專利名稱：驅(qū)動電路、電壓電平移位單元及馬達(dá)系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是相關(guān)于一種驅(qū)動電路，尤指一種用于驅(qū)動步進(jìn)馬 達(dá)的驅(qū)動電路。
背景技術(shù)：
一般在驅(qū)動步進(jìn)馬達(dá)的時候，通常是使用H橋電路使步進(jìn) 馬達(dá)進(jìn)行不同方向的旋轉(zhuǎn)和停止，如圖l所示，H橋電路l是由 四個金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS; metal oxide semiconductor)所構(gòu) 成，通過第一金屬氧化物半導(dǎo)體11及第三金屬氧化物半導(dǎo)體13 的導(dǎo)通，或是第二金屬氧化物半導(dǎo)體12及第四金屬氧化物半導(dǎo) 體14的導(dǎo)通來控制馬達(dá)15的轉(zhuǎn)動方向。在控制金屬氧化物半導(dǎo) 體的導(dǎo)通時，需要借著輸入電壓至金屬氧化物半導(dǎo)體的柵極來 控制開關(guān)，由于不同的金屬氧化物半導(dǎo)體打開所需要的電壓不 同，因此需要不同的輸出電壓電路來控制，因此每個金屬氧化 物半導(dǎo)體的柵極都會連接至一輸出電壓電路，通過輸出電壓電
路所輸出的電壓來控制整個H橋電路的運(yùn)作，使馬達(dá)轉(zhuǎn)動。
而在輸出電壓電路中，通常具有一輸入電壓，若以該輸入 電壓的電壓直接打開金屬氧化物半導(dǎo)體，必須消耗很大的功率， 在效率而言并不合適，因此需要通過該輸出電壓電路將輸入電 壓提升到較適合打開金屬氧化物半導(dǎo)體的程度，以使H橋運(yùn)作。 由于H橋包括了四個金屬氧化物半導(dǎo)體，每個金屬氧化物 半導(dǎo)體的柵極均連接至一輸出電壓電路，透過輸出電壓電路輸 出的高電壓打開金屬氧化物半導(dǎo)體，使馬達(dá)運(yùn)作。當(dāng)其中兩個 金屬氧化物半導(dǎo)體打開時，另外兩個金屬氧化物半導(dǎo)體則要關(guān) 閉，如果當(dāng)需要關(guān)閉的金屬氧化物半導(dǎo)體沒有關(guān)閉，或是因?yàn)槁╇娫斐呻妷翰环€(wěn)定的輸出時，則H橋的錯誤運(yùn)作則有可能使 馬達(dá)轉(zhuǎn)動的方向錯誤，甚至造成馬達(dá)的損害，因此，設(shè)計(jì)一個 良好的輸出電壓電路成為一個重要的課題。
發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的之一，在于提供一種驅(qū)動電路，其包
括 一輸入電壓源組，用以提供一輸入電壓組； 一參考電壓源， 用以提供一參考電壓； 一電壓電平移位單元，用以將該輸入電 壓組其中之一的電平提升至該參考電壓的電平； 一運(yùn)算單元， 用以接受該參考電壓及該輸入電壓組，并選擇輸出 一控制電壓； 一安全單元，用以將該控制電壓導(dǎo)入一接地端；及一輸出電壓
端，用以^妄收該控制電壓并4餘出一llr出電壓。
本發(fā)明所述的驅(qū)動電路，其中更包括一穩(wěn)壓單元，用以防 止該驅(qū)動電路發(fā)生漏電，該穩(wěn)壓單元包括多個電阻，耦接于該 參考電壓源與該電壓電平移位單元之間。
本發(fā)明所述的驅(qū)動電路，其中該輸入電壓源組包括 一 第一 輸入電壓源、 一第二輸入電壓源、第三輸入電壓源及一第四輸 入電壓源，分別用以輸入一第一輸入電壓、 一第二輸入電壓、 一第三輸入電壓及一第四輸入電壓，其中該第一輸入電壓及該 第二輸入電壓的電平互為反相，該第三輸入電壓及該第四輸入
電壓的電平互為反相。
