳的第一路連接電阻R52的另一端，所述第15管腳的第二路連接MBRS340T3型的肖特基二極管D21的負(fù)極，所述第16管腳的第一路接地，所述第16管腳的第二路連接AUIRF7303Q型場(chǎng)效應(yīng)管Q10B的源極，所述第16管腳的第三路連接MBRS340T3型的肖特基二極管D22的正極，所述第17管腳連接場(chǎng)效應(yīng)管Q10B的柵極，所述第18管腳連接AUIRF7303Q型的場(chǎng)效應(yīng)管Q10A的柵極，所述第19管腳的第一路連接電容C38的一端，所述第19管腳的第二路連接場(chǎng)效應(yīng)管Q10A的源極，所述第19管腳的第三路連接場(chǎng)效應(yīng)管Q10B的漏極，所述第19管腳的第四路連接肖特基二極管D22的負(fù)極，所述第19管腳的第五路通過22uH型的電感L1連接肖特基二極管D21的正極，所述第20管腳的第一路連接電容C38的另一端，所述第20管腳的第二路連接IN4148型的二極管D20的負(fù)極，二極管D20的正極連接VL端。
[0024] 其中，所述磁粉探傷儀電源處理電路還包括LED驅(qū)動(dòng)電路，所述LED驅(qū)動(dòng)電路和控制電路連接，所述LED驅(qū)動(dòng)電路包括LTC3621EMS8E#PBF芯片U10,所述LTC3621EMS8E#PBF 芯片U10設(shè)置有第1管腳、第2管腳、第3管腳、第4管腳、第5管腳、第6管腳、第7管腳和第8管腳；
[0025] 所述第1管腳連接4. 7uH型電感L2的一端，所述第2管腳的第一路連接電源BAT+ 端，所述第2管腳的第二路通過電容C49接地，所述第3管腳的第一路連接控制電路的 LightON端，所述第3管腳的第二路通過電阻R60接地，所述第4管腳懸空，所述第5管腳的第一路通過電阻R61接地，所述第5管腳的第二路連接電阻R58的一端，所述第6管腳的第一路連接所述第7管腳，所述第6管腳的第二路通過電容C51接地，所述第8管腳接地；
[0026] 所述電感L2的另一端的第一路連接電阻R58的另一端，所述電感L2的另一端的第二路通過電容C48接地，所述電感L2的另一端的第三路通過電容C50接地，所述電感L2 的另一端的第四路連接VLight端。
[0027] 第二方面，提供一種磁粉探傷儀，包括上述的磁粉探傷儀電源處理電路。
[0028] 其中，所述的磁粉探傷儀，包括殼體和電源接入座，所述電源接入座和殼體上表面成30?60°角。
[0029] 本實(shí)用新型的有益效果在于：一種磁粉探傷儀電源處理電路和磁粉探傷儀，所述磁粉探傷儀包括磁粉探傷儀電源處理電路，所述磁粉探傷儀電源處理電路，包括升壓電路、控制電路和Η橋電路，所述控制電路和Η橋電路連接，所述Η橋電路還和升壓電路連接，所述控制電路控制Η橋電路的輸出波形，以便Η橋電路輸出0?60Hz的電壓頻率信號(hào)?？?見，一種磁粉探傷儀電源處理電路和磁粉探傷儀，集成了直流和交流兩種探傷工作模式，可在不更換探傷儀的前提下對(duì)工件進(jìn)行表面缺陷、近表面缺陷和深埋缺陷的全面檢測(cè)，操作簡(jiǎn)單且使用方便。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0030] 為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單的介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的內(nèi)容和這些附圖獲得其他的附圖。
[0031] 圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的磁粉探傷儀電源處理電路的電路結(jié)構(gòu)方框圖。
[0032] 圖2是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的磁粉探傷儀電源處理電路的升壓電路示意圖。
[0033] 圖3是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的磁粉探傷儀電源處理電路的控制電路第一部分示意圖。
[0034] 圖4是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的磁粉探傷儀電源處理電路的控制電路第二部分示意圖。
[0035] 圖5是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的磁粉探傷儀電源處理電路的Η橋電路示意圖。
[0036] 圖6是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的控制電路的脈沖直流控制波形和輸出波形。
[0037] 圖7是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的控制電路的交流控制波形和輸出波形。
[0038] 圖8是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的磁粉探傷儀電源處理電路的過流保護(hù)電路示意圖
[0039] 圖9是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的磁粉探傷儀電源處理電路的充電電路示意圖。
[0040] 圖10是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的磁粉探傷儀電源處理電路的LED驅(qū)動(dòng)電路示意圖。
[0041] 圖11是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的磁粉探傷儀的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0042] 附圖標(biāo)記說明如下：
[0043] 1-殼體；2-電源接入座。

【具體實(shí)施方式】
[0044] 為使本實(shí)用新型解決的技術(shù)問題、采用的技術(shù)方案和達(dá)到的技術(shù)效果更加清楚，下面將結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例的技術(shù)方案作進(jìn)一步的詳細(xì)描述，顯然，所描述的實(shí) 施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本實(shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0045] 請(qǐng)參考圖1，其是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的磁粉探傷儀電源處理電路的電路結(jié)構(gòu) 方框圖，可應(yīng)用于各類磁粉探傷儀。
[0046] 該磁粉探傷儀電源處理電路，包括升壓電路、控制電路和Η橋電路，所述控制電路和Η橋電路連接，所述Η橋電路還和升壓電路連接，所述控制電路控制Η橋電路的輸出波形，以便Η橋電路輸出0?60Hz的電壓頻率信號(hào)。
[0047] 試驗(yàn)表明：電磁軛的磁場(chǎng)頻率越高，對(duì)工件表面和近表面的缺陷檢測(cè)能力越強(qiáng)，對(duì) 深埋缺陷的檢測(cè)能力越差；電磁軛的磁場(chǎng)頻率越低，對(duì)工件深埋缺陷的檢測(cè)能力越強(qiáng)，對(duì)表面和近表面缺陷的檢測(cè)能力越差。本磁粉探傷儀電源處理電路以頻率變換的電壓驅(qū)動(dòng)電磁軛，輸出〇?60Hz的電壓頻率信號(hào)。本磁粉探傷儀電源處理電路還可設(shè)置開關(guān)電路，用于在直流探傷工作模式、交流定頻探傷工作模式和交流掃頻探傷工作模式之間進(jìn)行切換。利用磁粉探傷儀電源處理電路可一次性探出工件的表面缺陷、近表面缺陷和深埋缺陷，省去了以往需要做一次交流探傷再做一次直流探傷才能完成全面探傷檢測(cè)的麻煩。
[0048] 可見，一種磁粉探傷儀電源處理電路，集成了直流和交流兩種探傷工作模式，可在不更換探傷儀的前提下對(duì)工件進(jìn)行表面缺陷、近表面缺陷和深埋缺陷的全面檢測(cè)，操作簡(jiǎn) 單且使用方便。
[0049] 優(yōu)選的，所述電壓頻率信號(hào)包括直流電壓頻率信號(hào)、交流定頻電壓頻率信號(hào)和 15?50Hz交流掃頻電壓頻率信號(hào)。當(dāng)磁粉探傷儀電源處理電路輸出15?50Hz交流掃頻電壓頻率信號(hào)，對(duì)工件表面和近表面的缺陷檢測(cè)效果更好。
