專利名稱：疏導(dǎo)式電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
疏導(dǎo)式電路
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種保護(hù)電路，特別涉及一種防止高壓放電的疏導(dǎo)式電路。背景技術(shù)：
目前，一些電子產(chǎn)品的外部接口有外露的金屬端點(diǎn)，很容易受到高壓放電的危害。 雖然有的外部接口上或是邊緣部設(shè)有絕緣材料，但是還是不能有效的避免高壓放電，為此 實(shí)用新型一種疏導(dǎo)式電路以保護(hù)電子產(chǎn)品。

發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的主要目的在于提供一種能有效避免高壓放電的疏導(dǎo)式電路。為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型提供一種疏導(dǎo)式電路，其用于防止電子產(chǎn)品接口受 到高壓放電，所述疏導(dǎo)式電路包括檢測(cè)模塊、開關(guān)模塊，所述檢測(cè)模塊檢測(cè)接口是否有終端 接入；所述開關(guān)模塊與檢測(cè)模塊連接，所述檢測(cè)模塊的控制信號(hào)傳遞到開關(guān)模塊以控制開 關(guān)的狀態(tài)，所述開關(guān)模塊分別與接口、系統(tǒng)相接。當(dāng)接口沒有終端接入時(shí)，檢測(cè)模塊發(fā)出控 制信號(hào)使開關(guān)模塊中的開關(guān)接地。當(dāng)接口有終端接入時(shí)，檢測(cè)模塊發(fā)出控制信號(hào)使開關(guān)模 塊中的開關(guān)處于閉合狀態(tài)使接口和系統(tǒng)連接。與現(xiàn)有技術(shù)相比較，本實(shí)用新型的一種疏導(dǎo)式電路能有效的防止高壓放電對(duì)電子 產(chǎn)品的危害。

圖1是疏導(dǎo)式電路的方框圖。圖2是音頻輸出接口接入音響之前的示意圖。圖3是音頻輸出接口接入音響之后的示意圖。
具體實(shí)施方式請(qǐng)參閱圖1、圖2和圖3，本實(shí)用新型以音頻輸出接口的疏導(dǎo)式電路為例，所述疏導(dǎo) 式電路包括檢測(cè)模塊1、開關(guān)模塊2，所述檢測(cè)模塊1檢測(cè)接口 3是否有終端接入；所述開 關(guān)模塊2與檢測(cè)模塊1連接，所述檢測(cè)模塊1的控制信號(hào)傳遞到開關(guān)模塊2以控制開關(guān)的 狀態(tài)，所述開關(guān)模塊2分別與接口 3、系統(tǒng)相接。在本實(shí)施例中，所述終端為音響，所述接口 3為一個(gè)音頻輸出接口 31，所述音頻輸出接口 31由兩個(gè)分別接音頻信號(hào)線的金屬彈片310 構(gòu)成，所述開關(guān)模塊2包括單刀雙擲開關(guān)20、電磁繼電器21和N溝道增強(qiáng)型MOS管22，所 述單刀雙擲開關(guān)20 —端與系統(tǒng)相接，所述單刀雙擲開關(guān)20的另外一端的兩個(gè)接點(diǎn)分別接 地和音頻輸出接口 31，所述單刀雙擲開關(guān)20控制音頻輸出接口 31和系統(tǒng)的連接狀態(tài)，所述 單刀雙擲開關(guān)20受電磁繼電器21控制，所述電磁繼電器21的電感線圈一端接電源VCC1， 所述電感線圈的另一端接N溝道增強(qiáng)型MOS管22的漏極220，所述N溝道增強(qiáng)型MOS管22 的源極221和襯底引線222均接地，柵極223與檢測(cè)模塊1相接，所述檢測(cè)模塊1包括第一電阻10、第二電阻11、金屬觸片12，所述第一電阻10的一端與電源VCC2相接，所述第一電 阻10的另一端與N溝道增強(qiáng)型MOS管22的柵極223連接，所述第一電阻10的另一端還與 所述金屬觸片12相接，所述金屬觸片12與音頻信號(hào)線上所接金屬彈片310擠壓在一起，所 述金屬彈片310與第二電阻11的一端相接，所述第二電阻11的另一端與地連接在一起，電 源VCC2的大小根據(jù)N溝道增強(qiáng)型MOS管22的開啟電壓VT確定，所述第一電阻10和第二 電阻11的大小根據(jù)電源VCC2的電壓和N溝道增強(qiáng)型MOS管22的開啟電壓VT確定。