一種基板及顯示裝置的制造方法
【專利摘要】本實用新型涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種基板及顯示裝置。該基板包括信號走線和靜電釋放總線，信號走線與靜電釋放總線之間設(shè)有薄膜晶體管，薄膜晶體管包括源電極、漏電極、有源層和與有源層相對的浮柵結(jié)構(gòu)；源電極與信號走線電連接，漏電極與靜電釋放總線電連接；浮柵結(jié)構(gòu)與信號走線之間設(shè)有至少一對尖端放電結(jié)構(gòu)，和/或浮柵結(jié)構(gòu)與靜電釋放總線之間設(shè)有至少一對尖端放電結(jié)構(gòu)。上述基板通過設(shè)置在薄膜晶體管與信號走線和靜電釋放總線之間的尖端放電結(jié)構(gòu)快速釋放靜電，并且基板中用于釋放靜電的結(jié)構(gòu)占用的空間較小，有利于基板中結(jié)構(gòu)以及走線的布局。
【專利說明】
一種基板及顯示裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實用新型涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種基板及顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有顯示裝置為了達到防靜電的目的，一般在基板上設(shè)有靜電釋放(ESD)裝置。現(xiàn)有的靜電釋放裝置采用浮柵結(jié)構(gòu)(Gate Floating)釋放多余電荷，靜電釋放裝置的電路原理圖如圖1所示，在信號線(Signal Line)B和總線(Bus line)A之間連接有薄膜晶體管(TFT)lOl、耦合電容Cl和耦合電容C2，并且其中一個耦合電容Cl設(shè)置在薄膜晶體管101的浮柵結(jié)構(gòu)與源電極之間，另一個耦合電容C2連接在薄膜晶體管101的浮柵結(jié)構(gòu)與漏電極之間。
[0003]靜電釋放裝置在正常工作過程中，為了減小漏電流，并保證信號正常工作，需要將耦合電容CI和耦合電容C2的電容值設(shè)置的足夠大，而耦合電容的電容值較大時耦合電容的體積也較大，導(dǎo)致需要占用較大的布置空間，因此，現(xiàn)有靜電釋放裝置存在因占用較大布置空間而不利于結(jié)構(gòu)及走線布局的問題。
【實用新型內(nèi)容】
[0004]本實用新型提供了一種基板及顯示裝置，該基板中用于釋放靜電的結(jié)構(gòu)占用的空間較小，有利于基板中結(jié)構(gòu)以及走線的布局。
[0005]為達到上述目的，本實用新型提供以下技術(shù)方案:
[0006]—種基板，包括信號走線和靜電釋放總線，所述信號走線和所述靜電釋放總線之間設(shè)有薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括源電極、漏電極、有源層和與所述有源層相對的浮柵結(jié)構(gòu);所述源電極與所述信號走線電連接，所述漏電極與所述靜電釋放總線電連接;所述浮柵結(jié)構(gòu)與所述信號走線之間設(shè)有至少一對尖端放電結(jié)構(gòu)，和/或所述浮柵結(jié)構(gòu)與所述靜電釋放總線之間設(shè)有至少一對尖端放電結(jié)構(gòu)。
[0007]在上述基板中，浮柵結(jié)構(gòu)與信號走線之間設(shè)有的至少一對尖端放電結(jié)構(gòu)用于:
[0008]當(dāng)在信號走線上因集聚較多靜電荷而出現(xiàn)瞬間高電壓時，信號走線會通過其與浮柵結(jié)構(gòu)之間設(shè)置的至少一對尖端放電結(jié)構(gòu)進行尖端放電，進而使浮柵結(jié)構(gòu)具有高電位，進而，薄膜晶體管的有源層在浮柵結(jié)構(gòu)的作用下轉(zhuǎn)換為導(dǎo)體狀態(tài)，進而將薄膜晶體管的源電極和漏電極導(dǎo)通，從而使集聚在信號走線上的靜電荷通過瞬間導(dǎo)通的薄膜晶體管流向靜電釋放總線進行靜電釋放。
[0009]同理，在上述基板中，浮柵結(jié)構(gòu)與靜電釋放總線之間設(shè)有的至少一對尖端放電結(jié)構(gòu)用于:
[0010]當(dāng)靜電釋放總線上因集聚較多靜電荷而出現(xiàn)瞬間高電壓時，靜電釋放總線會通過其與浮柵結(jié)構(gòu)之間設(shè)置的至少一對尖端放電結(jié)構(gòu)進行尖端放電，進而使浮柵結(jié)構(gòu)具有高電位，進而，薄膜晶體管的有源層在浮柵結(jié)構(gòu)的作用下轉(zhuǎn)換為導(dǎo)體狀態(tài)，進而將薄膜晶體管的源電極和漏電極導(dǎo)通，使集聚在靜電釋放總線上的靜電荷通過瞬間導(dǎo)通的薄膜晶體管流向信號走線進行靜電釋放。
[0011]上述基板能夠通過設(shè)置在薄膜晶體管的浮柵結(jié)構(gòu)與信號走線和/或靜電釋放總線之間的尖端放電結(jié)構(gòu)快速釋放靜電，因為尖端放電結(jié)構(gòu)具有結(jié)構(gòu)簡單和體積小的特點，所以基板中用于釋放靜電的結(jié)構(gòu)占用的空間較小，有利于基板中結(jié)構(gòu)以及走線的布局。
[0012]優(yōu)選地，所述薄膜晶體管的有源層為氧化物半導(dǎo)體材料。
[0013]優(yōu)選地，所述靜電釋放總線上設(shè)有與至少一條所述信號走線一一對應(yīng)的延伸部；每一對相互對應(yīng)的信號走線和延伸部中:
[0014]所述延伸部的至少一部分的延伸方向與所述信號走線的延伸方向平行，且所述延伸部與所述信號走線之間設(shè)有一個所述薄膜晶體管;所述薄膜晶體管中，漏電極與所述延伸部電連接;所述浮柵結(jié)構(gòu)的長度方向與所述信號走線延伸方向平行，且所述浮柵結(jié)構(gòu)與所述靜電釋放總線之間的尖端放電結(jié)構(gòu)位于所述浮柵結(jié)構(gòu)與所述延伸部之間。
[0015]優(yōu)選地，所述靜電釋放總線上設(shè)有與至少一條所述信號走線一一對應(yīng)的延伸部；每一對相互對應(yīng)的信號走線和延伸部中:
[0016]所述延伸部的至少一部分的延伸方向與所述信號走線的延伸方向平行，且所述延伸部與所述信號走線之間設(shè)有一個所述薄膜晶體管;所述薄膜晶體管中，漏電極與所述延伸部電連接;所述浮柵結(jié)構(gòu)的長度方向與所述信號走線延伸方向垂直，且所述浮柵結(jié)構(gòu)與所述靜電釋放總線之間的尖端放電結(jié)構(gòu)位于所述浮柵結(jié)構(gòu)與所述延伸部之間。
[0017]優(yōu)選地，所述信號走線的延伸方向與所述靜電釋放總線的延伸方向相交，所述信號走線與所述靜電釋放總線之間的薄膜晶體管中，浮柵結(jié)構(gòu)的長度方向與所述信號走線的延伸方向平行，或者，浮柵結(jié)構(gòu)的長度方向與所述靜電釋放總線的延伸方向平行。
[0018]優(yōu)選地，至少一個所述薄膜晶體管具有的浮柵結(jié)構(gòu)與所述信號走線之間設(shè)有兩對所述尖端放電結(jié)構(gòu)，沿所述浮柵結(jié)構(gòu)的長度方向，兩對所述尖端放電結(jié)構(gòu)中，一對尖端放電結(jié)構(gòu)設(shè)置于所述薄膜晶體管的有源層一側(cè)，另一對尖端放電結(jié)構(gòu)設(shè)置于所述薄膜晶體管的有源層的另一側(cè)。
[0019]優(yōu)選地，所述浮柵結(jié)構(gòu)與所述靜電釋放總線之間設(shè)有一對尖端放電結(jié)構(gòu)，沿所述浮柵結(jié)構(gòu)的長度方向，所述浮柵結(jié)構(gòu)與所述靜電釋放總線之間的尖端放電結(jié)構(gòu)處于所述浮柵結(jié)構(gòu)的中部。
[0020]優(yōu)選地，所述浮柵結(jié)構(gòu)與所述靜電釋放總線之間設(shè)有一對尖端放電結(jié)構(gòu)，所述浮柵結(jié)構(gòu)與所述信號走線之間設(shè)有一對尖端放電結(jié)構(gòu)，沿所述浮柵結(jié)構(gòu)的長度方向，所述浮柵結(jié)構(gòu)與所述靜電釋放總線之間的一對尖端放電結(jié)構(gòu)設(shè)置于所述薄膜晶體管的有源層一側(cè)，所述浮柵結(jié)構(gòu)與所述信號走線之間的一對尖端放電結(jié)構(gòu)設(shè)置于所述薄膜晶體管的有源層的另一側(cè)。
[0021]優(yōu)選地，所述基板為設(shè)有數(shù)據(jù)線和柵線的薄膜晶體管基板，所述數(shù)據(jù)線和/或柵線形成所述信號走線。