[0050] 請(qǐng)參考圖2,其是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的磁粉探傷儀電源處理電路的升壓電路示意圖。
[0051] 其中，所述升壓電路包括SG2525AP芯片U1，所述SG2525AP芯片U1上設(shè)置有第1 管腳、第2管腳、第3管腳、第4管腳、第5管腳、第6管腳、第7管腳、第8管腳、第9管腳、第10管腳、第11管腳、第12管腳、第13管腳、第14管腳、第15管腳和第16管腳；
[0052] 所述第1管腳的第一路依次通過電阻R10和電容C7連接第9管腳，所述第1管腳的第二路通過電容C13接地，所述第1管腳的第三路連接電阻R19的一端的第一路，所述第 2管腳的第一路通過電阻R17接地，所述第2管腳的第二路連接電阻R14的一端，所述第3 管腳懸空，所述第4管腳懸空，所述第5管腳的第一路通過電容C12接地，所述第5管腳第二路通過電阻R16連接第7管腳，所述第6管腳通過電阻R13接地，所述第8管腳通過電容 C11接地，所述第10管腳的第一路通過電阻R1接地，所述第10管腳的第二路通過電容C1 接地，所述第10管腳的第三路通過電阻R2連接SHD端，所述第11管腳的第一路連接電阻 R11的一端，所述第11管腳的第二路連接電阻R12的一端，所述第12管腳接地，所述第13 管腳的第一路連接電源BAT+端，所述第13管腳的第二路通過電容C4接地，所述第13管腳的第三路通過電容C5接地，所述第14管腳的第一路連接電阻R3的一端，所述第14管腳的第二路連接電阻R4的一端，所述第15管腳連接電源BAT+端，所述第16管腳連接電阻R14 的另一端的第一路；
[0053] 電阻R14的另一端的第二路通過電容C9接地，電阻R14的另一端的第三路通過電容C10接地，所述電阻R11的另一端的第一路連接IRF3205ZS型的M0S場(chǎng)效應(yīng)管Q3的柵極，所述電阻R11的另一端的第二路連接電阻R8的一端，電阻R8的另一端接地，M0S場(chǎng)效應(yīng)管 Q3的漏極的第一路連接IRF3205ZS型的M0S場(chǎng)效應(yīng)管Q4的漏極，M0S場(chǎng)效應(yīng)管Q3的漏極的第二路連接電容C8的一端，M0S場(chǎng)效應(yīng)管Q3的漏極的第三路連接變壓器的第一電壓輸入端，M0S場(chǎng)效應(yīng)管Q3的源極接地，所述電阻R12的另一端的第一路連接M0S場(chǎng)效應(yīng)管Q4的柵極，所述電阻R12的另一端的第二路連接電阻R9的一端，電阻R9的另一端接地，M0S場(chǎng)效應(yīng)管Q4的源極接地，所述電阻R3的另一端的第一路連接IRF3205ZS型的M0S場(chǎng)效應(yīng)管Q1 的柵極，所述電阻R3的另一端的第二路連接電阻R5的一端，電阻R5的另一端接地，M0S場(chǎng) 效應(yīng)管Q1的漏極的第一路連接IRF3205ZS型的M0S場(chǎng)效應(yīng)管Q2的漏極，M0S場(chǎng)效應(yīng)管Q1 的漏極的第二路連接電阻R7的一端，M0S場(chǎng)效應(yīng)管Q1的漏極的第三路連接變壓器的第二電壓輸入端，M0S場(chǎng)效應(yīng)管Q1的源極接地，所述電阻R4的另一端的第一路連接M0S場(chǎng)效應(yīng) 管Q2的柵極，所述電阻R4的另一端的第二路連接電阻R6的一端，電阻R6的另一端接地， M0S場(chǎng)效應(yīng)管Q2的源極接地，電阻R7的另一端和電容C8的另一端連接；
[0054] 變壓器的第一電壓輸出端的第一路連接FR207型的二極管D1的負(fù)極，變壓器的第一電壓輸出端的第二路連接FR207型的二極管D2的正極，變壓器的第二電壓輸出端的第一路連接FR207型的二極管D3的正極，變壓器的第二電壓輸出端的第二路連接FR207型的二極管D4的負(fù)極，二極管D1的正極接地，二極管D2的負(fù)極的第一路連接二極管D3的負(fù)極，二極管D2的負(fù)極的第二路依次通過電阻R15和電阻R18連接電阻R19的一端的第二路，電阻R19的另一端接地，二極管D2的負(fù)極的第三路連接電源VCC-H端，二極管D2的負(fù)極的第四路通過電容C6接地，二極管D4的正極接地。
[0055] 上述的電阻或電容的具體型號(hào)參數(shù)可參考圖2所示，此處不作贅述。
[0056] 請(qǐng)參考圖3,其是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的磁粉探傷儀電源處理電路的控制電路第一部分示意圖。
[0057] 請(qǐng)參考圖4,其是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的磁粉探傷儀電源處理電路的控制電路第二部分示意圖。
[0058] 其中，所述控制電路包括ATmega8A-AU芯片U5，所述ATmega8A-AU芯片U5上設(shè)置有第1管腳、第2管腳、第3管腳、第4管腳、第5管腳、第6管腳、第7管腳、第8管腳、第9 管腳、第10管腳、第11管腳、第12管腳、第13管腳、第14管腳、第15管腳、第16管腳、第 17管腳、第18管腳、第19管腳、第20管腳、第21管腳、第22管腳、第23管腳、第24管腳、第25管腳、第26管腳、第27管腳、第28管腳、第29管腳、第30管腳、第31管腳和第32管腳；
[0059] 所述第12管腳連接RUN端，所述第13管腳連接BATStatus端，所述第14管腳懸空，所述第15管腳連接M0SI端，所述第16管腳連接MIS0端，所述第17管腳連接CLK 端，所述第7管腳連接XTAL1端的一端，所述第8管腳連接XTAL2端的一端，所述第30管腳連接PD0端，所述第31管腳連接PD1端，所述第32管腳連接ShutDown端，所述第1 管腳連接PD3端，所述第2管腳連接LED0端的一端，所述第9管腳連接LED1端的一端，所述第10管腳懸空，所述第11管腳連接單刀雙擲開關(guān)SF的動(dòng)端2,單刀雙擲開關(guān)SF的不動(dòng) 端3接地，單刀雙擲開關(guān)SF的不動(dòng)端1通過電阻Rc連接電源VCC-5V端，所述第23管腳連接AD-BAT端的一端，所述第24管腳懸空，所述第25管腳連接MCUShutDown端，所述第 26管腳連接LightON端，所述第27管腳連接AHIN端，所述第28管腳連接ALIN端，所述第19管腳連接BHIN端，所述第22管腳連接BLIN端，所述第29管腳連接RESET端的一端，所述第6管腳、第4管腳和第18管腳的第一路分別連接電源VCC-5V端，所述第6管腳、第4管腳和第18管腳的第二路分別通過電容C28接地，所述第21管腳、第5管腳和第3管腳的第一路分別接地，所述第21管腳、第5管腳和第3管腳的第二路分別連接電容C29的一端，電容C29的另一端的第一路連接所述第20管腳，電容C29的另一端的第二路連接電阻R45的一端，電阻R45的另一端連接Vref端的一端；
[0060] 所述Vref端的另一端的第一路通過電阻R48連接電源VCC-5V端，Vref端的另一端的第二路連接TL431IDBZR型的可調(diào)式精密并聯(lián)穩(wěn)壓器U6的負(fù)極，可調(diào)式精密并聯(lián)穩(wěn)壓器U6的正極接地，Vref端的另一端的第三路連接可調(diào)式精密并聯(lián)穩(wěn)壓器U6的輸出電壓設(shè) 定端的一端，所述輸出電壓設(shè)定端的另一端通過電容C34接地，所述XTAL1端的另一端的第一路連接8MHz晶體振蕩器Y1的一端，所述XTAL1端的另一端的第二路通過電容C31接地，所述XTAL2端的另一端的第一路連接8MHz晶體振蕩器Y1的另一端，所述XTAL2端的另一端的第二路通過電容C33接地，所述RESET端的另一端的第一路通過電阻R47連接電源 VCC-5V端，所述RESET端的另一端的第二路通過電容C30接地，所述AD-BAT端的另一端的第一路通過電阻R46連接電源BAT+端，所述AD-BAT端的另一端的第二路通過電阻R49 接地，所述AD-BAT端的另一端的第三路通過電容C32接地，所述LEDO端的另一端通過電阻Rb連接雙向發(fā)光二極管D16的第一信號(hào)輸入端，所述LED1端的另一端通過電阻Rd連接雙向發(fā)光二極管D16的第二信號(hào)輸入端，雙向發(fā)光二極管D16的電源輸入端連接VCC-5V 端。
