混合加熱控制電路及電磁加熱設(shè)備的制造方法
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種混合加熱控制電路，包括微處理器、電磁加熱單元及遠(yuǎn)紅外加熱單元。微處理器包括加熱切換單元。電磁加熱單元包括第一驅(qū)動(dòng)電路，電磁加熱單元與電源連接，微處理器與電磁加熱單元的功率調(diào)節(jié)端連接。遠(yuǎn)紅外加熱單元包括第二驅(qū)動(dòng)電路，遠(yuǎn)紅外加熱單元與電源連接，微處理器與遠(yuǎn)紅外加熱單元的功率調(diào)節(jié)端連接。本實(shí)用新型還公開(kāi)了一種電磁加熱設(shè)備。本實(shí)用新型的混合加熱控制電路及電磁加熱設(shè)備能實(shí)現(xiàn)電磁加熱單元和紅外加熱單元的加熱切換，能夠滿足在低功率加熱狀態(tài)和電磁加熱狀態(tài)的切換，提升用戶(hù)體驗(yàn)。
【專(zhuān)利說(shuō)明】
混合加熱控制電路及電磁加熱設(shè)備
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ]本實(shí)用新型涉及電磁加熱領(lǐng)域，特別涉及一種混合加熱控制電路及電磁加熱設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有的電磁加熱設(shè)備，比如電磁爐，通過(guò)調(diào)節(jié)脈沖信號(hào)(PffM信號(hào))的占空比進(jìn)而調(diào)節(jié)加熱功率的大小。但在加熱功率低于一定值(比如1000瓦)的情況下，脈沖信號(hào)會(huì)低于一定占空比，這使得IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)會(huì)出現(xiàn)嚴(yán)重的硬開(kāi)現(xiàn)象，即在IGBT的柵極電壓未達(dá)到開(kāi)啟電壓時(shí)，由于源極和漏極的電壓過(guò)大而導(dǎo)致電流能夠流通源極和漏極。這種現(xiàn)象會(huì)對(duì)IGBT造成較大的損耗，大大縮短IGBT的使用壽命。一種解決方案是調(diào)功加熱方式，即電磁爐以較高的功率加熱一段時(shí)間后停止加熱一段時(shí)間使得等效加熱功率達(dá)到設(shè)置的低加熱功率，但這種方式使鍋具內(nèi)食物的溫度變化很大，在一些煲湯及需要連續(xù)較低溫度控制的場(chǎng)合無(wú)法使用或者使用效果較差。另一種解決方案是在電磁爐低功率加熱情況下更換一種加熱方式，比如紅外加熱，但如何實(shí)現(xiàn)兩種加熱方式的在正常加熱和低功率加熱狀態(tài)下的切換成為一個(gè)要迫切解決的問(wèn)題。
[0003]此外，電磁爐在高功率加熱情況下容易發(fā)出噪聲。一種解決的技術(shù)方案是:增加一種加熱方式，比如紅外加熱，這樣以較低功率輸出的電磁加熱加上以較低功率輸出的紅外加熱，還是能為烹飪器具提供高功率加熱，而且還降低了噪音。但兩種加熱方式如何配合切換也是一個(gè)要迫切解決的問(wèn)題。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]本實(shí)用新型旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問(wèn)題之一。為此，本實(shí)用新型提供了一種控制電路及烹飪裝置。
[0005]本實(shí)用新型實(shí)施方式的混合加熱控制電路，包括:
[0006]微處理器，所述微處理器包括加熱切換單元；
[0007]電磁加熱單元，所述電磁加熱單元包括第一驅(qū)動(dòng)電路，連接在電源和第一驅(qū)動(dòng)電路之間的諧振電路，所述微處理器的加熱切換單元與第一驅(qū)動(dòng)電路的輸入端連接；
[0008]遠(yuǎn)紅外加熱單元，所述遠(yuǎn)紅外加熱單元包括第二驅(qū)動(dòng)電路，連接在所述電源和第二驅(qū)動(dòng)電路之間的紅外加熱電路，所述微處理器的加熱切換單元同時(shí)與第二驅(qū)動(dòng)電路的輸入端連接。
[0009]在某些實(shí)施方式中，所述諧振電路包括加熱線圈、諧振電容、諧振電感和第一IGBT，所述加熱線圈和諧振電容并聯(lián)，所述加熱線圈和所述諧振電容的其中一個(gè)公共連接端與諧振電感連接，所述諧振電感的另一端與所述電源連接，所述加熱線圈和所述諧振電容的另一個(gè)公共連接端與所述第一 IGBT的集電極連接，所述第一 IGBT的發(fā)射極接地，所述第一 IGBT的基極與所述第一驅(qū)動(dòng)電路的輸出端連接。
