直流對直流控制器的制造方法
【專利摘要】本實用新型公開一種直流對直流控制器。直流對直流控制器包括誤差放大器、斜波信號產(chǎn)生器、斜率偵測單元、信號合成單元及控制單元。誤差放大器提供一誤差信號。斜波信號產(chǎn)生器提供一第一斜波信號。斜率偵測單元接收誤差信號以通過誤差信號來提供一斜率偵測信號。信號合成單元合成第一斜波信號及斜率偵測信號成為一第二斜波信號?？刂茊卧ㄟ^誤差信號及第二斜波信號產(chǎn)生一脈寬調(diào)變信號。
【專利說明】直流對直流控制器
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型是與電源轉(zhuǎn)換器有關(guān)，特別是關(guān)于一種能夠根據(jù)誤差信號產(chǎn)生斜率偵測信號來改變斜波信號的下降及上升斜率的直流對直流控制器，以提升其瞬時反應(yīng)速度。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來，電源供應(yīng)電路已廣泛使用在不同電子產(chǎn)品上，例如可攜式電子產(chǎn)品、電腦產(chǎn)品等。電源供應(yīng)電路可提供電壓或電流轉(zhuǎn)換或是提供具有固定電壓或電流的電力以供電子產(chǎn)品使用。在電源供應(yīng)電路中，電源集成電路(Power integrated circuit, Power IC)為必要的主動元件之一。
[0003]于目前傳統(tǒng)的直流對直流電源轉(zhuǎn)換器的操作組態(tài)下，在瞬時響應(yīng)上，由于傳統(tǒng)的斜波產(chǎn)生器仍會持續(xù)地產(chǎn)生斜波信號，當(dāng)斜波信號已由其底部上升至較高的位置時，斜波信號與誤差信號之間的距離變大，若誤差信號欲再次與斜波信號相交，需耗費較長的時間，使得其導(dǎo)通時間產(chǎn)生器打出導(dǎo)通時間的時間點較慢，因而導(dǎo)致其輸出級的上橋開關(guān)較慢被導(dǎo)通，故其瞬時響應(yīng)速度較慢，故亟待改善。
實用新型內(nèi)容
[0004]因此，本實用新型公開一種直流對直流控制器，以解決現(xiàn)有技術(shù)所遭遇到的上述問題。
[0005]根據(jù)本實用新型的一具體實施例為一種直流對直流控制器。于此實施例中，直流對直流控制器包括誤差放大器、斜波信號產(chǎn)生器、斜率偵測單元、信號合成單元及控制單元。斜率偵測單元耦接誤差放大器。信號合成單元耦接斜波信號產(chǎn)生器及斜率偵測單元。誤差放大器提供一誤差信號。斜波信號產(chǎn)生器提供一第一斜波信號。斜率偵測單元接收誤差信號以通過誤差信號來提供一斜率偵測信號。信號合成單元合成第一斜波信號及斜率偵測信號成為一第二斜波信號?？刂茊卧ㄟ^誤差信號及第二斜波信號產(chǎn)生一脈寬調(diào)變信號。
[0006]于一實施例中，控制單元包括一比較器，其耦接斜波信號產(chǎn)生器與信號合成單元。
[0007]于一實施例中，第二斜波信號的斜率與第一斜波信號的斜率不同。
[0008]于一實施例中，當(dāng)信號合成單元將第一斜波信號與斜率偵測信號合成為第二斜波信號時，信號合成單元通過斜率偵測信號改變第一斜波信號的斜率以形成第二斜波信號，使得第二斜波信號的斜率與第一斜波信號的斜率不同。
[0009]于一實施例中，斜率偵測單兀包括一微分電路。
[0010]于一實施例中，斜率偵測單元包括一相位領(lǐng)先處理電路。
[0011]于一實施例中，斜率偵測單元包括一第一晶體管開關(guān)、一電容及一電流源。第一晶體管開關(guān)的控制端耦接誤差放大器。
