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一種紋波衰減器的制造方法

文檔序號(hào):35669閱讀:586來(lái)源:國(guó)知局
專(zhuān)利名稱(chēng):一種紋波衰減器的制造方法
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種紋波衰減器,包括電阻R1、電容C1、電感L1、電感L2、電感L4和芯片U1。本實(shí)用新型采用更有優(yōu)勢(shì)的電路替代現(xiàn)有的傳統(tǒng)電路,來(lái)抑制開(kāi)關(guān)電源變換器的輸出噪聲。本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn):1.集成了有源濾波和無(wú)源濾波電路,對(duì)共模和差模紋波均有非常好的抑制效果,差模紋波可衰減至1mV以下,共模紋波可衰減至10mV以下;2.在50mV~100mV的極低壓差下工作,損耗低、發(fā)熱量小;3.輸出電壓跟蹤輸入電壓變化,不同輸出電壓時(shí)不必修改電路參數(shù),使用方便;4.因損耗小,電路可集成在1~2平方英寸面積內(nèi),節(jié)約PCB空間。
【專(zhuān)利說(shuō)明】一種紋波衰減器

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種衰減器,具體是一種紋波衰減器。

【背景技術(shù)】
[0002]開(kāi)關(guān)電源變換器在工作時(shí)輸出端會(huì)產(chǎn)生較大的紋波電壓(一般為幾百毫伏),這限制了開(kāi)關(guān)電源在精密測(cè)量等領(lǐng)域的應(yīng)用,因?yàn)檩^大的紋波會(huì)降低電路的信噪比,進(jìn)而影響測(cè)量結(jié)果的精度,目前為減小紋波干擾,采用的方法如下:1.采用線(xiàn)性電源,線(xiàn)性電源雖然電路簡(jiǎn)潔,但轉(zhuǎn)換效率很低,一般為30%?60%,持續(xù)發(fā)熱量較大、體積龐大,并且,一般輸出功率均較小,只可用在小功率供電場(chǎng)合;2.采用開(kāi)關(guān)電源加輸出濾波器的方法,此方法功率較大,但對(duì)差模紋波噪聲的抑制效果有限,依舊不能滿(mǎn)足很多場(chǎng)合的應(yīng)用。3.采用開(kāi)關(guān)電源與線(xiàn)性電源級(jí)聯(lián)的方式,此方法體積小,效率相對(duì)較高,紋波抑制效果好,但因線(xiàn)性電源存在,輸出功率依舊較小,其中線(xiàn)性電源部分壓差為1.5?3V,損耗較大,不同輸出電壓時(shí),需要對(duì)線(xiàn)性電路參數(shù)進(jìn)行調(diào)整,以匹配輸出電壓,較為繁瑣。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0003]本實(shí)用新型的目的在于提供一種共模紋波衰減小且體積小的紋波衰減器,以解決上述【背景技術(shù)】中提出的問(wèn)題。