[0010]在某些實(shí)施方式中，所述紅外加熱電路包括遠(yuǎn)紅外加熱膜和第二IGBT，所述遠(yuǎn)紅外加熱膜的一端與所述電源連接，所述遠(yuǎn)紅外加熱膜的另一端與所述第二 IGBT的集電極連接，所述第二 IGBT的發(fā)射極接地，所述第二 IGBT的基極與所述第二驅(qū)動(dòng)電路的輸出端連接。[0011 ]在某些實(shí)施方式中，所述混合加熱控制電路還包括還包括連接在微處理器和市電之間的過(guò)零檢測(cè)模塊，所述加熱切換單元發(fā)出加熱切換信號(hào)的時(shí)間點(diǎn)為所述過(guò)零檢測(cè)模塊檢測(cè)出過(guò)零信號(hào)時(shí)。
[0012]在某些實(shí)施方式中，當(dāng)所述功率檢測(cè)單元檢測(cè)用戶(hù)輸入的功率大于第一預(yù)設(shè)功率值且當(dāng)前的加熱功率小于第一預(yù)設(shè)功率值時(shí)，所述加熱切換單元停止向所述第二驅(qū)動(dòng)電路發(fā)出PffM信號(hào)，轉(zhuǎn)而向所述第一驅(qū)動(dòng)電路發(fā)出PffM信號(hào)。
[0013]在某些實(shí)施方式中，當(dāng)所述功率檢測(cè)單元檢測(cè)用戶(hù)輸入的功率大于第二預(yù)設(shè)功率值且當(dāng)前的加熱功率小于第二預(yù)設(shè)功率值時(shí)，所述加熱切換單元保持向所述第一驅(qū)動(dòng)電路和第二驅(qū)動(dòng)電路中的一個(gè)發(fā)出PWM信號(hào)，同時(shí)向所述第一驅(qū)動(dòng)電路和第二驅(qū)動(dòng)電路中的另一個(gè)發(fā)出PWM信號(hào)。
[0014]在某些實(shí)施方式中，當(dāng)所述功率檢測(cè)單元檢測(cè)用戶(hù)輸入的功率值小于第一預(yù)設(shè)功率值且當(dāng)前的加熱功率大于第一預(yù)設(shè)功率值時(shí)，所述加熱切換單元停止向所述第一驅(qū)動(dòng)電路發(fā)出PWM信號(hào)，轉(zhuǎn)而向所述第二驅(qū)動(dòng)電路發(fā)出PWM信號(hào)。
[0015]在某些實(shí)施方式中，所述加熱切換單元停止向所述第一驅(qū)動(dòng)電路發(fā)出HVM信號(hào)的時(shí)間點(diǎn)晚于所述加熱切換單元向所述第二驅(qū)動(dòng)電路發(fā)出PWM信號(hào)的時(shí)間點(diǎn)。
[0016]本實(shí)用新型實(shí)施方式的電磁加熱設(shè)備，包括所述的混合加熱控制電路。
[0017]本實(shí)用新型的混合加熱控制電路及電磁加熱設(shè)備通過(guò)在微處理器中設(shè)置加熱切換單元，使得電磁加熱設(shè)備能夠在電磁加熱單元和遠(yuǎn)紅外加熱單元中切換，在低功率加熱情況下切換成遠(yuǎn)紅外加熱電壓加熱，以滿足加熱的連續(xù)性，在高功率情況下切換成電磁加熱，以滿足加熱的效率要求。
【附圖說(shuō)明】
[0018]本實(shí)用新型的實(shí)施方式的上述和/或附加的方面和優(yōu)點(diǎn)從結(jié)合下面附圖對(duì)實(shí)施方式的描述中將變得明顯和容易理解，其中:
[0019]圖1是本實(shí)用新型實(shí)施方式的混合加熱控制電路的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0020]下面詳細(xì)描述本實(shí)用新型的實(shí)施方式的實(shí)施方式，所述實(shí)施方式的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類(lèi)似的標(biāo)號(hào)表示相同或類(lèi)似的元件或具有相同或類(lèi)似功能的元件。下面通過(guò)參考附圖描述的實(shí)施方式是示例性的，僅用于解釋本實(shí)用新型的實(shí)施方式，而不能理解為對(duì)本實(shí)用新型的實(shí)施方式的限制。
[0021]請(qǐng)參閱圖1，本實(shí)用新型實(shí)施方式的混合加熱控制電路100包括微處理器10、電磁加熱單元20及遠(yuǎn)紅外加熱單元30。其中，微處理器10包括加熱切換單元12，。電磁加熱單元20包括第一驅(qū)動(dòng)電路25，連接在電源和所述第一驅(qū)動(dòng)電路25之間的諧振電路，另外，微處理器10與第一驅(qū)動(dòng)電路25的輸入端。遠(yuǎn)紅外加熱單元30包括第二驅(qū)動(dòng)電路33，連接在電源和第二驅(qū)動(dòng)電路25之間的紅外加熱電路，另外，微處理器10的加熱切換單元同時(shí)與第二驅(qū)動(dòng)電路33的輸入端連接。
[0022]需要說(shuō)明的是，電源應(yīng)當(dāng)廣義理解為具有供電功能的單元，通常還包括其他功能模塊，例如整流橋。上述與電源連接也應(yīng)當(dāng)理解為與相應(yīng)的功能單元連接。
