專利名稱：一種功率開關(guān)管保護(hù)電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型特別涉及集成電路領(lǐng)域的一種功率開關(guān)管保護(hù)電路。
背景技術(shù)：
目前電源管理類特別是功率因數(shù)校正類集成電路的應(yīng)用十分廣泛，在該類應(yīng)用中許多場合都需要功率開關(guān)管。在一些情況下，如果出現(xiàn)功率開關(guān)管長時(shí)間連續(xù)導(dǎo)通就會(huì)出現(xiàn)功率開關(guān)管發(fā)熱嚴(yán)重，甚至燒壞功率開關(guān)管及整個(gè)系統(tǒng)，在部分用到有源功率因數(shù)校正場合中，嚴(yán)重的會(huì)出現(xiàn)功率開關(guān)管及保險(xiǎn)絲等器件爆炸等極端情況，危害很大。一般該類集成電路會(huì)有保護(hù)電路來避免該類情況發(fā)生，但它們往往是只是集成電路芯片的電源端 達(dá)到正常電壓后才起作用，而在上電期間，特別是芯片電源電壓較低的情況下，在功率開關(guān)管的控制端可能會(huì)出現(xiàn)不定電壓態(tài)，不是非常安全。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于提出一種可靠性更佳，安全裕度更高的功率開關(guān)管保護(hù)電路。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提出如下技術(shù)方案一種功率開關(guān)管保護(hù)電路，包括芯片電源檢測單元、功率開關(guān)管、其他功能電路以及一功率開關(guān)控制單元，所述功率開關(guān)控制單元與芯片電源檢測單元和功率開關(guān)管連接。優(yōu)選的，所述功率開關(guān)管包括第三NMOS管和第三電阻；第三匪OS管柵極經(jīng)第三電阻與Gl端連接。優(yōu)選的，所述功率開關(guān)控制單元包括第一 NMOS管、第二 NMOS管、第一 NPN晶體管、第二 NPN晶體管、第一 PNP晶體管、第一電阻和第二電阻；第一 NMOS管的柵極和第二 NMOS管的柵極連接后與芯片電源檢測單元連接，第一 NMOS管的源極和第二 NMOS管的源極均接地，第一 NMOS管的漏極和第一 NPN晶體管的基極連接，第一 NPN晶體管的發(fā)射機(jī)接地，第一NPN晶體管的集電極和第一 PNP晶體管的基極連接，第一 PNP晶體管的集電極和第二 NMOS管的漏極連接后與第二 NPN晶體管的基極連接，第二 NPN晶體管的發(fā)射極接地，第一 NMOS管的漏極經(jīng)第一電阻和第一 NPN晶體管的集電極經(jīng)第二電阻連接后與第一 PNP晶體管的發(fā)射極、第二 NPN晶體管的集電極、其他功能電路和Gl端連接。本實(shí)用新型的工作原理為當(dāng)電源電壓達(dá)到芯片能正常工作電壓時(shí)，使功率開關(guān)管控制單元關(guān)閉，讓其對(duì)功率開關(guān)管不產(chǎn)生作用，不影響正常工作；當(dāng)電源電壓未達(dá)到芯片能正常工作電壓時(shí)，使功率開關(guān)管控制單元打開，讓功率開關(guān)管更可靠的關(guān)閉。本實(shí)用新型的有益效果在于可靠性更佳，安全裕度更高。

圖I是實(shí)施列I中功率開關(guān)管保護(hù)電路的結(jié)構(gòu)框圖；圖2是實(shí)施列I中功率開關(guān)管保護(hù)電路的電路圖。
具體實(shí)施方式
