用于電磁加熱裝置的升降壓電路的制作方法
【專利摘要】本實用新型提出一種用于電磁加熱裝置的升降壓電路，包括：H橋電路，包括第一IGBT和第一開關管、第二IGBT和第二開關管、第一電感，H橋電路的輸入端與電磁加熱裝置中的整流橋的輸出端相連；并聯(lián)在H橋電路的輸出端的第一電容；諧振電路，與第一電容相連；控制器，與第一IGBT的G極和第二IGBT的G極分別相連，根據電磁加熱裝置的工作狀態(tài)通過控制第一IGBT和第二IGBT的占空比以調整第一電容兩端的電壓。本實用新型通過控制IGBT的占空比調整電容電壓，從而升高或降低諧振電路的電壓，進而使電磁加熱裝置在高電壓低功率時減小開關器件的開通損耗，在低電壓高功率時使電磁加熱裝置快速提升功率。
【專利說明】用于電磁加熱裝置的升降壓電路
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及生活電器領域，特別涉及一種用于電磁加熱裝置的升降壓電路?！颈尘凹夹g】
[0002]現(xiàn)有技術中，在諸如電磁爐的電磁加熱裝置中應用單管并聯(lián)諧振電路，然而，電磁加熱裝置在高電壓低功率時，IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)開通電壓高，開通損耗大，IGBT溫升高，容易損壞；電磁加熱裝置在低電壓高功率時，功率提升困難，因此存在改進的需要。
實用新型內容
[0003]本實用新型的目的旨在至少在一定程度上解決上述技術缺陷之一。
[0004]為此，本實用新型的目的在于提出一種用于電磁加熱裝置的升降壓電路，該用于電磁加熱裝置的升降壓電路通過控制IGBT的占空比調整電容電壓，從而升高或降低諧振電路的電壓，進而使電磁加熱裝置在高電壓低功率時減小開關器件的開通電壓，降低開通損耗，減少開關器件發(fā)熱，提聞開關器件的壽命，在低電壓聞功率時使電磁加熱裝置快速獲得能量，提升功率。
[0005]為達到上述目的，本實用新型提出一種用于電磁加熱裝置的升降壓電路，包括:H橋電路，所述H橋電路包括第一 IGBT和第一開關管、第二 IGBT和第二開關管、第一電感，所述H橋電路的輸入端與所述電磁加熱裝置中的整流橋的輸出端相連；第一電容，所述第一電容并聯(lián)在所述H橋電路的輸出端；以及控制器，所述控制器與所述第一 IGBT的G極和所述第二 IGBT的G極分別相連，所述控制器根據所述電磁加熱裝置的工作狀態(tài)通過控制所述第一 IGBT和所述第二 IGBT的占空比以調整所述第一電容兩端的電壓。
[0006]根據本實用新型的用于電磁加熱裝置的升降壓電路，通過控制第一 IGBT和第二IGBT的占空比以調整第一電容兩端的電壓，從而升高或降低諧振電路的電壓，進而使電磁加熱裝置在高電壓低功率時減小開關器件的開通電壓，降低開通損耗，減少開關器件發(fā)熱，提高開關器件的壽命，在低電壓高功率時使電磁加熱裝置快速獲得能量，提升功率。其中，在本實用新型的一個實施例中，當所述電磁加熱裝置處于第一預設電壓、第一預設功率的工作狀態(tài)時，所述控制器控制所述升降壓電路進入降壓工作模式；當所述電磁加熱裝置處于第二預設電壓、第二預設功率的工作狀態(tài)時，所述控制器控制所述升降壓電路進入升壓工作模式，其中，所述第二預設電壓小于所述第一預設電壓，所述第二預設功率大于所述第一預設功率。
[0007]優(yōu)選地，所述第一開關管和所述第二開關管分別為二極管、IGBT、可控硅或者MOS
管之一。