[0023]本實(shí)用新型實(shí)施方式的混合加熱控制電路100的微處理器10包括有加熱切換單元12，使得電磁加熱單元20及遠(yuǎn)紅外加熱單元30輪流加熱，在低功率加熱情況下切換成遠(yuǎn)紅外加熱，以滿足加熱的連續(xù)性，在高功率情況下切換成電磁加熱，以滿足加熱的效率要求(電磁單元加熱20的加熱效率高于遠(yuǎn)紅外加熱單元30的加熱效率)，在更高功率情況下同時(shí)啟動(dòng)電磁加熱單元20和遠(yuǎn)紅外加熱單元30加熱。本實(shí)用新型實(shí)施方式中，諧振電路包括加熱線圈21、諧振電容22、諧振電感23和第一 IGBT24，加熱線圈21和諧振電容22并聯(lián)，加熱線圈21和諧振電容22的其中一個(gè)公共連接端與諧振電感23連接，諧振電感33的另一端與電源連接，加熱線圈21和諧振電容22的另一個(gè)公共連接端與第一 IGBT24的集電極連接，第一IGBT24的發(fā)射極接地，第一 IGBT24的基極為電磁加熱單元20的功率調(diào)節(jié)端。第一 IGBT24的基極與第一驅(qū)動(dòng)電路25的輸入端連接。
[0024]本實(shí)用新型實(shí)施方式中，紅外加熱電路包括遠(yuǎn)紅外加熱膜31和第二IGBT32，遠(yuǎn)紅外加熱膜31的一端與電源連接，遠(yuǎn)紅外加熱膜31的另一端與第二 IGBT32的集電極連接，第二 IGBT32的發(fā)射極接地，第二 IGBT32的基極為紅外加熱單元的功率調(diào)節(jié)端。第二 IGBT32的基極與第二驅(qū)動(dòng)電路33的輸出端連接。
[0025]本實(shí)用新型實(shí)施方式中，微處理器10還包括功率檢測(cè)單元14，功率檢測(cè)單元14與加熱切換單元12連接。功率檢測(cè)單元14用于檢測(cè)用戶(hù)輸入的功率值，以使得加熱切換單元12根據(jù)所檢測(cè)到的用戶(hù)輸入的功率值向第一驅(qū)動(dòng)電路25及第二驅(qū)動(dòng)電路33發(fā)出相應(yīng)的加熱切換信號(hào)。
[0026]本實(shí)用新型實(shí)施方式中，混合加熱控制電路100還包括連接微處理器10和市電的過(guò)零檢測(cè)模塊40，所述加熱切換單元12發(fā)出加熱切換信號(hào)的時(shí)間點(diǎn)為過(guò)零檢測(cè)模塊40檢測(cè)出過(guò)零信號(hào)的時(shí)刻。
[0027]具體地，當(dāng)功率檢測(cè)單元14檢測(cè)用戶(hù)輸入的功率大于第一預(yù)設(shè)功率值且當(dāng)前的加熱功率小于第一預(yù)設(shè)功率值時(shí)，加熱切換單元12停止向第二驅(qū)動(dòng)電路33發(fā)出PffM信號(hào)，轉(zhuǎn)而向所述第一驅(qū)動(dòng)電路25發(fā)出PffM信號(hào)。
[0028]通過(guò)為電磁加熱單元20與遠(yuǎn)紅外加熱單元30的切換設(shè)置臨界的第一預(yù)設(shè)功率值，第一預(yù)設(shè)功率值大致為900瓦至1100瓦。當(dāng)加熱功率低于第一預(yù)設(shè)功率時(shí)采用遠(yuǎn)紅外加熱單元30進(jìn)行加熱，而當(dāng)加熱功率高于第一預(yù)設(shè)功率時(shí)切換為電磁加熱單元30進(jìn)行加熱。具體地，當(dāng)功率檢測(cè)單元14檢測(cè)用戶(hù)輸入的功率大于預(yù)設(shè)功率值且當(dāng)前的加熱功率小于預(yù)設(shè)的功率值時(shí)，即當(dāng)電磁加熱設(shè)備處于紅外加熱單元30加熱狀態(tài)，但用戶(hù)輸入的功率值大于紅外加熱單元的最大加熱功率值，將電磁加熱設(shè)備由遠(yuǎn)紅外加熱單元30加熱切換至電磁加熱單元20加熱。切換時(shí)，加熱切換單元12停止向第二驅(qū)動(dòng)電路33發(fā)出PWM信號(hào)，而向第一驅(qū)動(dòng)電路25發(fā)出PffM信號(hào)。從而使得遠(yuǎn)紅外加熱單元30停止，電磁加熱單元20開(kāi)啟。加熱切換單元12向第一驅(qū)動(dòng)電路25發(fā)出PffM信號(hào)的占空比根據(jù)用戶(hù)輸入的具體功率值而定。
[0029]在一些實(shí)施方式中，當(dāng)功率檢測(cè)單元檢測(cè)用戶(hù)輸入的功率大于第二預(yù)設(shè)功率值且當(dāng)前的加熱功率小于第二預(yù)設(shè)的功率值時(shí)，加熱切換單元12保持向第一驅(qū)動(dòng)電路25和第二驅(qū)動(dòng)電路33中的一個(gè)發(fā)出PWM信號(hào)，同時(shí)向第一驅(qū)動(dòng)電路25和第二驅(qū)動(dòng)電路33中的另一個(gè)發(fā)出PffM信號(hào)。第二預(yù)設(shè)功率值設(shè)置為在單獨(dú)采用電磁單元加熱單元以該功率加熱會(huì)發(fā)出噪聲的臨界值，第二預(yù)設(shè)功率值為1650瓦至1750瓦。如果用戶(hù)輸入功率時(shí)電磁加熱設(shè)備處于僅由電磁加熱單元加熱的狀態(tài)，則保持向第一驅(qū)動(dòng)電路25發(fā)出PWM信號(hào)，同時(shí)向第二驅(qū)動(dòng)電路33發(fā)出PWM信號(hào)。如果用戶(hù)輸入功率時(shí)電磁加熱設(shè)備處于僅由紅外加熱單元加熱的狀態(tài)，則保持向第二驅(qū)動(dòng)電路33發(fā)出PffM信號(hào)，同時(shí)向第一驅(qū)動(dòng)電路25發(fā)出PffM信號(hào)。