本發(fā)明所述的驅(qū)動電路，其中當(dāng)該第一輸入電壓的電平為 高電平時，該第二輸入電壓的電平為低電平，反之當(dāng)該第一輸 入電壓的電平為低電平時，該第二輸入電壓的電平為高電平； 當(dāng)該第三輸入電壓的電平為高電平時，該第四輸入電壓的電平 為低電平，當(dāng)該第三輸入電壓的電平為低電平時，該第四輸入 電壓的電平為高電平。本發(fā)明所述的驅(qū)動電路，其中該安全單元在該第二輸入電 壓的電平為高電平時運(yùn)作。
本發(fā)明所述的驅(qū)動電路，其中該第一電壓電平移位單元包
括一第一P型金屬氧化物半導(dǎo)體、 一第一N型金屬氧化物半導(dǎo) 體、 一第二P型金屬氧化物半導(dǎo)體以及一第二N型金屬氧化物半 導(dǎo)體；該第二電壓電平移位單元包括一第三P型金屬氧化物半 導(dǎo)體、 一第三N型金屬氧化物半導(dǎo)體、 一第四P型金屬氧化物半 導(dǎo)體以及一第四N型金屬氧化物半導(dǎo)體。
本發(fā)明所述的驅(qū)動電路，其中該運(yùn)算單元包括一或非邏輯 門、 一與非邏輯門和多個反相器。
本發(fā)明另提供一種電壓電平移位單元，是用于一驅(qū)動電路， 用以將一輸入電壓的電平提升至一參考電壓的電平，該電壓電 平移位單元包括多個金屬氧化物半導(dǎo)體，耦接于一輸入電壓 源組與一參考電壓源之間；多個電阻，耦接于該參考電壓源與 該多個金屬氧化物半導(dǎo)體的柵極之間。
本發(fā)明還提供一種馬達(dá)系統(tǒng)，包括一步進(jìn)馬達(dá)、一H橋電 路以及多個驅(qū)動電路，其中該多個驅(qū)動電路分別包括 一輸入 電壓源組，用以提供一輸入電壓組； 一參考電壓源，用以提供 一參考電壓； 一電壓電平移位單元，用以將該輸入電壓組其中 之一的電平提升至該參考電壓的電平； 一運(yùn)算單元，用以接受 該參考電壓及該輸入電壓組，并選擇輸出一控制電壓； 一安全 單元，用以將該控制電壓導(dǎo)入一接地端；及一輸出電壓端，用 以接收該控制電壓并輸出 一輸出電壓。
本發(fā)明所述的馬達(dá)系統(tǒng)，其中更包括一穩(wěn)壓單元，用以防 止該驅(qū)動電路發(fā)生漏電，該穩(wěn)壓單元包括多個電阻，耦接于該 參考電壓源與該電壓電平移位單元之間。
本發(fā)明所述的馬達(dá)系統(tǒng)，其中該輸入電壓源組包括一第一輸入電壓源、 一第二輸入電壓源、 一第三輸入電壓源及一第四 輸入電壓源，用以輸入一第一輸入電壓、 一第二輸入電壓、一 第三輸入電壓及一第四輸入電壓，其中該第一及該第二輸入電 壓的電平互為反相，該第三及該第四輸入電壓的電平互為反相。 本發(fā)明所述的馬達(dá)系統(tǒng)，其中當(dāng)該第一輸入電壓的電平為 高電平時，該第二輸入電壓的電平為低電平，反之當(dāng)該第一輸
入電壓的電平為低電平時，該第二輸入電壓的電平為高電平； 當(dāng)該第三輸入電壓的電平為高電平時，該第四輸入電壓的電平 為低電平，當(dāng)該第三輸入電壓的電平為低電平時，該第四輸入 電壓的電平為高電平。
本發(fā)明所述的馬達(dá)系統(tǒng)，其中該安全單元在該第二輸入電 壓的電平為高電平時運(yùn)作。
本發(fā)明所述的馬達(dá)系統(tǒng)，其中該第一電壓電平移位單元包 括一第一P型金屬氧化物半導(dǎo)體、 一第一N型金屬氧化物半導(dǎo) 體、 一第二P型金屬氧化物半導(dǎo)體以及一第二N型金屬氧化物半 導(dǎo)體；該第二電壓電平移位單元包括一第三P型金屬氧化物半 導(dǎo)體、 一第三N型金屬氧化物半導(dǎo)體、 一第四P型金屬氧化物半 導(dǎo)體以及一第四N型金屬氧化物半導(dǎo)體。
本發(fā)明所述的馬達(dá)系統(tǒng)，其中該運(yùn)算單元包括一或非邏輯 門、 一與非邏輯門和多個反相器。
本發(fā)明所述的驅(qū)動電路、電壓電平移位單元及馬達(dá)系統(tǒng)， 具有穩(wěn)壓單元以防止電路在通電時產(chǎn)生的漏電或電位不穩(wěn)的狀 況。