[0008]進一步地，當所述第一開關管為第一二極管，所述第二開關管為第三IGBT時，所述第一二極管的陽極與所述整流橋的負輸出端相連，所述第一二極管的陰極與所述第一IGBT的E極相連，所述第一二極管的陰極和所述第一 IGBT的E極之間具有第一節(jié)點，所述第一 IGBT的C極與所述整流橋的正輸出端相連，所述第三IGBT的C極與所述第一電容的一端相連，所述第三IGBT的E極與所述第二 IGBT的C極相連，所述第三IGBT的E極和所述第二 IGBT的C極之間具有第二節(jié)點，所述第二 IGBT的E極分別與所述第一電容的另一端和所述整流橋的負輸出端相連，所述第一電感連接在所述第一節(jié)點和所述第二節(jié)點之間。
[0009]進一步地，當所述第一開關管為第一二極管，所述第二開關管為第三IGBT時，所述第一二極管的陽極與所述整流橋的負輸出端相連，所述第一二極管的陰極與所述第一IGBT的E極相連，所述第一二極管的陰極和所述第一 IGBT的E極之間具有第一節(jié)點，所述第一 IGBT的C極與所述整流橋的正輸出端相連，所述第三IGBT的G極與所述控制器相連，所述第三IGBT的C極與所述第一電容的一端相連，所述第三IGBT的E極與所述第二 IGBT的C極相連，所述第三IGBT的E極和所述第二 IGBT的C極之間具有第二節(jié)點，所述第二IGBT的E極分別與所述第一電容的另一端和所述整流橋的負輸出端相連，所述第一電感連接在所述第一節(jié)點和所述第二節(jié)點之間。
[0010]另外，當所述第一開關管為第一二極管，所述第二開關管為第二二極管時，所述第一二極管的陽極與所述整流橋的負輸出端相連，所述第一二極管的陰極與所述第一 IGBT的E極相連，所述第一二極管的陰極和所述第一 IGBT的E極之間具有第一節(jié)點，所述第一IGBT的C極與所述整流橋的正輸出端相連，所述第二二極管的陰極與所述第一電容的一端相連，所述第二二極管的陽極與所述第二 IGBT的C極相連，所述第二二極管的陽極和所述第二 IGBT的C極之間具有第三節(jié)點，所述第二 IGBT的E極分別與所述第一電容的另一端和所述整流橋的負輸出端相連，所述第一電感連接在所述第一節(jié)點和所述第三節(jié)點之間。
[0011]其中，所述的用于電磁加熱裝置的升降壓電路還包括扼流線圈，所述扼流線圈連接在所述整流橋的正輸出端與所述第一 IGBT的C極之間。
[0012]進一步地，所述諧振電路包括并聯(lián)的第二電容和諧振線圈，所述第二電容的一端和諧振線圈的一端分別與所述第一電容的一端相連，所述第二電容的另一端和諧振線圈的另一端分別與所述電磁加熱裝置中的開關器件相連。
[0013]其中，所述開關器件為第四IGBT，所述第四IGBT的C極與所述第二電容的另一端和諧振線圈的另一端分別相連，所述第四IGBT的G極與所述控制器相連，所述第四IGBT的E極與所述第一電容的另一端相連。
[0014]本實用新型附加的方面和優(yōu)點將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本實用新型的實踐了解到。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0015]本實用新型上述的和/或附加的方面和優(yōu)點從下面結合附圖對實施例的描述中將變得明顯和容易理解，其中:
[0016]圖1為根據本實用新型一個實施例的用于電磁加熱裝置的升降壓電路的電路示意圖；
[0017]圖2為根據本實用新型另一個實施例的用于電磁加熱裝置的升降壓電路的電路示意圖；
[0018]圖3為根據本實用新型實施例的用于電磁加熱裝置的升降壓電路的控制方法的流程圖。[0019]附圖標記:
[0020]H橋電路1000、控制器2000、整流橋3000、諧振電路4000、開關器件5000，第一IGBT101、第二 IGBT102、第三 IGBT103、第四 IGBT104，第一開關管 201、第二開關管 202，第一電感L1、扼流線圈L2、諧振線圈L3，第一二極管Dl、第二二極管D2，第一電容Cl、第二電容C2。
