感應(yīng)耦合功率傳輸接收器的制造方法
【專利摘要】一種感應(yīng)耦合功率傳輸接收器，包括可調(diào)諧電路和電源電路。可調(diào)諧電路包括與第一電容串聯(lián)的功率接收線圈以及與功率接收線圈并聯(lián)連接的第一可變阻抗。可變阻抗包括至少一個電抗元件和用于控制可變阻抗的有效阻抗的一個或更多個半導(dǎo)體器件?？勺冏杩箍梢允桥c第一半導(dǎo)體器件串聯(lián)的第二電容；與第一半導(dǎo)體器件并聯(lián)的電感；與第一半導(dǎo)體器件并聯(lián)的第二電容；或者與第一半導(dǎo)體器件并聯(lián)的電容和電感。還可以提供一個或更多個輔助可變阻抗。電源電路包括功率控制電路，功率控制電路基于電源電路產(chǎn)生的輸出電壓來將控制信號提供至第一可變阻抗。
【專利說明】感應(yīng)輔合功率傳輸接收器
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于近場感應(yīng)耦合功率傳輸系統(tǒng)(ICPT)的【技術(shù)領(lǐng)域】。更具體地，盡管不是唯一的，但是本發(fā)明涉及包括可變調(diào)諧阻抗的功率接收器。
【背景技術(shù)】
[0002]無接觸式功率系統(tǒng)通常由功率發(fā)射器和一個或更多個功率接收器組成以提供本地電源，所述功率發(fā)射器產(chǎn)生交變磁場，所述一個或更多個功率接收器與產(chǎn)生的磁場耦合。這些無接觸式功率接收器與功率發(fā)射器鄰近，但是與功率發(fā)射器電隔離。無接觸式功率接收器包括功率接收線圈，其中通過功率發(fā)射器所產(chǎn)生的交變磁場來感生電壓，并且將功率供應(yīng)至電負(fù)載。功率接收線圈可以通過調(diào)節(jié)電抗部分來調(diào)諧，以增加系統(tǒng)的功率傳輸容量。
[0003]無接觸式功率接收器的問題之一是當(dāng)其輕負(fù)載時效率低，例如當(dāng)功率接收器所供電的電機(jī)在等待來自控制系統(tǒng)的命令而空閑時效率低。這可以通過借助于功率接收線圈和負(fù)載之間的功率控制器而實(shí)施功率流控制來克服。
[0004]功率控制器的一種實(shí)施方式使用短路開關(guān)作為功率接收電路的一部分，以根據(jù)需要而將功率接收線圈與負(fù)載去稱合。這種方法在轉(zhuǎn)讓給Auckland UniServices Limited的美國專利5，293，308的說明書中有所描述，并且被稱作“短路控制”。盡管這種方法解決了從功率接收線圈至負(fù)載的功率流控制問題，但是短路開關(guān)會引起大的傳導(dǎo)損耗，特別是輕負(fù)載時，因?yàn)楣β式邮站€圈在沒有負(fù)載或者輕負(fù)載條件下幾乎總是短路的。這種方法還需要大體積且昂貴的DC電感，并且產(chǎn)生顯著的電磁干擾。
[0005]無接觸式功率系統(tǒng)的另一個問題是由于負(fù)載條件和其他電路參數(shù)中的改變而引起的頻率變化。這可能導(dǎo)致功率接收線圈就感生電壓幅值和短路電流而言的變化，影響了系統(tǒng)的功率傳輸容量。這在固定或無源調(diào)諧的無接觸式功率接收器中尤其是問題。
[0006]在美國專利說明書US2007/109708A1和US7，382，636B2中描述了一種方法，其通過改變功率接收器的有效電容或電感來動態(tài)地調(diào)諧或去諧功率接收線圈。這使得無接觸式功率接收器能夠補(bǔ)償由參數(shù)改變而弓I起的頻率漂移。有效電容或電感是利用與電容或電感串聯(lián)的兩個半導(dǎo)體開關(guān)來改變的。需要對功率接收線圈電流幅值和相位進(jìn)行感測的裝置，以使可變電容或電阻的軟開關(guān)切換成為可能。通過實(shí)現(xiàn)動態(tài)調(diào)諧，不僅能夠補(bǔ)償頻率漂移，還能夠?qū)崿F(xiàn)比無源調(diào)諧系統(tǒng)(通常，Q〈6)中更高的品質(zhì)因數(shù)(Q>10)，這是因?yàn)榭梢跃?xì)地調(diào)諧功率接收線圈諧振頻率。更高的品質(zhì)因數(shù)增加了系統(tǒng)的功率傳輸容量。然而，這種方法需要功率接收線圈傳感器和復(fù)雜的控制電路。