圖l為已知H橋電路圖。
圖2為本發(fā)明較佳實(shí)施例的驅(qū)動電路電路圖。
具體實(shí)施例方式
請參考圖2，圖2為本發(fā)明較佳實(shí)施例的驅(qū)動電路電路圖， 如圖2所示，驅(qū)動電路2包括輸入電壓源組21、安全單元22、參 考電壓源23、第一電壓電平移位單元24、第二電壓電平移位單 元25、運(yùn)算單元26、輸出電壓端27、穩(wěn)壓單元28以及接地端29; 其中第一電壓電平移位單元24及第二電壓電平移位單元25合稱 為電壓電平移位單元。
輸入電壓源組21包括第 一輸入電壓源211、第二輸入電壓源 212、第三輸入電壓源213及第四輸入電壓源214,分別用以輸入 第一輸入電壓、第二輸入電壓、第三輸入電壓以及第四輸入電 壓。其中第一輸入電壓與第二輸入電壓的電平互為反相，第三
輸入電壓與第四輸入電壓的電平互為反相。當(dāng)?shù)谝惠斎腚妷旱?電平為高電平時，第二輸入電壓的電平為低電平，反之當(dāng)?shù)谝?輸入電壓的電平為低電平時，第二輸入電壓的電平為高電平； 當(dāng)?shù)谌斎腚妷弘娖綖楦唠娖綍r，第四輸入電壓的電平為低電 平，當(dāng)?shù)谌斎腚妷弘娖綖榈碗娖綍r，第四輸入電壓的電平為 高電平。
參考電壓源23用以輸入一參考電壓，參考電壓的電平為恒 定值，參考電壓源23耦接至第一電壓電平移位單元24及第二電 壓電平移位單元25的一端，第一電壓電平移位單元24的另 一端 耦接至輸入電壓源組21,第二電壓電平移位單元25的另 一端耦 接至安全單元22。
第 一 電壓電平移位單元24包括第一 PMOS(Metal-Oxide Semiconductor;金屬氧化物半導(dǎo)體)241 、第一NMOS242、第二 PMOS243以及第二NMOS244。第二電壓電平移位單元25包括第 三PMOS251 、 第三NMOS252 、 第四PMOS253以及第四 NMOS254。第一PMOS241的源極耦接至參考電壓源23,漏極耦接至第一NMOS242的漏極，第一NMOS242的源極耦接至接地 端29,柵極耦接至第一輸入電壓源211;第二PMOS243的源極 耦接至參考電壓源23,漏極耦接至第二NMOS244的漏極，第二 N M O S 244的源極耦接至接地端2 9 ，柵極耦接至第二輸入電壓源 212;第三PMOS251的源極耦接至參考電壓源23,漏極耦接至 第三NMOS252的漏極，第三NMOS252的源極耦接至接地端29， 柵極耦接至第三輸入電壓源213;第四P M O S 2 5 3的源極耦接至 參考電壓源23 ， 漏極耦接至第四NMOS254的漏極，第四 NMOS254的源極耦接至接地端29，柵極耦接至第四輸入電壓源 214。
透過第一電壓電平移位單元24及第二電壓電平移位單元25 中各個MOS的作用，第一電壓電平移位單元24可將輸入電壓源 組21中的第一輸入電壓源211或第二輸入電壓源212其中之一的 電平提升至參電電壓源23的電平；第二電壓電平移位單元25可 將輸入電壓源組21中的第三輸入電壓源213或第四輸入電壓源 214其中之一的電平提升至參考電壓源23的電平。
運(yùn)算單元26包括或非邏輯門261、與非邏輯門262、第一反 相器263、第二反相器264、第五PMOS265及第五NMOS266，或 非邏輯門261的輸入端耦接至第一PMOS241、第一NMOS242的 漏極和第四PMOS253、第四NMOS254的漏極，輸出端耦接至第 一反相器263的輸入端；與非邏輯門262的輸入端耦接至第二 PMOS243 、第二 NMOS244的漏極和第四PMOS253 、第四 NMOS254的漏極，輸出端耦接至第二反相器264的輸入端，第 一反相器263的輸出端耦接至第五PMOS265的柵極，第二反相 器264的輸出端耦接至第五NMOS266的柵極。運(yùn)算單元26用以 從所接收的電壓中選擇輸出控制電壓。