[0012]于一實施例中，斜率偵測單元包括一第一晶體管開關(guān)、一電容及一電流源，第一晶體管開關(guān)的控制端耦接誤差放大器，以通過誤差信號控制第一晶體管開關(guān)的操作，以利用電容與電流源來提供斜率偵測信號。
[0013]于一實施例中，信號合成單元包括一第二晶體管開關(guān)及一電阻。第二晶體管開關(guān)的控制端耦接斜波信號產(chǎn)生器。
[0014]于一實施例中，控制單元包括一比較器及一導(dǎo)通時間產(chǎn)生器。比較器的兩輸入端分別耦接斜率偵測單元及信號合成單元。比較器的一輸出端耦接導(dǎo)通時間產(chǎn)生器，比較器比較誤差信號與第二斜波信號，并根據(jù)比較結(jié)果控制導(dǎo)通時間產(chǎn)生器產(chǎn)生脈寬調(diào)變信號。
[0015]于一實施例中，直流對直流控制器還包括彼此耦接的一第一電流鏡及一第二電流鏡。第一電流鏡耦接于一工作電壓與斜率偵測單元之間。第二電流鏡耦接于信號合成單元與接地端之間。斜率偵測單元所產(chǎn)生的斜率偵測信號通過第一電流鏡及第二電流鏡轉(zhuǎn)出至信號合成單元。
[0016]于一實施例中，直流對直流控制器還包括輸出端及輸出電容。輸出端用以提供一輸出信號。輸出電容I禹接于輸出端與接地端之間。輸出電容為多層陶瓷電容器(Mult1-layer Ceramic Capacitor, MLCC)。
[0017]相較于現(xiàn)有技術(shù)，本實用新型所提出的直流對直流控制器利用其輸出端瞬載及抽載時誤差信號會有大幅度斜率變化的特性，將誤差信號微分后與傳統(tǒng)的斜波信號合成為對誤差信號斜率變化反應(yīng)更為靈敏的新的斜波信號。因此，當(dāng)直流對直流控制器的輸出端瞬載或抽載時，新的斜波信號能夠較快與誤差信號相交，故能改善系統(tǒng)瞬時反應(yīng)速度，減少電源輸出過沖(overshoot)的現(xiàn)象發(fā)生，以提高系統(tǒng)穩(wěn)定度。
[0018]關(guān)于本實用新型的優(yōu)點與精神可以通過以下的實用新型詳述及附圖得到進一步的了解。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0019]圖1圖示根據(jù)本實用新型的一較佳具體實施例的直流對直流控制器的示意圖。
[0020]圖2圖示圖1中的斜率偵測單元14及信號合成單元18的一實施例。
[0021]圖3A圖示運作于正常狀態(tài)下的直流對直流控制器的輸出電壓Vtot的波形時序圖。
[0022]圖3B圖示運作于正常狀態(tài)下的直流對直流控制器的第一開關(guān)控制信號SI的波形時序圖。
[0023]圖3C圖示運作于正常狀態(tài)下的直流對直流控制器的誤差信號Vcomp、第一斜波信號Vramp及第二斜波信號Vramprc的波形時序圖。
[0024]圖4A圖示運作于瞬時下的直流對直流控制器的輸出電壓Vtot的波形時序圖。
[0025]圖4B圖示運作于瞬時下的直流對直流控制器的第一開關(guān)控制信號SI的波形時序圖。
[0026]圖4C圖示運作于瞬時下的直流對直流控制器的誤差信號Vcomp、第一斜波信號Vramp及第二斜波信號Vramprc的波形時序圖。
[0027]主要元件符號說明:
[0028]1:直流對直流控制器
[0029]10:誤差放大器
[0030]12:補償單元
[0031]14:斜率偵測單元[0032]16:斜波信號產(chǎn)生器
[0033]18:信號合成單元
[0034]CT:控制單元
[0035]24:驅(qū)動單元
[0036]26:輸出級
[0037]28:輸出端