[0004]為實(shí)現(xiàn)上述目的,本實(shí)用新型提供如下技術(shù)方案:
[0005]一種紋波衰減器,包括電阻R1、電容Cl、電感L1、電感L2、電感L4和芯片U1,所述電感LI兩端分別連接+SIN段和+S端,所述電感L2 —端分別連接+VO端和電容C8,電容C8另一端分別連接-VO端和電感L3,電感L3另一端連接電容C7并接地,電容C7另一端分別連接電感L2另一端、MOSFOT管Ql的D極、MOSFOT管Q2的D極、二極管Dl正極、二極管D2正極、電容C3和電阻R16,MOSFOT管Ql的S極分別連接接地電容C6、MOSFOT管Q2的S極、二極管D5負(fù)極、+VIN端、電阻R1、芯片Ul引腳8和電容C4,MOSFOT管Ql的G極連接電阻R15,電阻R15另一端分別連接電阻R14、二極管D15正極、二極管D4負(fù)極和電阻R7,電阻R14另一端連接MOSFOT管Q2的G極,所述二極管D4正極分別連接二極管D3負(fù)極、芯片Ul引腳7、電阻Rll和電阻R13,二極管D3正極連接電阻R12,電阻R12另一端分別連接電阻Rll另一端、電阻R8、電容C5和芯片Ul引腳6,芯片Ul引腳5分別連接電阻R13另一端、電阻R9和電阻R10,電阻R9另一端連接VIN端,所述電阻RlO另一端連接電容C5另一端并接地,所述電阻R8另一端分別連接二極管Dl負(fù)極和二極管D2負(fù)極,所述電阻R7另一端分別連接電容C2和芯片Ul引腳1,電容C2另一端連接電阻R6,電阻R6另一端分別連接電阻R5和芯片Ul引腳2,芯片Ul引腳4連接電容C4另一端并接地,芯片Ul引腳3分別連接電阻R16、電阻R17和電容C3另一端,電阻R17另一端連接-VIN端并接地,所述電阻R5另一端分別連接接地電阻R18和電阻R4,電阻R4另一端連接電阻R3,電阻R3另一端連接電阻R2,電阻R2另一端分別連接電阻Rl另一端和接地電容Cl,所述電感L4兩端分別連接-SIN端和-S端;所述芯片Ul型號(hào)為0PA2227。
[0006]作為本實(shí)用新型進(jìn)一步的方案:所述電感L2與電感L3形成互耦電感。
[0007]與現(xiàn)有技術(shù)相比,本實(shí)用新型的有益效果是:本實(shí)用新型采用更有優(yōu)勢(shì)的電路替代現(xiàn)有的傳統(tǒng)電路,來(lái)抑制開(kāi)關(guān)電源變換器的輸出噪聲。本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn):1.集成了有源濾波和無(wú)源濾波電路,對(duì)共模和差模紋波均有非常好的抑制效果,差模紋波可衰減至ImV以下,共模紋波可衰減至1mV以下;2.在5OmV?10mV的極低壓差下工作,損耗低、發(fā)熱量??;3.輸出電壓跟蹤輸入電壓變化,不同輸出電壓時(shí)不必修改電路參數(shù),使用方便;4.因損耗小,電路可集成在I?2平方英寸面積內(nèi),節(jié)約PCB空間。

