半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本實(shí)用新型設(shè)及半導(dǎo)體集成電路制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其設(shè)及一種半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002] 半導(dǎo)體器件的后段制程中通常采用金屬互連線的結(jié)構(gòu)將器件結(jié)構(gòu)引出，通過通孔 結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)兩層金屬之間的電性連接。隨著半導(dǎo)體工藝的發(fā)展，半導(dǎo)體器件的尺寸正在逐步 成比例縮小，其關(guān)鍵尺寸(CD,化itical Dimension)變得越來越小，逐漸從90皿到45nm再到 28nm，對(duì)于關(guān)鍵尺寸越來越小的半導(dǎo)體器件，用于引出的通孔結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵尺寸也越來越小。 在現(xiàn)有技術(shù)的金屬互連結(jié)構(gòu)在制程中，由于光學(xué)臨近效應(yīng)，通孔結(jié)構(gòu)會(huì)發(fā)生位置偏移或尺 寸變大的問題，上層金屬層會(huì)完全覆蓋下層金屬層W及通孔結(jié)構(gòu)，從而使得上層金屬的尺 寸會(huì)變大，從而增加器件的面積，并影響工藝的可控性。 【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003] 本實(shí)用新型的目的在于，提供一種半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)，用于測(cè)試通孔結(jié)構(gòu)制程的偏 移的方向W及偏移的量，從而改善工藝條件。
[0004] 為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型提供一種半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)，包括：
[0005] 底層金屬，包括多個(gè)沿第一方向排列的底層金屬線單元，每個(gè)底層金屬線單元中 包括第一底層金屬線、第二底層金屬線W及第立底層金屬線，所述第一底層金屬互連線對(duì) 稱的設(shè)置在第二底層金屬線和第=底層金屬線之間，并且所述多個(gè)底層金屬線單元中第二 底層金屬線與第=底層金屬線的間距依次增大;所述第一底層金屬線接地，所述第二底層 金屬線和第=底層金屬線不接地；
[0006] 頂層金屬，包括多個(gè)沿第一方向排列的頂層金屬線單元，每個(gè)頂層金屬線單元中 包括第一頂層金屬線、第二頂層金屬線W及第=頂層金屬線，所述第一頂層金屬線位于所 述第一底層金屬線正上方，所述第二頂層金屬線位于所述第二底層金屬線正上方，所述第 =頂層金屬線位于所述第=底層金屬線正上方；
[0007] 第一導(dǎo)電插塞，位于所述第一底層金屬線和第一頂層金屬線之間，用W電連接所 述第一底層金屬線和第一頂層金屬線。
[000引可選的，還包括：
[0009] 第二導(dǎo)電插塞，位于所述第二底層金屬線和第二頂層金屬線之間并靠近所述第二 底層金屬線和第二頂層金屬線的一端，用W電連接所述第二底層金屬線和第二頂層金屬 線；
[0010] 第=導(dǎo)電插塞，位于所述第=底層金屬線和第=頂層金屬線之間并靠近所述第= 底層金屬線和第=頂層金屬線的另一端，用W電連接所述第=底層金屬線和第=頂層金屬 線。
[0011] 可選的，所述第二頂層金屬線的投影與所述第二底層金屬線的部分重疊并靠近所 述第二頂層金屬線的一端，所述第=頂層金屬線的投影與所述第=底層金屬線部分重疊并 靠近所述第=頂層金屬線的另一端。
[0012] 可選的，所述底層金屬還包括位于相鄰的底層金屬線單元之間的底層偽金屬線， 所述偽金屬線與所述第一底層金屬線、第二底層金屬線W及第立底層金屬線沿同一方向延 伸。
[0013] 可選的，所述底層偽金屬線包括分立的若干段。
[0014] 可選的，所述頂層金屬還包括與每條第二頂層金屬線的一端電連接的第一頂層偽 金屬線。
[0015] 可選的，所述第一頂層偽金屬線的數(shù)量為兩條，兩條第一頂層偽金屬線和與其連 接的第二頂層金屬線構(gòu)成F形，所述F形的開口朝向相鄰的頂層金屬線單元。
[0016] 可選的，所述頂層金屬還包括與每條第一頂層偽金屬線電連接的第一編號(hào)。
[0017] 可選的，所述第一編號(hào)為阿拉伯?dāng)?shù)字或者英文字母。
[0018] 可選的，所述頂層金屬還包括與每條第=頂層金屬線的另一端電連接的第二頂層 偽金屬線。
[0019] 可選的，所述第二頂層偽金屬線的數(shù)量為兩條，兩條第二頂層偽金屬線和與其連 接的第=頂層金屬線構(gòu)成F形，所述F形的開口朝向相鄰的頂層金屬線單元。
[0020] 可選的，所述頂層金屬還包括與每條第二頂層偽金屬線電連接的第二編號(hào)。
[0021 ]可選的，所述第二編號(hào)為阿拉伯?dāng)?shù)字或者英文字母。
[0022] 可選的，所述第一底層金屬線包括分立的若干段，所述第一底層金屬線的若干段 分別接地。
