專(zhuān)利名稱(chēng)：超級(jí)電容的充電裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于電器技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種超級(jí)電容的充電裝置。
背景技術(shù)：
超級(jí)電容也叫做電化學(xué)電容器，具 有性能穩(wěn)定、使用壽命長(zhǎng)等特點(diǎn)，近年來(lái)在電動(dòng)汽車(chē)、太陽(yáng)能發(fā)電、重型機(jī)械等領(lǐng)域表現(xiàn)出前有未有的發(fā)展趨勢(shì)，很多發(fā)達(dá)國(guó)家都已把關(guān)于超級(jí)電容的項(xiàng)目作為國(guó)家重點(diǎn)科研方向，超級(jí)電容在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)上也呈現(xiàn)出蓬勃發(fā)展的景象。

發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，本發(fā)明提供一種超級(jí)電容充電裝置。本發(fā)明的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的該超級(jí)電容充電裝置包括微處理器、直流電源、IGBT、限流電阻和超級(jí)電容，微處理器與IGBT相連接，IGBT與直流電源和限流電阻相連接，直流電源和超級(jí)電容相連接，超級(jí)電容和限流電阻相連接。裝置工作時(shí)，微處理器發(fā)出控制信號(hào)，IGBT導(dǎo)通，直流電源開(kāi)始對(duì)超級(jí)電容充電，充電回路串聯(lián)限流電阻是減小大電流對(duì)超級(jí)電容的沖擊。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)該超級(jí)電容充電裝置結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、操作安全、裝置穩(wěn)定性強(qiáng)。


圖I為本發(fā)明超級(jí)電容充電裝置結(jié)構(gòu)圖。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明的詳細(xì)結(jié)構(gòu)結(jié)合實(shí)施例加以說(shuō)明。該超級(jí)電容充電裝置結(jié)構(gòu)如圖I所示，IGBT型號(hào)選取1MBI200L-120、微控制器選取型號(hào)為PIC16F877A，限流電阻選擇RXG20-F型線繞電阻。該超級(jí)電容充電裝置由微處理器(PIC16F877A)、直流電源、IGBT(1MBI200L-120)、限流電阻(RXG20-F型線繞電阻)和超級(jí)電容組成，微處理器PIC16F877A與IGBT相連接，IGBT1MBI200L-120與直流電源和限流電阻相連接，直流電源和超級(jí)電容相連接，超級(jí)電容和限流電阻相連接。裝置工作時(shí)，微處理器PIC16F877A發(fā)出控制信號(hào)，IGBT 1MBI200L-120導(dǎo)通，直流電源開(kāi)始對(duì)超級(jí)電容充電，充電回路串聯(lián)限流電阻是減小大電流對(duì)超級(jí)電容的沖擊。
權(quán)利要求
1.一 種超級(jí)電容的充電裝置，其特征在于該超級(jí)電容充電裝置包括微處理器、直流電源、IGBT、限流電阻和超級(jí)電容，微處理器與IGBT相連接，IGBT與直流電源和限流電阻相連接，直流電源和超級(jí)電容相連接，超級(jí)電容和限流電阻相連接。
全文摘要
一種超級(jí)電容的充電裝置，屬于電器技術(shù)領(lǐng)域。該超級(jí)電容充電裝置包括微處理器、直流電源、IGBT、限流電阻和超級(jí)電容，微處理器與IGBT相連接，IGBT與直流電源和限流電阻相連接，直流電源和超級(jí)電容相連接，超級(jí)電容和限流電阻相連接。裝置工作時(shí)，微處理器發(fā)出控制信號(hào)，IGBT導(dǎo)通，直流電源開(kāi)始對(duì)超級(jí)電容充電，充電回路串聯(lián)限流電阻是減小大電流對(duì)超級(jí)電容的沖擊。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)該超級(jí)電容充電裝置結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、操作安全、裝置穩(wěn)定性強(qiáng)。
文檔編號(hào)H02J7/00GK102904320SQ20121043915
公開(kāi)日2013年1月30日 申請(qǐng)日期2012年11月7日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月7日
發(fā)明者李翠, 封仕燕, 王磊 申請(qǐng)人:沈陽(yáng)創(chuàng)達(dá)技術(shù)交易市場(chǎng)有限公司