[0038]Lott:輸出電感
[0039]Rqut:輸出電阻
[0040]Cqut:輸出電容
[0041]Vmjt:輸出電壓
[0042]Rl:第一分壓電阻
[0043]R2:第二分壓電阻
[0044]20:比較器
[0045]22:導(dǎo)通時間產(chǎn)生器
[0046]Sffl:第一輸出開關(guān)`
[0047]SW2:第二輸出開關(guān)
[0048]+:正輸入端
[0049]—:負(fù)輸入端
[0050]J、K:輸出端
[0051]Vkef:參考電壓
[0052]VFB:回授電壓
[0053]VIN:輸入電壓
[0054]Vcomp:誤差信號
[0055]Vramp:斜波信號
[0056]Vramprc:第二斜波信號
[0057]Id:斜率偵測信號
[0058]VDD:工作電壓
[0059]CMl:第一電流鏡
[0060]CM2:第二電流鏡
[0061]MNC:第一晶體管開關(guān)
[0062]Cd:電容
[0063]I:電流源
[0064]MPl~MP4:P型晶體管開關(guān)
[0065]麗I~麗4:N型晶體管開關(guān)
[0066]MNR:第二晶體管開關(guān)
[0067]R:電阻
[0068]!?:導(dǎo)通時間
[0069]S1:第一開關(guān)控制信號
[0070]S2:第二開關(guān)控制信號[0071]tl?t4:第一時間點?第四時間點
[0072]PWM:脈寬調(diào)變信號
【具體實施方式】
[0073]根據(jù)本實用新型的一較佳具體實施例為一種直流對直流控制器。實際上，本實用新型提出的直流對直流控制器可以是應(yīng)用于電源集成電路(Power IC)中的具有恒定導(dǎo)通時間架構(gòu)的直流對直流電源轉(zhuǎn)換器，但不以此為限。本實用新型亦可適用于交流對直流電源轉(zhuǎn)換器或直流對交流電源轉(zhuǎn)換器等電源轉(zhuǎn)換電路的架構(gòu)中。
[0074]如圖1所示，直流對直流控制器I包括誤差放大器10、補償單元12、斜率偵測單元14、斜波信號產(chǎn)生器16、信號合成單元18、控制單元CT、驅(qū)動單元24、輸出級26、輸出電感Lmjt、輸出電阻Rotjt、輸出電容Cmjt、輸出端28、第一分壓電阻Rl及第二分壓電阻R2。其中，控制單元CT包括比較器20及導(dǎo)通時間產(chǎn)生器22 ;輸出級26包括第一輸出開關(guān)SWl及第二輸出開關(guān)SW2。于實際應(yīng)用中，輸出電容Ctm可采用較高階的多層陶瓷電容器(Mult1-layerCeramic Capacitor, MLCC),但不以此為限。
[0075]誤差放大器10的正輸入端+耦接參考電壓Vkef ;誤差放大器10的負(fù)輸入端一耦接至第一分壓電阻Rl與第二分壓電阻R2之間；誤差放大器10的輸出端K分別耦接至補償單元12、斜率偵測單元14及比較器20的正輸入端+ ;補償單元12耦接誤差放大器10的輸出端K及接地端；斜率偵測單元14耦接誤差放大器10的輸出端K及信號合成單元18 ；斜波信號產(chǎn)生器16耦接信號合成單元18 ;信號合成單元18耦接比較器20的負(fù)輸入端一；比較器20的輸出端J耦接導(dǎo)通時間產(chǎn)生器22 ;導(dǎo)通時間產(chǎn)生器22耦接驅(qū)動單元24 ;驅(qū)動單兀24分別I禹接輸出級26的第一輸出開關(guān)SWl及第二輸出開關(guān)SW2 ;輸出電感Lqut的一端耦接至第一輸出開關(guān)SWl及第二輸出開關(guān)SW2之間；輸出電感Lqut的另一端耦接輸出端28 ;輸出電阻Rqut耦接輸出端28 ;輸出電容Cqut耦接于輸出電阻Rqut與接地端之間；第一分壓電阻Rl耦接輸出端28 ;第二分壓電阻R2耦接于第一分壓電阻Rl與接地端之間。