[0061] 上述的電阻或電容的具體型號(hào)參數(shù)可參考圖3和圖4所示，此處不作贅述。
[0062] 請(qǐng)參考圖5,其是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的磁粉探傷儀電源處理電路的Η橋電路示意圖。
[0063] 其中，所述Η橋電路包括IR2110型或IR2110S型的驅(qū)動(dòng)1C芯片U2,以及IR2110 型或IR2110S型的驅(qū)動(dòng)1C芯片U3,所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U2和驅(qū)動(dòng)1C芯片U3分別設(shè)置有第1 管腳、第2管腳、第3管腳、第4管腳、第5管腳、第6管腳、第7管腳、第8管腳、第9管腳、第10管腳、第11管腳、第12管腳、第13管腳、第14管腳、第15管腳和第16管腳；
[0064] 所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U2的第1管腳的第一路連接ΙΝ4148型的二極管D9的負(fù)極，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U2的第1管腳的第二路連接電阻R29的一端，電阻R29的另一端連接二極管D9的正極的第一路，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U2的第2管腳接地，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U2的第3 管腳的第一路連接ΙΝ4007型的二極管D7的正極，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U2的第3管腳的第二路通過電容C20接地，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U2的第3管腳的第三路通過電容C23接地，所述驅(qū) 動(dòng)1C芯片U2的第3管腳的第四路連接電源ΒΑΤ+端，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U2的第4管腳懸空，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U2的第5管腳懸空，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U2的第6管腳的第一路連接電容C15的一端，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U2的第6管腳的第二路連接電阻R22的一端，所述驅(qū)動(dòng)1C 芯片U2的第6管腳的第三路連接IRF840ASPBF型的M0S場(chǎng)效應(yīng)管Q5的源極，所述驅(qū)動(dòng)1C 芯片U2的第6管腳的第四路連接VHL端，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U2的第6管腳的第五路連接 IRF840ASPBF型的M0S場(chǎng)效應(yīng)管Q7的漏極，電容C15的另一端的第一路連接二極管D7的負(fù)極，電容C15的另一端的第二路連接所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U2的第7管腳，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片 U2的第8管腳的第一路連接電阻R21的一端，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U2的第8管腳的第二路連接ΙΝ4148型的二極管D6的負(fù)極，電阻R21的另一端的第一路連接電阻R22的另一端，電阻 R21的另一端的第二路連接二極管D6的正極，電阻R21的另一端的第三路連接M0S場(chǎng)效應(yīng) 管Q5的柵極，M0S場(chǎng)效應(yīng)管Q5的漏極連接電源VCC-H端，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U2的第9管腳懸空，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U2的第10管腳懸空，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U2的第11管腳的第一路通過電容C14接地，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U2的第11管腳的第二路通過電容C17接地，所述驅(qū)動(dòng) 1C芯片U2的第11管腳的第三路連接電源VCC-5V端，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U2的第12管腳連接控制電路的ΑΗΙΝ端，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U2的第13管腳連接SHD端的一端，SHD端的另一端通過電阻R27接地，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U2的第14管腳連接控制電路的ALIN端，所述驅(qū)動(dòng) 1C芯片U2的第15管腳接地，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U2的第16管腳懸空；
[0065] 所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U3的第1管腳的第一路連接IN4148型的二極管D10的負(fù)極，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U3的第1管腳的第二路連接電阻R30的一端，電阻R30的另一端連接二極管D10的正極的第一路，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U3的第2管腳接地，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U3的第3 管腳的第一路連接IN4007型的二極管D8的正極，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U3的第3管腳的第二路通過電容C21接地，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U3的第3管腳的第三路通過電容C22接地，所述驅(qū) 動(dòng)1C芯片U3的第3管腳的第四路連接電源BAT+端，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U3的第4管腳懸空，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U3的第5管腳懸空，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U3的第6管腳的第一路連接電容C19的一端，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U3的第6管腳的第二路連接電阻R23的一端，所述驅(qū)動(dòng)1C 芯片U3的第6管腳的第三路連接IRF840ASPBF型的MOS場(chǎng)效應(yīng)管Q6的源極，所述驅(qū)動(dòng)1C 芯片U3的第6管腳的第四路連接VHR端，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U3的第6管腳的第五路連接 IRF840ASPBF型的MOS場(chǎng)效應(yīng)管Q8的漏極，電容C19的另一端的第一路連接二極管D8的負(fù)極，電容C19的另一端的第二路連接所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U3的第7管腳，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片 