【具體實施方式】
[0021]下面詳細描述本實用新型的實施例，所述實施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標號表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實施例是示例性的，僅用于解釋本實用新型，而不能解釋為對本實用新型的限制。
[0022]下文的公開提供了許多不同的實施例或例子用來實現(xiàn)本實用新型的不同結構。為了簡化本實用新型的公開，下文中對特定例子的部件和設置進行描述。當然，它們僅僅為示例，并且目的不在于限制本實用新型。此外，本實用新型可以在不同例子中重復參考數字和/或字母。這種重復是為了簡化和清楚的目的，其本身不指示所討論各種實施例和/或設置之間的關系。此外，本實用新型提供了的各種特定的工藝和材料的例子，但是本領域普通技術人員可以意識到其他工藝的可應用于性和/或其他材料的使用。另外，以下描述的第一特征在第二特征之“上”的結構可以包括第一和第二特征形成為直接接觸的實施例，也可以包括另外的特征形成在第一和第二特征之間的實施例，這樣第一和第二特征可能不是直接接觸。
[0023]在本實用新型的描述中，需要說明的是，除非另有規(guī)定和限定，術語“安裝”、“相連”、“連接”應做廣義理解，例如，可以是機械連接或電連接，也可以是兩個元件內部的連通，可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，對于本領域的普通技術人員而言，可以根據具體情況理解上述術語的具體含義。
[0024]下面參照附圖來描述根據本實用新型實施例提出的用于電磁加熱裝置的升降壓電路及其控制方法。
[0025]首先對本實用新型實施例提出的用于電磁加熱裝置的升降壓電路進行描述實用新型。
[0026]如圖1、圖2所示，根據本實用新型實施例的用于電磁加熱裝置的升降壓電路，包括:H橋電路1000、第一電容Cl、諧振電路4000和控制器2000。
[0027]具體而言，H橋電路1000包括:第一 IGBT101和第一開關管201、第二 IGBT102和第二開關管202、第一電感LI，H橋電路1000的輸入端與電磁加熱裝置中的整流橋3000的輸出端相連。第一電容Cl并聯(lián)在H橋電路1000的輸出端。諧振電路4000與第一電容Cl相連，第一電容Cl為諧振電路4000提供電源。控制器2000與第一 IGBT101的G極和第二 IGBT102的G極分別相連，控制器2000根據電磁加熱裝置的工作狀態(tài)通過控制第一IGBT101和第二 IGBT102的占空比以調整第一電容Cl兩端的電壓。
[0028]其中，在本實用新型的一個實施例中，當電磁加熱裝置處于第一預設電壓、第一預設功率的工作狀態(tài)時，控制器2000控制H橋電路1000進入降壓工作模式；當電磁加熱裝置處于第二預設電壓、第二預設功率的工作狀態(tài)時，控制器2000控制H橋電路1000進入升壓工作模式。其中，第二預設電壓小于第一預設電壓，第二預設功率大于第一預設功率。也就是說，控制器2000根據電磁加熱裝置的工作狀態(tài)控制H橋電路1000進入相應的工作模式。具體地，當電磁加熱裝置工作在高電壓、低功率狀態(tài)時，控制器2000控制H橋電路1000進入降壓工作模式，當電磁加熱裝置工作在低電壓、高功率狀態(tài)時，控制器2000控制H橋電路1000進入升壓工作模式。
[0029]優(yōu)選地，在本實用新型的一個實施例中，第一開關管201和第二開關管202分別為二極管、IGBT、可控硅或者MOS管之一。
