專利名稱：一種雙管并聯(lián)pfc電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及電源領(lǐng)域，特別是一種雙管并聯(lián)PFC電路。
背景技術(shù)：
目前，電視機(jī)使用的大功率PFC(Power Factor Control，功率因數(shù)控制)電路中， 單MOSFET的PFC升壓驅(qū)動功率有限，無法滿足大功率的需求，這就需要用雙MOSFET來驅(qū)動，提高輸出功率。如圖1所示，是現(xiàn)有技術(shù)雙MOS管驅(qū)動的PFC電路圖。該P(yáng)FC電路包括電源端Vcc， PNP三極管Ql，，NPN三極管Q2，以及兩個MOS管Wl和W2。NPN三極管Q2，的集電極連接至電源端Vcc，基極連接至外部芯片的控制引腳，接收外部芯片的控制信號，發(fā)射極分別連接PNP三極管Ql，的發(fā)射極以及MOS管Wl和W2的G極；PNP三極管Ql，的基極與NPN三極管Q2’的基極連接至同一外部控制芯片的控制引腳，從而與NPN三極管Q2’同時接收相同的控制信號，PNP三極管Q1’的集電極接地。這樣，PNP三極管Ql’，NPN三極管Q2’在外部芯片控制下處于交替導(dǎo)通狀態(tài)，從而輸出驅(qū)動方波至MOS管Wl和W2，驅(qū)動兩個MOS管同時處于導(dǎo)通和截止?fàn)顟B(tài)。在利用上述雙MOS管驅(qū)動的PFC電路做短路故障實(shí)驗(yàn)時，將MOS管Wl或MOS管W2 中的G極與S極短接，使單顆MOS管失去驅(qū)動能力，而另一個MOS管仍正常工作，該P(yáng)FC電路則由一顆MOS管提供整個電路所需功率，這就導(dǎo)致工作的單顆MOS管溫度過高，容易燒毀整個電路，無法滿足安規(guī)要求。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于提供一種雙管并聯(lián)PFC電路，旨在解決現(xiàn)有技術(shù)中單顆 MOS管工作時，溫度過高，容易燒毀整個電路的問題。本發(fā)明是這樣實(shí)現(xiàn)的，一種雙管并聯(lián)PFC電路，該電路包括控制芯片，第一開關(guān)管，第二開關(guān)管，第一 NMOS管，第二 NMOS管以及反向并聯(lián)的兩個二極管，第一開關(guān)管和第二開關(guān)管與控制芯片相連，在控制芯片控制下輸出方波信號至第一 NMOS管和第二 NMOS管的柵極；第一 NMOS管和第二 NMOS管的柵極通過反向并聯(lián)的兩個二極管相連；第一 NMOS管和第二 NMOS管的源極接地；第一 NMOS管和第二 NMOS管的漏極作為電路輸出端。該反向并聯(lián)的兩個二極管包括第一二極管和第二二極管，第一二極管負(fù)極連接至第二二極管正極；第一二極管正極連接至第二二極管負(fù)極。該電路還包括第三電阻，該第一 NMOS管和第二 NMOS管的源極通過該第三電阻接地。該電路中，第一開關(guān)管是PNP三極管，該第二開關(guān)管是NPN三極管。該P(yáng)FC電路還包括電源端，該控制芯片包括輸出控制信號的控制引腳，該控制引腳連接至該P(yáng)NP三極管和該NPN三極管的基極；該NPN三極管的集電極連接至電源端，其發(fā)射極與該P(yáng)NP三極管的發(fā)射極相連；該P(yáng)NP三極管的集電極接地。[0011]該電路還包括第一電阻和第二電阻，該NPN三極管的集電極通過第一電阻連接至電源端；該控制引腳通過該第二電阻連接至該P(yáng)NP三極管和該NPN三極管的基極。該電路還包括第六電阻，第七電阻以及第三二極管，該第一 NMOS管的柵極經(jīng)依次串聯(lián)的第七電阻和第六電阻連接至該P(yáng)NP三極管和該NPN三極管的發(fā)射極，該第七電阻與該第三二極管并聯(lián)，該第三二極管正極與該第一 NMOS管柵極相連。該電路還包括第四電阻，第五電阻以及第四二極管，該第二 NMOS管的柵極經(jīng)依次串聯(lián)的第五電阻和第四電阻連接至該P(yáng)NP三極管和該NPN三極管的發(fā)射極；該第五電阻與該第四二極管并聯(lián)，該第四二極管正極與該第二 NMOS管柵極相連。在短路第一 NMOS管的柵極和源極時或短路第二 NMOS管的柵極和源極時，另一 NMOS管通過第一二極管Dl和第四二極管D2的鉗位，一直導(dǎo)通而無法正常工作，避免了單管工作溫度過高易燒毀電路的問題。