【附圖說(shuō)明】

[0008]圖1為一種紋波衰減器的電路圖。

【具體實(shí)施方式】
[0009]下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖,對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例。基于本實(shí)用新型中的實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例,都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0010]請(qǐng)參閱圖1,本實(shí)用新型實(shí)施例中,一種紋波衰減器,包括電阻R1、電容Cl、電感L1、電感L2、電感L4和芯片Ul,電感LI兩端分別連接+SIN段和+S端,電感L2 —端分別連接+VO端和電容C8,電容C8另一端分別連接-VO端和電感L3,電感L3另一端連接電容C7并接地,電容C7另一端分別連接電感L2另一端、MOSFOT管Ql的D極、MOSFOT管Q2的D極、二極管Dl正極、二極管D2正極、電容C3和電阻R16,MOSFOT管Ql的S極分別連接接地電容C6、M0SF0T管Q2的S極、二極管D5負(fù)極、+VIN端、電阻R1、芯片Ul引腳8和電容C4,MOSFOT管Ql的G極連接電阻R15,電阻R15另一端分別連接電阻R14、二極管D15正極、二極管D4負(fù)極和電阻R7,電阻R14另一端連接MOSFOT管Q2的G極,二極管D4正極分別連接二極管D3負(fù)極、芯片Ul引腳7、電阻Rll和電阻R13,二極管D3正極連接電阻R12,電阻Rl2另一端分別連接電阻Rll另一端、電阻R8、電容C5和芯片Ul引腳6,芯片Ul引腳5分別連接電阻Rl3另一端、電阻R9和電阻RlO,電阻R9另一端連接VIN端,電阻RlO另一端連接電容C5另一端并接地,電阻R8另一端分別連接二極管Dl負(fù)極和二極管D2負(fù)極,電阻R7另一端分別連接電容C2和芯片Ul引腳1,電容C2另一端連接電阻R6,電阻R6另一端分別連接電阻R5和芯片Ul引腳2,芯片Ul引腳4連接電容C4另一端并接地,芯片Ul引腳3分別連接電阻R16、電阻R17和電容C3另一端,電阻R17另一端連接-VIN端并接地,電阻R5另一端分別連接接地電阻R18和電阻R4,電阻R4另一端連接電阻R3,電阻R3另一端連接電阻R2,電阻R2另一端分別連接電阻Rl另一端和接地電容Cl,電感L4兩端分別連接-SIN端和-S端;芯片Ul型號(hào)為0PA2227。
[0011]電感L2與電感L3形成互耦電感。
[0012]本實(shí)用新型采用更有優(yōu)勢(shì)的電路替代現(xiàn)有的傳統(tǒng)電路,來(lái)抑制開(kāi)關(guān)電源變換器的輸出噪聲。集成了有源濾波和無(wú)源濾波電路,對(duì)共模和差模紋波均有非常好的抑制效果,差模紋波可衰減至ImV以下,共模紋波可衰減至1mV以下;在5OmV?10mV的極低壓差下工作,損耗低、發(fā)熱量??;輸出電壓跟蹤輸入電壓變化,不同輸出電壓時(shí)不必修改電路參數(shù),使用方便;因損耗小,電路可集成在I?2平方英寸面積內(nèi),節(jié)約PCB空間。
【權(quán)利要求】
1.一種紋波衰減器,包括電阻R1、電容Cl、電感L1、電感L2、電感L4和芯片Ul,其特征在于,所述電感LI兩端分別連接+SIN段和+S端,所述電感L2 —端分別連接+VO端和電容C8,電容C8另一端分別連接-VO端和電感L3,電感L3另一端連接電容C7并接地,電容C7另一端分別連接電感L2另一端、MOSFOT管Ql的D極、MOSFOT管Q2的D極、二極管Dl正極、二極管D2正極、電容C3和電阻R16,M0SF0T管Ql的S極分別連接接地電容C6、M0SF0T管Q2的S極、二極管D5負(fù)極、+VIN端、電阻R1、芯片Ul引腳8和電容C4,MOSFOT管Ql的G極連接電阻R15,電阻R15另一端分別連接電阻R14、二極管D15正極、二極管D4負(fù)極和電阻R7,電阻R14另一端連接MOSFOT管Q2的G極,所述二極管D4正極分別連接二極管D3負(fù)極、芯片Ul引腳7、電阻Rl I和電阻Rl3,二極管D3正極連接電阻Rl2,電阻Rl2另一端分別連接電阻Rll另一端、電阻R8、電容C5和芯片Ul引腳6,芯片Ul引腳5分別連接電阻R13另一端、電阻R9和電阻R10,電阻R9另一端連接VIN端,所述電阻RlO另一端連接電容C5另一端并接地,所述電阻R8另一端分別連接二極管Dl負(fù)極和二極管D2負(fù)極,所述電阻R7另一端分別連接電容C2和芯片Ul引腳1,電容C2另一端連接電阻R6,電阻R6另一端分別連接電阻R5和芯片Ul引腳2,芯片Ul引腳4連接電容C4另一端并接地,芯片Ul引腳3分別連接電阻R16、電阻R17和電容C3另一端,電阻Rl7另一端連接-VIN端并接地,所述電阻R5另一端分別連接接地電阻R18和電阻R4,電阻R4另一端連接電阻R3,電阻R3另一端連接電阻R2,電阻R2另一端分別連接電阻Rl另一端和接地電容Cl,所述電感L4兩端分別連接-SIN端和-S端;所述芯片Ul型號(hào)為0PA2227。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紋波衰減器,其特征在于,所述電感L2與電感L3形成互耦電感。
【文檔編號(hào)】H02M1-15GK204271900SQ201420749724
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