專(zhuān)利名稱(chēng)：一種具有可恢復(fù)過(guò)流保護(hù)功能的浪涌電流抑制電路模塊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種具有可恢復(fù)過(guò)流保護(hù)功能的浪涌電流抑制電路模塊，適用于衛(wèi)星及其他需要實(shí)現(xiàn)浪涌電流抑制和可恢復(fù)輸入過(guò)流保護(hù)功能的電路。
背景技術(shù)：
APS星敏感器是衛(wèi)星控制系統(tǒng)中的重要姿態(tài)測(cè)量部件，APS星敏感器的電源輸入為一次電源，其內(nèi)部所使用的各種二次電源均由安裝在星敏感器內(nèi)部的二次電源模塊提供。二次電源模塊要為星敏感器的探頭電路、數(shù)據(jù)處理電路、致冷器控制電路提供所需的二次電源。由于衛(wèi)星母線供電功率有限，且所用到電子線路的正負(fù)線之間有大容量的電容存在，如不采取措施，在某一單機(jī)開(kāi)機(jī)的瞬間電容瞬時(shí)短路，將引起非常大的浪涌電流和啟動(dòng)浪涌電流，會(huì)造成衛(wèi)星一次母線電壓瞬時(shí)劇烈波動(dòng)，從而影響其他單機(jī)的正常工作。另外， 若某一單機(jī)發(fā)生短路故障時(shí)，須采取措施將該單機(jī)從一次母線上分離出去，以保護(hù)一次母線。為此各衛(wèi)星平臺(tái)的建造規(guī)范均提出，在二次電源的輸入端需設(shè)計(jì)浪涌抑制電路和輸入過(guò)流保護(hù)電路，并且在可預(yù)見(jiàn)的未來(lái)，啟動(dòng)浪涌電流也將要求被抑制。目前，已有的二次電源浪涌電流抑制電路只能在開(kāi)機(jī)瞬間進(jìn)行自身浪涌電流抑制，不能對(duì)負(fù)載啟動(dòng)時(shí)的啟動(dòng)浪涌電流進(jìn)行抑制，也不能在正常工作時(shí)進(jìn)行多次浪涌電流抑制。輸入過(guò)流保護(hù)電路均采用熔斷器并聯(lián)的方法，由于熔斷器為熱熔元件，因此在電裝時(shí)對(duì)焊接溫度要求較高，且存在熔斷后不可恢復(fù)的缺點(diǎn)。因此，需要研制一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、功能可靠的電路模塊，能夠在實(shí)現(xiàn)多次浪涌電流抑制的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)可恢復(fù)的過(guò)流保護(hù)功能。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的技術(shù)解決問(wèn)題是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供了一種具有可恢復(fù)過(guò)流保護(hù)功能的浪涌電流抑制電路模塊。本發(fā)明集浪涌電流抑制和可恢復(fù)輸入過(guò)流保護(hù)為一體， 最大程度的保護(hù)了衛(wèi)星的電源母線。本發(fā)明的技術(shù)解決方案是一種具有可恢復(fù)過(guò)流保護(hù)功能的浪涌電流抑制電路模塊，在一次母線與負(fù)載端之間包含由電阻Rl、R2、R3、R4、R5、MOS管VI、三極管V2和穩(wěn)壓二極管V3組成的電路模塊， 其中，電阻R1、電阻R2和MOS管Vl串聯(lián)后并聯(lián)于正負(fù)母線之間，當(dāng)所述電路模塊用于負(fù)線時(shí)，所述電阻R3的一端與穩(wěn)壓二極管V3的陰極相連后與電阻Rl和電阻R2的串聯(lián)端相連； 所述電阻R3的另一端與穩(wěn)壓二極管V3的陽(yáng)極以及MOS管Vl的源極與負(fù)線相連；當(dāng)所述電路模塊用于正線時(shí)，所述電阻R3的一端與穩(wěn)壓二極管V3的陽(yáng)極相聯(lián)后與電阻Rl和電阻 R2的串聯(lián)端相連；所述電阻R3的另一端與二極管V3的陰極以及MOS管Vl的源極與正線相連。