[0007]為了使無接觸式功率拾波電路小型化，去除在高頻處特別復(fù)雜的功率接收線圈傳感器是有利的。這種實(shí)施方式導(dǎo)致過高的電流或電壓，因?yàn)樵陂_關(guān)切換過程期間要么電感電流可能被切斷，要么帶電的電容可能短路。所得的開關(guān)瞬態(tài)影響EM1、開關(guān)的不可靠性，并且由于過度功率損耗而減小系統(tǒng)功率效率。在最壞的情況下，可能引起系統(tǒng)故障。
[0008]在 申請人:先前的申請W0/2010/005324中，公開了如下一種功率接收器，所述功率接收器在主電流路徑中包括可變電抗以實(shí)現(xiàn)調(diào)諧，所述可變電抗使用以線性模式來操作的半導(dǎo)體器件。這種布置僅需要較簡單的控制電路，但是由于主電流路徑中的半導(dǎo)體器件而引起損耗?？赡苓€需要大體積的DC電感，或者要經(jīng)受降低的輸出功率容量。另外，跨半導(dǎo)體器件的峰值電壓可能較高。
[0009]本發(fā)明的目的是提供改進(jìn)的功率接收器拓?fù)?，這將緩解現(xiàn)存系統(tǒng)所經(jīng)受的一個或更多個不足之處，或者將至少向公眾提供有用的可替代選擇。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0010]根據(jù)一個不例性實(shí)施例，提供了一種感應(yīng)稱合功率傳輸接收器，包括:
[0011]a.可調(diào)諧電路，包括與第一電容串聯(lián)的功率接收線圈，以及與功率接收線圈并聯(lián)連接的第一可變阻抗，其中，可變阻抗包括:
[0012]1.至少一個電抗元件；以及
[0013]i1.一個或更多個半導(dǎo)體器件，所述一個或更多個半導(dǎo)體器件用于控制可變阻抗的有效阻抗；以及
[0014]b.電源電路，所述電源電路通過控制所述一個或更多個半導(dǎo)體器件的操作來調(diào)節(jié)供應(yīng)至電源電路的輸出的功率。
[0015]根據(jù)另一個示例性實(shí)施例，提供了一種與電子設(shè)備一起使用的系統(tǒng)，包括:
[0016]a.功率發(fā)射器，所述功率發(fā)射器包括驅(qū)動電路，所述驅(qū)動電路激勵發(fā)射線圈，所述發(fā)射線圈產(chǎn)生交變磁場；以及
[0017]b.如上所述的功率接收器，其中，功率接收器經(jīng)由能量儲存設(shè)備與電子設(shè)備連接，或者與電子設(shè)備直接連接。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0018]合并在說明書中并且構(gòu)成說明書的一部分的附圖示出了本發(fā)明的實(shí)施例，并且與以上給出的本發(fā)明的概述以及以下給出的實(shí)施例的詳細(xì)描述一起用于解釋本發(fā)明的原理。
[0019]圖1示出ICPT功率接收器的框圖；
[0020]圖2示出利用電容與半導(dǎo)體器件串聯(lián)來調(diào)諧的ICPT功率接收器；
[0021]圖3示出利用電容與半導(dǎo)體器件并聯(lián)來調(diào)諧的ICPT功率接收器；
[0022]圖4示出利用電容與半導(dǎo)體器件串聯(lián)并且電感與半導(dǎo)體器件并聯(lián)來調(diào)諧的ICPT功率接收器；
[0023]圖5示出利用電容與電感串聯(lián)、電感布置成與半導(dǎo)體器件并聯(lián)來調(diào)諧的ICPT功率接收器；
[0024]圖6示出利用每個都與相應(yīng)的半導(dǎo)體器件串聯(lián)的多個電容來調(diào)諧的ICPT功率接收器；
[0025]圖7示出利用電感與半導(dǎo)體器件串聯(lián)布置來調(diào)諧的ICPT功率接收器；