[0076]誤差放大器10的正輸入端+及負(fù)輸入端一分別接收參考電壓Vkef以及第一分壓電阻Rl與第二分壓電阻R2之間的回授電壓VFB，并根據(jù)參考電壓Vkef與回授電壓Vfb產(chǎn)生誤差信號Vcomp后通過輸出端K輸出。實際上，誤差放大器10會將參考電壓Vkef減去回授電壓Vfb并將此電壓差放大為誤差信號Vcomp，但不以此為限。參考電壓Vkef可以是一預(yù)設(shè)值?；厥陔妷篤fb為直流對直流控制器I的輸出端28所提供的輸出電壓Vtot的分壓，亦即回授電壓Vfb=[R2/(R1+R2)]*Vqut。補償單元12用以對誤差信號Vcomp進行適當(dāng)?shù)难a償。
[0077]于此實施例中，斜率偵測單元14包括微分電路/相位領(lǐng)先處理電路。斜率偵測單兀14會從誤差放大器10的輸出端K接收誤差信號Vcomp,并對誤差信號Vcomp進行微分或相位處理，以產(chǎn)生斜率偵測信號Id至信號合成單元18。信號合成單元18從斜波信號產(chǎn)生器16接收第一斜波信號Vramp并從斜率偵測單元14接收斜率偵測信號Id，并合成第一斜波信號Vramp及斜率偵測信號Id成為第二斜波信號Vramprc。實際上，當(dāng)信號合成單元18將第一斜波信號Vramp與斜率偵測信號Id合成為第二斜波信號Vramprc時,信號合成單元18通過斜率偵測信號Id改變第一斜波信號Vramp的斜率以形成第二斜波信號Vramprc，使得第二斜波信號Vramprc的斜率與第一斜波信號Vramp的斜率不同。
[0078]請參照圖2，圖2圖示圖1中的斜率偵測單元14及信號合成單元18的一實施例。如圖2所示，第一電流鏡CMl耦接于工作電壓Vdd與斜率偵測單元14之間，第二電流鏡CM2耦接于信號合成單元18與接地端之間。斜率偵測單元14所產(chǎn)生的斜率偵測信號Id通過第一電流鏡CMl及第二電流鏡CM2轉(zhuǎn)出至信號合成單元18。
[0079]于此實施例中，斜率偵測單元14包括第一晶體管開關(guān)MNC、電容Cd及電流源I。電流源I耦接于第一晶體管開關(guān)MNC與接地端之間；電容Cd耦接于第一晶體管開關(guān)MNC與接地端之間；電流源I與電容Cd并聯(lián)。第一晶體管開關(guān)MNC的閘極從誤差放大器10的輸出端K接收誤差信號Vcomp，并通過誤差信號Vcomp控制第一晶體管開關(guān)MNC的操作，以利用電容MNC與電流源I來提供斜率偵測信號(微分電流)Id。
[0080]第一電流鏡CMl及第二電流鏡CM2分別包括四個P型晶體管開關(guān)MPl?MP4及四個N型晶體管開關(guān)麗I?MN4。第一電流鏡CMl的四個P型晶體管開關(guān)MPl?MP4的閘極均耦接至第一電流鏡CMl與斜率偵測單元14之間。P型晶體管開關(guān)MPl及MP2串接于工作電壓Vdd與斜率偵測單元14之間；P型晶體管開關(guān)MP3及MP4串接于工作電壓Vdd與第二電流鏡CM2之間。第二電流鏡CM2的四個N型晶體管開關(guān)麗I?MN4的閘極均耦接至第一電流鏡CMl與第二電流鏡CM2之間。N型晶體管開關(guān)麗I及麗2串接于第一電流鏡CMl與接地端之間；N型晶體管開關(guān)麗3及MN4串接于信號合成單元18與接地端之間。
[0081 ] 斜率偵測單元14所產(chǎn)生的斜率偵測信號(微分電流)Id會先通過第一電流鏡CMl的P型晶體管開關(guān)MPl?MP4轉(zhuǎn)出至第二電流鏡CM2，再通過第二電流鏡CM2的N型晶體管開關(guān)麗I?MN4轉(zhuǎn)出至信號合成單元18。