[0030]在本實用新型的一個實施例中，如圖1所示，當第一開關管201為第一二極管D1，第二開關管202為第三IGBT103時，第一二極管Dl的陽極與整流橋3000的負輸出端相連，第一二極管Dl的陰極與第一 IGBT101的E極相連，第一二極管Dl的陰極和第一 IGBT101的E極之間具有第一節(jié)點a，第一 IGBT101的C極與整流橋3000的正輸出端相連，第三IGBT103的G極與控制器2000相連，第三IGBT103的C極與第一電容Cl的一端相連，第三IGBT103的E極與第二 IGBT102的C極相連，第三IGBT103的E極和第二 IGBT102的C極之間具有第二節(jié)點b，第二 IGBT102的E極分別與第一電容Cl的另一端和整流橋3000的負輸出端相連，第一電感LI連接在第一節(jié)點a和第二節(jié)點b之間。需要說明的是，當第二開關管202為第三IGBT103時，第三IGBT103的G極也可以不與控制器2000相連，即懸空，此時第三IGBT103不受控制器2000的控制。
[0031]在本實用新型的另一個實施例中，如圖2所示，當第一開關201為第一二極管D1，第二開關管為第二二極管D2時，第一二極管Dl的陽極與整流橋3000的負輸出端相連，第一二極管Dl的陰極與第一 IGBT101的E極相連，第一二極管Dl的陰極和第一 IGBT101的E極之間具有第一節(jié)點a，第一 IGBT101的C極與整流橋3000的正輸出端相連，第二二極管D2的陰極與第一電容Cl的一端相連，第二二極管D2的陽極與第二 IGBT102的C極相連，第二二極管D2的陽極和第二 IGBT102的C極之間具有第三節(jié)點C，第二 IGBT102的E極分別與第一電容Cl的另一端和整流橋3000的負輸出端相連，第一電感LI連接在第一節(jié)點a和第三節(jié)點c之間。
[0032]進一步地，如圖1、2所示，在本實用新型的一個實施例中，上述的用于電磁加熱裝置的升降壓電路還包括扼流線圈L2，扼流線圈L2連接在整流橋3000的正輸出端與第一IGBT101的C極之間。扼流線圈L2具有抑制電流變化的特性。
[0033]另外，如圖1、2所示，在本實用新型的一個實施例中，諧振電路4000包括并聯(lián)的第二電容C2和諧振線圈L3，第二電容C2的一端和諧振線圈L3的一端分別與第一電容Cl的一端相連，第二電容C2的另一端和諧振線圈L3的另一端分別與電磁加熱裝置中的開關器件5000相連。
[0034]優(yōu)選地，開關器件5000可以為第四IGBT104，第四IGBT104的C極與第二電容C2的另一端和諧振線圈L3的另一端分別相連，第四IGBT104的G極與控制器2000相連，第四IGBT104的E極與第一電容Cl的另一端相連。
[0035]下面以圖1所示的實施方式對本實用新型提出的用于電磁加熱裝置的升降壓電路的工作過程進行描述。在本示例中，第一開關管201為第一二極管D1，第二開關管202為第三IGBT103，第三IGBT103的G極與控制器2000相連，即第三IGBT103受控制器2000的控制。[0036]具體地說，當電磁加熱裝置處于第一預設電壓、第一預設功率的工作狀態(tài)時，控制器2000例如為MCU控制H橋電路1000進入降壓工作模式，即當電磁加熱裝置工作在高電壓、低功率狀態(tài)時，控制器2000控制H橋電路1000進入降壓工作模式，此時，升降壓電路的工作過程為:控制器2000控制第一 IGBT101開通，第三IGBT103關斷，第二 IGBT102關斷，整流橋3000輸出的直流電流過第一 IGBT101、扼流線圈L2、第二開關管202對第一電容Cl充電。當控制器2000控制第一 IGBT101關斷，第三IGBT103關斷，第二 IGBT102關斷時，第一電感LI中電流保持電流方向不變，電流流過第三IGBT103的續(xù)流二極管、第一電容Cl、第一開關管201，形成回路，第一電容Cl放電，電壓下降。綜上所述，控制器2000通過控制第