[0026]圖8示出利用電感與半導(dǎo)體器件串聯(lián)、電感和半導(dǎo)體器件二者都與電容并聯(lián)來調(diào)諧的ICPT功率接收器；以及
[0027]圖9示出基于圖2中所示的拓?fù)涞腎CPT功率接收器的一種實(shí)施方式的完整電路圖。【具體實(shí)施方式】
[0028]參見圖1，示出了感應(yīng)耦合功率傳輸系統(tǒng)的框圖。功率發(fā)射器I驅(qū)動功率發(fā)射線圈2以產(chǎn)生交變磁場。功率接收器包括:可調(diào)諧電路4，包括功率接收線圈3 ;以及電源電路，包括整流器5和功率控制電路6。功率接收線圈3與功率發(fā)射線圈2感應(yīng)耦合，并且電源電路調(diào)節(jié)向負(fù)載7的功率流。
[0029]圖2示出根據(jù)第一實(shí)施例的利用可變阻抗的功率接收器。這個實(shí)施例中的可調(diào)諧電路的主要元件是形成串聯(lián)諧振電路的功率接收線圈8和電容9?？烧{(diào)諧電路的輸出通過由二極管10和11形成的半橋整流器而供應(yīng)至功率控制電路12，所述功率控制電路12將功率供應(yīng)至負(fù)載13。在這個實(shí)施例中，可調(diào)諧電路利用電容14與形式為M0SFET15的半導(dǎo)體器件串聯(lián)來調(diào)諧。M0SFET15通過功率控制電路12來驅(qū)動，以提供跨負(fù)載13的期望輸出電壓。在這個實(shí)施例中，MOSFET15可以采用線性模式來驅(qū)動，以結(jié)合電容14來提供連續(xù)可變的阻抗，從而調(diào)諧可調(diào)諧電路。電容14通常比電容9小得多。M0SFET15的功率消耗可以相對于用于指定應(yīng)用的控制范圍來折衷。
[0030]圖2中使用的拓?fù)鋷砗芏嘤幸嬷?
[0031]?由電容14和M0SFET15形成的可變調(diào)諧阻抗不在主電流路徑中，因此減小了MOSFET15上的負(fù)載和所得損耗。
[0032]?電容9以及二極管10和11用作使M0SFET15能夠具有較低額定電壓的倍壓器。
[0033]?驅(qū)動M0SFET15被簡化，因?yàn)镸0SFET15和功率控制電路可以共地。
[0034]?可變阻抗(14和15)與較低阻抗支路(即，9、10、11、12以及13)并聯(lián)，因此跨可變阻抗的電壓不會超過穩(wěn)定狀態(tài)下的輸出電壓。
[0035]?負(fù)載13將串聯(lián)調(diào)諧電路視為電壓源，因此只需要最低的控制努力來對付負(fù)載變化(這不是被負(fù)載視為電流源(并聯(lián)調(diào)諧)電路的情況)。
[0036]圖3示出利用形式為電容與半導(dǎo)體器件并聯(lián)的可變阻抗的功率接收器。如同圖2，功率接收器包括形成串聯(lián)諧振電路的功率接收線圈16和電容17。可調(diào)諧電路的輸出通過由二極管18和19形成的半橋整流器而供應(yīng)至功率控制電路20，所述功率控制電路20將功率供應(yīng)至負(fù)載21。在這個實(shí)施例中，可調(diào)諧電路利用電容22與形式為M0SFET23的半導(dǎo)體器件串聯(lián)來調(diào)諧。M0SFET23通過功率控制電路20來驅(qū)動，以提供跨負(fù)載21的期望輸出電壓。在這個實(shí)施例中，M0SFET23可以采用線性模式來驅(qū)動，以提供與電容22并聯(lián)的連續(xù)可變的阻抗，從而通過有效地提供跨電容22的可變電阻來調(diào)諧可調(diào)諧電路。這種拓?fù)涫箍刂颇軌蚩缯麄€電壓輸出范圍，但要求更多的高額定MOSFET。電容22可以被去除以提供大體的阻性調(diào)諧。
[0037]因而，對于圖2的電路，將M0SFET15導(dǎo)通提供了與功率接收線圈8并聯(lián)的增加的調(diào)諧電容，而在圖3的電路中，將M0SFET23導(dǎo)通減小了調(diào)諧電容22的作用而增加了電阻。最好的拓?fù)鋵⑷Q于特定的應(yīng)用。