[0030]也即是說(shuō)，兩種情況下，電磁加熱單元20與遠(yuǎn)紅外加熱單元30同時(shí)加熱。例如，當(dāng)用戶(hù)輸入的加熱功率為2000瓦時(shí)，則每個(gè)加熱單元可提供1000瓦的加熱功率。
[0031]相類(lèi)似地，在某些實(shí)施方式中，當(dāng)功率檢測(cè)單元14檢測(cè)用戶(hù)輸入的功率值小于第一預(yù)設(shè)功率值且當(dāng)前的加熱功率大于第一預(yù)設(shè)的功率值時(shí)，也即是由高功率切換至低功率加熱，或者說(shuō)由電磁加熱單元20加熱切換至遠(yuǎn)紅外加熱單元30加熱。切換時(shí)，加熱切換單元12停止向第一驅(qū)動(dòng)電路發(fā)出HVM信號(hào)，轉(zhuǎn)而向第二驅(qū)動(dòng)電路發(fā)出HVM信號(hào)。從而使得電磁加熱單元20停止，遠(yuǎn)紅外加熱單元30開(kāi)啟。加熱切換單元12向第二驅(qū)動(dòng)電路33發(fā)出PffM信號(hào)的占空比根據(jù)用戶(hù)輸入的具體功率值而定。
[0032]在上述電磁加熱設(shè)備由高功率加熱箱低功率加熱的切換過(guò)程中，加熱切換單元12停止向第一驅(qū)動(dòng)電路發(fā)出PWM信號(hào)的時(shí)間點(diǎn)晚于加熱切換單元12向第二驅(qū)動(dòng)電路發(fā)出PWM信號(hào)的時(shí)間點(diǎn)。也即是說(shuō)，在剛開(kāi)啟遠(yuǎn)紅外加熱單元30的預(yù)定時(shí)間內(nèi)，電磁加熱單元20仍保持開(kāi)啟狀態(tài)，而后關(guān)閉。
[0033]這是因?yàn)?，遠(yuǎn)紅外加熱不是直接對(duì)烹飪器具加熱，而且紅外加熱為電阻加熱，因此具有一定的加熱延遲性，也即是說(shuō)，遠(yuǎn)紅外加熱膜31剛開(kāi)始通電的一段時(shí)間內(nèi)不能夠立即達(dá)到目標(biāo)功率。因此，在兩個(gè)加熱單元進(jìn)行切換的過(guò)程中，需要一定的過(guò)渡時(shí)間，以使得被加熱物體在加熱單元的切換過(guò)程中溫度保持相對(duì)穩(wěn)定，提升使用體驗(yàn)。
[0034]過(guò)渡時(shí)間即是兩個(gè)加熱單元切換持續(xù)的時(shí)間，通?？筛鶕?jù)遠(yuǎn)紅外加熱膜31加熱到目標(biāo)功率的時(shí)間進(jìn)行設(shè)定。在加熱切換單元12發(fā)出加熱切換信號(hào)后的預(yù)定時(shí)間內(nèi)，過(guò)零檢測(cè)模塊40持續(xù)檢測(cè)檢過(guò)零信號(hào)。微處理器10通?？砂ㄓ?jì)時(shí)單元，計(jì)時(shí)單元通過(guò)記錄檢測(cè)到過(guò)零信號(hào)的次數(shù)判切換過(guò)程是否完成。在切換過(guò)程中電磁加熱單元20保持持續(xù)加熱狀
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[0035]例如由電磁加熱單元20切換至遠(yuǎn)紅外加熱單元30，也即是由高功率切換至低功率，在切換過(guò)程中為保持加熱的穩(wěn)定性，電磁加熱單元20仍需持續(xù)工作，但在這段時(shí)間內(nèi)，電磁加熱單元20的功率可降低至電磁加熱單元20能夠連續(xù)加熱的最低值，從而有效節(jié)省電能。當(dāng)計(jì)時(shí)單元統(tǒng)計(jì)過(guò)零信號(hào)的次數(shù)的達(dá)到預(yù)定值時(shí)，遠(yuǎn)紅外加熱單元30可達(dá)到目標(biāo)功率，此時(shí)關(guān)閉電磁加熱單元20，完成切換過(guò)程。
[0036]本實(shí)用新型實(shí)施方式的混合加熱控制電路100的工作原理具體描述如下:
[0037]以電磁加熱設(shè)備由高功率加熱狀態(tài)(電磁加熱單元20加熱)向低功率加熱狀態(tài)(遠(yuǎn)紅外加熱單元30加熱)切換為例，當(dāng)功率檢測(cè)單元14檢測(cè)到用戶(hù)輸入的加熱功率小于預(yù)設(shè)功率值(如1000瓦)，且當(dāng)前加熱功率大于預(yù)設(shè)功率值時(shí)，且當(dāng)過(guò)零檢測(cè)模塊40檢測(cè)到市電過(guò)零信號(hào)時(shí)，微處理器10的加熱切換單元12發(fā)出加熱切換的信號(hào)，微處理器10的加熱切換單元12向第二驅(qū)動(dòng)電路33發(fā)出PWM信號(hào)，加熱切換單元12同時(shí)保持向第一驅(qū)動(dòng)電路25輸出PWM信號(hào)，此刻向第一驅(qū)動(dòng)電路25輸出的PWM信號(hào)的占空比可以保持也可以調(diào)整，以使得電磁加熱單元以較低的功率加熱。通過(guò)記錄過(guò)零檢測(cè)模塊40檢測(cè)到市電過(guò)零信號(hào)的次數(shù)來(lái)進(jìn)行計(jì)時(shí)。當(dāng)市電過(guò)零信號(hào)的次數(shù)達(dá)到預(yù)定次數(shù)時(shí)，加熱切換單元停止向第一驅(qū)動(dòng)電路25發(fā)出P麗信號(hào)，成功切換至僅由遠(yuǎn)紅外加熱單元30加熱。微處理器10再根據(jù)輸入的功率，把輸入的功率值轉(zhuǎn)換成第二 IGBT32輸出的脈沖信號(hào)的占空比。第二驅(qū)動(dòng)電路33輸出相應(yīng)占空比的脈沖信號(hào)至第二IGBT的基極，從而控制遠(yuǎn)紅外加熱單元30以相應(yīng)的目標(biāo)功率加熱。脈沖信號(hào)的占空比根據(jù)輸入的目標(biāo)功率確定，例如輸入500W的目標(biāo)功率，則輸出50 %的占空比的脈沖信號(hào)。
[0038] 相類(lèi)似的，當(dāng)需要從遠(yuǎn)紅外加熱單元30切換至電磁加熱單元20時(shí)，當(dāng)過(guò)零檢測(cè)模塊40檢測(cè)到市電過(guò)零信號(hào)時(shí)微處理器10的加熱切換單元12發(fā)出加熱切換的信號(hào)。微處理器10根據(jù)功率檢測(cè)單元14檢測(cè)到的用戶(hù)輸入的功率，將輸入的功率值轉(zhuǎn)換成第一 IGBT24輸出的脈沖信號(hào)的占空比。此時(shí)，可以即刻停止向第二驅(qū)動(dòng)電路33發(fā)出P麗信號(hào)，以切換至僅由電磁加熱單元20加熱。當(dāng)然也可以保持第二 IGBT32的導(dǎo)通狀態(tài)，并保持遠(yuǎn)紅外加熱單元30的輸出功率不變同時(shí)通過(guò)記錄過(guò)零檢測(cè)模塊40檢測(cè)到市電過(guò)零信號(hào)的次數(shù)來(lái)進(jìn)行計(jì)時(shí)，當(dāng)市電過(guò)零信號(hào)的次數(shù)達(dá)到預(yù)定次數(shù)時(shí)，再停止停止向第二驅(qū)動(dòng)電路33發(fā)出PffM信號(hào)，以切換至僅由電磁加熱單元20加熱。第一驅(qū)動(dòng)電路25輸出相應(yīng)占空比的脈沖信號(hào)至第一 IGBT24的基極，從而控制電磁加熱單元20以相應(yīng)的目標(biāo)功率加熱。
[0039 ] 本實(shí)用新型還公開(kāi)了一種電磁加熱設(shè)備，包括上述的混合加熱控制電路100。
[0040]在某些實(shí)施方式中，電磁加熱設(shè)備包括電磁爐、電飯煲、電壓力鍋、豆?jié){機(jī)、面包機(jī)或變頻微波爐。
[0041 ]本實(shí)用新型實(shí)施方式的電磁加熱設(shè)備未展開(kāi)的其它部分，可參照以上實(shí)施方式的控制方法的對(duì)應(yīng)部分，在此不再詳細(xì)展開(kāi)。
[0042]在本實(shí)用新型的實(shí)施方式的描述中，需要理解的是，術(shù)語(yǔ)“中心”、“縱向”、“橫向”、“長(zhǎng)度”、“寬度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底”、“內(nèi)”、“外”、“順時(shí)針”、“逆時(shí)針”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本實(shí)用新型的實(shí)施方式和簡(jiǎn)化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對(duì)本實(shí)用新型的實(shí)施方式的限制。此外，術(shù)語(yǔ)“第一”、“第二”僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對(duì)重要性或者隱含指明所指示的技術(shù)特征的數(shù)量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隱含地包括一個(gè)或者更多個(gè)所述特征。在本實(shí)用新型的實(shí)施方式的描述中，“多個(gè)”的含義是兩個(gè)或兩個(gè)以上，除非另有明確具體的限定。
