用于gps射頻芯片的ldo電源電路的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種用于GPS射頻芯片的LDO電源電路，包括MIC29302WUTRU501芯片，MIC29302WUTRU501芯片包括有SINK、ENABLE、IN、GND、OUT和ADJ六個(gè)引腳，SINK和GND引腳分別接地，ENABLE和IN引腳連接輸入電壓VCC，ADJ引腳通過電阻R509與電池正極BATT+連接，所述ADJ引腳還連接有接地的電阻R508，所述電阻R509和電池正極BATT+之間還連接有接地的電容C508和電容器C507，OUT引腳與電容C508連接。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于：本發(fā)明的這種LDO電源電路，具有抗干擾能力強(qiáng)，使用電壓范圍大和輸出電壓穩(wěn)定性好的特點(diǎn)。
【專利說明】用于GPS射頻芯片的LDO電源電路
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種降壓電路，具體是指一種用于GPS射頻芯片的LDO電源電路。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著技術(shù)發(fā)展，GPS的種類和功能也越來也多，而不同功能所需的電源也層出不窮，比如有的功能芯片需要1.8V的電壓，有的功能芯片需要3.3V的電壓，因而會經(jīng)常用LDO(LD0,即low dropout regulator,低壓差線性穩(wěn)壓器)降壓電路來實(shí)現(xiàn)電池電壓到所需的電壓的轉(zhuǎn)換。
[0003]LDO降壓電路不僅電路硬件成本低，而且調(diào)試便捷，性能穩(wěn)定，但是，現(xiàn)如今大多的LDO降壓電路抗干擾能力較差，且不能用于較高的電壓環(huán)境，使用受到了限制。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明所要解決的問題是提供一種用于GPS射頻芯片的LDO電源電路，用于解決以往LDO電源電路抗干擾能力差、不能用于較高電壓的問題。
[0005]本發(fā)明提供的技術(shù)方案是:用于GPS射頻芯片的LDO電源電路，包括MIC29302WUTRU501 芯片，MIC29302WUTRU501 芯片包括有 SINK、ENABLE、IN、GND、OUT 和 ADJ六個(gè)引腳，SINK和GND引腳分別接地，ENABLE和IN引腳連接輸入電壓VCC，ADJ引腳通過電阻R509與電池正極BATT+連接，所述ADJ引腳還連接有接地的電阻R508，所述電阻R509和電池正極BATT+之間還連接有接地的電容C508和電容器C507，OUT引腳與電容C508連接。
[0006]所述電阻R508采用43K歐姆的電阻。電阻R508的作用是一個(gè)假想的負(fù)載，用于調(diào)節(jié)電流，穩(wěn)定電壓，用于保護(hù)電路和內(nèi)部元器件不被破壞。。
[0007]所述電阻R509采用100K歐姆的電阻。電阻R509的作用同樣是一個(gè)假想的負(fù)載，用于調(diào)節(jié)電流，穩(wěn)定電壓，用于保護(hù)電路和內(nèi)部元器件不被破壞。。
[0008]所述電容C508采用電容值為IOOnF的電容。電容C508用于濾除高頻及脈沖干擾。
[0009]所述電容器C507采用電容值為2.2mF的電容。電容器C507的作用主要是利用其充放電特性，使整流后的脈動直流電壓變成相對穩(wěn)定的直流電壓，起到一個(gè)穩(wěn)壓的作用。
[0010]本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于:本發(fā)明的這種用于GPS射頻芯片的LDO電源電路，具有抗干擾能力強(qiáng)，使用電壓范圍大和輸出電壓穩(wěn)定性好的特點(diǎn)。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0011]圖1為本發(fā)明的電路原理圖。
【具體實(shí)施方式】
[0012]實(shí)施例1
參見圖1，用于GPS射頻芯片的LDO電源電路，包括MIC29302WUTRU501芯片，MIC29302WUTRU501 芯片包括有 SINK、ENABLE、IN、GND、OUT 和 ADJ 六個(gè)引腳，SINK 和 GND引腳分別接地，ENABLE和IN引腳連接輸入電壓VCC，ADJ引腳通過電阻R509與電池正極BATT+連接，所述ADJ引腳還連接有接地的電阻R508，所述電阻R509和電池正極BATT+之間還連接有接地的電容C508和電容器C507，OUT引腳與電容C508連接。
[0013]上述電阻R508采用43K歐姆的電阻。
[0014]上述電阻R509采用100K歐姆的電阻。
[0015]上述電容C508采用電容值為IOOnF的電容。
[0016]上述電容器C507采用電容值為2.2mF的電容。
[0017]在使用過程中，通過電阻R508和電阻R509對電流的調(diào)整，將輸出到BATT+的電壓穩(wěn)定在一定值內(nèi)，減少了電壓的波動，電壓穩(wěn)定性提高，同時(shí)，其對電路的電流進(jìn)行控制，能夠適應(yīng)較高電壓的作用，使得電路和電路上的元器件不會被高電壓燒壞，極好的保護(hù)了電路和元器件。
[0018]同時(shí)，電容C508能夠?qū)㈦娐泛屯獠慨a(chǎn)生的干擾信號進(jìn)行濾除，保證了整個(gè)電路的穩(wěn)定性使用，抗干擾能力大大提高。
[0019]而電容C507則利用其充放電特性，使整流后的脈動直流電壓變成相對穩(wěn)定的直流電壓，使其穩(wěn)定在一個(gè)固定的電壓值，起到一個(gè)穩(wěn)壓的作用。
[0020]如上所述即可很好的實(shí)現(xiàn)本發(fā)明。
【權(quán)利要求】
1.用于GPS射頻芯片的LDO電源電路，其特征在于:包括MIC29302WUTRU501芯片，MIC29302WUTRU501 芯片包括有 SINK、ENABLE、IN、GND、OUT 和 ADJ 六個(gè)引腳，SINK 和 GND 弓丨腳分別接地，ENABLE和IN引腳連接輸入電壓VCC，ADJ弓丨腳通過電阻R509與電池正極BATT+連接，所述ADJ引腳還連接有接地的電阻R508，所述電阻R509和電池正極BATT+之間還連接有接地的電容C508和電容器C507，OUT引腳與電容C508連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于GPS射頻芯片的LDO電源電路，其特征在于:所述電阻R508采用43K歐姆的電阻。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于GPS射頻芯片的LDO電源電路，其特征在于:所述電阻R509采用100K歐姆的電阻。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于GPS射頻芯片的LDO電源電路，其特征在于:所述電容C508采用電容值為IOOnF的電容。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于GPS射頻芯片的LDO電源電路，其特征在于:所述電容器C507采用電容值為2.2mF的電容。
【文檔編號】H02M3/06GK103731025SQ201210388031
【公開日】2014年4月16日 申請日期:2012年10月15日 優(yōu)先權(quán)日:2012年10月15日
【發(fā)明者】陳曉琦 申請人:成都眾易通科技有限公司