[0022]優(yōu)選地，所述基板為設(shè)有觸控走線的觸控基板，所述觸控走線形成所述信號走線。
[0023]優(yōu)選地，所述基板為設(shè)有公共電極線的彩膜基板，所述公共電極線形成所述信號走線。
[0024]優(yōu)選地，所述基板為設(shè)有電源信號線的OLED背板，所述電源信號線形成所述信號走線。
[0025]優(yōu)選地，所述浮柵結(jié)構(gòu)與所述信號走線同層設(shè)置，或者，所述浮柵結(jié)構(gòu)與所述靜電釋放總線同層設(shè)置。
[0026]另外，本實用新型還提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括上述技術(shù)方案提供的任意一種基板。
【附圖說明】
[0027]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中靜電釋放裝置的工作原理示意圖；
[0028]圖2為本實用新型實施例提供的一種基板的靜電釋放工作原理示意圖；
[0029]圖3為本實用新型實施例提供的一種基板的靜電釋放電路的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0030]圖4為本實用新型實施例提供的一種基板的靜電釋放電路的另一種結(jié)構(gòu)示意圖；
[0031]圖5為本實用新型實施例提供的一種基板的靜電釋放電路的第一種布置形式；
[0032]圖6為本實用新型實施例提供的一種基板的靜電釋放電路的第二種布置形式；
[0033]圖7為本實用新型實施例提供的一種基板的靜電釋放電路的第三種布置形式；
[0034]圖8為本實用新型實施例提供的一種基板的靜電釋放電路的第四種布置形式。
【具體實施方式】
[0035]下面將結(jié)合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒緦嵱眯滦椭械膶嵤├?，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。
[0036]本實用新型實施例提供了一種基板及顯示裝置，顯示裝置包括基板，該基板的薄膜晶體管包括與有源層相對的浮柵結(jié)構(gòu)，在浮柵結(jié)構(gòu)與信號走線之間設(shè)有至少一對尖端放電結(jié)構(gòu)，和/或浮柵結(jié)構(gòu)與靜電釋放總線之間設(shè)有至少一對尖端放電結(jié)構(gòu)，上述基板中用于釋放靜電的結(jié)構(gòu)占用的空間較小，有利于基板中結(jié)構(gòu)以及走線的布局。
[0037]上述基板為設(shè)置有呈陣列排布的元器件的基板，其中，元器件可以為開關(guān)元件、光學(xué)元件、感應(yīng)元件等元器件;基板可以為薄膜晶體管基板、彩膜基板、觸控基板、OLED背板等。
[0038]上述信號走線為用于傳輸電學(xué)信號的走線，例如:掃描信號走線、數(shù)據(jù)信號走線、公共電極走線、觸控信號走線、電源信號走線等。
[0039]其中，請參考圖2以及圖3，本實用新型一種實施例提供的一種基板，包括信號走線SL和靜電釋放總線BL，信號走線SL和靜電釋放總線BL之間設(shè)有薄膜晶體管I，薄膜晶體管I包括源電極11、漏電極12、有源層14和與有源層14相對的浮柵結(jié)構(gòu)13;源電極11與信號走線SL電連接，漏電極12與靜電釋放總線BL電連接;浮柵結(jié)構(gòu)13與信號走線SL之間設(shè)有至少一對尖端放電結(jié)構(gòu)3，如圖3中所示的一對尖端放電結(jié)構(gòu)3及圖4中所示的兩對尖端放電結(jié)構(gòu)3，和/或浮柵結(jié)構(gòu)13與靜電釋放總線BL之間設(shè)有至少一對尖端放電結(jié)構(gòu)2，如圖3中所示的一對尖端放電結(jié)構(gòu)2及圖4中所示的一對尖端放電結(jié)構(gòu)2。
[0040]在上述基板中，浮柵結(jié)構(gòu)13與信號走線SL之間設(shè)有的至少一對尖端放電結(jié)構(gòu)3用于:
[0041]當(dāng)在信號走線SL上因集聚較多靜電荷而出現(xiàn)瞬間高電壓時，信號走線SL會通過其與浮柵結(jié)構(gòu)13之間設(shè)置的至少一對尖端放電結(jié)構(gòu)3進行尖端放電，進而使浮柵結(jié)構(gòu)13具有高電位，進而，薄膜晶體管I的有源層14在浮柵結(jié)構(gòu)13的作用下轉(zhuǎn)換為導(dǎo)體狀態(tài)，進而將薄膜晶體管I的源電極11和漏電極12導(dǎo)通，從而使集聚在信號走線SL上的靜電荷通過瞬間導(dǎo)通的薄膜晶體管I流向靜電釋放總線BL進行靜電釋放。
[0042]同理，在上述基板中，浮柵結(jié)構(gòu)13與靜電釋放總線BL之間設(shè)有的至少一對尖端放電結(jié)構(gòu)2用于:
[0043]當(dāng)靜電釋放總線BL上因集聚較多靜電荷而出現(xiàn)瞬間高電壓時，靜電釋放總線BL會通過其與浮柵結(jié)構(gòu)13之間設(shè)置的至少一對尖端放電結(jié)構(gòu)2進行尖端放電，進而使浮柵結(jié)構(gòu)13具有高電位，進而，薄膜晶體管I的有源層14在浮柵結(jié)構(gòu)13的作用下轉(zhuǎn)換為導(dǎo)體狀態(tài)，進而將薄膜晶體管I的源電極11和漏電極12導(dǎo)通，使集聚在靜電釋放總線BL上的靜電荷通過瞬間導(dǎo)通的薄膜晶體管I流向信號走線SL進行靜電釋放。
[0044]上述基板能夠通過設(shè)置在薄膜晶體管I的浮柵結(jié)構(gòu)13與信號走線SL和/或靜電釋放總線BL之間的尖端放電結(jié)構(gòu)快速釋放靜電，因為尖端放電結(jié)構(gòu)具有結(jié)構(gòu)簡單和體積小的特點，所以基板中用于釋放靜電的結(jié)構(gòu)占用的空間較小，有利于基板中結(jié)構(gòu)以及走線的布局。
[0045]具體地，薄膜晶體管I的有源層14為氧化物半導(dǎo)體材料。
[0046]由于薄膜晶體管I的有源層14為氧化物半導(dǎo)體材料，因此，該有源層14能夠增大薄膜晶體管I的溝道長度(Channel Length)，并能夠有效減小薄膜晶體管I的閾值電壓漂移(Vth shift)和氧化物薄膜晶體管(oxide TFT)漏電帶來的影響，還能進一步減小布置空間。
[0047]上述實施例提供的基板中，信號走線SL、靜電釋放總線BL和浮柵結(jié)構(gòu)13可以有以下多種布置方式:
[0048]方式一:如圖5結(jié)構(gòu)所示，信號走線SL與靜電釋放總線BL平行，靜電釋放總線BL上設(shè)有與多條信號走線SL—一對應(yīng)的延伸部，如圖5中結(jié)構(gòu)所示的延伸部BLl、延伸部BL2至延伸部BLn;每一對相互對應(yīng)的信號走線SL和延伸部中:
[0049]延伸部的至少一部分的延伸方向與信號走線SL的延伸方向平行，且延伸部與信號走線SL之間設(shè)有一個薄膜晶體管I;薄膜晶體管I中，漏電極12與延伸部電連接;浮柵結(jié)構(gòu)13的長度方向與信號走線SL延伸方向平行，且浮柵結(jié)構(gòu)13與靜電釋放總線BL之間的尖端放電結(jié)構(gòu)2位于浮柵結(jié)構(gòu)13與延伸部之間。
[0050]方式二:如圖6結(jié)構(gòu)所示，信號走線SL與靜電釋放總線BL平行，靜電釋放總線BL上設(shè)有與多條信號走線SL—一對應(yīng)的延伸部，如圖6中結(jié)構(gòu)所示的延伸部BLl、延伸部BL2至延伸部BLn;每一對相互對應(yīng)的信號走線SL和延伸部中:
[0051]延伸部的至少一部分的延伸方向與信號走線SL的延伸方向平行，且延伸部與信號走線SL之間設(shè)有一個薄膜晶體管I;薄膜晶體管I中，漏電極12與延伸部電連接;浮柵結(jié)構(gòu)13的長度方向與信號走線SL延伸方向垂直，且浮柵結(jié)構(gòu)13與靜電釋放總線BL之間的尖端放電結(jié)構(gòu)2位于浮柵結(jié)構(gòu)13與延伸部之間。
[0052]方式三:信號走線SL的延伸方向與靜電釋放總線BL的延伸方向相交，如圖7結(jié)構(gòu)所示，信號走線SL的延伸方向與靜電釋放總線BL的延伸方向垂直相交，信號走線SL與靜電釋放總線BL之間的薄膜晶體管I中，浮柵結(jié)構(gòu)13的長度方向與信號走線SL的延伸方向平行。