[0043]在本實(shí)用新型的實(shí)施方式的描述中，需要說(shuō)明的是，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語(yǔ)“安裝”、“相連”、“連接”應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接;可以是機(jī)械連接，也可以是電連接或可以相互通訊；可以是直接相連，也可以通過(guò)中間媒介間接相連，可以是兩個(gè)元件內(nèi)部的連通或兩個(gè)元件的相互作用關(guān)系。對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以根據(jù)具體情況理解上述術(shù)語(yǔ)在本實(shí)用新型的實(shí)施方式中的具體含義。
[0044]在本實(shí)用新型的實(shí)施方式中，除非另有明確的規(guī)定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接觸，也可以包括第一和第二特征不是直接接觸而是通過(guò)它們之間的另外的特征接觸。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或僅僅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或僅僅表示第一特征水平高度小于第二特征。
[0045]下文的公開(kāi)提供了許多不同的實(shí)施方式或例子用來(lái)實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型的實(shí)施方式的不同結(jié)構(gòu)。為了簡(jiǎn)化本實(shí)用新型的實(shí)施方式的公開(kāi)，下文中對(duì)特定例子的部件和設(shè)置進(jìn)行描述。當(dāng)然，它們僅僅為示例，并且目的不在于限制本實(shí)用新型。此外，本實(shí)用新型的實(shí)施方式可以在不同例子中重復(fù)參考數(shù)字和/或參考字母，這種重復(fù)是為了簡(jiǎn)化和清楚的目的，其本身不指示所討論各種實(shí)施方式和/或設(shè)置之間的關(guān)系。此外，本實(shí)用新型的實(shí)施方式提供了的各種特定的工藝和材料的例子，但是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以意識(shí)到其他工藝的應(yīng)用和/或其他材料的使用。
[0046]在本說(shuō)明書(shū)的描述中，參考術(shù)語(yǔ)“一個(gè)實(shí)施方式”、“一些實(shí)施方式”、“示意性實(shí)施方式”、“示例”、“具體示例”或“一些示例”等的描述意指結(jié)合所述實(shí)施方式或示例描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)包含于本實(shí)用新型的至少一個(gè)實(shí)施方式或示例中。在本說(shuō)明書(shū)中，對(duì)上述術(shù)語(yǔ)的示意性表述不一定指的是相同的實(shí)施方式或示例。而且，描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)可以在任何的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式或示例中以合適的方式結(jié)合。
[0047]流程圖中或在此以其他方式描述的任何過(guò)程或方法描述可以被理解為，表示包括一個(gè)或更多個(gè)用于實(shí)現(xiàn)特定邏輯功能或過(guò)程的步驟的可執(zhí)行指令的代碼的模塊、片段或部分，并且本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式的范圍包括另外的實(shí)現(xiàn)，其中可以不按所示出或討論的順序，包括根據(jù)所涉及的功能按基本同時(shí)的方式或按相反的順序，來(lái)執(zhí)行功能，這應(yīng)被本實(shí)用新型的實(shí)施例所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員所理解。
[0048]在流程圖中表示或在此以其他方式描述的邏輯和/或步驟，例如，可以被認(rèn)為是用于實(shí)現(xiàn)邏輯功能的可執(zhí)行指令的定序列表，可以具體實(shí)現(xiàn)在任何計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)中，以供指令執(zhí)行系統(tǒng)、裝置或設(shè)備(如基于計(jì)算機(jī)的系統(tǒng)、包括處理模塊的系統(tǒng)或其他可以從指令執(zhí)行系統(tǒng)、裝置或設(shè)備取指令并執(zhí)行指令的系統(tǒng))使用，或結(jié)合這些指令執(zhí)行系統(tǒng)、裝置或設(shè)備而使用。就本說(shuō)明書(shū)而言，〃計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)〃可以是任何可以包含、存儲(chǔ)、通信、傳播或傳輸程序以供指令執(zhí)行系統(tǒng)、裝置或設(shè)備或結(jié)合這些指令執(zhí)行系統(tǒng)、裝置或設(shè)備而使用的裝置。