一IGBT101的占空比控制第一電容Cl的電壓實現(xiàn)降壓功能。當電磁加熱裝置工作在高電壓、低功率狀態(tài)時，控制器2000通過控制第一 IGBT101的占空比實現(xiàn)第一電容Cl兩端電壓的下降，降低諧振線圈L3和第二電容C2組成的諧振電路4000的振蕩初始電壓，使振蕩電壓可以下降到一個較低的電壓，從而降低開關器件5000如第四IGBT104的開通電壓，降低開通損耗。
[0037]當電磁加熱裝置處于第二預設電壓、第二預設功率的工作狀態(tài)時，控制器2000控制H橋電路1000進入在升壓工作模式。即當電磁加熱裝置工作在低電壓、高功率狀態(tài)時，控制器2000控制H橋電路1000進入升壓工作模式，此時，升降壓電路的工作過程為:控制器2000控制第一 IGBT101持續(xù)開通，當控制器2000控制第二 IGBT102關斷，第三IGBT103關斷時，第一電感LI中存儲的能量流向第一電容Cl，對第一電容Cl充電；當控制器2000控制第
二IGBT102開通，第三IGBT103關斷時，電流流過第一 IGBT101、第一電感L1、第二 IGBT102。由于在第一 IGBT101持續(xù)開通過程中第一電感LI電流急劇上升，第一電感LI儲存的能量大，能對第一電容Cl有效充電，使第一電容Cl電壓快速提升。綜上所述控制器2000通過控制第二 IGBT102的占空比調整第一電容Cl的電壓，實現(xiàn)升壓功能。當電磁加熱裝置工作在低電壓、高功率狀態(tài)時，控制器2000通過控制第二 IGBT102的占空比升高第一電容Cl兩端的電壓使諧振線圈L3與第二電容C2組成的諧振電路4000在單個振蕩周期中獲得更多的能量，使電磁加熱裝置達到更高的功率。
[0038]根據本實用新型實施例的用于電磁加熱裝置的升降壓電路，通過控制第一 IGBT和第二 IGBT的占空比以調整第一電容兩端的電壓，從而升高或降低諧振電路的電壓，進而使電磁加熱裝置在高電壓低功率時減小開關器件的開通電壓，降低開通損耗，減少開關器件發(fā)熱，提高開關器件的壽命，在低電壓高功率時使電磁加熱裝置快速獲得能量，提升功率。
[0039]此外，本實用新型還提出一種如上述實施例的用于電磁加熱裝置的升降壓電路的控制方法，如圖3所示，該用于電磁加熱裝置的升降壓電路的控制方法包括以下步驟:
[0040]S301，獲取電磁加熱裝置的工作狀態(tài)。
[0041 ] S302，根據電磁加熱裝置的工作狀態(tài)通過控制H橋電路中的第一 IGBT和第二 IGBT的占空比以調整第一電容兩端的電壓。
[0042]具體地說，控制器2000在獲取電磁加熱裝置的工作狀態(tài)之后，并對工作狀態(tài)進行判斷，以根據電磁加熱裝置的工作狀態(tài)通過控制H橋電路1000中的第一 IGBT101和第二IGBT102的占空比以調整第一電容Cl兩端的電壓，從而升高或降低諧振電路4000的電壓。
[0043]進一步地，在本實用新型的一個實施例中，電磁加熱裝置的工作狀態(tài)包括電磁加熱裝置的工作電壓和工作功率，其中，當電磁加熱裝置的工作電壓高于預設電壓閾值且電磁加熱裝置的工作功率低于預設功率閾值時，控制H橋電路進入降壓工作模式；當電磁加熱裝置的工作電壓不高于預設電壓閾值且電磁加熱裝置的工作功率不低于預設功率閾值時，控制H橋電路進入升壓工作模式。優(yōu)選地，在本實用新型的一個實施例中，預設電壓閾值可以為200-220V，預設功率閾值可以為1000-1400W?？蛇x地，預設電壓閾值為220V，預設功率閾值可以為1300W。