U3的第8管腳的第一路連接電阻R20的一端，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U3的第8管腳的第二路連接IN4148型的二極管D5的負(fù)極，電阻R23的另一端的第一路連接電阻R20的另一端，電阻 R23的另一端的第二路連接二極管D5的正極，電阻R23的另一端的第三路連接MOS場(chǎng)效應(yīng) 管Q6的柵極，MOS場(chǎng)效應(yīng)管Q6的漏極連接電源VCC-H端，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U3的第9管腳懸空，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U3的第10管腳懸空，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U3的第11管腳的第一路通過電容C16接地，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U3的第11管腳的第二路通過電容C18接地，所述驅(qū)動(dòng) 1C芯片U3的第11管腳的第三路連接電源VCC-5V端，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U3的第12管腳連接控制電路的BHIN端，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U3的第13管腳連接SHD端的一端，所述SHD端的另一端通過電阻R24接地，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片IR2110的第14管腳連接控制電路的BLIN端，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片IR2110的第15管腳接地，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片IR2110的第16管腳懸空； [0066] 二極管D9的正極的第二路連接電阻R25的一端，二極管D9的正極的第三路連接 M0S場(chǎng)效應(yīng)管Q7的柵極，電阻R25的另一端的第一路連接M0S場(chǎng)效應(yīng)管Q7的源極，電阻R25 的另一端的第二路連接I-SAMP端，電阻R25的另一端的第三路連接電阻R28的一端，二極管D10的正極的第二路連接電阻R26的一端，二極管D10的正極的第三路連接M0S場(chǎng)效應(yīng) 管Q8的柵極，電阻R26的另一端的第一路連接M0S場(chǎng)效應(yīng)管Q8的源極，電阻R26的另一端的第二路連接I-SAMP端，電阻R26的另一端的第三路連接電阻R28的一端，電阻R28的另一端接地。
[0067] 上述的電阻或電容的具體型號(hào)參數(shù)可參考圖5所示，此處不作贅述。
[0068] 該磁粉探傷儀電源處理電路，升壓電路將升壓后的直流高壓加在M0S場(chǎng)效應(yīng)管 Q5，Q6的D極，VHL和VHR為Η橋輸出端。IR2110型的驅(qū)動(dòng)1C芯片或IR2110S型的驅(qū)動(dòng)1C 芯片為Η橋電路專用驅(qū)動(dòng)1C芯片，控制電路發(fā)出的控制信號(hào)通過第12管腳控制Η橋電路的高端M0S場(chǎng)效應(yīng)管（Q5和Q6)的通斷，控制信號(hào)通過第14管腳控制Η橋電路的低端M0S 場(chǎng)效應(yīng)管（Q7和Q8)的通斷。以各種方式控制Η橋電路的四個(gè)M0S場(chǎng)效應(yīng)管（Q5、Q6、Q7和 Q8)的通斷即可實(shí)現(xiàn)各種波形的輸出。請(qǐng)參考圖6,其是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的控制電路的脈沖直流控制波形和輸出波形。請(qǐng)參考圖7,其是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的控制電路的交流控制波形和輸出波形。該交流控制波形和輸出波形為梯形波。
[0069] 請(qǐng)參考圖8,其是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的磁粉探傷儀電源處理電路的過流保護(hù) 電路不意圖。
[0070] 其中，所述磁粉探傷儀電源處理電路還包括過流保護(hù)電路，所述過流保護(hù)電路和控制電路連接，所述過流保護(hù)電路包括LM2903M型的電壓比較器芯片U4B和LM2903M型的電壓比較器U4A;
[0071 ] 所述電壓比較器芯片U4B的負(fù)輸入端的第一路通過電容C24連接控制電路的Vref 端，所述電壓比較器芯片U4B的負(fù)輸入端的第二路通過電阻R32連接控制電路的Vref端，所述電壓比較器芯片U4B的負(fù)輸入端的第三路通過電阻R33接地，所述電壓比較器芯片U4B 的正輸入端的第一路連接IN4148型的二極管D14的負(fù)極，所述電壓比較器芯片U4B的正輸入端的第二路通過電阻R39接地，所述電壓比較器芯片U4B的正輸入端的第三路通過電容 C26接地，所述電壓比較器芯片U4B的正輸入端的第四路通過電阻R42連接I-SAMP端，所述電壓比較器芯片U4B的輸出端的第一路通過電阻R34連接電源VCC-5V端，所述電壓比較器芯片U4B的輸出端的第二路連接IN4148型的二極管D12的正極，所述電壓比較器芯片U4B 的輸出端的第三路連接二極管D14的正極；
[0072] 所述電壓比較器U4A的負(fù)輸入端的第一路通過電阻R40接地，所述電壓比較器U4A 的負(fù)輸入端的第二路連接電阻R36的一端，所述電壓比較器U4A的負(fù)輸入端的第三路連接電容C25的一端，所述電壓比較器U4A的正輸入端的第一路通過電阻R37連接控制電路的 Vref端，所述電壓比較器U4A的正輸入端的第二路通過電容C27接地，所述電壓比較器U4A 的正輸入端的第三路連接IN4148型的二極管D15的負(fù)極，所述電壓比較器U4A的輸出端的第一路連接二極管D15的正極，所述電壓比較器U4A的輸出端的第二路連接IN4148型的二極管D13的正極，所述電壓比較器U4A的輸出端的第三路通過電阻R35連接電源VCC-5V端，所述電壓比較器U4A的電源輸入端連接電源VCC-5V端，所述電壓比較器U4A的電源輸出端接地；
[0073] 二極管D13的負(fù)極的第一路連接電阻R41的一端，二極管D13的負(fù)極的第二路連接SHD端，二極管D13的負(fù)極的第三路連接1N4148型的二極管Dm的負(fù)極，二極管Dm 的正極連接控制電路的MCUShutDown端，二極管D13的負(fù)極的第四路通過電阻R31連接 MMSZ5244-G型的穩(wěn)壓二極管D11的正極，二極管D13的負(fù)極的第五路連接二極管D12的負(fù) 極，穩(wěn)壓二極管D11的負(fù)極的第一路連接電源BAT+端，穩(wěn)壓二極管D11的負(fù)極的第二路連接電阻R36的另一端，穩(wěn)壓二極管D11的負(fù)極的第三路連接電容C25的另一端，電阻R41的另一端的第一路通過電阻R43接地，電阻R41的另一端的第二路連接CS8050型的三極管 Q9的基極，三極管Q9的發(fā)射極接地，三極管Q9的集電極的第一路通過電阻R38連接電源 VCC-5V端，三極管Q9的集電極的第二路連接控制電路的ShutDown端。
[0074] 上述的電阻或電容的具體型號(hào)參數(shù)可參考圖8所示，此處不作贅述。
[0075] 請(qǐng)參考圖9,其是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的磁粉探傷儀電源處理電路的充電電路示意圖。
[0076] 其中，所述磁粉探傷儀電源處理電路還包括充電電路，所述充電電路和控制電路連接，所述充電電路包括MAX745EAP芯片U7，所述MAX745EAP芯片U7設(shè)置有第1管腳、第2 管腳、第3管腳、第4管腳、第5管腳、第6管腳、第7管腳、第8管腳、第9管腳、第10管腳、第11管腳、第12管腳、第13管腳、第14管腳、第15管腳、第16管腳、第17管腳、第18管腳、第19管腳和第20管腳；
