專利名稱：具有猝滅保護電路的超導電磁線圈以及對應的磁共振設備的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種帶有用于猝滅保護的電路的超導電磁線圈，其特別是
被用在i茲共振斷層造影設備(下面稱為MRT設備)，以及涉及一種具有該 電磁線圏的MRT設備。
背景技術：
如已知的那樣，如果電,茲線圈處于極其冷的環(huán)境中、例如處于充滿了 液體氦的低溫箱中，則可以將由超導材料做成的電磁線圈運行在超導狀態(tài) 下。在超導狀態(tài)下電磁導線幾乎不再具有電阻，使得不需要能量來保持在 電磁線圈中的電流以及由此來保持由該電磁線圏所產(chǎn)生的磁場。電流本身 在磁鐵投入運行之前在所謂的加載過程中有源地被饋入到線圈中。這種低 溫磁鐵在MRT設備中已經(jīng)被廣泛地采用。
通常，MRT低溫磁鐵包括多個串聯(lián)連接的超導部分線圈，這些部分線 圈是空間上分開的并且處于充滿了液體氦的低溫箱中。為了冷卻，該低溫 箱又被冷卻罩(K紐eschiWen )包圍并且被置于真空容器中。
超導磁鐵的猝滅被理解為這樣的過程，其中由于不同的原因超導電磁 線圈的一部分失去了其超導特性并且變?yōu)檎щ?，即以不為零的電阻?導電。
由于該電氣上不消失的電阻，電磁線圏中的電流發(fā)生了改變，并且由 其建立的磁場崩潰。該磁場的崩潰造成了一系列的過程，其中的每個過程 都帶來了問題。
一方面，通過該磁場的崩潰釋放出了其中所存儲的能量。幾乎所有的 能量被轉變成熱能，并且是在電磁導線的正常導電的范圍內(nèi)。如果電磁線 圈的僅僅一個小的區(qū)域(例如僅僅一個部分線圈)正常導電，則在局部限 制的區(qū)域分出的能量將轉換為熱能，這又會導致強烈的局部過熱，該過熱 可能破壞低溫磁4失的組成部分。通常，如下地降低局部過熱的危險在猝 滅時按照控制的方式使得整個的電磁線圈達到正常導電的狀態(tài)，從而將熱
能分布到電磁線圏的整個熱質(zhì)量上。
另 一方面，通過改變的磁場在電磁線圈中以及在MRT設備的其它導電 的部件中形成了渦流，該渦流又與該磁場相互作用，從而將MRT設備的部 件置于顯著的力中。為了將側向的位移力保持為盡可能地小，人們追求， 使得在猝滅時盡可能地按照對稱的形式實現(xiàn)該磁場的消散，也就是說，使 得MRT設備的電磁線圈盡可能對稱地達到猝滅。
此外，電路I在短時間內(nèi)相對強烈地改變。由此，根據(jù)關系L.(3I/a)在 具有電感L的電磁線圈中產(chǎn)生高的電壓。如果沒有其它的保護措施，該電 壓升高可能會導致對線圈和/或對線圈的絕緣的損害。
一種避免上面描述的問題的可能性在于，使用用于控制地傳播猝滅的 電阻。在此，在整個線圈(典型地在繞組的上部區(qū)域)上設置電阻，這些 電阻通常與導體線圈并聯(lián)。在以不為零的電壓沿著導線行進的猝滅的情況 下，電流流過這些電阻。通過其輻射熱，這些電阻分別使得下面的繞組達 到猝滅。同時，這些電阻減小了在猝滅時所形成的高電壓。此外，通過這 些電阻的巧妙的布線，實現(xiàn)了該猝滅的盡可能對稱的傳播。
盡管電阻的采用解決了在猝滅時可能出現(xiàn)的問題；然而，電阻的采用 也帶來了主要在電磁線圈的充電和放電的階段期間所表現(xiàn)出的缺點。例如， 在充電時為了感應電流而在電^茲線圏上施加電壓。該電壓的一部分通過電 阻感應了電流，使得出現(xiàn)電阻的發(fā)熱(即使極小)，這點導致了一部分氦的 蒸發(fā)。在此，除了由于蒸發(fā)的氦提高了成本之外，還可能出現(xiàn)猝滅。盡管 可以通過采用較高阻值的電阻來減小該發(fā)熱，但是較高阻值的電阻的采用 在摔滅的情況下又包含著較高的電壓振幅(Spannungsausschlage)的危險。