實(shí)施例I如圖1-2所示Ul為本實(shí)用新型所屬的集成電路芯片，其它電路為芯片的其它功能電路，UVLO單元為芯片電源檢測單元，第三NMOS管為功率開關(guān)管。第三NMOS管的柵極經(jīng)第三電阻與Gl端連接，第一 NMOS管的柵極和第二 NMOS管的柵極連接后與芯片電源檢測單元連接，第一 NMOS管的源極接地，第二 NMOS管的源極接地，第一 NMOS管的漏極和第一 NPN晶體管的基極連接，第一 NPN晶體管的發(fā)射機(jī)接地，第一 NPN晶體管的集電極和第一PNP晶體管的基極連接，第一 PNP晶體管的集電極和第二 NMOS管的漏極連接后與第二 NPN晶體管的基極連接，第二 NPN晶體管的發(fā)射極接地，第一 NMOS管的漏極經(jīng)第一電阻和第一NPN晶體管的集電極經(jīng)第二電阻連接后與第一PNP晶體管的發(fā)射極、第二NPN晶體管的集電極、其他功能電路和Gl端連接。當(dāng)電源電壓達(dá)到芯片能正常工作電壓時(shí)，使功率開關(guān)管控制單元關(guān)閉，讓其對(duì)功率開關(guān)管不產(chǎn)生作用，不影響正常工作；當(dāng)電源電壓未達(dá)到芯片能正常工作電壓時(shí)，使功率開關(guān)管控制單元打開，讓功率開關(guān)管更可靠的關(guān)閉。本實(shí)用新型的技術(shù)內(nèi)容及技術(shù)特征已揭示如上，然而熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員仍可能基于本實(shí)用新型的教示及揭示而作種種不背離本實(shí)用新型精神的替換及修飾，因此，本實(shí)用新型保護(hù)范圍應(yīng)不限于實(shí)施例所揭示的內(nèi)容，而應(yīng)包括各種不背離本實(shí)用新型的替換及修飾，并為本專利申請(qǐng)權(quán)利要求所涵蓋。
權(quán)利要求1.一種功率開關(guān)管保護(hù)電路，包括芯片電源檢測單元、功率開關(guān)管和配合功能電路，其特征在于它還包括功率開關(guān)控制單元，所述功率開關(guān)控制單元與芯片電源檢測單元和功率開關(guān)管連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述功率開關(guān)管保護(hù)電路，其特征在于所述功率開關(guān)管包括第三NMOS管和第三電阻；第三NMOS管的柵極經(jīng)第三電阻與Gl端連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述功率開關(guān)管保護(hù)電路，其特征在于所述功率開關(guān)控制單元包括第一 NMOS管、第二 NMOS管、第一 NPN晶體管、第二 NPN晶體管、第一 PNP晶體管、第一電阻和第二電阻；第一 NMOS管的柵極和第二 NMOS管的柵極連接后與芯片電源檢測單元連接，第一 NMOS管和第二 NMOS管的源極均接地，第一 NMOS管的漏極和第一 NPN晶體管的基極連接，第一 NPN晶體管的發(fā)射極接地，第一 NPN晶體管的集電極和第一 PNP晶體管的基極連接，第一 PNP晶體管的集電極和第二 NMOS管的漏極連接后與第二 NPN晶體管的基極連接，第二 NPN晶體管的發(fā)射極接地，第一 NMOS管的漏極經(jīng)第一電阻和第一 NPN晶體管的集電極經(jīng)第二電阻連接后與第一 PNP晶體管的發(fā)射極、第二 NPN晶體管的集電極、其他功能電路和Gl端連接。
專利摘要本實(shí)用新型提供了一種功率開關(guān)管保護(hù)電路，它包括芯片電源檢測單元、功率開關(guān)管、配合功能電路和功率開關(guān)控制單元，所述功率開關(guān)控制單元與芯片電源檢測單元和功率開關(guān)管連接。藉由本實(shí)用新型，可在電源電壓達(dá)到芯片能正常工作電壓時(shí)，使功率開關(guān)管控制單元關(guān)閉，讓其對(duì)功率開關(guān)管不產(chǎn)生作用，不影響正常工作；而在電源電壓未達(dá)到芯片能正常工作電壓時(shí)，使功率開關(guān)管控制單元打開，讓功率開關(guān)管更可靠的關(guān)閉。本實(shí)用新型可靠性更佳，安全裕度更高。
文檔編號(hào)H02M1/08GK202475234SQ20112055677
公開日2012年10月3日 申請(qǐng)日期2011年12月28日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月28日
發(fā)明者徐君怡, 江石根 申請(qǐng)人:蘇州華芯微電子股份有限公司