的清洗步驟的構(gòu)成的平面圖。
[0069]圖7是示出在本實(shí)用新型的第二清洗機(jī)中向旋轉(zhuǎn)的晶元表面噴射有機(jī)溶劑的構(gòu)成的平面圖。
[0070]圖8a及圖8b是設(shè)置于CMP模塊和清洗模塊之間的翻轉(zhuǎn)機(jī)的側(cè)面圖及平面圖。
[0071]圖9至圖11是根據(jù)本實(shí)用新型的另一個(gè)實(shí)施形態(tài)配置了 CMP模塊和清洗模塊的晶元處理裝置的平面圖。
【具體實(shí)施方式】
[0072]以下參考附圖對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。說(shuō)明本實(shí)用新型的過(guò)程中，為了使本實(shí)用新型的要旨清晰明了，省略對(duì)公知的功能或構(gòu)成進(jìn)行具體說(shuō)明。
[0073]如圖所示，根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例的基板處理裝置100包括:化學(xué)機(jī)械研磨模塊XI，其進(jìn)行晶元W的多步驟CMP工藝；清洗模塊X2，其進(jìn)行多步驟清洗工藝。
[0074]所述化學(xué)機(jī)械研磨模塊XI包括第一研磨盤群PG1和第二研磨盤群PG2，所述第一研磨盤群PG1使得多個(gè)研磨盤P排列成直線形態(tài)的第一列，所述第二研磨盤群PG2，使得多個(gè)研磨盤P排列成直線形態(tài)的第二列。如圖3所示，第一列的第一研磨盤群PG1和第二列的第二研磨盤群PG2并列排列，晶元搬運(yùn)器(carrier) Cr夾住晶元W的狀態(tài)下，一邊在各個(gè)研磨盤群PG1、PG2中排列的研磨盤P上移動(dòng)，一邊分步進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨工藝。
[0075]晶元搬運(yùn)器Cr沿著規(guī)定的路徑R移動(dòng)的方式及晶元搬運(yùn)器Cr的詳細(xì)構(gòu)成，公開在本申請(qǐng)人經(jīng)過(guò)申請(qǐng)而獲得授權(quán)的的韓國(guó)專利登記公報(bào)第10-118854號(hào)，并納入為本說(shuō)明書的一部分。
[0076]如此，第一研磨盤群PG1和第二研磨盤群PG2排成分別并列的兩個(gè)列，第一清洗機(jī)群CG1和第二清洗機(jī)群CG2排成分別并列的兩個(gè)列，由此，使化學(xué)機(jī)械研磨模塊被布置在矩形機(jī)架(frame)上，因此現(xiàn)場(chǎng)的占用空間最小化，從而能夠布置更多的研磨盤P。此外，第一研磨盤群PG1和第二研磨盤群PG2排成互相對(duì)稱的兩個(gè)列，第一清洗機(jī)群CG1和第二清洗機(jī)群CG2排成互相對(duì)稱的兩個(gè)列，從而使沿著所述群PG1、PG2、CG1、CG2移動(dòng)控制晶元的構(gòu)成變得簡(jiǎn)單化并變得容易控制。
[0077]此外，各列的研磨盤群PG1、PG2不在機(jī)架的里側(cè)而凸出在外側(cè)，因此，方便操作人員對(duì)研磨盤群PG1、PG2的研磨盤P分別進(jìn)行維護(hù)保養(yǎng)。
[0078]另外，一邊晶元搬運(yùn)器Cr沿著規(guī)定的路徑R在多個(gè)研磨盤P上移動(dòng)，一邊在各個(gè)研磨盤P上進(jìn)行CMP工藝。此時(shí)，CMP工藝可在相同條件下進(jìn)行，也可以在不同種類的研磨液或不同研磨速度的條件下進(jìn)行。