在諸如由西門子公司生產(chǎn)的Helicon型的低溫i茲鐵中，是如下地處理該 問題的采用與部分線圈并聯(lián)和反并聯(lián)連接的冷二極管來取代電阻。在此， 冷二極管被理解為這樣的二極管(例如硅二極管)其即使在液態(tài)氦的溫度 范圍中也可以運行。盡管這里所采用二極管滿足了在猝滅中保護低溫磁鐵 免受電壓升高并且同時減小在電磁線圈的充電和放電中熱量產(chǎn)生的要求。 不過，所采用的二極管的裝置不適合于，用來控制猝滅或者對稱地保持該 猝滅的傳播。
此外，存在這樣的猝滅保護電路，其中將電阻和二極管相互地組合， 例如在US 6147844中描述的那樣。在這種電路中，將電阻性的加熱元件連
同反并聯(lián)的二極管分別與部分線圈并聯(lián)。該加熱元件與部分線圈熱接觸， 從而將由于在一個部分線圈中的猝滅所產(chǎn)生的熱量也傳遞至其它的部分線 圏。由此，可以控制在一個部分線圈中的猝滅在整個電磁線圏上的傳播。 此外，通過該二極管電路允許了短路電流，從而保護了部分線圈免受帶有 強烈的局部溫度上升的電流和電壓升高。
在US 4689707中公開了 一種類似構造的猝滅保護電路，利用該電路可 以按照可靠的方式進行超導的電磁線圈以及其勻場線圈(Shim-Spule)的猝 滅。該電路也包括加熱元件以及與部分線圈并聯(lián)的反并聯(lián)二極管。
在制造中相對地開銷大。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術問題是，提供一種帶有用于猝滅保護的電路的超 導電磁線圈，其中，利用簡單的造價低廉構造的電路可以在猝滅以及在磁 鐵的充電和/或放電中避免上面說明的問題。此外，本發(fā)明要解決的技術問 題是，提供一種具有該電磁線圏的MRT設備。
上述技術問題是通過根據(jù)權利要求1的帶有用于猝滅保護的電路的超 導電磁線圈以及根據(jù)權利要求10的MRT設備解決的。
本發(fā)明的帶有用于猝滅保護的電路的超導電磁線圈，包括至少一個二 極管，該二極管被設置為與所述超導電磁線圈的一部分并聯(lián)，其中，所述 至少 一個二極管被設置為與該超導電^f茲線圈熱接觸。
利用這種電路，可以保護超導電磁線圈的二極管與之并聯(lián)的部分在猝 滅時免受電壓升高。在此，這樣選擇該二極管的極性，使得電磁線圈的該 部分被保護防止在電磁線圏中電流減少時出現(xiàn)的電壓升高。
如果在超導電^t線圈的二極管與之并聯(lián)的部分中出現(xiàn)猝滅，通常由于 在相對短的時間內(nèi)電流的強烈減小而在線圈的該部分中根據(jù)L.(3I/a)產(chǎn)生 電壓(L為該線圈的部分的電感，I為電流)。該電壓由于電流的迅速減小而 通常如此之大，以至于超過了二極管的擊穿電壓。這意味著，電磁鐵繞組 電流的大部分通過該二極管流動并且使得其發(fā)熱。通過該二極管與超導電 磁線圏的熱接觸，將由流過二極管所形成的熱能用于使得電磁線圈的其它 還超導的部分達到猝滅。由此，可以控制地將猝滅擴展到電磁線圈的其它部分。
在實施例中，有一個對何種熱能可以由電流流過的二極管釋放出的估計。