[0038]圖4示出圖2中所示的實(shí)施例的變體的一個實(shí)施例，添加了與MOSFET并聯(lián)的電感。如同圖2，功率接收器包括形成串聯(lián)諧振電路的功率接收線圈24和電容25。可調(diào)諧電路的輸出通過由二極管26和27形成的半橋整流器而連接至功率控制電路28，所述功率控制電路28將功率供應(yīng)至負(fù)載29。在這個實(shí)施例中，可調(diào)諧電路利用形式為M0SFET31的半導(dǎo)體器件與電感32并聯(lián)、電感32和M0SFET31的對與電容30串聯(lián)來調(diào)諧。M0SFET31通過功率控制電路28來驅(qū)動，以提供跨負(fù)載29的期望輸出電壓。在這個實(shí)施例中，將M0SFET31導(dǎo)通有效地增加了電容30的影響，并且減小了電感32的影響。
[0039]圖5示出利用形式為電容與電感串聯(lián)、電容和電感二者都與半導(dǎo)體器件并聯(lián)的可變阻抗的功率接收器。如同圖2，功率接收器包括形成串聯(lián)諧振電路的功率接收線圈33和電容34?？烧{(diào)諧電路的輸出通過由二極管35和36形成的半橋整流器而供應(yīng)至功率控制電路37，所述功率控制電路37將功率供應(yīng)至負(fù)載38。在這個實(shí)施例中，可調(diào)諧電路利用電容40與電感39串聯(lián)、電感39與形式為M0SFET41的半導(dǎo)體器件并聯(lián)來調(diào)諧。M0SFET41通過功率控制電路20來驅(qū)動，以提供跨負(fù)載38的期望輸出電壓。這種布置允許利用電容性和電感性部分的變化來調(diào)諧。這種拓?fù)涫箍刂颇軌蚩缯麄€電壓輸出范圍，但是需要更多的高額定 MOSFET。
[0040]圖6示出利用多個可變阻抗的功率接收器。如同圖2，功率接收器包括形成串聯(lián)諧振電路的功率接收線圈42和電容43?？烧{(diào)諧電路的輸出通過由二極管44和45形成的半橋整流器而供應(yīng)至功率控制電路46，所述功率控制電路46將功率供應(yīng)至負(fù)載47。在這個實(shí)施例中，可調(diào)諧電路通過多個可變阻抗48、49以及50來調(diào)諧?？勺冏杩?8的形式為圖2中所示的可變阻抗，包括電容51和M0SFET52。同樣地，可變阻抗49和50由電容53和55以及M0SFET54和56組成。
[0041]根據(jù)一個優(yōu)選實(shí)施例，M0SFET52可以通過功率控制電路46來驅(qū)動以采用線性模式來操作，而M0SFET56和54可以采用開關(guān)模式來驅(qū)動。盡管僅示出兩個開關(guān)阻抗49和50，但是從以下描述將理解的是，可以使用任何期望的數(shù)目。在一個優(yōu)選實(shí)施例中，使用η個開關(guān)可變阻抗，每個具有1/2η的值。以這種方式，可以通過開關(guān)可變阻抗49至50來接入電容的步進(jìn)值以用于粗調(diào)諧，同時可以通過以線性模式操作M0SFET52來實(shí)現(xiàn)細(xì)調(diào)諧。以開關(guān)模式來操作M0SFET54和56引起來自半導(dǎo)體器件的損耗減少。
[0042]圖7示出利用形式為電感與半導(dǎo)體器件串聯(lián)的可變阻抗的功率接收器。如同圖2，功率接收器包括形成串聯(lián)諧振電路的功率接收線圈79和電容80?？烧{(diào)諧電路的輸出通過由二極管81和82形成的半橋整流器而供應(yīng)至功率控制電路83，所述功率控制電路83將功率供應(yīng)至負(fù)載84。在這個實(shí)施例中，可調(diào)諧電路利用電感86與形式為M0SFET85的半導(dǎo)體器件串聯(lián)來調(diào)諧。M0SFET85通過功率控制電路83來驅(qū)動，以提供跨負(fù)載84的期望輸出電壓。
