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抑制隔離開關(guān)操作產(chǎn)生vfto的裝置的制造方法

文檔序號(hào):10352728閱讀:347來源:國知局
抑制隔離開關(guān)操作產(chǎn)生vfto的裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及高壓開關(guān)技術(shù)領(lǐng)域,特別是一種適用于超高壓、或特高壓電力系統(tǒng)中的抑制隔離開關(guān)操作產(chǎn)生VFTO的裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]由于隔離開關(guān)操作所產(chǎn)生的快速暫態(tài)過電壓(VFTO)有可能達(dá)到很高的幅值和上升陡度,具有特殊的危害性。目前特高壓GIS中主要采用避雷器,可限制VFTO的幅值,但不能有效限制其陡度;采用帶分合閘電阻的隔離開關(guān)抑制VFT0,它存在結(jié)構(gòu)復(fù)雜易故障的缺點(diǎn)。甚至多次發(fā)生因主觸頭不能及時(shí)短接合閘電阻而造成合閘電阻保障,進(jìn)而損壞其他設(shè)備,其安全性較差。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本實(shí)用新型的目的是提供一種能夠抑制由于操作隔離開關(guān)而產(chǎn)生的快速暫態(tài)過電壓,在隔離開關(guān)兩端的導(dǎo)體上安裝鐵氧體磁環(huán)能夠有效的降低VFTO的幅值和上升的陡度,保證高壓開關(guān)設(shè)備的安全運(yùn)行的抑制隔離開關(guān)操作產(chǎn)生VFTO的裝置
[0004]本實(shí)用新型時(shí)這樣實(shí)現(xiàn)的,它包括有盆式絕緣子、殼體、屏蔽結(jié)構(gòu)、鐵氧體磁環(huán)、墊片、觸頭連接裝置和高壓導(dǎo)電桿,其特征是:在高壓導(dǎo)電桿上設(shè)置有鐵氧體磁環(huán)串,鐵氧體磁環(huán)之間用墊片相隔,屏蔽結(jié)構(gòu)、鐵氧體磁環(huán)、墊片和觸頭裝置放置在充有六氟化硫氣體的殼體中。
[0005]本實(shí)用新型提供了一種具有抑制隔離開關(guān)操作產(chǎn)生的VFTO能力的高壓開關(guān)設(shè)備用鐵氧體磁環(huán)裝置,在導(dǎo)體上放置鐵氧體磁環(huán)等效于在導(dǎo)體中接入一個(gè)并聯(lián)的電感和電阻,能夠阻尼行波的傳播,抑制快速暫態(tài)過程,可以減少多次擊穿的次數(shù),降低嚴(yán)重VFTO的出現(xiàn)概率,為抑制VFTO開辟了一條新的途徑。具有結(jié)構(gòu)簡單、性能可靠、經(jīng)濟(jì)性好,適用于各個(gè)電壓等級(jí),尤其適用于超高壓、或特高壓電力系統(tǒng)的開關(guān)設(shè)備的優(yōu)點(diǎn)。
【附圖說明】
[0006]以下結(jié)合附圖對本實(shí)用新型進(jìn)一步的描述。
[0007]圖1是抑制隔離開關(guān)操作產(chǎn)生VFTO的裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0008]如圖1所示,該抑制隔離開關(guān)操作產(chǎn)生VFTO的裝置包括有盆式絕緣子1、殼體2、屏蔽結(jié)構(gòu)3、鐵氧體磁環(huán)4、墊片5、觸頭連接裝置6和高壓導(dǎo)電桿7,其特征是在高壓導(dǎo)電桿上7設(shè)置有鐵氧體磁環(huán)串4,鐵氧體磁環(huán)4之間用墊片5相隔,屏蔽結(jié)構(gòu)3、鐵氧體磁環(huán)4、墊片5和觸頭裝置6放置在充有六氟化硫氣體的殼體2中;為了保證絕緣性能,屏蔽結(jié)構(gòu)3的端部為多段圓弧圓滑過渡;在屏蔽結(jié)構(gòu)處開有改善其散熱性能的孔。屏蔽結(jié)構(gòu)3能夠改善電場分布情況,屏蔽結(jié)構(gòu)3開孔以改善其散熱性能。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種抑制隔離開關(guān)操作產(chǎn)生VFTO的裝置,它包括有盆式絕緣子、殼體、屏蔽結(jié)構(gòu)、鐵氧體磁環(huán)、墊片、觸頭連接裝置和高壓導(dǎo)電桿,其特征是:在高壓導(dǎo)電桿上設(shè)置有鐵氧體磁環(huán)串,鐵氧體磁環(huán)之間用墊片相隔,屏蔽結(jié)構(gòu)、鐵氧體磁環(huán)、墊片和觸頭裝置放置在充有六氟化硫氣體的殼體中。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抑制隔離開關(guān)操作產(chǎn)生VFTO的裝置,其特征是:屏蔽結(jié)構(gòu)的端部為多段圓弧圓滑過渡。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抑制隔離開關(guān)操作產(chǎn)生VFTO的裝置,其特征是:在屏蔽結(jié)構(gòu)處設(shè)置有改善其散熱性能的孔。
【專利摘要】一種抑制隔離開關(guān)操作產(chǎn)生VFTO的裝置,其特征是:在高壓導(dǎo)電桿上設(shè)置有鐵氧體磁環(huán)串,鐵氧體磁環(huán)之間用墊片相隔,屏蔽結(jié)構(gòu)、鐵氧體磁環(huán)、墊片和觸頭裝置放置在充有六氟化硫氣體的殼體中。本實(shí)用新型提供了一種具有抑制隔離開關(guān)操作產(chǎn)生的VFTO能力的高壓開關(guān)設(shè)備用鐵氧體磁環(huán)裝置,在導(dǎo)體上放置鐵氧體磁環(huán)等效于在導(dǎo)體中接入一個(gè)并聯(lián)的電感和電阻,能夠阻尼行波的傳播,抑制快速暫態(tài)過程,可以減少多次擊穿的次數(shù),降低嚴(yán)重VFTO的出現(xiàn)概率,為抑制VFTO開辟了一條新的途徑。具有結(jié)構(gòu)簡單、性能可靠、經(jīng)濟(jì)性好,適用于各個(gè)電壓等級(jí),尤其適用于超高壓、或特高壓電力系統(tǒng)的開關(guān)設(shè)備的優(yōu)點(diǎn)。
【IPC分類】H01H31/02
【公開號(hào)】CN205264589
【申請?zhí)枴緾N201521005993
【發(fā)明人】吳文海, 鄭宇宏, 李福成, 劉飛, 劉可欣, 潘素娟
【申請人】新東北電氣集團(tuán)超高壓有限公司
【公開日】2016年5月25日
【申請日】2015年12月8日
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