一種確認(rèn)半成品電池片抗pid性能的測(cè)試方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種確認(rèn)半成品電池片抗PID性能的測(cè)試方法，其特征在于該方法的步驟如下：a）取抗PID半成品電池片；b）將飽和的去離子水滴在抗PID半成品電池片的表面上；c）將經(jīng)過步驟b）處理的抗PID半成品電池片傾斜成與水平面有一定角度的傾斜狀；d）通過去離子水滴在抗PID半成品電池片上的形態(tài)判定該抗PID半成品電池片的抗PID性能是否合格：當(dāng)去離子水滴在抗PID半成品電池片上不具有擴(kuò)散趨勢(shì)，則該抗PID半成品電池片的抗PID性能不合格；當(dāng)去離子水滴在抗PID半成品電池片上有擴(kuò)散趨勢(shì)并且能夠沿著傾斜方向順勢(shì)流下，則該抗PID半成品電池片的抗PID性能合格。本發(fā)明能夠縮短判定電池片是否具有基本的抗PID能力的時(shí)間。
【專利說明】—種確認(rèn)半成品電池片抗PID性能的測(cè)試方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種確認(rèn)半成品電池片抗PID性能的測(cè)試方法，屬于太陽(yáng)能組件領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，電池片PID失效原理:Na離子在EVA中受電場(chǎng)作用遷移，Na ion與電子結(jié)合后，所形成的鈉元素沉積在銀線上造成污染與短路的問題，從而造成PID失效，抗PID電池片，在emitter與ARC界面之間生成一層超薄氧化層，使隧穿效應(yīng)最大化并取代原有的表面鈍化，負(fù)偏壓電場(chǎng)下，電子從emitter發(fā)射出來并順利通過emitter與ARC界面,進(jìn)入ARC從而使Na離子與電子結(jié)合后，所形成的的鈉元素留在ARC內(nèi)部，不再受負(fù)偏壓電場(chǎng)的作用而往下進(jìn)入emitter，解決污染與短路的問題?？筆ID電池片，在半成品表面氣相法生成的二氧化硅微粉，直接聚積、純化、收集、壓縮、包裝，不經(jīng)過其他化學(xué)試劑處理，在二氧化硅粒子表面保留有羥基，故而具有親水性?，F(xiàn)有電池片抗PID測(cè)試的優(yōu)點(diǎn):現(xiàn)有的電池片PID性能均通過組件成片測(cè)試確認(rèn)，數(shù)據(jù)可靠性高，且可以溯源，組件PID測(cè)試以60°C、85%RH、-1000V電壓、組件表面貼導(dǎo)電鋁箔為測(cè)試條件(環(huán)境)，測(cè)試時(shí)間為96小時(shí)比較合適。按照IE61215標(biāo)準(zhǔn)相應(yīng)規(guī)定來判斷組件是否合格，缺點(diǎn):測(cè)試時(shí)間過長(zhǎng)，易造成電池片損失，缺乏實(shí)時(shí)性。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是克服現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，提供一種確認(rèn)半成品電池片抗PID性能的測(cè)試方法，它能夠縮短判定電池片是否具有基本的抗PID能力的時(shí)間。
[0004]為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的技術(shù)方案是:一種確認(rèn)半成品電池片抗PID性能的測(cè)試方法，該方法的步驟如下:
[0005]a)取抗PID半成品電池片；
[0006]b)將飽和的去離子水滴在抗PID半成品電池片的表面上；
[0007]c)將經(jīng)過步驟b)處理的抗PID半成品電池片傾斜成與水平面有一定角度的傾斜狀；
[0008]d)通過去離子水滴在抗PID半成品電池片上的形態(tài)判定該抗PID半成品電池片的抗PID性能是否合格:當(dāng)去離子水滴在抗PID半成品電池片上不具有擴(kuò)散趨勢(shì)，則該抗PID半成品電池片的抗PID性能不合格；當(dāng)去離子水滴在抗PID半成品電池片上有擴(kuò)散趨勢(shì)并且能夠沿著傾斜方向順勢(shì)流下，則該抗PID半成品電池片的抗PID性能合格。
[0009]進(jìn)一步，在步驟b)中，采用滴管吸取飽和的去離子水，并且保證滴管中的去離子水不小于0.25ml,并且距離抗PID半成品電池片的高度為2cm,滴下飽和的去離子水滴。
[0010]進(jìn)一步為了更好地測(cè)試抗PID半成品電池片使其測(cè)試全面，在步驟b)中，去離子水滴在抗PID半成品電池片上共有5個(gè)點(diǎn)，四角分別設(shè)置有一個(gè)點(diǎn)，中心處具有一個(gè)點(diǎn)。