[0082]信號合成單元18包括第二晶體管開關(guān)MNR及電阻R。第二晶體管開關(guān)MNR耦接于工作電壓Vdd與電阻R之間。第二晶體管開關(guān)MNR的閘極從斜波信號產(chǎn)生器16接收第一斜波信號Vramp，并且斜率偵測信號(微分電流)Id流經(jīng)電阻R產(chǎn)生一電壓降(Id*R)，則根據(jù)第一斜波信號Vramp及斜率偵測信號Id所產(chǎn)生的第二斜波信號Vramprc即為第一斜波信號Vramp減去上述電壓降(Id*R)。
[0083]接著，比較器20的正輸入端+從誤差放大器10的輸出端K接收誤差信號Vcomp且比較器20的負(fù)輸入端一從信號合成單元18接收第二斜波信號Vramprc。比較器20用以比較誤差信號Vcomp及第二斜波信號Vramprc的大小，并根據(jù)比較結(jié)果通過輸出端J輸出控制信號至導(dǎo)通時間產(chǎn)生器22，以控制導(dǎo)通時間產(chǎn)生器22產(chǎn)生包括導(dǎo)通時間Tm的脈寬調(diào)變信號PWM至驅(qū)動單元24。驅(qū)動單元24根據(jù)脈寬調(diào)變信號PWM選擇性地輸出第一開關(guān)控制信號SI至輸出級26的第一輸出開關(guān)SW1，或輸出第二開關(guān)控制信號S2至輸出級26的第二輸出開關(guān)SW2，由此控制輸出級26的第一輸出開關(guān)SWl及第二輸出開關(guān)SW2的開啟或關(guān)閉。
[0084]請參照圖3A至圖3C，圖3A圖示運作于正常狀態(tài)下的直流對直流控制器的輸出電壓Vott的波形時序圖。圖3B圖示運作于正常狀態(tài)下的直流對直流控制器的第一開關(guān)控制信號SI的波形時序圖。圖3C圖示運作于正常狀態(tài)下的直流對直流控制器的誤差信號Vcomp、第一斜波信號Vramp及第二斜波信號Vramprc的波形時序圖。由圖可知，當(dāng)誤差信號Vcomp增大時，第二斜波信號Vramprc會較原本的第一斜波信號Vramp來得低；當(dāng)誤差信號Vcomp變小時，第二斜波信號Vramprc會變大,甚至比原本的第一斜波信號Vramp還高。
[0085]亦請參照圖4A至圖4C，圖4A圖示運作于瞬時下的直流對直流控制器的輸出電壓Vout的波形時序圖。圖4B圖示運作于瞬時下的直流對直流控制器的第一開關(guān)控制信號SI的波形時序圖。圖4C圖示運作于瞬時下的直流對直流控制器的誤差信號Vcomp、第一斜波信號Vramp及第二斜波信號Vramprc的波形時序圖。
[0086]由于誤差放大器10根據(jù)參考電壓Vkef減去回授電壓Vfb產(chǎn)生誤差信號Vcomp，且回授電壓Vfb為直流對直流控制器I的輸出端28所提供的輸出電壓Vtot的分壓，當(dāng)直流對直流控制器I的輸出端28瞬載時，直流對直流控制器I的輸出電壓Votit開始變小，誤差信號Vcomp會變大，誤差信號Vcomp通過第一晶體管開關(guān)MNC對電容Cd所產(chǎn)生的斜率偵測信號(微分電流)Id亦會變大，而斜率偵測信號(微分電流)Id流經(jīng)電阻R所產(chǎn)生的電壓降(Id*R)亦隨之變大，所以根據(jù)第一斜波信號Vramp減去電壓降(Id*R)所得的第二斜波信號Vramprc反而會下降得更快,亦即第二斜波信號Vramprc的下降斜率會大于原本的第一斜波信號Vramp的下降斜率。