[0077] 所述第1管腳接地，所述第2管腳的第一路通過電容C37接地，所述第2管腳的第二路連接充電輸入Charge端，所述第2管腳的第三路通過電容C35接地，所述第2管腳的第四路通過電容C36接地，所述第2管腳的第五路連接AUIRF7303Q型的M0S場(chǎng)效應(yīng)管Q10A 的漏極，所述第3管腳通過電容C39接地，所述第4管腳依次通過電阻R50和電容C40接地，所述第5管腳通過電容C45接地，所述第6管腳的第一路連接電阻R54的一端，所述第6管腳的第二路通過電阻RT1接地，所述第7管腳的第一路通過電容C47接地，所述第7管腳的第二路連接電阻R54的另一端，所述第7管腳的第三路連接電阻R55的一端，所述第7管腳的第四路連接電阻R56的一端，所述第8管腳的第一路連接電阻R55的另一端，所述第8管腳的第二路通過電阻R62接地，所述第9管腳的第一路連接電阻R56的另一端，所述第9管腳的第二路通過電阻R59接地，所述第10管腳接地，所述第11管腳連接VL端，所述第12管腳接地，所述第13管腳通過電阻R57連接VL端，所述第14管腳的第一路連接電阻R52的一端，所述第14管腳的第二路通過電容C41接地，所述第14管腳的第三路通過電容C42接地，所述第14管腳的第四路連接BIT-IN端，所述第14管腳的第五路通過CCFIN7型的保險(xiǎn) 絲F1連接電源BAT+端，所述第15管腳的第一路連接電阻R52的另一端，所述第15管腳的第二路連接MBRS340T3型的肖特基二極管D21的負(fù)極，所述第16管腳的第一路接地，所述第16管腳的第二路連接AUIRF7303Q型場(chǎng)效應(yīng)管Q10B的源極，所述第16管腳的第三路連接MBRS340T3型的肖特基二極管D22的正極，所述第17管腳連接場(chǎng)效應(yīng)管Q10B的柵極，所述第18管腳連接AUIRF7303Q型的場(chǎng)效應(yīng)管Q10A的柵極，所述第19管腳的第一路連接電容C38的一端，所述第19管腳的第二路連接場(chǎng)效應(yīng)管Q10A的源極，所述第19管腳的第三路連接場(chǎng)效應(yīng)管Q10B的漏極，所述第19管腳的第四路連接肖特基二極管D22的負(fù)極，所述第19管腳的第五路通過22uH型的電感L1連接肖特基二極管D21的正極，所述第20管腳的第一路連接電容C38的另一端，所述第20管腳的第二路連接IN4148型的二極管D20的負(fù)極，二極管D20的正極連接VL端。
[0078] 上述的電阻或電容的具體型號(hào)參數(shù)可參考圖9所示，此處不作贅述。
[0079] 請(qǐng)參考圖10,其是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的磁粉探傷儀電源處理電路的LED驅(qū)動(dòng) 電路不意圖。
[0080] 其中，所述磁粉探傷儀電源處理電路還包括LED驅(qū)動(dòng)電路，所述LED驅(qū)動(dòng)電路和控制電路連接，所述LED驅(qū)動(dòng)電路包括LTC3621EMS8E#PBF芯片U10,所述LTC3621EMS8E#PBF 芯片U10設(shè)置有第1管腳、第2管腳、第3管腳、第4管腳、第5管腳、第6管腳、第7管腳和第8管腳；
[0081] 所述第1管腳連接4. 7uH型電感L2的一端，所述第2管腳的第一路連接電源BAT+ 端，所述第2管腳的第二路通過電容C49接地，所述第3管腳的第一路連接控制電路的 LightON端，所述第3管腳的第二路通過電阻R60接地，所述第4管腳懸空，所述第5管腳的第一路通過電阻R61接地，所述第5管腳的第二路連接電阻R58的一端，所述第6管腳的第一路連接所述第7管腳，所述第6管腳的第二路通過電容C51接地，所述第8管腳接地；
[0082] 所述電感L2的另一端的第一路連接電阻R58的另一端，所述電感L2的另一端的第二路通過電容C48接地，所述電感L2的另一端的第三路通過電容C50接地，所述電感L2 的另一端的第四路連接VLight端。
[0083] 上述的電阻或電容的具體型號(hào)參數(shù)可參考圖10所示，此處不作贅述。
[0084] 請(qǐng)參考圖11，其是是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的磁粉探傷儀的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0085] 該磁粉探傷儀，包括上述的磁粉探傷儀電源處理電路。
[0086] 該磁粉探傷儀，集成了直流和交流兩種探傷工作模式，可在不更換探傷儀的前提下對(duì)工件進(jìn)行表面缺陷、近表面缺陷和深埋缺陷的全面檢測(cè)，操作簡(jiǎn)單且使用方便。
[0087] 其中，所述的磁粉探傷儀，包括殼體1和電源接入座2,所述電源接入座2和殼體1 上表面成30?60°角。
[0088]目前市場(chǎng)上的磁粉探傷儀，其電源接入座2和殼體1上表面一般成0°角或90° 角，當(dāng)電源接入座2和殼體1上表面成0°角，檢測(cè)時(shí)從電源接入座2伸出的電纜線和工件表面之間會(huì)產(chǎn)生不必要的摩擦，當(dāng)電源接入座2和殼體1上表面成90°角，檢測(cè)時(shí)給手掌留出了的活動(dòng)空間又相對(duì)較小。所以，電源接入座2和殼體1上表面成30?60°角，相對(duì)于電源接入座2和殼體1上表面成0°角或90°角的設(shè)置方式來說，既減少了電纜線和工件表面之間不必要的摩擦，又給手掌留出了更多的活動(dòng)空間，可謂一舉兩得。優(yōu)選的，電源接入座2和殼體1上表面成45°角，該設(shè)置方式充分考慮了上述兩方面的因素，同時(shí)也便于制作工藝的標(biāo)準(zhǔn)化。
[0089] 一種磁粉探傷儀電源處理電路和磁粉探傷儀，集成了直流和交流兩種探傷工作模式，可在不更換探傷儀的前提下對(duì)工件進(jìn)行表面缺陷、近表面缺陷和深埋缺陷的全面檢測(cè)，操作簡(jiǎn)單且使用方便。
[0090] 以上內(nèi)容僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，依據(jù)本實(shí) 用新型的思想，在【具體實(shí)施方式】及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對(duì)本實(shí)用新型的限制。
【權(quán)利要求】
1. 一種磁粉探傷儀電源處理電路，其特征在于：包括升壓電路、控制電路和Η橋電路，所述控制電路和Η橋電路連接，所述Η橋電路還和升壓電路連接，所述控制電路控制Η橋電路的輸出波形，以便Η橋電路輸出0?60Hz的電壓頻率信號(hào)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁粉探傷儀電源處理電路，其特征在于，所述電壓頻率信號(hào) 包括直流電壓頻率信號(hào)、交流定頻電壓頻率信號(hào)和15?50Hz交流掃頻電壓頻率信號(hào)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁粉探傷儀電源處理電路，其特征在于，所述升壓電路包括 SG2525AP芯片U1，所述SG2525AP芯片U1上設(shè)置有第1管腳、第2管腳、第3管腳、第4管腳、第5管腳、第6管腳、第7管腳、第8管腳、第9管腳、第10管腳、第11管腳、第12管腳、第13管腳、第14管腳、第15管腳和第16管腳；所述第1管腳的第一路依次通過電阻R10和電容C7連接第9管腳，所述第1管腳的第二路通過電容C13接地，所述第1管腳的第三路連接電阻R19的一端的第一路，所述第2管腳的第一路通過電阻R17接地，所述第2管腳的第二路連接電阻R14的一端，所述第3管腳懸空，所述第4管腳懸空，所述第5管腳的第一路通過電容C12接地，所述第5管腳第二路通過電阻R16連接第7管腳，所述第6管腳通過電阻R13接地，所述第8管腳通過電容C11 接地，所述第10管腳的第一路通過電阻R1接地，所述第10管腳的第二路通過電容C1接地，所述第10管腳的第三路通過電阻R2連接SHD端，所述第11管腳的第一路連接電阻R11的一端，所述第11管腳的第二路連接電阻R12的一端，所述第12管腳接地，所述第13管腳的第一路連接電源BAT+端，所述第13管腳的第二路通過電容C4接地，所述第13管腳的第三路通過電容C5接地，所述第14管腳的第一路連接電阻R3的一端，所述第14管腳的第二路連接電阻R4的一端，所述第15管腳連接電源BAT+端，所述第16管腳連接電阻R14的另一端的第一路；電阻R14的另一端的第二路通過電容C9接地，電阻R14的另一端的第三路通過電容 