[0011]更進(jìn)一步，在所述的步驟c)中，所述的傾斜角度為45°。[0012]采用了上述技術(shù)方案后，抗PID半成品電池片表面的二氧化硅阻止Na離子進(jìn)入emitter，解決污染與短路的問題，親水性判定了抗PID半成品電池片表面是否形成二氧化硅，通過飽和的去離子水滴測(cè)試其親水性，就能夠很好判斷其抗PID的能力，縮短了到組件端判定電池片是否具有抗PID的時(shí)間，減少了電池片報(bào)廢，具有較大的經(jīng)濟(jì)價(jià)值。
【具體實(shí)施方式】
[0013]為了使本發(fā)明的內(nèi)容更容易被清楚地理解，下面根據(jù)具體實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。
[0014]一種確認(rèn)半成品電池片抗PID性能的測(cè)試方法，該方法的步驟如下:
[0015]a)取抗PID半成品電池片；
[0016]b)將飽和的去離子水滴在抗PID半成品電池片的表面上；
[0017]c)將經(jīng)過步驟b)處理的抗PID半成品電池片傾斜成與水平面有一定角度的傾斜狀；
[0018]d)通過去離子水滴在抗PID半成品電池片上的形態(tài)判定該抗PID半成品電池片的抗PID性能是否合格:當(dāng)去離子水滴在抗PID半成品電池片上不具有擴(kuò)散趨勢(shì)，則該抗PID半成品電池片的抗PID性能不合格；當(dāng)去離子水滴在抗PID半成品電池片上有擴(kuò)散趨勢(shì)并且能夠沿著傾斜方向順勢(shì)流下，則該抗PID半成品電池片的抗PID性能合格。
[0019]在所述的步驟b)中，采用滴管吸取飽和的去離子水，并且保證滴管中的去離子水不小于0.25ml,并且距離抗PID半成品電池片的高度為2cm,滴下飽和的去離子水滴。
[0020]在所述的步驟b)中，去離子水滴在抗PID半成品電池片上共有5個(gè)點(diǎn)，四角分別設(shè)置有一個(gè)點(diǎn)，中心處具有一個(gè)點(diǎn)。
[0021]在所述的步驟c)中，所述的傾斜角度為45°。
[0022]本發(fā)明的工作原理如下:
[0023]抗PID半成品電池片表面的二氧化硅阻止Na離子進(jìn)入emitter，解決污染與短路的問題，親水性判定了抗PID半成品電池片表面是否形成二氧化硅，通過飽和的去離子水滴測(cè)試其親水性，就能夠很好判斷其抗PID的能力，縮短了到組件端判定電池片是否具有抗PID的時(shí)間，減少了電池片報(bào)廢，具有較大的經(jīng)濟(jì)價(jià)值。
[0024]以上所述的具體實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案和有益效果進(jìn)行了進(jìn)一步詳細(xì)說明，所應(yīng)理解的是，以上所述僅為本發(fā)明的具體實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種確認(rèn)半成品電池片抗PID性能的測(cè)試方法，其特征在于該方法的步驟如下: a)取抗PID半成品電池片； b)將飽和的去離子水滴在抗PID半成品電池片的表面上； c)將經(jīng)過步驟b)處理的抗PID半成品電池片傾斜成與水平面有一定角度的傾斜狀； d)通過去離子水滴在抗PID半成品電池片上的形態(tài)判定該抗PID半成品電池片的抗PID性能是否合格:當(dāng)去離子水滴在抗PID半成品電池片上不具有擴(kuò)散趨勢(shì)，則該抗PID半成品電池片的抗PID性能不合格；當(dāng)去離子水滴在抗PID半成品電池片上有擴(kuò)散趨勢(shì)并且能夠沿著傾斜方向順勢(shì)流下，則該抗PID半成品電池片的抗PID性能合格。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種確認(rèn)半成品電池片抗PID性能的測(cè)試方法，其特征在于:在所述的步驟b)中，采用滴管吸取飽和的去離子水，并且保證滴管中的去離子水不小于0.25ml，并且距離抗PID半成品電池片的高度為2cm，滴下飽和的去離子水滴。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種確認(rèn)半成品電池片抗PID性能的測(cè)試方法，其特征在于:在所述的步驟b)中，去離子水滴在抗PID半成品電池片上共有5個(gè)點(diǎn)，四角分別設(shè)置有一個(gè)點(diǎn)，中心處具有一個(gè)點(diǎn)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種確認(rèn)半成品電池片抗PID性能的測(cè)試方法，其特征在于:在所述的步驟c)中，所述的傾斜角度為45°。
【文檔編號(hào)】H02S50/10GK103956974SQ201410215742
【公開日】2014年7月30日 申請(qǐng)日期:2014年5月21日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月21日
【發(fā)明者】肖婭, 陳紅, 高傳樓, 彭義富 申請(qǐng)人:常州天合光能有限公司