如上所述，顯然在至少另 一個二極管與超導電磁線圏之間的熱接觸被 理解為這樣一種熱接觸，即，其中從電流流過的二極管至電磁線圈所傳遞 的熱量足以使得電磁線圈的各部分達到猝滅。
通過此時利用二極管代替迄今為止通常利用電阻性的加熱元件來控制 猝滅傳播，此外還減小了電磁線圈的充電、放電或再充電中的氦損失，該 氦損失是通過施加電壓使得電阻性的加熱元件發(fā)熱而形成的。
按照優(yōu)選的方式，所述電路包括至少另一個二極管，該二極管被設置 為與所述至少一個二極管反并聯(lián)。該至少另一個二極管的反并聯(lián)的設置帶
來了這樣的優(yōu)點也可以保護電磁線圏的不能通過該至少 一 個二極管被保 護的部分免受電壓升高。
例如，如果第一二極管與電磁線圏的部分線圏并聯(lián)以便保護該部分線 圏，則不能通過該第一二極管來保護將電路閉合使得電流可以通過該部分 線圈流通的超導開關免受電壓升高d只有按照反并聯(lián)的方式設置第二二極 管，才可以保護電路的這樣的部分也免受電壓升高，即，該部分不能通過 第一二極管被保護并且該部分包括了該超導開關。
通過與第一二極管按照反并聯(lián)方式設置的另一個二極管，即使(無意 或有意地)用相反的極性對線圈充電，也可以保護線圈以及必要時的超導 開關。
優(yōu)選地，該至少另一個二極管與超導電磁線圈熱接觸。由此，可以實 現(xiàn)在電磁線圈中對猝滅傳播的更好的控制。同樣，可以使得超導開關的猝 滅延伸到電磁線圈上，該超導開關的猝滅同樣可能導致磁通量的瓦解。
優(yōu)選地，這樣設置二極管與超導電磁線圈之間的熱接觸，使得該熱接 觸是一種導熱的接觸。這點被理解為，由二極管傳遞到電磁線圈上的熱量 的主要部分是通過熱傳導傳遞的。
優(yōu)選地，所述至少一個二極管和/或所述至少另一個二極管通過電絕緣 體接觸所述超導電》茲線圈。該電絕緣體防止了，在電；茲線圈的正常導電運 行中電流從電磁線圈的電路蔓延到二極管中。
在此，該絕纟彖體可以例如由諸如聚酰亞胺(Kapton )或聚四氟乙烯
(Teflon )的塑料組成，或者也可以由諸如云母的晶體結構組成。
優(yōu)選地，所述至少一個二極管和/或所述至少另 一個二極管被盤狀地構 造。這種二極管是平坦的并且具有大的橫截面積，通過該橫截面積在短暫 的時間內(nèi)可以釋放出相對大量的熱能并且傳遞到電》茲線圈上。此外，可以 將這些二極管造價低廉地設置在電磁線圈上。
與此對應地，所述電絕緣體(二極管通過其與電磁線圏接觸)同樣按 照有利的方式被盤狀地構造。按照這種方式，實現(xiàn)了高效地進行從二極管 到電磁線圈的熱傳遞，盡管兩者之間存在絕緣體層。
在一種特別優(yōu)選的實施方式中，由導熱材料組成的另一個層被設置在 所述電絕緣體與所述超導電磁線圈之間。借助于該由導熱材料組成的另一 個層，此時可以在二極管與該超導電磁線圈的較大的部分之間建立導熱接 觸。如果電》茲線圈如通常的那樣包括多個部分線圈，則這點是特別有用的。 例如，這里可以將二極管設置在一個部分線圈的附近。為了使得二極管不 僅使得該部分線圈猝滅，而且也使得其它部分線圏猝滅，可以將由二極管 釋放出的熱量也通過該由導熱材料組成的層傳遞至其它的部分線圈上。為 此，僅僅需要將該由導熱材料組成的層設置為對應的大，使得其也接觸其 它的部分線圈。如果部分線圈在空間上相鄰，則可以特別筒單地實現(xiàn)這點。 如果將該由導熱材料組成的層按照橋類型的結構設置，則也可以將空間上 分開的部分線圈相互熱耦合。作為可能的導熱材料例如銅是合適的。