[0079]另外，被晶元搬運(yùn)器Cr搬運(yùn)的晶元可以只在第一研磨盤群PG1或第二研磨盤群PG2上排列的研磨盤P上，相互區(qū)分開進(jìn)行CMP處理。由此，能夠使占用較小空間的化學(xué)機(jī)械研磨模塊XI中的CMP工藝更加均勻，有利于提高生產(chǎn)效率。但是，根據(jù)不同情況，雖然沒有在圖中進(jìn)行圖示，被晶元搬運(yùn)器Cr搬運(yùn)的晶元可以都經(jīng)過(guò)第一研磨盤群PG1和第二研磨盤群PG2，在一部以上的研磨盤P上進(jìn)行CMP工藝。由此，可利用一種研磨盤P布局，進(jìn)行多種形態(tài)的CMP工藝。
[0080]與此類似，其構(gòu)成可以為:對(duì)在第一研磨盤群PG1經(jīng)過(guò)CMP工藝的晶元，在第一清洗機(jī)群CG1進(jìn)行清洗工藝，并對(duì)在第二研磨盤群PG2經(jīng)歷CMP工藝的晶元在第二清洗機(jī)群CG2進(jìn)行清洗工藝。同時(shí)，如圖10所示，其構(gòu)成可以為:將在第一研磨盤群PG1經(jīng)過(guò)CMP工藝的晶元，交叉移動(dòng)到第二清洗機(jī)群CG2進(jìn)行清洗工藝，并將在第二研磨盤群PG2經(jīng)過(guò)CMP工藝的晶元，交叉移動(dòng)到第一清洗機(jī)群CG1進(jìn)行清洗工藝。由此，通過(guò)排列兩個(gè)列研磨盤群PG1、PG2并排列兩個(gè)列清洗機(jī)群CG1、CG2，在CMP工藝后進(jìn)行清洗工藝時(shí)，確保能夠?qū)г猈處理工藝引入多種工藝變數(shù)的靈活性，因此，能夠利用一套裝置進(jìn)行多種處理工藝，從而不但節(jié)省現(xiàn)場(chǎng)占用的空間，還有效提高生產(chǎn)效率。
[0081]此時(shí)，第一清洗機(jī)群CG1和第二清洗機(jī)群CG2能夠獨(dú)立對(duì)不同的晶元分步進(jìn)行清洗處理。
[0082]如圖3所示，晶元W在化學(xué)機(jī)械研磨模塊XI經(jīng)過(guò)直線排列的第一研磨盤群PG1和第二研磨盤群PG2之后，不需要轉(zhuǎn)換方向進(jìn)入清洗模塊X2，被夾具(gripper) Gr 1、Gr2、Gr3、Gr4、Go夾著的狀態(tài)下分別沿直線路徑Rx被移送單元直線移動(dòng)的過(guò)程中，經(jīng)過(guò)直線排列的第一清洗機(jī)群CG1和第二清洗機(jī)群CG2時(shí)被清洗，從而從化學(xué)機(jī)械研磨模塊XI移動(dòng)到清洗模塊X2的過(guò)程中不需要轉(zhuǎn)換方向，因此控制變得簡(jiǎn)單、準(zhǔn)確、而迅速。
[0083]另外，圖3中舉的構(gòu)成的列子是，第一研磨盤群PG1和第二研磨盤群PG2均形成直線形態(tài)的列，同時(shí)均為直線排列的第一清洗機(jī)群CG1、第二清洗機(jī)群CG2與研磨盤群PG1、PG2連接的形式(包括間歇性間斷)。但也可以是，如圖9所示，第一研磨盤群PG1和第二研磨盤群PG2形成曲線形態(tài)的列，直線排列的第一清洗機(jī)群CG1、第二清洗機(jī)群CG2與研磨盤群PG1、PG2連接的形式(包括間歇性間斷)。反之，雖然沒有在圖上圖示，第一研磨盤群PG1和第二研磨盤群PG2直線排列，曲線排列的第一清洗機(jī)群CG1、第二清洗機(jī)群CG2與研磨盤群PG1、PG2連接的形式(包括間歇性間斷)。或研磨盤群PG1、PG2形成的列和清洗機(jī)群CG1、CG2形成的列，不采用圖11中所示的連接形式，而采用需要另外移動(dòng)的構(gòu)成。
[0084]此外，在圖3中舉的列子是，第一研磨盤群PG1和第二研磨盤群PG2形成的列，沿與第一清洗機(jī)群CG1和第二清洗機(jī)群CG2形成的列平行的水平方向排列的構(gòu)成。但也可以是，如圖11所示，第一研磨盤群PG1和第二研磨盤群PG2形成的列向與第一清洗機(jī)群CG1和第二清洗機(jī)群CG2形成的列垂直或傾斜的方向排列。