[0053]方式四:信號走線SL的延伸方向與靜電釋放總線BL的延伸方向相交，如圖8結(jié)構(gòu)所示，信號走線SL的延伸方向與靜電釋放總線BL的延伸方向垂直相交，信號走線SL與靜電釋放總線BL之間的薄膜晶體管I中，浮柵結(jié)構(gòu)13的長度方向與靜電釋放總線BL的延伸方向平行。
[0054]在上述基板的方式三的基礎(chǔ)上，一種優(yōu)選的實施方式中，如圖4結(jié)構(gòu)所示，至少一個薄膜晶體管I具有的浮柵結(jié)構(gòu)13與信號走線SL之間設(shè)有兩對尖端放電結(jié)構(gòu)3，沿浮柵結(jié)構(gòu)13的長度方向，兩對尖端放電結(jié)構(gòu)3中，一對尖端放電結(jié)構(gòu)3設(shè)置于薄膜晶體管I的有源層14一側(cè)，另一對尖端放電結(jié)構(gòu)3設(shè)置于薄膜晶體管I的有源層14的另一側(cè)。
[0055]如圖4結(jié)構(gòu)所示，由于基板在薄膜晶體管I的浮柵結(jié)構(gòu)13與信號走線SL之間設(shè)有兩對尖端放電結(jié)構(gòu)3，且沿浮柵結(jié)構(gòu)13的長度方向，在薄膜晶體管I的有源層14兩側(cè)分別設(shè)有一對尖端放電結(jié)構(gòu)3;因此，當(dāng)在信號走線SL上因集聚較多靜電荷而出現(xiàn)瞬間高電壓時，集聚在信號走線SL上的靜電荷能夠通過分別位于薄膜晶體管I的有源層14兩側(cè)的尖端放電結(jié)構(gòu)3快速釋放靜電荷，使靜電荷能夠更加快速地均勻分布于浮柵結(jié)構(gòu)13中，使浮柵結(jié)構(gòu)13快速具有高電位，進而使薄膜晶體管I的有源層14在浮柵結(jié)構(gòu)13的作用下縮短轉(zhuǎn)換為導(dǎo)體狀態(tài)的時間，縮短使薄膜晶體管I的源電極11和漏電極12導(dǎo)通的時間，從而使集聚在信號走線SL上的靜電荷通過瞬間導(dǎo)通的薄膜晶體管I流向靜電釋放總線BL進行靜電釋放，有利于提高靜電釋放速度。
[0056]具體地，如圖4結(jié)構(gòu)所示，浮柵結(jié)構(gòu)13與靜電釋放總線BL之間設(shè)有一對尖端放電結(jié)構(gòu)2，沿浮柵結(jié)構(gòu)13的長度方向，浮柵結(jié)構(gòu)13與靜電釋放總線BL之間的尖端放電結(jié)構(gòu)2處于浮柵結(jié)構(gòu)13的中部。
[0057]如圖4結(jié)構(gòu)所示，當(dāng)在靜電釋放總線BL上因集聚較多靜電荷而出現(xiàn)瞬間高電壓時，靜電釋放總線BL上集聚的靜電荷可通過設(shè)置在浮柵結(jié)構(gòu)13與靜電釋放總線BL之間的一對尖端放電結(jié)構(gòu)2快速釋放靜電荷，由于沿浮柵結(jié)構(gòu)13的長度方向，尖端放電結(jié)構(gòu)2位于浮柵結(jié)構(gòu)13的中部，因此靜電荷能夠從浮柵結(jié)構(gòu)13中部快速均勻分布到浮柵結(jié)構(gòu)13的兩端，使浮柵結(jié)構(gòu)13快速具有高電位，進而使薄膜晶體管I的有源層14在浮柵結(jié)構(gòu)13的作用下縮短轉(zhuǎn)換為導(dǎo)體狀態(tài)的時間，縮短使薄膜晶體管I的源電極11和漏電極12導(dǎo)通的時間，從而使集聚在靜電釋放總線BL上的靜電荷通過瞬間導(dǎo)通的薄膜晶體管I流向信號走線BL上進行靜電釋放，進一步提高靜電釋放速度。當(dāng)然，為了進一步提高靜電釋放速度，也可以在浮柵結(jié)構(gòu)13與靜電釋放總線BL之間設(shè)置兩對或多對尖端放電結(jié)構(gòu)2。
[0058]在上述基板的方式三的基礎(chǔ)上，具體地，如圖3結(jié)構(gòu)所示，信號走線SL的延伸方向與靜電釋放總線BL的延伸方向垂直，浮柵結(jié)構(gòu)13與靜電釋放總線BL之間設(shè)有一對尖端放電結(jié)構(gòu)2，浮柵結(jié)構(gòu)13與信號走線SL之間設(shè)有一對尖端放電結(jié)構(gòu)3，沿浮柵結(jié)構(gòu)13的長度方向，浮柵結(jié)構(gòu)13與靜電釋放總線BL之間的一對尖端放電結(jié)構(gòu)2設(shè)置于薄膜晶體管I的有源層14一側(cè)，浮柵結(jié)構(gòu)13與信號走線SL之間的一對尖端放電結(jié)構(gòu)3設(shè)置于薄膜晶體管I的有源層14的另一側(cè)。