[0087]由于誤差信號Vcomp變大且第二斜波信號Vramprc的下降斜率變大,將會使得誤差信號Vcomp能夠在較快的時間點(如圖4C中的第一時間點tl)上升至與第二斜波信號Vramprc相等。若是采用原本的第一斜波信號Vramp,由于第一斜波信號Vramp的下降斜率較小，所以誤差信號Vcomp必須等到較慢的時間點(如圖4C中的第二時間點t2)才能夠上升至與第一斜波信號Vramp相等。
[0088]于第一時間點tl,比較器20判定誤差信號Vcomp與第二斜波信號Vramprc相等，即會輸出控制信號控制導(dǎo)通時間產(chǎn)生器22產(chǎn)生脈寬調(diào)變信號PWM至驅(qū)動單元24，使得驅(qū)動單兀24根據(jù)脈寬調(diào)變信號PWM輸出第一開關(guān)控制信號SI控制輸出級26的第一輸出開關(guān)Sffl開啟，故可加快直流對直流控制器I的瞬時反應(yīng)速度，以有效提升系統(tǒng)穩(wěn)定度。
[0089]當(dāng)直流對直流控制器I的輸出端28卸載時，直流對直流控制器I的輸出電壓Vqut開始增大，誤差信號Vcomp會變小，誤差信號Vcomp通過第一晶體管開關(guān)MNC對電容Cd所產(chǎn)生的斜率偵測信號(微分電流)Id亦會變小，而斜率偵測信號(微分電流)Id流經(jīng)電阻R所產(chǎn)生的電壓降(Id*R)亦隨之變小，所以根據(jù)斜波信號Vramp減去電壓降(Id*R)所得的第二斜波信號Vramprc反而會上升得更快，亦即第二斜波信號Vramprc的上升斜率會大于原本的第一斜波信號Vramp的上升斜率。
[0090]由于誤差信號Vcomp變小且第二斜波信號Vramprc的上升斜率變大，將會使得誤差信號Vcomp能夠在較快的時間點(如圖4C中的第三時間點t3)下降至與第二斜波信號Vramprc相等。若是采用原本的第一斜波信號Vramp,由于第一斜波信號Vramp的上升斜率較小，誤差信號Vcomp必須等到較慢的時間點(如圖4C中的第四時間點t4)才能夠下降至與第一斜波信號Vramp相等。
[0091]于第三時間點t3,比較器20判定誤差信號Vcomp與第二斜波信號Vramprc相等，即會輸出控制信號控制導(dǎo)通時間產(chǎn)生器22產(chǎn)生脈寬調(diào)變信號PWM至驅(qū)動單元24，使得驅(qū)動單兀24根據(jù)脈寬調(diào)變信號PWM輸出第一開關(guān)控制信號SI控制輸出級26的第一輸出開關(guān)Sffl關(guān)閉，故可加快直流對直流控制器I的瞬時反應(yīng)速度，以有效提升系統(tǒng)穩(wěn)定度。
[0092]相較于現(xiàn)有技術(shù)，本實用新型所提出的直流對直流控制器利用其輸出端瞬載及抽載時誤差信號會有大幅度斜率變化的特性，將誤差信號微分后與傳統(tǒng)的斜波信號合成為對誤差信號斜率變化反應(yīng)更為靈敏的新的斜波信號。因此，當(dāng)直流對直流控制器的輸出端瞬載或抽載時，新的斜波信號能夠較快與誤差信號相交，故能改善系統(tǒng)瞬時反應(yīng)速度，減少電源輸出過沖(overshoot)的現(xiàn)象發(fā)生，以提高系統(tǒng)穩(wěn)定度。[0093]通過以上較佳具體實施例的詳述，是希望能更加清楚描述本實用新型的特征與精神，而并非以上述所公開的較佳具體實施例來對本實用新型的范疇加以限制。相反地，其目的是希望能涵蓋各種改變及具相等性的安排于本實用新型所欲申請的專利范圍的范疇內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種直流對直流控制器，其特征在于，上述直流對直流控制器包括: 一誤差放大器，提供一誤差信號； 一斜波信號產(chǎn)生器，提供一第一斜波信號； 一斜率偵測單元，耦接上述誤差放大器，且接收上述誤差信號，以通過上述誤差信號來提供一斜率偵測信號； 一信號合成單元，耦接上述斜波信號產(chǎn)生器與上述斜率偵測單元，以合成上述第一斜波信號與上述斜率偵測信號成為一第二斜波信號；以及 一控制單元，耦接上述誤差放大器與上述信號合成單元，以通過上述誤差信號與上述第二斜波信號產(chǎn)生一脈寬調(diào)變信號。