優(yōu)選地，所述由導熱材料組成的另 一個層至少部分地被熱絕緣體包圍。 在此，該熱絕緣體可以是塑料，例如纖維加強的環(huán)氧樹脂或者聚四氟乙烯 (Teflon ),并且具有如下的效果在猝滅的情況下利用該由導熱材料組成 的層在電磁線圈的各部分之間進行改善的傳熱，因為該由導熱材料組成的 層相對于液態(tài)的氦被熱屏蔽。在該由導熱材料組成的層至電磁線圈的接觸 位置上不存在絕緣。
為按照本發(fā)明的MRT設備裝備了具有上述用于猝滅保護的電路的超 導電磁線圈。


下面，在附圖中更詳細地解釋本發(fā)明以及其它有利的實施方式，不過 本發(fā)明并不局限與此。附圖中
圖1表示帶有兩個反并聯(lián)連接的二極管的由一個部分線圈組成的超導 電》茲線圏，
圖2表示帶有兩個反并聯(lián)連接的二極管的由兩個部分線圏組成的超導 電磁線圏，這些二極管中的一個二極管與兩個部分線圏熱接觸，
圖3表示帶有兩個反并聯(lián)連接的二極管鏈的由兩個部分線圈組成的超 導電磁線圏，這些二極管中的所有二極管分別與每個部分線圈熱接觸，
圖4表示按照圖3中示出的電路原理的由六個部分線圈組成的超導線
圈，
圖5表示包括多個部分線圈的超導電磁線圈的一個片段，該超導電磁 線圈帶有反并聯(lián)的二極管鏈，其中的二極管分別與多個部分線圏熱接觸，
圖6表示二極管以及與一個部分線圏元件的接觸位置的結構，用于建 立熱，接觸，
圖7表示二極管以及與兩個部分線圈元件的接觸位置的結構，用于建 立該二極管與該兩個部分線圈元件的熱接觸。
具體實施例方式
圖1示出了帶有兩個反并聯(lián)連接的二極管的超導電磁線圈的原理性結構。
在西門子公司的Helicon類型的低溫磁鐵中采用了按照下面所介紹的 原理工作的二極管電路。該電磁線圏盡管與這里所介紹的結構不同而具有 多個空間上分開的部分線圈以及多個與之并聯(lián)連接的二極管；但是原理性 結構是相同的。
電磁線圈la的主要組成部分是部分線圈3,其被用于產(chǎn)生基本磁場。 如果電磁線圈la處于已經(jīng)充電的狀態(tài)，則電流在無電阻的超導的導線中無 損耗地流通。在此，正如這里所表示的那樣，超導開關5處于閉合狀態(tài)。 超導的導線通常由帶有銅包皮的鈮鈦合金或者鈮錫合金組成，使得其在液 態(tài)氦的運行溫度(4.2°K)下是超導的。
如果電磁線圈la的一部分猝滅，也就是說，如果電-茲線圈la的一部 分按照有限的電阻正常導電，則在短暫的時間內(nèi)電流強度I相對強烈地改 變，使得根據(jù)L.(3I/at)(L為電磁線圈的電感)在電磁線圏la的導線上施加 了相對高的電壓。該電壓升高可能導致導線、特別是其由銅做成的隔離的 損壞。
可以如下地解決該問題與部分線圏3并聯(lián)地連接第一二極管7,這樣 選擇該二極管的極性，使得其在電流瓦解的情況下限制形成的電壓。將第 二二極管9與第一二極管7反并聯(lián)地連接。在猝滅的情況下，該第二二極 管9保護超導開關5免受電壓升高。此外，通過第一二極管7和第二二極 管9的反并聯(lián)的設置，即使(無意或有意地)用相反的極性對電磁線圈la 充電，也可以保護電i茲線圈la。
如果將電^f茲線圈la投入運行，則必須將電流^t入到電》茲線圈la的超 導導線中，這點也被一般地稱為電磁線圈la的充電。為此，將超導開關5 (其使電磁線圈la在充電狀態(tài)下的電路閉合)斷開，并且將外部電流源通 過機械插接連接11連接到電磁線圏la上。按照類似的方式可以將電磁線圈 la方文電或者再充電。