[0059]在上述實施例提供的任意一種基板的基礎(chǔ)上，基板可為下列基板中的任意一種:
[0060]第一種:設(shè)有數(shù)據(jù)線和柵線的薄膜晶體管基板，數(shù)據(jù)線和/或柵線形成信號走線SL0
[0061]第二種:設(shè)有觸控走線的觸控基板，觸控走線形成信號走線SL。
[0062]第三種:設(shè)有公共電極線的彩膜基板，公共電極線形成信號走線SL。
[0063]第四種:設(shè)有電源信號線的OLED背板，電源信號線形成信號走線SL。
[0064]更進一步地，浮柵結(jié)構(gòu)13可與信號走線SL同層設(shè)置，或者，浮柵結(jié)構(gòu)13可與靜電釋放總線BL同層設(shè)置。
[0065]可替換地，在本實用新型實施例中，除了作為薄膜晶體管的浮柵結(jié)構(gòu)之外，將薄膜晶體管用于輸入信號的一極稱為源電極，而將用于輸出信號的另一極稱為漏電極。然而，考慮到薄膜晶體管的源電極和漏電極的對稱性，完全可以將二者互換，而不影響本實用新型實施例的技術(shù)方案。
[0066]另外，本實用新型實施例還提供了一種顯示裝置，其包括上述任意一種基板。顯示裝置可以為:液晶面板、電子紙、OLED面板、手機、平板電腦、電視機、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0067]顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本實用新型實施例進行各種改動和變型而不脫離本實用新型的精神和范圍。這樣，倘若本實用新型的這些修改和變型屬于本實用新型權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本實用新型也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種基板，包括信號走線和靜電釋放總線，所述信號走線與所述靜電釋放總線之間設(shè)有薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括源電極、漏電極和有源層;所述源電極與所述信號走線電連接，所述漏電極與所述靜電釋放總線電連接;其特征在于，所述薄膜晶體管還包括與所述有源層相對的浮柵結(jié)構(gòu)，且所述浮柵結(jié)構(gòu)與所述信號走線之間設(shè)有至少一對尖端放電結(jié)構(gòu)，和/或所述浮柵結(jié)構(gòu)與所述靜電釋放總線之間設(shè)有至少一對尖端放電結(jié)構(gòu)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板，其特征在于，所述薄膜晶體管的有源層為氧化物半導(dǎo)體材料。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板，其特征在于，所述靜電釋放總線上設(shè)有與至少一條所述信號走線一一對應(yīng)的延伸部;每一對相互對應(yīng)的信號走線和延伸部中: 所述延伸部的至少一部分的延伸方向與所述信號走線的延伸方向平行，且所述延伸部與所述信號走線之間設(shè)有一個所述薄膜晶體管;所述薄膜晶體管中，漏電極與所述延伸部電連接;所述浮柵結(jié)構(gòu)的長度方向與所述信號走線延伸方向平行，且所述浮柵結(jié)構(gòu)與所述靜電釋放總線之間的尖端放電結(jié)構(gòu)位于所述浮柵結(jié)構(gòu)與所述延伸部之間。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板，其特征在于，所述靜電釋放總線上設(shè)有與至少一條所述信號走線一一對應(yīng)的延伸部;每一對相互對應(yīng)的信號走線和延伸部中: 所述延伸部的至少一部分的延伸方向與所述信號走線的延伸方向平行，且所述延伸部與所述信號走線之間設(shè)有一個所述薄膜晶體管;所述薄膜晶體管中，漏電極與所述延伸部電連接;所述浮柵結(jié)構(gòu)的長度方向與所述信號走線延伸方向垂直，且所述浮柵結(jié)構(gòu)與所述靜電釋放總線之間的尖端放電結(jié)構(gòu)位于所述浮柵結(jié)構(gòu)與所述延伸部之間。