圖1是現(xiàn)有技術(shù)雙MOS管驅(qū)動的PFC電路圖；圖2是本實(shí)用新型雙管并聯(lián)PFC電路的電路圖。
具體實(shí)施方式
為了使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，
以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅用以解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。如圖2所示，是本實(shí)用新型雙管并聯(lián)PFC電路的電路圖。該電路包括電源端PFC_ Vcc，控制芯片U1，第一電阻R5，第二電阻R6，第三電阻R10，第四電阻R8，第五電阻R9，第六電阻R11，第七電阻R12，第一三極管Q1，第二三極管Q2，第一二極管D1，第二二極管D2，第三二極管D3和第四二極管D4，第一 NMOS管QWl，第二 NMOS管QW2 ；其中，該第一三極管Ql
是PNP三極管；第二三極管Q2是NPN三極管。控制芯片Ul包括一控制引腳DRV，該控制引腳DRV通過該第二電阻R6連接至該第一三極管Ql和第二三極管Q2的基極，向該第一三極管Ql和第二三極管Q2輸出控制信號； 第二三極管Q2的集電極通過該第一電阻R5連接至電源端PFC_Vcc，其發(fā)射極與該第一三極管Ql的發(fā)射極相連；該第一三極管Ql的集電極接地。該第一 NMOS管QWl的柵極經(jīng)依次串聯(lián)的第七電阻R12和第六電阻Rll連接至第二三極管Q2和該第一三極管Ql的發(fā)射極；其中，該第七電阻R12與該第三二極管D3并聯(lián)， 該第三二極管D3正極與該第一 NMOS管QWl柵極相連；該第一 NMOS管QWl的源極經(jīng)第三電阻RlO接地，漏極作為輸出端。該第二NMOS管QW2的柵極經(jīng)依次串聯(lián)的第五電阻R9和第四電阻R8連接至第二三極管Q2和該第一三極管Ql的發(fā)射極；其中，該第五電阻R9與該第四二極管D4并聯(lián)，該第四二極管D4正極與該第二 NMOS管QW2柵極相連；該第二 NMOS管QW2的源極經(jīng)第三電阻 RlO接地，漏極作為輸出端。該第一二極管Dl和第二二極管D2反向并聯(lián)連接，即該第一二極管Dl正極和第二二極管D2負(fù)極相連，該第一二極管Dl負(fù)極和第二二極管D2正極相連。[0023]該第一 NMOS管QWl的柵極和該第二 NMOS管QW2的柵極通過反向并聯(lián)的第一二極管Dl和第二二極管D2相連。當(dāng)控制芯片Ul通過控制引腳DRV輸出高電平控制信號至該第一三極管Ql和該第二三極管Q2時，第二三極管Q2導(dǎo)通，而第一三極管Ql截止，電源端PFC-Vcc通過該第二三極管Q2輸出高電平至該第一 NMOS管QWl的柵極和該第二 NMOS管QW2的柵極；當(dāng)控制芯片 Ul通過控制引腳DRV輸出低電平控制信號至第二三極管Q2和該第一三極管Ql時，第二三極管Q2截止，而第一三極管Ql導(dǎo)通，第二三極管Q2和該第一三極管Ql的發(fā)射極輸出低電平至該第一 NMOS管QWl的柵極和該第二 NMOS管QW2的柵極。這樣，第二三極管Q2和該第一三極管Ql在控制芯片Ul控制下輸出方波至第一 NMOS管QWl的柵極和該第二 NMOS管 QW2的柵極。高電平情況下，第一 NMOS管QWl和該第二 NMOS管QW2截至；低電平情況下， 第一 NMOS管QWl和該第二 NMOS管QW2導(dǎo)通，從而完成功率因數(shù)控制。在做短路故障實(shí)驗(yàn)時，短路第一 NMOS管QWl的柵極和源極，第二 NMOS管QW2雖然由控制芯片通過控制引腳DRV輸出控制進(jìn)行驅(qū)動，但是通過第一二極管Dl和第二二極管D2 的鉗位，使第二 NMOS管QW2的柵極電壓低于0. 6V，由此，第二 NMOS管QW2 —直處于導(dǎo)通狀態(tài)，從而失去驅(qū)動能力，無法正常工作。這樣，避免了第一 NMOS管QWl或第二 NMOS管QW2 中的一顆在柵極和源極短路時，另一 NMOS管單獨(dú)工作而使溫度過高容易燒毀電路的問題， 保證了整個電路的安全性。此外，該雙管并聯(lián)PFC電路中，第一三極管Ql不僅限于采用PNP三極管，第二三極管不限于采用NPN三極管，采用其他開關(guān)元件，只要在能在外部芯片控制下輸出方波即可， 例如利用NMOS管代替第一三極管Q1，利用PMOS管代替第二三極管Q2，可以達(dá)到同樣的目的。