C10接地，所述電阻R11的另一端的第一路連接IRF3205ZS型的MOS場(chǎng)效應(yīng)管Q3的柵極，所述電阻R11的另一端的第二路連接電阻R8的一端，電阻R8的另一端接地，M0S場(chǎng)效應(yīng)管 Q3的漏極的第一路連接IRF3205ZS型的M0S場(chǎng)效應(yīng)管Q4的漏極，M0S場(chǎng)效應(yīng)管Q3的漏極的第二路連接電容C8的一端，M0S場(chǎng)效應(yīng)管Q3的漏極的第三路連接變壓器的第一電壓輸入端，M0S場(chǎng)效應(yīng)管Q3的源極接地，所述電阻R12的另一端的第一路連接M0S場(chǎng)效應(yīng)管Q4的柵極，所述電阻R12的另一端的第二路連接電阻R9的一端，電阻R9的另一端接地，M0S場(chǎng)效應(yīng)管Q4的源極接地，所述電阻R3的另一端的第一路連接IRF3205ZS型的M0S場(chǎng)效應(yīng)管Q1 的柵極，所述電阻R3的另一端的第二路連接電阻R5的一端，電阻R5的另一端接地，M0S場(chǎng) 效應(yīng)管Q1的漏極的第一路連接IRF3205ZS型的M0S場(chǎng)效應(yīng)管Q2的漏極，M0S場(chǎng)效應(yīng)管Q1 的漏極的第二路連接電阻R7的一端，M0S場(chǎng)效應(yīng)管Q1的漏極的第三路連接變壓器的第二電壓輸入端，M0S場(chǎng)效應(yīng)管Q1的源極接地，所述電阻R4的另一端的第一路連接M0S場(chǎng)效應(yīng) 管Q2的柵極，所述電阻R4的另一端的第二路連接電阻R6的一端，電阻R6的另一端接地， M0S場(chǎng)效應(yīng)管Q2的源極接地，電阻R7的另一端和電容C8的另一端連接；變壓器的第一電壓輸出端的第一路連接FR207型的二極管D1的負(fù)極，變壓器的第一電壓輸出端的第二路連接FR207型的二極管D2的正極，變壓器的第二電壓輸出端的第一路連接FR207型的二極管D3的正極，變壓器的第二電壓輸出端的第二路連接FR207型的二極管 D4的負(fù)極，二極管D1的正極接地，二極管D2的負(fù)極的第一路連接二極管D3的負(fù)極，二極管 D2的負(fù)極的第二路依次通過電阻R15和電阻R18連接電阻R19的一端的第二路，電阻R19 的另一端接地，二極管D2的負(fù)極的第三路連接電源VCC-H端，二極管D2的負(fù)極的第四路通過電容C6接地，二極管D4的正極接地。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁粉探傷儀電源處理電路，其特征在于，所述控制電路包括 ATmega8A-AU芯片U5,所述ATmega8A-AU芯片U5上設(shè)置有第1管腳、第2管腳、第3管腳、第4管腳、第5管腳、第6管腳、第7管腳、第8管腳、第9管腳、第10管腳、第11管腳、第12 管腳、第13管腳、第14管腳、第15管腳、第16管腳、第17管腳、第18管腳、第19管腳、第 20管腳、第21管腳、第22管腳、第23管腳、第24管腳、第25管腳、第26管腳、第27管腳、第28管腳、第29管腳、第30管腳、第31管腳和第32管腳；所述第12管腳連接RUN端，所述第13管腳連接BATStatus端，所述第14管腳懸空，所述第15管腳連接MOSI端，所述第16管腳連接MISO端，所述第17管腳連接CLK端，所述第7管腳連接XTAL1端的一端，所述第8管腳連接XTAL2端的一端，所述第30管腳連接PDO端，所述第31管腳連接PD1端，所述第32管腳連接ShutDown端，所述第1管腳連接PD3端，所述第2管腳連接LED0端的一端，所述第9管腳連接LED1端的一端，所述第 10管腳懸空，所述第11管腳連接單刀雙擲開關(guān)SF的動(dòng)端2,單刀雙擲開關(guān)SF的不動(dòng)端3 接地，單刀雙擲開關(guān)SF的不動(dòng)端1通過電阻Rc連接電源VCC-5V端，所述第23管腳連接 AD-BAT端的一端，所述第24管腳懸空，所述第25管腳連接MCUShutDown端，所述第26管腳連接LightON端，所述第27管腳連接AHIN端，所述第28管腳連接ALIN端，所述第19 管腳連接BHIN端，所述第22管腳連接BLIN端，所述第29管腳連接RESET端的一端，所述第6管腳、第4管腳和第18管腳的第一路分別連接電源VCC-5V端，所述第6管腳、第4 管腳和第18管腳的第二路分別通過電容C28接地，所述第21管腳、第5管腳和第3管腳的第一路分別接地，所述第21管腳、第5管腳和第3管腳的第二路分別連接電容C29的一端，電容C29的另一端的第一路連接所述第20管腳，電容C29的另一端的第二路連接電阻R45 的一端，電阻R45的另一端連接Vref端的一端；所述Vref端的另一端的第一路通過電阻R48連接電源VCC-5V端，Vref端的另一端的第二路連接TL431IDBZR型的可調(diào)式精密并聯(lián)穩(wěn)壓器U6的負(fù)極，可調(diào)式精密并聯(lián)穩(wěn)壓器U6 的正極接地，Vref端的另一端的第三路連接可調(diào)式精密并聯(lián)穩(wěn)壓器U6的輸出電壓設(shè)定端的一端，所述輸出電壓設(shè)定端的另一端通過電容C34接地，所述XTAL1端的另一端的第一路連接8MHz晶體振蕩器Y1的一端，所述XTAL1端的另一端的第二路通過電容C31接地，所述XTAL2端的另一端的第一路連接8MHz晶體振蕩器Y1的另一端，所述XTAL2端的另一端的第二路通過電容C33接地，所述RESET端的另一端的第一路通過電阻R47連接電源VCC-5V 端，所述RESET端的另一端的第二路通過電容C30接地，所述AD-BAT端的另一端的第一路通過電阻R46連接電源BAT+端，所述AD-BAT端的另一端的第二路通過電阻R49接地，所述AD-BAT端的另一端的第三路通過電容C32接地，所述LED0端的另一端通過電阻Rb 連接雙向發(fā)光二極管D16的第一信號(hào)輸入端，所述LED1端的另一端通過電阻Rd連接雙向發(fā)光二極管D16的第二信號(hào)輸入端，雙向發(fā)光二極管D16的電源輸入端連接VCC-5V端。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁粉探傷儀電源處理電路，其特征在于，所述Η橋電路包括 IR2110型或IR2110S型的驅(qū)動(dòng)1C芯片U2,以及IR2110型或IR2110S型的驅(qū)動(dòng)1C芯片U3，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U2和驅(qū)動(dòng)1C芯片U3分別設(shè)置有第1管腳、第2管腳、第3管腳、第4管腳、第5管腳、第6管腳、第7管腳、第8管腳、第9管腳、第10管腳、第11管腳、第12管腳、第13管腳、第14管腳、第15管腳和第16管腳；所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U2的第1管腳的第一路連接IN4148型的二極管D9的負(fù)極，所述驅(qū) 動(dòng)1C芯片U2的第1管腳的第二路連接電阻R29的一端，電阻R29的另一端連接二極管D9 的正極的第一路，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U2的第2管腳接地，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U2的第3管腳的第一路連接IN4007型的二極管D7的正極，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U2的第3管腳的第二路通過電容C20接地，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U2的第3管腳的第三路通過電容C23接地，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U2的第3管腳的第四路連接電源BAT+端，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U2的第4管腳懸空，所述驅(qū) 