在充電時，在插接連接11上施加定義的大小的電壓。在此，這樣選擇 兩個二極管7、 9的導通電壓，使得其大于所施加的電壓。由此，防止了充 電電流通過二極管7、 9流動。如果采用電阻來代替兩個二極管7、 9,則盡 管也提供了免受電壓升高的保護，但是在電磁線圈la的放電、再充電或充 電時電流通過電阻流動并且電阻發(fā)熱，這點導致了造成開銷的氦的蒸發(fā)。
不過，如果超導電磁線圈具有多個部分線圈，則這里所介紹的帶有二 極管的并聯(lián)以及反并聯(lián)電路的結構被證明是有問題的。在這類電磁線圈中， 隨著這種電路可能出現(xiàn)下列情況 一個部分線圏的猝滅不傳遞至其它的部 分線圈上，從而一方面這個部分線圈被置于高的熱負荷之中，而另一方面 捽滅被不對稱地傳播。
根據(jù)圖2，以帶有兩個部分線圈3a、 3b的超導電》茲線圏lb為例說明本 發(fā)明的原理。
這里所示出的電磁線圈lb包括兩個空間上相互分開的串聯(lián)連接的部分 線圈3a、 3b。以反并聯(lián)相連接的第一二極管7和第二二極管9與部分線圈 3a、 3b并聯(lián)連接。兩個二極管7、 9的作用方式對應于在圖1中所描述的二 極管。
不過，與之不同的是，將第一二極管7構造為與兩個部分線圈3a、 3b 熱接觸，這點在圖2 (同時也在圖3至圖5)中通過雙箭頭13表示出。例 如，如果此時僅僅第一部分線圈3a猝滅，則由于電流的改變而感應一個電
壓，該電壓在適當?shù)剡x擇的第一二極管7的條件下這樣大，即，其超過了 擊穿電壓。由此產(chǎn)生通過第一二極管7的電流。第一二極管7由于該電流 而發(fā)熱，并且第二部分線圏3b也超過躍變溫度，因為第一二極管7也與第 二部分線圈3b熱接觸。
按照這種方式，使得在第一部分線圏3a猝滅時第二部分線圈3b也猝 滅，以及反過來。 一方面，這意味著瓦解的》茲場的能量被分布在兩個部分 線圈3a、 3b上，這點導致兩個部分線圈3a、 3b的較小的熱負荷。另一方面， 捽滅此時按照對稱的方式進行，這點帶來了關于所形成的渦流以及側向位 移力的分布的優(yōu)點。
此時，下面的計算要以硅二極管為例說明，在該硅二極管猝滅的條件 下可以產(chǎn)生何種熱功率。如果該硅二極管被運行在液態(tài)氦的溫度下、即在 4.2。K的溫度下，則該硅二極管具有3V或更高的導通電壓。如果由于猝滅 而達到了擊穿電壓，使得電流流過該硅二極管，則該硅二極管突然變熱并 且隨后具有(室溫下)已知的0.7V的導通電壓。如果通過電磁線圈流過100A 的電流，則在猝滅開始時該電流也通過該硅二極管流過并且產(chǎn)生大約70W (=0.7VxlOOA)的熱量。該熱量是觸發(fā)猝滅所需能量的數(shù)倍，從而在熱 接觸的適當?shù)臉嬙鞂嵤┓绞降臈l件下可以利用該熱量使得多個部分線圈猝 滅。
后面將結合圖6和圖7描述該構造安排的實施方式。在此，部分線圈 3a、 3b與二極管7所處的熱接觸是一種導熱的接觸。這點被理解為，由導 通電流的二極管傳遞到電磁線圈lb上的熱量的主要部分是借助于熱傳導傳 遞的，而不是通過熱輻射或者通過對流傳遞的。
圖3示出了在包括兩個部分線圏3a、 3b的電^f茲線圈lc的情況下，電 路的另一種實施方式。