計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)的更具體的示例(非窮盡性列表)包括以下:具有一個(gè)或多個(gè)布線的電連接部(電子裝置)，便攜式計(jì)算機(jī)盤(pán)盒(磁裝置)，隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)，只讀存儲(chǔ)器(ROM)，可擦除可編輯只讀存儲(chǔ)器(EPR0M或閃速存儲(chǔ)器)，光纖裝置，以及便攜式光盤(pán)只讀存儲(chǔ)器(CDR0M)。另外，計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)甚至可以是可在其上打印所述程序的紙或其他合適的介質(zhì)，因?yàn)榭梢岳缤ㄟ^(guò)對(duì)紙或其他介質(zhì)進(jìn)行光學(xué)掃描，接著進(jìn)行編輯、解譯或必要時(shí)以其他合適方式進(jìn)行處理來(lái)以電子方式獲得所述程序，然后將其存儲(chǔ)在計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器中。
[0049]應(yīng)當(dāng)理解，本實(shí)用新型的實(shí)施方式的各部分可以用硬件、軟件、固件或它們的組合來(lái)實(shí)現(xiàn)。在上述實(shí)施方式中，多個(gè)步驟或方法可以用存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中且由合適的指令執(zhí)行系統(tǒng)執(zhí)行的軟件或固件來(lái)實(shí)現(xiàn)。例如，如果用硬件來(lái)實(shí)現(xiàn)，和在另一實(shí)施方式中一樣，可用本領(lǐng)域公知的下列技術(shù)中的任一項(xiàng)或他們的組合來(lái)實(shí)現(xiàn):具有用于對(duì)數(shù)據(jù)信號(hào)實(shí)現(xiàn)邏輯功能的邏輯門(mén)電路的離散邏輯電路，具有合適的組合邏輯門(mén)電路的專(zhuān)用集成電路，可編程門(mén)陣列(PGA)，現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列(FPGA)等。
[0050]本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以理解實(shí)現(xiàn)上述實(shí)施例方法攜帶的全部或部分步驟是可以通過(guò)程序來(lái)指令相關(guān)的硬件完成，所述的程序可以存儲(chǔ)于一種計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)中，該程序在執(zhí)行時(shí)，包括方法實(shí)施例的步驟之一或其組合。
[0051]此外，在本實(shí)用新型的各個(gè)實(shí)施例中的各功能單元可以集成在一個(gè)處理模塊中，也可以是各個(gè)單元單獨(dú)物理存在，也可以?xún)蓚€(gè)或兩個(gè)以上單元集成在一個(gè)模塊中。上述集成的模塊既可以采用硬件的形式實(shí)現(xiàn)，也可以采用軟件功能模塊的形式實(shí)現(xiàn)。所述集成的模塊如果以軟件功能模塊的形式實(shí)現(xiàn)并作為獨(dú)立的產(chǎn)品銷(xiāo)售或使用時(shí)，也可以存儲(chǔ)在一個(gè)計(jì)算機(jī)可讀取存儲(chǔ)介質(zhì)中。
[0052]上述提到的存儲(chǔ)介質(zhì)可以是只讀存儲(chǔ)器，磁盤(pán)或光盤(pán)等。
[0053]盡管上面已經(jīng)示出和描述了本實(shí)用新型的實(shí)施例，可以理解的是，上述實(shí)施例是示例性的，不能理解為對(duì)本實(shí)用新型的限制，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在本實(shí)用新型的范圍內(nèi)可以對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行變化、修改、替換和變型。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種混合加熱控制電路，其特征在于，包括: 微處理器，所述微處理器包括加熱切換單元； 電磁加熱單元，所述電磁加熱單元包括第一驅(qū)動(dòng)電路，連接在電源和所述第一驅(qū)動(dòng)電路之間的諧振電路，所述微處理器的加熱切換單元與所述第一驅(qū)動(dòng)電路的輸入端連接； 遠(yuǎn)紅外加熱單元，所述遠(yuǎn)紅外加熱單元包括第二驅(qū)動(dòng)電路，連接在所述電源和所述第二驅(qū)動(dòng)電路之間的的紅外加熱電路，所述微處理器的加熱切換單元同時(shí)與所述第二驅(qū)動(dòng)電路的輸入端連接。