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板，其特征在于，所述信號走線的延伸方向與所述靜電釋放總線的延伸方向相交，所述信號走線與所述靜電釋放總線之間的薄膜晶體管中，浮柵結(jié)構(gòu)的長度方向與所述信號走線的延伸方向平行，或者，浮柵結(jié)構(gòu)的長度方向與所述靜電釋放總線的延伸方向平行。6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項所述的基板，其特征在于，至少一個所述薄膜晶體管具有的浮柵結(jié)構(gòu)與所述信號走線之間設(shè)有兩對所述尖端放電結(jié)構(gòu)，沿所述浮柵結(jié)構(gòu)的長度方向，兩對所述尖端放電結(jié)構(gòu)中，一對尖端放電結(jié)構(gòu)設(shè)置于所述薄膜晶體管的有源層一側(cè)，另一對尖端放電結(jié)構(gòu)設(shè)置于所述薄膜晶體管的有源層的另一側(cè)。7.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項所述的基板，其特征在于，所述浮柵結(jié)構(gòu)與所述靜電釋放總線之間設(shè)有一對尖端放電結(jié)構(gòu)，沿所述浮柵結(jié)構(gòu)的長度方向，所述浮柵結(jié)構(gòu)與所述靜電釋放總線之間的尖端放電結(jié)構(gòu)處于所述浮柵結(jié)構(gòu)的中部。8.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項所述的基板，其特征在于，所述浮柵結(jié)構(gòu)與所述靜電釋放總線之間設(shè)有一對尖端放電結(jié)構(gòu)，所述浮柵結(jié)構(gòu)與所述信號走線之間設(shè)有一對尖端放電結(jié)構(gòu)，沿所述浮柵結(jié)構(gòu)的長度方向，所述浮柵結(jié)構(gòu)與所述靜電釋放總線之間的一對尖端放電結(jié)構(gòu)設(shè)置于所述薄膜晶體管的有源層一側(cè)，所述浮柵結(jié)構(gòu)與所述信號走線之間的一對尖端放電結(jié)構(gòu)設(shè)置于所述薄膜晶體管的有源層的另一側(cè)。9.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項所述的基板，其特征在于，所述基板為設(shè)有數(shù)據(jù)線和柵線的薄膜晶體管基板，所述數(shù)據(jù)線和/或柵線形成所述信號走線。10.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項所述的基板，其特征在于，所述基板為設(shè)有觸控走線的觸控基板，所述觸控走線形成所述信號走線。11.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項所述的基板，其特征在于，所述基板為設(shè)有公共電極線的彩膜基板，所述公共電極線形成所述信號走線。12.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項所述的基板，其特征在于，所述基板為設(shè)有電源信號線的OLED背板，所述電源信號線形成所述信號走線。13.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項所述的基板，其特征在于，所述浮柵結(jié)構(gòu)與所述信號走線同層設(shè)置，或者，所述浮柵結(jié)構(gòu)與所述靜電釋放總線同層設(shè)置。14.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-13任一項所述的基板。
【文檔編號】H01L27/12GK205542778SQ201620070534
【公開日】2016年8月31日
【申請日】2016年1月25日
【發(fā)明人】徐攀, 李永謙, 李全虎
【申請人】京東方科技集團股份有限公司