在此，設置兩個反并聯(lián)連接的二極管鏈17、 19來代替圖2中第一和第 二二極管7、 9。根據(jù)在二極管鏈17; 19中多個二極管7a， 7b; 9a, 9b的 使用，可以提高導通電壓，從而為了對部分線圈3a、 3b充電可以施加更高 的電壓。
在這里所示出的例子中，二極管鏈17、 19中的每個分別包括兩個二極 管7a， 7b; 9a, 9b，這些二極管分別與兩個部分線圈3a、 3b中的一個熱接 觸。
例如，如果此時第一部分線圈3a猝滅，則(在所形成的電壓大于第一 二極管鏈17的擊穿電壓的條件下)電磁線圈電流通過第一二極管鏈17流 過。在此，第一二極管鏈17的所有二極管7a、 7b發(fā)熱并且使得分別熱連接 的部分線圈3a、 3b猝滅，從而猝滅從第一部分線圈3a也傳播第二部分線圈 3b上。如果電磁線圈電流具有使得在猝滅時電磁線圈電流流過第二二極管 鏈19的極性，則出現(xiàn)同樣的情況。
在圖4中示出了類似于圖3的構造。這里所示出的電磁線圈ld包括六 個部分線圈3a ... 3f。這種電磁線圈ld經(jīng)常被用在用于產(chǎn)生均勻的主磁場 的MRT設備中。在此，兩個二極管鏈17'; 19'分別包括六個二極管7a…7f; 9a... 9f,這些二極管中的每個分別與部分線圈3a... 3f中的一個熱接觸。
如果此時部分線圈3a…3f中的一個摔滅，則該猝滅類似于在圖3中所 描述的機制傳遞至其它的部分線圈上，從而使得整個電磁線圈ld猝滅。按 照這種方式，防止了僅僅電磁線圏ld的一部分摔滅，這種猝滅一方面導致 了該部分的較高的熱負荷，而另 一方面由于渦流的強烈不對稱的感應而導 致了強烈的側向位移力。
圖5示出了對猝滅傳播的感應的另一種可能性，表示在包括多個部分 線圏3b ... 3d的電磁線圈le的一個片段上。
在此，兩個二極管鏈17〃、 19〃的示例性突出的二極管7c、 9c與在圖4 中所示出的實施例不同，不僅與一個部分線圈熱接觸，而且與多個部分線 圈3b…3d熱接觸。在此，不必將二極管7c、 9c與之熱接觸的部分線圈3b …3d的數(shù)目限制為三個。
有利的是，二極管7c、 9c與分別相鄰的部分線圈3b ... 3d熱4觸，因 為這點可以按照簡單的方式在結構上實現(xiàn)，如下面在圖7中描述的那樣。 不過，并不是需要一定如此。
圖6示出了在硅二極管21與超導線圈23之間的熱接觸位置的一種實 施方式。
硅二極管21的硅層25被置于基板27上，該基板例如可以由鉬組成。 在硅層25上是一個由金屬、例如銀構成的層29，在該層之上電氣引入線 31與硅二極管21接觸。另一個電氣引入線33通過基板27與硅二極管21 接觸。同時，可以通過層29施加壓力，使得二極管21固定在線圈23之上。 至硅二極管21的電氣引入線31、 33是正常導電的。
在硅二極管21和線圈23之間設置了一個由絕緣體35構成的層。在此， 該絕》彖體35可以由導熱的塑料組成，例如由諸如聚酰亞胺(Kapton )或 聚四氟乙烯(Teflon )的塑料組成，或者也可以由諸如云母的晶體結構組 成。
利用這種結構保證了，在電流通過硅二極管21以及與此相關的硅二極 管21發(fā)熱的條件下，將熱能傳遞至線圏23。
圖7示出了熱接觸位置的另一種實施方式，利用該熱接觸位置使得硅 二極管21的熱能傳遞至多于一個部分線圏23、 23'。
為此，在絕緣體35與線圈23、 23'之間存在另一個由良好導熱的材料、 例如由銅構成的層37，該層大到使得其接觸多于一個線圏23、 23'。由此保 證了 ，在硅二極管21發(fā)熱的情況下熱量被傳導至該由良好導熱的材料構成 的另一層37所接觸的所有的線圈23、 23'。