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的混合加熱控制電路，其特征在于，所述電磁加熱單元包括加熱線圈、諧振電容、諧振電感和第一IGBT，所述加熱線圈和諧振電容并聯(lián)，所述加熱線圈和所述諧振電容的其中一個(gè)公共連接端與諧振電感連接，所述諧振電感的另一端與所述電源連接，所述加熱線圈和所述諧振電容的另一個(gè)公共連接端與所述第一 IGBT的集電極連接，所述第一 IGBT的發(fā)射極接地，所述第一 IGBT的基極與所述第一驅(qū)動(dòng)電路的輸出端連接。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的混合加熱控制電路，其特征在于，所述遠(yuǎn)紅外加熱單元包括遠(yuǎn)紅外加熱膜和第二 IGBT，所述遠(yuǎn)紅外加熱膜的一端與所述電源連接，所述遠(yuǎn)紅外加熱膜的另一端與所述第二 IGBT的集電極連接，所述第二 IGBT的發(fā)射極接地，所述第二 IGBT的基極與所述第二驅(qū)動(dòng)電路的輸出端連接。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的混合加熱控制電路，其特征在于，所述微處理器還包括檢測(cè)用戶(hù)輸入功率值的功率檢測(cè)單元，所述加熱切換單元根據(jù)所述功率檢測(cè)單元所檢測(cè)用戶(hù)輸入的功率值向所述第一驅(qū)動(dòng)電路和所述第二驅(qū)動(dòng)電路發(fā)出相應(yīng)的加熱切換信號(hào)。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的混合加熱控制電路，其特征在于，還包括連接在所述微處理器和市電之間的過(guò)零檢測(cè)模塊，所述加熱切換單元發(fā)出加熱切換信號(hào)的時(shí)間點(diǎn)為所述過(guò)零檢測(cè)模塊檢測(cè)出過(guò)零信號(hào)的時(shí)刻。6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的混合加熱控制電路，其特征在于，當(dāng)所述功率檢測(cè)單元檢測(cè)用戶(hù)輸入的功率大于第一預(yù)設(shè)功率值且當(dāng)前的加熱功率小于第一預(yù)設(shè)功率值時(shí)，所述加熱切換單元停止向所述第二驅(qū)動(dòng)電路發(fā)出PWM信號(hào)，轉(zhuǎn)而向所述第一驅(qū)動(dòng)電路發(fā)出PWM信號(hào)。7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的混合加熱控制電路，其特征在于，當(dāng)所述功率檢測(cè)單元檢測(cè)用戶(hù)輸入的功率大于第二預(yù)設(shè)功率值且當(dāng)前的加熱功率小于第二預(yù)設(shè)功率值時(shí)，所述加熱切換單元保持向所述第一驅(qū)動(dòng)電路和第二驅(qū)動(dòng)電路中的一個(gè)發(fā)出PWM信號(hào)，同時(shí)向所述第一驅(qū)動(dòng)電路和第二驅(qū)動(dòng)電路中的另一個(gè)發(fā)出PWM信號(hào)。8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的混合加熱控制電路，其特征在于，當(dāng)所述功率檢測(cè)單元檢測(cè)用戶(hù)輸入的功率值小于第一預(yù)設(shè)功率值且當(dāng)前的加熱功率大于第一預(yù)設(shè)功率值時(shí)，所述加熱切換單元停止向所述第一驅(qū)動(dòng)電路發(fā)出PWM信號(hào)，轉(zhuǎn)而向所述第二驅(qū)動(dòng)電路發(fā)出PWM信號(hào)。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的混合加熱控制電路，其特征在于，所述加熱切換單元停止向所述第一驅(qū)動(dòng)電路發(fā)出PWM信號(hào)的時(shí)間點(diǎn)晚于所述加熱切換單元向所述第二驅(qū)動(dòng)電路發(fā)出PWM信號(hào)的時(shí)間點(diǎn)。10.—種電磁加熱設(shè)備，其特征在于，包括根據(jù)權(quán)利要求1至9任意一項(xiàng)所述的混合加熱控制電路。
【文檔編號(hào)】F24C7/00GK205430655SQ201620231175
【公開(kāi)日】2016年8月3日
【申請(qǐng)日】2016年3月24日
【發(fā)明人】劉志才, 王志鋒, 馮江平, 馬志海, 區(qū)達(dá)理, 柳維軍
【申請(qǐng)人】佛山市順德區(qū)美的電熱電器制造有限公司, 美的集團(tuán)股份有限公司