動(dòng)1C芯片U2的第5管腳懸空，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U2的第6管腳的第一路連接電容C15的一端，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U2的第6管腳的第二路連接電阻R22的一端，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U2的第6管腳的第三路連接IRF840ASPBF型的MOS場(chǎng)效應(yīng)管Q5的源極，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U2的第6管腳的第四路連接VHL端，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U2的第6管腳的第五路連接IRF840ASPBF 型的MOS場(chǎng)效應(yīng)管Q7的漏極，電容C15的另一端的第一路連接二極管D7的負(fù)極，電容C15 的另一端的第二路連接所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U2的第7管腳，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U2的第8管腳的第一路連接電阻R21的一端，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U2的第8管腳的第二路連接IN4148型的二極管D6的負(fù)極，電阻R21的另一端的第一路連接電阻R22的另一端，電阻R21的另一端的第二路連接二極管D6的正極，電阻R21的另一端的第三路連接MOS場(chǎng)效應(yīng)管Q5的柵極， MOS場(chǎng)效應(yīng)管Q5的漏極連接電源VCC-H端，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U2的第9管腳懸空，所述驅(qū) 動(dòng)1C芯片U2的第10管腳懸空，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U2的第11管腳的第一路通過電容C14 接地，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U2的第11管腳的第二路通過電容C17接地，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U2 的第11管腳的第三路連接電源VCC-5V端，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U2的第12管腳連接控制電路的AHIN端，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U2的第13管腳連接SHD端的一端，SHD端的另一端通過電阻 R27接地，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U2的第14管腳連接控制電路的ALIN端，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U2 的第15管腳接地，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U2的第16管腳懸空；所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U3的第1管腳的第一路連接IN4148型的二極管D10的負(fù)極，所述驅(qū) 動(dòng)1C芯片U3的第1管腳的第二路連接電阻R30的一端，電阻R30的另一端連接二極管D10 的正極的第一路，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U3的第2管腳接地，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U3的第3管腳的第一路連接IN4007型的二極管D8的正極，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U3的第3管腳的第二路通過電容C21接地，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U3的第3管腳的第三路通過電容C22接地，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U3的第3管腳的第四路連接電源BAT+端，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U3的第4管腳懸空，所述驅(qū) 動(dòng)1C芯片U3的第5管腳懸空，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U3的第6管腳的第一路連接電容C19的一端，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U3的第6管腳的第二路連接電阻R23的一端，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U3的第6管腳的第三路連接IRF840ASPBF型的MOS場(chǎng)效應(yīng)管Q6的源極，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U3的第6管腳的第四路連接VHR端，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U3的第6管腳的第五路連接IRF840ASPBF 型的MOS場(chǎng)效應(yīng)管Q8的漏極，電容C19的另一端的第一路連接二極管D8的負(fù)極，電容C19 的另一端的第二路連接所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U3的第7管腳，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U3的第8管腳的第一路連接電阻R20的一端，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U3的第8管腳的第二路連接IN4148型的二極管D5的負(fù)極，電阻R23的另一端的第一路連接電阻R20的另一端，電阻R23的另一端的第二路連接二極管D5的正極，電阻R23的另一端的第三路連接MOS場(chǎng)效應(yīng)管Q6的柵極， MOS場(chǎng)效應(yīng)管Q6的漏極連接電源VCC-H端，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U3的第9管腳懸空，所述驅(qū)動(dòng) 1C芯片U3的第10管腳懸空，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U3的第11管腳的第一路通過電容C16接地，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U3的第11管腳的第二路通過電容C18接地，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U3的第11管腳的第三路連接電源VCC-5V端，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U3的第12管腳連接控制電路的 BHIN端，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片U3的第13管腳連接SHD端的一端，所述SHD端的另一端通過電阻R24接地，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片IR2110的第14管腳連接控制電路的BLIN端，所述驅(qū)動(dòng)1C 芯片IR2110的第15管腳接地，所述驅(qū)動(dòng)1C芯片IR2110的第16管腳懸空；二極管D9的正極的第二路連接電阻R25的一端，二極管D9的正極的第三路連接M0S 場(chǎng)效應(yīng)管Q7的柵極，電阻R25的另一端的第一路連接M0S場(chǎng)效應(yīng)管Q7的源極，電阻R25的另一端的第二路連接I-SAMP端，電阻R25的另一端的第三路連接電阻R28的一端，二極管 D10的正極的第二路連接電阻R26的一端，二極管D10的正極的第三路連接M0S場(chǎng)效應(yīng)管 Q8的柵極，電阻R26的另一端的第一路連接M0S場(chǎng)效應(yīng)管Q8的源極，電阻R26的另一端的第二路連接I-SAMP端，電阻R26的另一端的第三路連接電阻R28的一端，電阻R28的另一端接地。