輸出電壓端27耦接至第五PMOS265及第五NMOS266的漏極，用以接收控制電壓并輸出輸出電壓，以控制圖1中H橋電路 中的金屬氧化物半導(dǎo)體打開或關(guān)閉。
安全單元22包括第五電阻221 、第六電阻223及第七 NMOS224。第五電阻221耦接于接地端29與輸出電壓端27之間， 第六電阻223耦接于輸出電壓端27與第七NMOS224之間，第七 N M O S 2 24的柵極耦接至第二輸入電壓源212,漏極耦接至接地 端29。在系統(tǒng)正常運(yùn)作的時候，第一輸入電壓源211所輸入的電 壓電平為高電平，第二輸入電壓源212所輸入的電壓電平為低電 平，通過第一輸入電壓源211及第二輸入電壓源212來控制整個 驅(qū)動電路2的運(yùn)作。在有些情況，第二輸入電壓源212會不正常 的輸入高電平的電壓，此時安全單元22會利用第六電阻223及第 七NMOS224將不正常導(dǎo)通的電壓導(dǎo)入接地端29,避免驅(qū)動電路 2運(yùn)作異常，造成馬達(dá)不正常的旋轉(zhuǎn)。
在一般的情況下，當(dāng)驅(qū)動電路2通電時，運(yùn)算單元26輸入端 的電壓會因?yàn)橥蝗坏耐姸环€(wěn)定，如果不穩(wěn)定的電壓過大， 可能會使非預(yù)設(shè)的電壓值通過運(yùn)算單元，造成整個電壓電平移 位電路輸出不正常的電壓，使得系統(tǒng)運(yùn)作異常。穩(wěn)壓單元28包 括第一電阻281、第二電阻282、第三電阻283及第四電阻284, 第 一 電阻281耦接于參考電壓源23與第一PMOS241的柵極之 間，第二電阻282耦接于參考電壓源23與第二PMOS242的柵極 之間，第三電阻283耦接于參考電壓源23與第三PMOS251的柵 極之間，第四電阻284耦接于參考電壓源23與第四PMOS253的 柵極之間。其中穩(wěn)壓單元28可在驅(qū)動電路2通電時，將運(yùn)算單元 26輸入端的電壓值固定在與參考電壓值相同的電平，以防止發(fā) 生電壓電平異常及漏電造成的系統(tǒng)異常。另外第五電阻221也可 以在系統(tǒng)通電時，將不正常的電壓導(dǎo)通至接地端29,以防止發(fā) 生電壓電平異常及漏電造成的系統(tǒng)異常。如上所述，本發(fā)明的驅(qū)動電路可以有效達(dá)成驅(qū)動馬達(dá)的功
效，透過輸入電壓源組21決定驅(qū)動電路的運(yùn)作與否，再利用第 一電壓電平移位單元24、第二電壓電平移位單元25將輸入電壓 提升至參考電壓的電平，并且具有穩(wěn)壓單元以防止電路在通電 時產(chǎn)生的漏電或電位不穩(wěn)的狀況，可以有效解決在已知技術(shù)中 可能發(fā)生的情況，因此本發(fā)明極具價值。
以上所述僅為本發(fā)明較佳實(shí)施例，然其并非用以限定本發(fā) 明的范圍，任何熟悉本項(xiàng)技術(shù)的人員，在不脫離本發(fā)明的精神 和范圍內(nèi)，可在此基礎(chǔ)上做進(jìn)一步的改進(jìn)和變化，因此本發(fā)明 的保護(hù)范圍當(dāng)以本申請的權(quán)利要求書所界定的范圍為準(zhǔn)。
附圖中符號的簡單說明如下
1: H橋電路
11:第一金屬氧化物半導(dǎo)體
12:第二金屬氧化物半導(dǎo)體
13:第三金屬氧化物半導(dǎo)體
14:第四金屬氧化物半導(dǎo)體
15:馬達(dá)
2:驅(qū)動電^各
21:輸入電壓源組
211:第一輸入電壓源
212:第二輸入電壓源
213:第三輸入電壓源
214:第四輸入電壓源
22:安全單元
29:接地端
221:第五電阻
223:第六電阻224:第七NMOS
23:參考電壓源
24:第一電壓電平移位單元
241:第一PMOS