[0044]具體而言，當電磁加熱裝置的工作電壓高于220V且電磁加熱裝置的工作功率低于1300W時，即當電磁加熱裝置工作在高電壓、低功率狀態(tài)時，控制器2000控制H橋電路1000進入降壓工作模式，控制器2000通過控制第一 IGBT101的占空比控制第一電容Cl兩端的電壓實現(xiàn)降壓功能。當電磁加熱裝置工作在高電壓、低功率狀態(tài)時，控制器2000通過控制第一 IGBT101的占空比實現(xiàn)第一電容Cl兩端電壓的下降，降低諧振電路4000的振蕩初始電壓，使振蕩電壓可以下降到一個較低的電壓，從而降低開關器件5000開通電壓，降低開通損耗。
[0045]當電磁加熱裝置的工作電壓不高于220V且電磁加熱裝置的工作功率不低于1300W時，即當電磁加熱裝置工作在低電壓、高功率狀態(tài)時，控制器2000控制H橋電路1000進入升壓工作模式，控制器2000通過控制第二 IGBT102的占空比調整第一電容Cl兩端的電壓實現(xiàn)升壓功能。當電磁加熱裝置工作在低電壓、高功率狀態(tài)時，控制器2000通過控制第二 IGBT102的占空比升高第一電容Cl兩端的電壓使諧振電路4000在單個振蕩周期中獲得更多的能量，使電磁加熱裝置達到更高的功率。
[0046]根據本實用新型實施例的用于電磁加熱裝置的升降壓電路的控制方法，根據電磁加熱裝置的工作狀態(tài)通過控制第一 IGBT和第二 IGBT的占空比以調整第一電容兩端的電壓，從而升高或降低諧振電路的電壓，進而使電磁加熱裝置在高電壓低功率時減小開關器件的開通電壓，降低開通損耗，減少開關器件發(fā)熱，提高開關器件的壽命，在低電壓高功率時使電磁加熱裝置快速獲得能量，提升功率。另外，該控制方法簡單可靠，易于實現(xiàn)。
[0047]在本說明書的描述中，參考術語“一個實施例”、“一些實施例”、“示例”、“具體示例”、或“一些示例”等的描述意指結合該實施例或示例描述的具體特征、結構、材料或者特點包含于本實用新型的至少一個實施例或示例中。在本說明書中，對上述術語的示意性表述不一定指的是相同的實施例或示例。而且，描述的具體特征、結構、材料或者特點可以在任何的一個或多個實施例或示例中以合適的方式結合。
[0048]盡管已經示出和描述了本實用新型的實施例，對于本領域的普通技術人員而言，可以理解在不脫離本實用新型的原理和精神的情況下可以對這些實施例進行多種變化、修改、替換和變型，本實用新型的范圍由所附權利要求及其等同限定。
【權利要求】
1.一種用于電磁加熱裝置的升降壓電路，其特征在于，包括: H橋電路，所述H橋電路包括第一 IGBT和第一開關管、第二 IGBT和第二開關管、第一電感，所述H橋電路的輸入端與所述電磁加熱裝置中的整流橋的輸出端相連； 第一電容，所述第一電容并聯(lián)在所述H橋電路的輸出端； 諧振電路，所述諧振電路與所述第一電容相連，所述第一電容為所述諧振電路提供電源；以及 控制器，所述控制器與所述第一 IGBT的G極和所述第二 IGBT的G極分別相連，所述控制器根據所述電磁加熱裝置的工作狀態(tài)通過控制所述第一 IGBT和所述第二 IGBT的占空比以調整所述第一電容兩端的電壓。
2.如權利要求1所述的用于電磁加熱裝置的升降壓電路，其特征在于， 當所述電磁加熱裝置處于第一預設電壓、第一預設功率的工作狀態(tài)時，所述控制器控制所述H橋電路進入降壓工作模式； 當所述電磁加熱裝置處于第二預設電壓、第二預設功率的工作狀態(tài)時，所述控制器控制所述H橋電路進入升壓工作模式，其中，所述第二預設電壓小于所述第一預設電壓，所述第二預設功率大于所述第一預設功率。