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁粉探傷儀電源處理電路，其特征在于，所述磁粉探傷儀電源處理電路還包括過流保護(hù)電路，所述過流保護(hù)電路和控制電路連接，所述過流保護(hù)電路包括LM2903M型的電壓比較器芯片U4B和LM2903M型的電壓比較器U4A ; 所述電壓比較器芯片U4B的負(fù)輸入端的第一路通過電容C24連接控制電路的Vref端，所述電壓比較器芯片U4B的負(fù)輸入端的第二路通過電阻R32連接控制電路的Vref端，所述電壓比較器芯片U4B的負(fù)輸入端的第三路通過電阻R33接地，所述電壓比較器芯片U4B的正輸入端的第一路連接IN4148型的二極管D14的負(fù)極，所述電壓比較器芯片U4B的正輸入端的第二路通過電阻R39接地，所述電壓比較器芯片U4B的正輸入端的第三路通過電容C26 接地，所述電壓比較器芯片U4B的正輸入端的第四路通過電阻R42連接I-SAMP端，所述電壓比較器芯片U4B的輸出端的第一路通過電阻R34連接電源VCC-5V端，所述電壓比較器芯片U4B的輸出端的第二路連接IN4148型的二極管D12的正極，所述電壓比較器芯片U4B的輸出端的第三路連接二極管D14的正極；所述電壓比較器U4A的負(fù)輸入端的第一路通過電阻R40接地，所述電壓比較器U4A的負(fù)輸入端的第二路連接電阻R36的一端，所述電壓比較器U4A的負(fù)輸入端的第三路連接電容C25的一端，所述電壓比較器U4A的正輸入端的第一路通過電阻R37連接控制電路的 Vref端，所述電壓比較器U4A的正輸入端的第二路通過電容C27接地，所述電壓比較器U4A 的正輸入端的第三路連接IN4148型的二極管D15的負(fù)極，所述電壓比較器U4A的輸出端的第一路連接二極管D15的正極，所述電壓比較器U4A的輸出端的第二路連接IN4148型的二極管D13的正極，所述電壓比較器U4A的輸出端的第三路通過電阻R35連接電源VCC-5V端，所述電壓比較器U4A的電源輸入端連接電源VCC-5V端，所述電壓比較器U4A的電源輸出端接地；二極管D13的負(fù)極的第一路連接電阻R41的一端，二極管D13的負(fù)極的第二路連接SHD 端，二極管D13的負(fù)極的第三路連接1N4148型的二極管Dm的負(fù)極，二極管Dm的正極連接控制電路的MCUShutDown端，二極管D13的負(fù)極的第四路通過電阻R31連接MMSZ5244-G型的穩(wěn)壓二極管D11的正極，二極管D13的負(fù)極的第五路連接二極管D12的負(fù)極，穩(wěn)壓二極管 Dll的負(fù)極的第一路連接電源BAT+端，穩(wěn)壓二極管Dll的負(fù)極的第二路連接電阻R36的另一端，穩(wěn)壓二極管D11的負(fù)極的第三路連接電容C25的另一端，電阻R41的另一端的第一路通過電阻R43接地，電阻R41的另一端的第二路連接CS8050型的三極管Q9的基極，三極管 Q9的發(fā)射極接地，三極管Q9的集電極的第一路通過電阻R38連接電源VCC-5V端，三極管 Q9的集電極的第二路連接控制電路的ShutDown端。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁粉探傷儀電源處理電路，其特征在于，所述磁粉探傷儀電源處理電路還包括充電電路，所述充電電路和控制電路連接，所述充電電路包括MAX745EAP 芯片U7,所述MAX745EAP芯片U7設(shè)置有第1管腳、第2管腳、第3管腳、第4管腳、第5管腳、第6管腳、第7管腳、第8管腳、第9管腳、第10管腳、第11管腳、第12管腳、第13管腳、第14管腳、第15管腳、第16管腳、第17管腳、第18管腳、第19管腳和第20管腳；所述第1管腳接地，所述第2管腳的第一路通過電容C37接地，所述第2管腳的第二路連接充電輸入Charge端，所述第2管腳的第三路通過電容C35接地，所述第2管腳的第四路通過電容C36接地，所述第2管腳的第五路連接AUIRF7303Q型的M0S場(chǎng)效應(yīng)管Q10A的漏極，所述第3管腳通過電容C39接地，所述第4管腳依次通過電阻R50和電容C40接地，所述第5管腳通過電容C45接地，所述第6管腳的第一路連接電阻R54的一端，所述第6管腳的第二路通過電阻RT1接地，所述第7管腳的第一路通過電容C47接地，所述第7管腳的第二路連接電阻R54的另一端，所述第7管腳的第三路連接電阻R55的一端，所述第7管腳的第四路連接電阻R56的一端，所述第8管腳的第一路連接電阻R55的另一端，所述第8管腳的第二路通過電阻R62接地，所述第9管腳的第一路連接電阻R56的另一端，所述第9管腳的第二路通過電阻R59接地，所述第10管腳接地，所述第11管腳連接VL端，所述第12管腳接地，所述第13管腳通過電阻R57連接VL端，所述第14管腳的第一路連接電阻R52的一端，所述第14管腳的第二路通過電容C41接地，所述第14管腳的第三路通過電容C42接地，所述第14管腳的第四路連接BIT-IN端，所述第14管腳的第五路通過CCFIN7型的保險(xiǎn) 絲F1連接電源BAT+端，所述第15管腳的第一路連接電阻R52的另一端，所述第15管腳的第二路連接MBRS340T3型的肖特基二極管D21的負(fù)極，所述第16管腳的第一路接地，所述第16管腳的第二路連接AUIRF7303Q型場(chǎng)效應(yīng)管Q10B的源極，所述第16管腳的第三路連接MBRS340T3型的肖特基二極管D22的正極，所述第17管腳連接場(chǎng)效應(yīng)管Q10B的柵極，所述第18管腳連接AUIRF7303Q型的場(chǎng)效應(yīng)管Q10A的柵極，所述第19管腳的第一路連接電容C38的一端，所述第19管腳的第二路連接場(chǎng)效應(yīng)管Q10A的源極，所述第19管腳的第三路連接場(chǎng)效應(yīng)管Q10B的漏極，所述第19管腳的第四路連接肖特基二極管D22的負(fù)極，所述第19管腳的第五路通過22uH型的電感L1連接肖特基二極管D21的正極，所述第20管腳的第一路連接電容C38的另一端，所述第20管腳的第二路連接IN4148型的二極管D20的負(fù)極，二極管D20的正極連接VL端。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁粉探傷儀電源處理電路，其特征在于，所述磁粉探傷儀電源處理電路還包括LED驅(qū)動(dòng)電路，所述LED驅(qū)動(dòng)電路和控制電路連接，所述LED驅(qū)動(dòng)電路包括LTC3621EMS8E#PBF芯片U10,所述LTC3621EMS8E#PBF芯片U10設(shè)置有第1管腳、第2管腳、第3管腳、第4管腳、第5管腳、第6管腳、第7管腳和第8管腳；所述第1管腳連接4. 7uH型電感L2的一端，所述第2管腳的第一路連接電源BAT+端，所述第2管腳的第二路通過電容C49接地，所述第3管腳的第一路連接控制電路的LightON 端，所述第3管腳的第二路通過電阻R60接地，所述第4管腳懸空，所述第5管腳的第一路通過電阻R61接地，所述第5管腳的第二路連接電阻R58的一端，所述第6管腳的第一路連接所述第7管腳，所述第6管腳的第二路通過電容C51接地，所述第8管腳接地；所述電感L2的另一端的第一路連接電阻R58的另一端，所述電感L2的另一端的第二路通過電容C48接地，所述電感L2的另一端的第三路通過電容C50接地，所述電感L2的另一端的第四路連接VLight端。
9. 一種磁粉探傷儀，其特征在于，包括如權(quán)利要求1?8任意一項(xiàng)所述的磁粉探傷儀電源處理電路。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的磁粉探傷儀，其特征在于，包括殼體和電源接入座，所述電源接入座和殼體上表面成30?60°角。
【文檔編號(hào)】H02M7/5387GK203851032SQ201420214669
【公開日】2014年9月24日申請(qǐng)日期:2014年4月28日優(yōu)先權(quán)日:2014年4月28日
【發(fā)明者】汪月銀申請(qǐng)人:深圳市神視檢驗(yàn)有限公司

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