242:第一畫OS
243:第二PMOS
244:第二畫OS
25:第二電壓電平移位單元
251:第三PMOS
252:第三NMOS
253:第四PMOS
254:第四NMOS
26:運(yùn)算單元
261:或非邏輯門
262:與非邏輯門
263:第一反相器
264:第二反相器
265:第五PMOS
266:第五NMOS
27:輸出電壓端
28:穩(wěn)壓單元
281:第一電阻
282:第二電阻
283:第三電阻
284:第四電阻
權(quán)利要求
1.一種驅(qū)動電路，其特征在于，該驅(qū)動電路包括一輸入電壓源組，用以提供一輸入電壓組；一參考電壓源，用以提供一參考電壓；一電壓電平移位單元，用以將該輸入電壓組其中之一的電平提升至該參考電壓的電平；一運(yùn)算單元，用以接受該參考電壓及該輸入電壓組，并運(yùn)算后輸出一控制電壓；一安全單元，用以將該控制電壓導(dǎo)入一接地端；及一輸出電壓端，用以接收該控制電壓并輸出一輸出電壓。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的驅(qū)動電路，其特征在于，更包括 一穩(wěn)壓單元，用以防止該驅(qū)動電路發(fā)生漏電，該穩(wěn)壓單元包括 多個電阻，耦接于該參考電壓源與該電壓電平移位單元之間。
3. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的驅(qū)動電路，其特征在于，該輸入 電壓源組包括一第一輸入電壓源、 一第二輸入電壓源、第三輸 入電壓源及一第四輸入電壓源，分別用以輸入一第 一輸入電壓、 一第二輸入電壓、 一第三輸入電壓及一第四輸入電壓，其中該 第一輸入電壓及該第二輸入電壓的電平互為反相，該第三輸入 電壓及該第四輸入電壓的電平互為反相。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的驅(qū)動電路，其特征在于，當(dāng)該第 一輸入電壓的電平為高電平時，該第二輸入電壓的電平為低電 平，反之當(dāng)該第一輸入電壓的電平為低電平時，該第二輸入電 壓的電平為高電平；當(dāng)該第三輸入電壓的電平為高電平時，該 第四輸入電壓的電平為低電平，當(dāng)該第三輸入電壓的電平為低 電平時，該第四輸入電壓的電平為高電平。
5. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的驅(qū)動電路，其特征在于，該安全 單元在該第二輸入電壓的電平為高電平時運(yùn)作。
6. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的驅(qū)動電路，其特征在于，該第一電壓電平移位單元包括一第一P型金屬氧化物半導(dǎo)體、 一第一N 型金屬氧化物半導(dǎo)體、 一第二P型金屬氧化物半導(dǎo)體以及一第 二N型金屬氧化物半導(dǎo)體；該第二電壓電平移位單元包括一第 三P型金屬氧化物半導(dǎo)體、 一第三N型金屬氧化物半導(dǎo)體、 一第 四P型金屬氧化物半導(dǎo)體以及一第四N型金屬氧化物半導(dǎo)體。
7. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的驅(qū)動電路，其特征在于，該運(yùn)算 單元包括一或非邏輯門、 一 與非邏輯門和多個反相器。
8. —種電壓電平移位單元，其特征在于，是用于一驅(qū)動電 路，用以將一輸入電壓的電平提升至一參考電壓的電平，該電 壓電平移位單元包括多個金屬氧化物半導(dǎo)體，耦接于一輸入電壓源組與一參考 電壓源之間；以及多個電阻，耦接于該參考電壓源與該多個金屬氧化物半導(dǎo) 體的柵極之間。