[0023] 可選的，所述第一頂層金屬線包括分立的若干段，所述第一頂層金屬線的若干段 與所述第一底層金屬線的若干段一一對(duì)應(yīng)。
[0024] 本實(shí)用新型的半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)包括底層金屬、頂層金屬W及第一導(dǎo)電插塞，底層 金屬中的第一底層金屬線與頂層金屬中的第一頂層金屬線通過第一導(dǎo)電插塞相連。對(duì)本實(shí) 用新型的半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)進(jìn)行掃描電鏡成像時(shí)，根據(jù)頂層金屬中的第二頂層金屬線和第= 頂層金屬線的亮暗可W判斷第一導(dǎo)電插塞偏移的方向，并且，根據(jù)第二底層金屬線與第= 底層金屬線之間的間距的不同，可W判斷出第一導(dǎo)電插塞的偏移量。本實(shí)用新型中，可W經(jīng) 過電性分析確定第一導(dǎo)電插塞工藝異常的問題，通過失效分析查找問題的原因，實(shí)現(xiàn)在生 產(chǎn)過程中直接實(shí)時(shí)監(jiān)控并快速定位的目的，節(jié)省時(shí)間和資源，提高生產(chǎn)效率。
【附圖說明】
[0025] 圖1為本實(shí)用新型一實(shí)施例中底層金屬的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026] 圖2為本實(shí)用新型一實(shí)施例中底層金屬和連接層的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027] 圖3為本實(shí)用新型一實(shí)施例中連接層偏移的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028] 圖4為本實(shí)用新型一實(shí)施例中連接層尺寸變大的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029] 圖5為本實(shí)用新型一實(shí)施例中連接層偏移和尺寸變大的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0030] 圖6為本實(shí)用新型一實(shí)施例中連接層正常的半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)的示意圖；
[0031] 圖7為本實(shí)用新型一實(shí)施例中連接層異常的半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)的示意圖；
[0032] 圖8為本實(shí)用新型一實(shí)施例中連接層正常的半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)掃面電鏡成像圖；
[0033] 圖9為本實(shí)用新型一實(shí)施例中連接層異常的半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)掃面電鏡成像圖。
【具體實(shí)施方式】
[0034] 下面將結(jié)合示意圖對(duì)本實(shí)用新型的半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)進(jìn)行更詳細(xì)的描述，其中表示 了本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例，應(yīng)該理解本領(lǐng)域技術(shù)人員可W修改在此描述的本實(shí)用新型， 而仍然實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型的有利效果。因此，下列描述應(yīng)當(dāng)被理解為對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員的 廣泛知道，而并不作為對(duì)本實(shí)用新型的限制。
[0035] 下文結(jié)合附圖1~9對(duì)本實(shí)用新型的半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)進(jìn)行具體說明，本實(shí)用新型中 的半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)包括底層金屬、連接層和頂層金屬，連接層實(shí)現(xiàn)底層金屬和頂層金屬之 間的電性連接。
[0036] 參考圖1所示，所述底層金屬包括M個(gè)沿第一方向（例如X方向）排列的底層金屬線 單元10,每個(gè)底層金屬線單元10包括接地的第一底層金屬線13、不接地的第二底層金屬線 11、不接地的第=底層金屬線12。所述第二底層金屬線11包括一端A端，所述第=底層金屬 線12包括與所述一端A端相對(duì)的另一端B端。其中，M的數(shù)值例如為5~10之間的正整數(shù)，本實(shí) 施例中Wm=6為例進(jìn)行說明。
[0037] 第一底層金屬線13對(duì)稱的設(shè)置在所述第二底層金屬線11和所述第=底層金屬線 12之間，第一底層金屬線13和第二底層金屬線11之間的距離依次增大。本實(shí)施例中，后一個(gè) 底層金屬線單元中的所述第二底層金屬線11與