當(dāng)所述電路模塊用于負(fù)線時(shí)，所述MOS管Vl采用N溝道MOS管，所述三極管V2采用NPN三極管；所述三極管V2的集電極與穩(wěn)壓二極管V3的陰極相連；所述三極管V2的發(fā)射極與電阻R4的一端與穩(wěn)壓二極管V3的陽(yáng)極相連；所述三極管V2的基極通過(guò)電阻R5與電阻R4的另一端以及MOS管Vl的源極相連。當(dāng)所述電路模塊用于正線時(shí)，所述MOS管Vl采用P溝道MOS管，所述三極管V2采用PNP三極管；所述三極管V2的集電極與穩(wěn)壓二極管V3的陽(yáng)極相連；所述三極管V2的發(fā)射極與電阻R4的一端與穩(wěn)壓二極管V3的陰極相連；所述三極管V2的基極通過(guò)電阻R5與電阻R4的另一端以及MOS管Vl的源極相連。母線上電開(kāi)啟后，MOS管Vl的漏-源可通過(guò)的電流Id由下式所示，
權(quán)利要求
1.一種具有可恢復(fù)過(guò)流保護(hù)功能的浪涌電流抑制電路模塊，在一次母線與負(fù)載端之間包含由電阻Rl、R2、R3、R4、R5、MOS管VI、三極管V2和穩(wěn)壓二極管V3組成的電路模塊，其中，電阻R1、電阻R2和MOS管Vl串聯(lián)后并聯(lián)于正負(fù)母線之間，當(dāng)所述電路模塊用于負(fù)線時(shí)， 所述電阻R3的一端與穩(wěn)壓二極管V3的陰極相連后與電阻Rl和電阻R2的串聯(lián)端相連；所述電阻R3的另一端與穩(wěn)壓二極管V3的陽(yáng)極以及MOS管Vl的源極與負(fù)線相連；當(dāng)所述電路模塊用于正線時(shí)，所述電阻R3的一端與穩(wěn)壓二極管V3的陽(yáng)極相聯(lián)后與電阻Rl和電阻R2的串聯(lián)端相連；所述電阻R3的另一端與二極管V3的陰極以及MOS管Vl的源極與正線相連； 其特征在于當(dāng)所述電路模塊用于負(fù)線時(shí)，所述MOS管Vl采用N溝道MOS管，所述三極管V2采用 NPN三極管；所述三極管V2的集電極與穩(wěn)壓二極管V3的陰極相連；所述三極管V2的發(fā)射極與電阻R4的一端與穩(wěn)壓二極管V3的陽(yáng)極相連；所述三極管V2的基極通過(guò)電阻R5與電阻R4的另一端以及MOS管Vl的源極相連；當(dāng)所述電路模塊用于正線時(shí)，所述MOS管Vl采用P溝道MOS管，所述三極管V2采用 PNP三極管；所述三極管V2的集電極與穩(wěn)壓二極管V3的陽(yáng)極相連；所述三極管V2的發(fā)射極與電阻R4的一端與穩(wěn)壓二極管V3的陰極相連；所述三極管V2的基極通過(guò)電阻R5與電阻R4的另一端以及MOS管Vl的源極相連。
2.如權(quán)利要求1所述的一種具有可恢復(fù)過(guò)流保護(hù)功能的浪涌電流抑制電路模塊，其特征在于母線上電開(kāi)啟后，MOS管Vl的漏-源可通過(guò)的電流Id由下式所示，
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種具有可恢復(fù)過(guò)流保護(hù)功能的浪涌電流抑制電路模塊，在一次母線與負(fù)載端之間包含由電阻R1、R2、R3、R4、R5、MOS管V1、三極管V2和穩(wěn)壓二極管V3組成的電路模塊。采用本發(fā)明實(shí)現(xiàn)了集浪涌電流抑制和可恢復(fù)輸入過(guò)流的保護(hù)，最大程度的保護(hù)了衛(wèi)星的電源母線。
文檔編號(hào)H02H9/02GK102437560SQ20111043059
公開(kāi)日2012年5月2日 申請(qǐng)日期2011年12月20日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月20日
發(fā)明者葉東東, 常濤, 張揚(yáng), 彭勃, 文毅, 李春江, 鐘紅軍 申請(qǐng)人:北京控制工程研究所