3.如權利要求1所述的用于電磁加熱裝置的升降壓電路，其特征在于，所述第一開關管和所述第二開關管分別為二極管、IGBT、可控硅或者MOS管之一。
4.如權利要求3所述的用于電磁加熱裝置的升降壓電路，其特征在于，當所述第一開關管為第一二極管，所述第二 開關管為第三IGBT時，所述第一二極管的陽極與所述整流橋的負輸出端相連，所述第一二極管的陰極與所述第一 IGBT的E極相連，所述第一二極管的陰極和所述第一 IGBT的E極之間具有第一節(jié)點，所述第一 IGBT的C極與所述整流橋的正輸出端相連，所述第三IGBT的C極與所述第一電容的一端相連，所述第三IGBT的E極與所述第二 IGBT的C極相連，所述第三IGBT的E極和所述第二 IGBT的C極之間具有第二節(jié)點，所述第二 IGBT的E極分別與所述第一電容的另一端和所述整流橋的負輸出端相連，所述第一電感連接在所述第一節(jié)點和所述第二節(jié)點之間。
5.如權利要求3所述的用于電磁加熱裝置的升降壓電路，其特征在于，當所述第一開關管為第一二極管，所述第二開關管為第三IGBT時，所述第一二極管的陽極與所述整流橋的負輸出端相連，所述第一二極管的陰極與所述第一 IGBT的E極相連，所述第一二極管的陰極和所述第一 IGBT的E極之間具有第一節(jié)點，所述第一 IGBT的C極與所述整流橋的正輸出端相連，所述第三IGBT的G極與所述控制器相連，所述第三IGBT的C極與所述第一電容的一端相連，所述第三IGBT的E極與所述第二 IGBT的C極相連，所述第三IGBT的E極和所述第二 IGBT的C極之間具有第二節(jié)點，所述第二 IGBT的E極分別與所述第一電容的另一端和所述整流橋的負輸出端相連，所述第一電感連接在所述第一節(jié)點和所述第二節(jié)點之間。
6.如權利要求3所述的用于電磁加熱裝置的升降壓電路，其特征在于，當所述第一開關管為第一二極管，所述第二開關管為第二二極管時，所述第一二極管的陽極與所述整流橋的負輸出端相連，所述第一二極管的陰極與所述第一 IGBT的E極相連，所述第一二極管的陰極和所述第一 IGBT的E極之間具有第一節(jié)點，所述第一 IGBT的C極與所述整流橋的正輸出端相連，所述第二二極管的陰極與所述第一電容的一端相連，所述第二二極管的陽極與所述第二 IGBT的C極相連，所述第二二極管的陽極和所述第二 IGBT的C極之間具有第三節(jié)點，所述第二 IGBT的E極分別與所述第一電容的另一端和所述整流橋的負輸出端相連，所述第一電感連接在所述第一節(jié)點和所述第三節(jié)點之間。
7.如權利要求4-6任一項所述的用于電磁加熱裝置的升降壓電路，其特征在于，還包括扼流線圈，所述扼 流線圈連接在所述整流橋的正輸出端與所述第一 IGBT的C極之間。
8.如權利要求4-6任一項所述的用于電磁加熱裝置的升降壓電路，其特征在于，所述諧振電路包括并聯(lián)的第二電容和諧振線圈，所述第二電容的一端和諧振線圈的一端分別與所述第一電容的一端相連，所述第二電容的另一端和諧振線圈的另一端分別與所述電磁加熱裝置中的開關器件相連。
9.如權利要求8所述的用于電磁加熱裝置的升降壓電路，其特征在于，所述開關器件為第四IGBT，所述第四IGBT的C極與所述第二電容的另一端和諧振線圈的另一端分別相連，所述第四IGBT的G極與所述控制器相連，所述第四IGBT的E極與所述第一電容的另一端相連。
【文檔編號】H02M7/219GK203504788SQ201320583190
【公開日】2014年3月26日 申請日期:2013年9月18日 優(yōu)先權日:2013年9月18日
【發(fā)明者】汪釗 申請人:美的集團股份有限公司, 佛山市順德區(qū)美的電熱電器制造有限公司