以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種雙管并聯(lián)PFC電路，其特征在于，該電路包括控制芯片，第一開關(guān)管，第二開關(guān)管，第一 NMOS管，第二 NMOS管以及反向并聯(lián)的兩個二極管，第一開關(guān)管和第二開關(guān)管與控制芯片相連，在控制芯片控制下輸出方波信號至第一 NMOS管和第二 NMOS管的柵極；第一 NMOS管和第二NMOS管的柵極通過反向并聯(lián)的兩個二極管相連；第一NMOS管和第二NMOS管的源極接地；第一 NMOS管和第二 NMOS管的漏極作為電路輸出端。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙管并聯(lián)PFC電路，其特征在于，反向并聯(lián)的兩個二極管包括第一二極管和第二二極管，第一二極管負(fù)極連接至第二二極管正極；第一二極管正極連接至第二二極管負(fù)極。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙管并聯(lián)PFC電路，其特征在于，該電路包括第三電阻，該第一 NMOS管和第二 NMOS管的源極通過該第三電阻接地。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙管并聯(lián)PFC電路，其特征在于，該第一開關(guān)管是PNP三極管，該第二開關(guān)管是NPN三極管。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的雙管并聯(lián)PFC電路，其特征在于，該P(yáng)FC電路還包括電源端， 該控制芯片包括輸出控制信號的控制引腳，該控制引腳連接至該P(yáng)NP三極管和該NPN三極管的基極；該NPN三極管的集電極連接至電源端，其發(fā)射極與該P(yáng)NP三極管的發(fā)射極相連； 該P(yáng)NP三極管的集電極接地。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的雙管并聯(lián)PFC電路，其特征在于，該電路包括第一電阻和第二電阻，該NPN三極管的集電極通過第一電阻連接至電源端；該控制引腳通過該第二電阻連接至該P(yáng)NP三極管和該NPN三極管的基極。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的雙管并聯(lián)PFC電路，其特征在于，該電路包括第六電阻，第七電阻以及第三二極管，該第一 NMOS管的柵極經(jīng)依次串聯(lián)的第七電阻和第六電阻連接至該 PNP三極管和該NPN三極管的發(fā)射極，該第七電阻與該第三二極管并聯(lián)，該第三二極管正極與該第一 NMOS管柵極相連。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的雙管并聯(lián)PFC電路，其特征在于，該電路包括第四電阻，第五電阻以及第四二極管，該第二 NMOS管的柵極經(jīng)依次串聯(lián)的第五電阻和第四電阻連接至該 PNP三極管和該NPN三極管的發(fā)射極；該第五電阻與該第四二極管并聯(lián)，該第四二極管正極與該第二 NMOS管柵極相連。
專利摘要本實(shí)用新型涉及電源領(lǐng)域，特別是一種雙管并聯(lián)PFC電路。該雙管并聯(lián)PFC電路包括控制芯片，第一開關(guān)管，第二開關(guān)管，第一NMOS管，第二NMOS管以及反向并聯(lián)的兩個二極管，第一開關(guān)管和第二開關(guān)管與控制芯片相連，在控制芯片控制下輸出方波信號至第一NMOS管和第二NMOS管的柵極；第一NMOS管和第二NMOS管的柵極通過反向并聯(lián)的兩個二極管相連；第一NMOS管和第二NMOS管的源極接地；第一NMOS管和第二NMOS管的漏極作為電路輸出端。在短路第一NMOS管的柵極和源極時或短路第二NMOS管的柵極和源極時，另一NMOS管由于反向并聯(lián)的兩個二極管鉗位，一直導(dǎo)通而無法正常工作，解決了單管工作溫度過高的問題。
文檔編號H02M1/42GK202034899SQ20112005963
公開日2011年11月9日 申請日期2011年3月9日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月9日
發(fā)明者楊勇, 王堅(jiān), 陳明敏 申請人:深圳Tcl新技術(shù)有限公司