[0043]圖8示出利用形式為電感與半導(dǎo)體器件串聯(lián)、具有并聯(lián)電容的可變阻抗的功率接收器。如同圖2，功率接收器包括形成串聯(lián)調(diào)諧電路的功率接收線圈87和電容88。可調(diào)諧電路的輸出通過由二極管89和90形成的半橋整流器而供應(yīng)至功率控制電路91，所述功率控制電路91將功率供應(yīng)至負(fù)載92。在這個實(shí)施例中，可調(diào)諧電路利用電感93與形式為M0SFET94的半導(dǎo)體器件串聯(lián)、M0SFET94與電容95并聯(lián)來調(diào)諧。M0SFET94通過功率控制電路91來驅(qū)動，以提供跨負(fù)載92的期望輸出電壓。
[0044]在以上實(shí)施例中，可以將阻性元件添加至可變阻抗以用于控制所需的線性?？梢蕴砑有≈档碾娮枧c半導(dǎo)體器件串聯(lián)，以使得半導(dǎo)體器件較不急劇地隨著增加Vgs而導(dǎo)通?？勺冏杩沟腗OSFET也可以采用開關(guān)模式來操作并且獲得如上所述的好處，但是需要更復(fù)雜的感測和驅(qū)動電路?？勺冏杩沟碾娍共糠忠部梢杂枚O管來代替，二極管盡管簡單，但是會犧牲損耗以用于控制范圍。[0045]圖9是示出圖2中所示的拓?fù)涞目赡茈娐穼?shí)現(xiàn)方式的詳細(xì)電路圖。功率接收線圈57和電容58形成串聯(lián)諧振電路。可調(diào)諧電路的輸出通過由二極管59和69形成的半橋整流器而供應(yīng)至功率控制電路61，所述功率控制電路61將功率供應(yīng)至負(fù)載62。可調(diào)諧電路利用M0SFET75與電容74串聯(lián)形成的可變阻抗來調(diào)諧。功率控制電路61包括:輸出平滑電容63和齊納二極管64以及反饋控制電路。運(yùn)算放大器68通過由電阻76和電容77形成的低通濾波器而將驅(qū)動信號供應(yīng)至M0SFET75。電阻79減小了開關(guān)切換隨著增加Vgs的急劇性，并且二極管80提供保護(hù)。運(yùn)算放大器68的非反相端子通過電阻67從參考電壓源66 (諸如電壓調(diào)節(jié)器)接收參考電壓?？勺冸娮?5用作分壓器，所述分壓器將輸出電壓的期望部分供應(yīng)至運(yùn)算放大器68的反相端子?？勺冸娮?5可以被設(shè)定成產(chǎn)生跨負(fù)載62的期望輸出電壓。電容69、71以及72以及電阻70和73提供環(huán)路補(bǔ)償。因而，功率控制電路61提供電壓驅(qū)動信號至M0SFET75以采用線性模式來操作M0SFET75，從而調(diào)諧可調(diào)諧電路。將理解的是，可使用的功率控制電路的范圍廣，本實(shí)施例僅以非限制性的實(shí)例給出。
[0046]圖9中所示的電路示出形式為二極管78的額外特征，所述二極管78在開啟時將來自功率接收線圈57的瞬態(tài)功率直接供應(yīng)至功率控制器電路61的輸出。這限制了在去諧開關(guān)上呈現(xiàn)出的瞬態(tài)電壓，并且使需要的輸出電壓能夠更快速地建立。
[0047]以下給出所使用的部件的示例值:
[0048]
【權(quán)利要求】
1.一種感應(yīng)稱合功率傳輸接收器，包括: a.可調(diào)諧電路，所述可調(diào)諧電路包括與第一電容串聯(lián)的功率接收線圈，以及與所述功率接收線圈并聯(lián)連接的第一可變阻抗，其中，所述可變阻抗包括: 1.至少一個電抗元件；以及 ?.一個或更多個半導(dǎo)體器件，所述一個或更多個半導(dǎo)體器件用于控制所述可變阻抗的有效阻抗；以及 b.電源電路，所述電源電路通過控制所述一個或更多個半導(dǎo)體器件的操作來調(diào)節(jié)供應(yīng)至所述電源電路的輸出的功率。
2.如權(quán)利要求1所述的感應(yīng)耦合功率傳輸接收器，其中，所述一個或更多個半導(dǎo)體器件中的第一半導(dǎo)體器件以線性模式來操作。
3.如權(quán)利要求2所述的感應(yīng)耦合功率傳輸接收器，其中，所述可變阻抗包括與所述第一半導(dǎo)體器件串聯(lián)的第二電容。
