一種pn型二極管的制作方法
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種半導體器件，尤其涉及一種PN型二極管。
【背景技術】
[0002]二極管又稱晶體二極管，簡稱二極管(d1de)，另外，還有早期的真空電子二極管；它是一種具有單向傳導電流的電子器件。在半導體二極管內(nèi)部有一個PN結兩個引線端子，這種電子器件按照外加電壓的方向，具備單向電流的轉(zhuǎn)導性。一般來講，晶體二極管是一個由P型半導體和η型半導體燒結形成的p-n結界面。在其界面的兩側(cè)形成空間電荷層，構成自建電場。當外加電壓等于零時，由于p-n結兩邊載流子的濃度差引起擴散電流和由自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)，這也是常態(tài)下的二極管特性。
[0003]目前，二極管制造技術已經(jīng)相當成熟，但仍然存在結構復雜、成本高、封裝難、容易被擊穿等問題。
【實用新型內(nèi)容】
[0004]本實用新型所要解決的技術問題是提供一種結構簡單、易封裝、制造成本低廉，所承載的整流電流、反響電壓較大，不易被擊穿的PN型二極管。
[0005]本實用新型解決上述技術問題的技術方案如下:
[0006]—種PN型二極管，包括金屬外殼以及設置在金屬外殼內(nèi)的工作腔，所述工作腔中設置有P型半導體、N型半導體，所述P型半導體、N型半導體通過觸絲連接，所述N型半導體設置在晶片上，所述晶片設置在支架上，所述支架與陰極導通，所述P型半導體與陽極導通。
[0007]所述半導體二極管是一個由P型半導體和η型半導體燒結形成的PN結界面。在其界面的兩側(cè)形成空間電荷層，構成自建電場。當外加電壓等于零時，由于PN結兩邊載流子的濃度差引起擴散電流和由自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)，所述支架與PN結導通用于載流子的傳輸，所述觸絲用于半導體之間的導通。
[0008]所述外殼為金屬外殼，所述二極管PN結自建電場極容易受到外界溫度、濕度、干擾信號的影響，所述金屬外殼可以有效屏蔽外界干擾信號，以及其他影響因素，保證二極管的正常工作所述半導體為硅半導體，所述硅半導體可通過摻雜改變其導電性，以此來控制二極管的整流電流大小。
[0009]在上述技術方案的基礎上，本實用新型還可以做如下改進。
[0010]進一步，所述P型半導體為硅半導體，所述硅半導體電子激發(fā)效率高，并且為P型半導體。
[0011 ]進一步，所述金屬外殼內(nèi)層設置有隔熱層，用于隔熱使用，防止二極管在使用過程中發(fā)生燙傷。
[0012]進一步，所述工作腔內(nèi)壁設置有加熱帶，用于加速PN結中電子、空穴的分離，提高二極管的發(fā)光強度。
[0013]本實用新型的有益效果是:結構簡單、易封裝、制造成本低廉，所承載的整流電流、反響電壓較大，不易被擊穿。
【附圖說明】
[0014]圖1為本實用新型一種PN型二極管結構示意圖；
[0015]附圖中，各標號所代表的部件列表如下:1、金屬外殼，2、隔熱層，3、半導體，4、工作腔，5、P型半導體，6、N型半導體，7、觸絲，8、晶片，9、支架，10、陽極，11、陰極。
【具體實施方式】
[0016]以下結合附圖對本實用新型的原理和特征進行描述，所舉實例只用于解釋本實用新型，并非用于限定本實用新型的范圍。
[0017]如圖1所示，一種結構簡單、易封裝、制造成本低廉，所承載的整流電流、反響電壓較大，不易被擊穿的PN型二極管。
[0018]一種PN型二極管，包括金屬外殼I以及設置在金屬外殼I內(nèi)的工作腔4，所述工作腔4中設置有P型半導體5、N型半導體6，所述P型半導體5、N型半導體6通過觸絲7連接，所述N型半導體6設置在晶片8上，所述晶片8設置在支架9上，所述支架9與陰極11導通，所述P型半導體5與陽極12導通。
[0019]所述半導體二極管是一個由P型半導體5和η型半導體6燒結形成的PN結界面。在其界面的兩側(cè)形成空間電荷層，構成自建電場。當外加電壓等于零時，由于PN結兩邊載流子的濃度差引起擴散電流和由自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)，所述支架9與PN結導通用于載流子的傳輸，所述觸絲7用于半導體之間的導通。
[0020]所述外殼為金屬外殼I，所述二極管PN結自建電場極容易受到外界溫度、濕度、干擾信號的影響，所述金屬外殼I可以有效屏蔽外界干擾信號，以及其他影響因素，保證二極管的正常工作所述半導體為硅半導體，所述硅半導體可通過摻雜改變其導電性，以此來控制二極管的整流電流大小。
[0021]所述P型半導體5為硅半導體，所述硅半導體電子激發(fā)效率高，并且為P型半導體5。所述金屬外殼I內(nèi)層設置有隔熱層3，用于隔熱使用，防止二極管在使用過程中發(fā)生燙傷。所述工作腔4內(nèi)壁設置有加熱帶2，用于加速PN結中電子、空穴的分離，提高二極管的發(fā)光強度。
[0022]以上所述僅為本實用新型的較佳實施例，并不用以限制本實用新型，凡在本實用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。
【主權項】
1.一種PN型二極管，其特征在于，包括金屬外殼以及設置在金屬外殼內(nèi)的工作腔，所述工作腔中設置有P型半導體、N型半導體，所述P型半導體、N型半導體通過觸絲連接，所述N型半導體設置在晶片上，所述晶片設置在支架上，所述支架與陰極導通，所述P型半導體與陽極導通。2.根據(jù)權利要求1所述一種PN型二極管，其特征在于，所述P型半導體為硅半導體。3.根據(jù)權利要求1所述一種PN型二極管，其特征在于，所述金屬外殼內(nèi)層設置有隔熱層。4.根據(jù)權利要求1所述一種PN型二極管，其特征在于，所述工作腔內(nèi)壁設置有加熱帶。
【專利摘要】本實用新型涉及一種PN型二極管，包括金屬外殼以及設置在金屬外殼內(nèi)的工作腔，所述工作腔中設置有P型半導體、N型半導體，所述P型半導體、N型半導體通過觸絲連接，所述N型半導體設置在晶片上，所述晶片設置在支架上，所述支架與陰極導通，所述P型半導體與陽極導通。本實用新型結構簡單、易封裝、制造成本低廉，所承載的整流電流、反響電壓較大，不易被擊穿。
【IPC分類】H01L29/861
【公開號】CN205355056
【申請?zhí)枴緾N201620020932
【發(fā)明人】不公告發(fā)明人
【申請人】重慶三零三科技有限公司
【公開日】2016年6月29日
【申請日】2016年1月12日