熱絕緣體39圍繞在該由導熱材料構成的另一層37的周圍。在此，該 熱絕緣體39可以是塑料，例如纖維加強的環(huán)氧樹脂或者聚四氟乙烯 (Teflon ),并且具有如下的效果在猝滅的情況下利用該由導熱材料組成 的另一層37在部分線圈23、 23'之間進行改善的傳熱，因為該由導熱材料 組成的另一層37相對于冷的氦的環(huán)境被熱屏蔽。在該由導熱材料組成的另 一層37至部分線圈23和23'以及至硅二極管21的接觸位置上不存在絕緣。
在此，可以特別簡單地接觸在空間上相鄰的線圈。不過，在對應的結 構上的實施方式中、例如通過橋型的結構，也可以與不相鄰的線圈熱接觸。
權利要求
1.一種帶有用于猝滅保護的電路的超導電磁線圈，其中，所述電路包括至少一個二極管(7；7a...7f)，該二極管被設置為與所述超導電磁線圈(1b...le)的一部分(3a，3b；3a...3f)并聯(lián)，其特征在于，所述至少一個二極管(7；7a...7f)被設置為與該超導電磁線圈(1b...1e)熱接觸。
2. 根據(jù)權利要求1所述的超導電磁線圏，其特征在于，所述電路包括 與該至少一個二極管(7; 7a…7f)反并聯(lián)設置的至少另一個二極管(9; 9a ... 9f)。
3. 根據(jù)權利要求2所述的超導電磁線圈，其特征在于，所述至少另一 個二極管(9; 9a…9f)與所述超導電磁線圈(lb…le)熱接觸。
4. 根據(jù)權利要求1至3中任一項所述的超導電磁線圈，其特征在于， 所述熱接觸是一種導熱的熱接觸。
5. 根據(jù)權利要求1至4中任一項所述的超導電磁線圈，其特征在于， 所述至少一個二極管(21)和/或所述至少另一個二極管(21)通過電絕緣 體(35)接觸所述超導電磁線圈(23)。
6. 根據(jù)權利要求1至5中任一項所述的超導電磁線圈，其特征在于， 所述至少一個二極管(21)和/或所述至少另一個二極管(21)被盤狀地構 造。
7. 根據(jù)權利要求6所述的超導電磁線圈，其特征在于，所述電絕緣體 (35 ) #1盤狀地構造。
8. 根據(jù)權利要求7所述的超導電磁線圈，其特征在于，由導熱材料組 成的另 一個層(37 )被設置在所述電絕緣體(35 )與所述超導電磁線圈(23 ) 之間。
9. 根據(jù)權利要求8所述的超導電磁線圈，其特征在于，所述由導熱材 料組成的另一個層(37)至少部分地被熱絕緣體(39)包圍。
10. —種具有根據(jù)權利要求1至9中任一項所述的超導電磁線圈(lb ... le)的MRT設備。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種帶有用于猝滅保護的電路的超導電磁線圈，其中，所述電路包括至少一個二極管(7；7a…7f)，該二極管被設置為與所述超導電磁線圈(1b…1e)的一部分(3a，3b；3a…3f)并聯(lián)，并且其中，所述至少一個二極管(7；7a…7f)被設置為與該超導電磁線圈(1b…1e)熱接觸。此外，本發(fā)明還涉及一種具有這種超導電磁線圈(1b…1e)的MRT設備。
文檔編號H02H7/00GK101366163SQ200680049096
公開日2009年2月11日 申請日期2006年11月10日 優(yōu)先權日2005年12月27日
發(fā)明者格哈特·比特納 申請人:西門子公司