2.如權(quán)利要求1所述的直流對直流控制器，其特征在于，上述控制單元包括一比較器，其耦接上述斜波信號產(chǎn)生器與上述信號合成單元。
3.如權(quán)利要求1所述的直流對直流控制器，其特征在于，上述第二斜波信號的斜率與上述第一斜波信號的斜率不同。
4.如權(quán)利要求1所述的直流對直流控制器，其特征在于，當(dāng)上述信號合成單元將上述第一斜波信號與上述斜率偵測信號合成為上述第二斜波信號時，上述信號合成單元通過上述斜率偵測信號改變上述第一斜波信號的斜率以形成上述第二斜波信號，使得上述第二斜波信號的斜率與上述第一斜波信號的斜率不同。
5.如權(quán)利要求1所述的直流對直流控制器，其特征在于，上述斜率偵測單元包括一微分電路。
6.如權(quán)利要求1所述的直流對直流控制器，其特征在于，上述斜率偵測單元包括一相位領(lǐng)先處理電路。
7.如權(quán)利要求1所述的直流對直流控制器，其特征在于，上述斜率偵測單元包括一第一晶體管開關(guān)、一電容及一電流源，上述第一晶體管開關(guān)的控制端耦接上述誤差放大器。
8.如權(quán)利要求1所述的直流對直流控制器，其特征在于，上述斜率偵測單元包括一第一晶體管開關(guān)、一電容及一電流源，上述第一晶體管開關(guān)的控制端耦接上述誤差放大器，以通過上述誤差信號控制上述第一晶體管開關(guān)的操作，以利用上述電容與上述電流源來提供上述斜率偵測信號。
9.如權(quán)利要求1所述的直流對直流控制器，其特征在于，上述信號合成單元包括一第二晶體管開關(guān)及一電阻，上述第二晶體管開關(guān)的控制端耦接上述斜波信號產(chǎn)生器。
10.如權(quán)利要求1所述的直流對直流控制器，其特征在于，上述控制單元包括一比較器及一導(dǎo)通時間產(chǎn)生器，上述比較器的兩輸入端分別耦接上述斜率偵測單元及上述信號合成單元，上述比較器的一輸出端耦接上述導(dǎo)通時間產(chǎn)生器，上述比較器比較上述誤差信號與上述第二斜波信號，并根據(jù)比較結(jié)果控制上述導(dǎo)通時間產(chǎn)生器產(chǎn)生上述脈寬調(diào)變信號。
11.如權(quán)利要求1所述的直流對直流控制器，其特征在于，還包括彼此耦接的一第一電流鏡及一第二電流鏡，上述第一電流鏡耦接于一工作電壓與上述斜率偵測單元之間，上述第二電流鏡耦接于上述信號合成單元與接地端之間，上述斜率偵測單元所產(chǎn)生的上述斜率偵測信號通過上述第一電流鏡及上述第二電流鏡轉(zhuǎn)出至上述信號合成單元。
12.如權(quán)利要 求1所述的直流對直流控制器，其特征在于，還包括: 一輸出端，用以提供一輸出信號；以及一輸出電容，耦接于上述輸出端與接地端之間，其中上述輸出電容為多層陶瓷`電容器。
【文檔編號】H02M3/158GK203596745SQ201320722906
【公開日】2014年5月14日 申請日期:2013年11月13日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月19日
【發(fā)明者】鄭閎軒, 陳雅萍 申請人:力智電子股份有限公司