下面介紹所述音頻輸出接口 31的疏導(dǎo)式電路是如何工作的，例如第一電阻10為 9K歐姆，第二電阻11為IK歐姆，電源VCC2的電壓為3V，當(dāng)沒有接入音響之前，VGS為 0. 3V，VGS < VT，漏極電流為0，所述單刀雙擲開關(guān)20處于接地狀態(tài)，所述音頻輸出接口 31 與系統(tǒng)處于斷開狀態(tài)。當(dāng)音響接入之后，所述音頻輸出接口 31的金屬彈片310被音響插頭 4擠開使得所述金屬觸片12和所述金屬彈片310分開，則VGS為3V，VGS > VT,有較大漏極 電流，所述漏極電流通過電磁繼電器21上的電感線圈，所述電磁繼電器21開始工作控制單 刀雙擲開關(guān)20狀態(tài)，使所述音頻輸出接口 31和系統(tǒng)連接在一起。所述疏導(dǎo)式電路并不局限應(yīng)用于音頻輸出接口 3 1還可應(yīng)用于USB接口、音頻輸 入接口等。本實(shí)用新型的一種疏導(dǎo)式電路能有效的防止高壓放電對(duì)電子產(chǎn)品的危害。
權(quán)利要求一種疏導(dǎo)式電路，其用于防止電子產(chǎn)品接口受到高壓放電，其特征在于，疏導(dǎo)式電路包括檢測(cè)模塊，所述檢測(cè)模塊檢測(cè)接口是否有終端接入；開關(guān)模塊，所述開關(guān)模塊與檢測(cè)模塊連接，所述檢測(cè)模塊的控制信號(hào)傳遞到開關(guān)模塊以控制開關(guān)的狀態(tài)，所述開關(guān)模塊分別與接口、系統(tǒng)相接；當(dāng)接口沒有終端接入時(shí)，檢測(cè)模塊發(fā)出控制信號(hào)使開關(guān)模塊中的開關(guān)接地；當(dāng)接口有終端接入時(shí)，檢測(cè)模塊發(fā)出控制信號(hào)使開關(guān)模塊中的開關(guān)處于閉合狀態(tài)使接口和系統(tǒng)連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的疏導(dǎo)式電路，其特征在于，所述開關(guān)模塊包括單刀雙擲開關(guān)、 電磁繼電器和N溝道增強(qiáng)型MOS管，所述單刀雙擲開關(guān)一端與系統(tǒng)相接，所述單刀雙擲開關(guān) 的另外一端的兩個(gè)接點(diǎn)分別接地和音頻輸出接口，所述單刀雙擲開關(guān)控制音頻輸出接口和 系統(tǒng)的連接狀態(tài)，所述單刀雙擲開關(guān)受電磁繼電器控制，所述電磁繼電器的電感線圈一端 接電源，所述電感線圈的另一端接N溝道增強(qiáng)型MOS管的漏極，所述N溝道增強(qiáng)型MOS管的 源極和襯底引線均接地，柵極與檢測(cè)模塊相接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的疏導(dǎo)式電路，其特征在于，所述檢測(cè)模塊包括第一電阻、第二 電阻、金屬觸片，所述第一電阻的一端與電源相接，所述第一電阻的另一端與N溝道增強(qiáng)型 MOS管的柵極連接，所述第一電阻的另一端還與所述金屬觸片相接，所述金屬觸片與音頻信 號(hào)線上所接金屬彈片擠壓在一起，所述金屬彈片與第二電阻的一端相接，所述第二電阻的 另一端與地連接在一起。
專利摘要本實(shí)用新型提供一種疏導(dǎo)式電路，其用于防止電子產(chǎn)品接口受到高壓放電，所述疏導(dǎo)式電路包括檢測(cè)模塊、開關(guān)模塊，所述檢測(cè)模塊檢測(cè)接口是否有終端接入；所述開關(guān)模塊與檢測(cè)模塊連接，所述檢測(cè)模塊的控制信號(hào)傳遞到開關(guān)模塊以控制開關(guān)的狀態(tài)，所述開關(guān)模塊分別與接口、系統(tǒng)相接。當(dāng)接口沒有終端接入時(shí)，檢測(cè)模塊發(fā)出控制信號(hào)使開關(guān)模塊中的開關(guān)接地；當(dāng)接口有終端接入時(shí)，檢測(cè)模塊發(fā)出控制信號(hào)使開關(guān)模塊中的開關(guān)處于閉合狀態(tài)使接口和系統(tǒng)連接。
文檔編號(hào)H02H9/04GK201717626SQ20102020359
公開日2011年1月19日 申請(qǐng)日期2010年5月26日 優(yōu)先權(quán)日2010年5月26日
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