4.如權(quán)利要求3所述的感應(yīng)耦合功率傳輸接收器，其中，所述第二電容比所述第一電容小。
5.如權(quán)利要求3所述的感應(yīng)耦合功率傳輸接收器，其中，所述可變阻抗包括與所述第一半導(dǎo)體器件并聯(lián)的電感。
6.如權(quán)利要求2所述的感應(yīng)耦合功率傳輸接收器，其中，所述可變阻抗包括與所述第一半導(dǎo)體器件并聯(lián)的第二電容。
7.如權(quán)利要求2所述的感應(yīng)耦合功率傳輸接收器，其中，所述可變阻抗包括與所述第一半導(dǎo)體器件并聯(lián)的電容和電感。
8.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的感應(yīng)耦合功率傳輸接收器，包括一個或更多個輔助可變阻抗。
9.如權(quán)利要求8所述的感應(yīng)耦合功率傳輸接收器，其中，所述輔助可變阻抗中的一個包括由所述電源電路來控制的半導(dǎo)體開關(guān)。
10.如權(quán)利要求9所述的感應(yīng)耦合功率傳輸接收器，其中，所述半導(dǎo)體開關(guān)以開關(guān)模式來操作。
11.如權(quán)利要求8所述的感應(yīng)耦合功率傳輸接收器，包括多個輔助可變阻抗。
12.如權(quán)利要求11所述的感應(yīng)耦合功率傳輸接收器，其中，每個輔助可變阻抗包括以開關(guān)模式來操作的半導(dǎo)體開關(guān)。
13.如權(quán)利要求12所述的感應(yīng)耦合功率傳輸接收器，其中，所述多個輔助可變阻抗包括具有不同值的電容。
14.如權(quán)利要求12所述的感應(yīng)耦合功率傳輸接收器，其中，所述多個輔助可變阻抗包括具有l(wèi)/2n的逐步變小的幅值的電容，其中，η是輔助可變阻抗的數(shù)目。
15.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的感應(yīng)耦合功率傳輸接收器，其中，所述電源電路包括倍壓器電路。
16.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的感應(yīng)耦合功率傳輸接收器，其中，所述電源電路包括半橋整流器。
17.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的感應(yīng)耦合功率傳輸接收器，其中，所述電源電路包括功率控制電路，所述功率控制電路基于由所述電源電路產(chǎn)生的輸出電壓而將控制信號提供至所述第一可變阻抗。
18.如權(quán)利要求17所述的感應(yīng)耦合功率傳輸接收器，其中，所述功率控制電路包括反饋電路，所述反饋電路基于所述電源電路的輸出來控制所述可變阻抗。
19.如權(quán)利要求18所述的感應(yīng)耦合功率傳輸接收器，其中，所述功率控制電路包括環(huán)路補(bǔ)償電路。
20.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的感應(yīng)耦合功率傳輸接收器，包括旁路二極管，所述旁路二極管在開啟時將來自所述接收線圈的能量直接供應(yīng)至所述電源電路的輸出。
21.—種與電子設(shè)備一起使用的系統(tǒng),包括: a.功率發(fā)射器，所述功率發(fā)射器包括驅(qū)動電路，所述驅(qū)動電路激勵傳輸線圈，所述傳輸線圈產(chǎn)生交變磁場；以及 b.如權(quán)利要求1至20中任一項(xiàng)所述的功率接收器，其中，所述功率接收器經(jīng)由能量儲存設(shè)備與電子設(shè)備連接或者`與電子設(shè)備直接連接。
【文檔編號】H02M7/217GK103733488SQ201280033281
【公開日】2014年4月16日 申請日期:2012年7月6日 優(yōu)先權(quán)日:2011年7月7日
【發(fā)明者】丹尼爾·羅伯森, 庫納爾·巴格瓦, 帕特里克·愛國·胡 申請人:鮑爾拜普羅克西有限公司