9. 一種馬達(dá)系統(tǒng)，其特征在于，包括一步進(jìn)馬達(dá)、一H橋 電路以及多個驅(qū)動電路，其中該多個驅(qū)動電路分別包括一輸入 電壓源組，用以提供一輸入電壓組；一參考電壓源，用以提供一參考電壓；一電壓電平移位單元，用以將該輸入電壓組其中之一的電 平提升至該參考電壓的電平；一運(yùn)算單元，用以接受該參考電壓及該輸入電壓組，并運(yùn) 算后輸出一控制電壓；一安全單元，用以將該控制電壓導(dǎo)入一接地端；及一輸出電壓端，用以接收該控制電壓并輸出一輸出電壓。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的馬達(dá)系統(tǒng)，其特征在于，更包括 一穩(wěn)壓單元，用以防止該驅(qū)動電路發(fā)生漏電，該穩(wěn)壓單元包括 多個電阻，耦接于該參考電壓源與該電壓電平移位單元之間。
11. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的馬達(dá)系統(tǒng)，其特征在于，該輸入 電壓源組包括一第一輸入電壓源、 一第二輸入電壓源、 一第三 輸入電壓源及一第四輸入電壓源，用以輸入一第一輸入電壓、 一第二輸入電壓、 一第三輸入電壓及一第四輸入電壓，其中該 第一及該第二輸入電壓的電平互為反相，該第三及該第四輸入 電壓的電平互為反相。
12. 根據(jù)權(quán)利要求ll所述的馬達(dá)系統(tǒng)，其特征在于，當(dāng)該 第一輸入電壓的電平為高電平時，該第二輸入電壓的電平為低 電平，反之當(dāng)該第一輸入電壓的電平為低電平時，該第二輸入 電壓的電平為高電平；當(dāng)該第三輸入電壓的電平為高電平時， 該第四輸入電壓的電平為低電平，當(dāng)該第三輸入電壓的電平為低電平時，該第四輸入電壓的電平為高電平。
13. 根據(jù)權(quán)利要求ll所述的馬達(dá)系統(tǒng)，其特征在于，該安 全單元在該第二輸入電壓的電平為高電平時運(yùn)作。
14. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的馬達(dá)系統(tǒng)，其特征在于，該第一 電壓電平移位單元包括一第一P型金屬氧化物半導(dǎo)體、 一第一N 型金屬氧化物半導(dǎo)體、 一第二P型金屬氧化物半導(dǎo)體以及一第 二N型金屬氧化物半導(dǎo)體；該第二電壓電平移位單元包括一第 三P型金屬氧化物半導(dǎo)體、 一第三N型金屬氧化物半導(dǎo)體、 一第 四P型金屬氧化物半導(dǎo)體以及一第四N型金屬氧化物半導(dǎo)體。
15. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的馬達(dá)系統(tǒng)，其特征在于，該運(yùn)算 單元包括一或非邏輯門、 一與非邏輯門和多個反相器。
全文摘要
本發(fā)明提供一種驅(qū)動電路、電壓電平移位單元及馬達(dá)系統(tǒng)，特別涉及一種驅(qū)動電路，該驅(qū)動電路包括一輸入電壓源組，用以提供一輸入電壓組；一參考電壓源，用以提供一參考電壓；一電壓電平移位單元，用以將該輸入電壓組其中之一的電平提升至該參考電壓的電平；一運(yùn)算單元，用以接受該參考電壓及該輸入電壓組，并選擇輸出一控制電壓；一安全單元，用以將該控制電壓導(dǎo)入一接地端；及一輸出電壓端，用以接收該控制電壓并輸出一輸出電壓。本發(fā)明所述的驅(qū)動電路、電壓電平移位單元及馬達(dá)系統(tǒng)，具有穩(wěn)壓單元以防止電路在通電時產(chǎn)生的漏電或電位不穩(wěn)的狀況。
文檔編號H02P8/04GK101309062SQ200710107069
公開日2008年11月19日 申請日期2007年5月18日 優(yōu)先權(quán)日2007年5月18日
發(fā)明者郭榮彥 申請人:普誠科技股份有限公司