[0085]另外，晶元搬運(yùn)器Cr沿著規(guī)定的路徑R移動(dòng)的過(guò)程中，在多個(gè)研磨盤P上進(jìn)行多步驟CMP工藝，則成為晶元W的研磨面朝向底面的狀態(tài)。但是，將化學(xué)機(jī)械研磨模塊XI完成CMP工藝后的晶元的研磨面的朝向和在清洗模塊X2的清洗工藝中的晶元的研磨面的朝向設(shè)置成不一樣，有利于各個(gè)工藝的順利進(jìn)行，因而是優(yōu)選的。
[0086]為此，化學(xué)機(jī)械研磨模塊XI和清洗模塊X2之間的區(qū)域內(nèi)設(shè)置:第一翻轉(zhuǎn)機(jī)80，從第一列的第一研磨盤群PG1將晶元W送到第三列的第一清洗機(jī)群CG1之前，其將晶元W翻轉(zhuǎn)180度；第二翻轉(zhuǎn)機(jī)80，從第二列的第二研磨盤群PG2將晶元W送到第四列的第二清洗機(jī)群CG2之前，其將晶元W翻轉(zhuǎn)180度。
[0087]所述晶元翻轉(zhuǎn)機(jī)80設(shè)置于化學(xué)機(jī)械研磨模塊XI和清洗模塊X2鄰接的區(qū)域，包括:第一翻轉(zhuǎn)機(jī)80，從第一列的第一研磨盤群PG1將晶元送到第三列的第一清洗機(jī)群CG1之前，其將晶元W翻轉(zhuǎn)180度；第二翻轉(zhuǎn)機(jī)80，從第二列的第二研磨盤群PG2將晶元W送到第四列的第二清洗機(jī)群CG2之前，其將晶元W翻轉(zhuǎn)180度。
[0088]由此，從研磨裝置群PG1、PG2完成多步驟CMP工藝的晶元W，通過(guò)搬運(yùn)器Cr直線移動(dòng)而送到晶元翻轉(zhuǎn)機(jī)80，通過(guò)與晶元W的邊緣接觸而夾住晶元W的夾具81來(lái)夾起晶元W，夾具81被翻轉(zhuǎn)180度，然后移動(dòng)到清洗單元X2，使晶元W的研磨面朝上。根據(jù)情況可以是，被夾具811夾著的狀態(tài)下等待移送到清洗模塊X2 ;也可以是，放置臺(tái)83沿柱子82向上下方向81d移動(dòng)，從夾具811接收晶元W，使晶元W在放置臺(tái)83上等待。
[0089]為此，晶元翻轉(zhuǎn)機(jī)80包括:夾具操作裝置M，其不上下移動(dòng)夾具81的位置，而使夾具部件811在原地水平移動(dòng)而夾起或放下晶元W，并使夾具部件811在原地翻轉(zhuǎn)180度；液體供給部815，其設(shè)置于夾具部件811，用于噴射或流出純水等液體。
[0090]在此，如圖8a及圖8b所示，夾具81包括:一對(duì)夾具部件811 ;起動(dòng)部件813，其從夾具部件811的一端部向一方延伸；殼(casing) 118，其收納起動(dòng)部件813的一部分。夾具81可構(gòu)成為對(duì)殼118以合頁(yè)(hinge)的形態(tài)旋轉(zhuǎn)并夾起晶元W，并且根據(jù)本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例，為了始終一定地維持晶元W的夾起位置的同時(shí)維持更加堅(jiān)固地夾住的狀態(tài)，夾具部件811相對(duì)殼118沿表示為811d的方向進(jìn)行往返運(yùn)動(dòng)并夾起晶元W。
[0091]然后，夾具操作裝置Μ起如下作用:使起動(dòng)部件813相對(duì)殼118以圖8b為基準(zhǔn)向上下方向(從殼插入于或拔出的方向)移動(dòng)，從而使夾具部件811沿相互接近或遠(yuǎn)離的方向81 Id移動(dòng)，使夾具部件811能夠夾起晶元W或放下夾起的晶元W。
[0092]為了使起動(dòng)部件813在殼118內(nèi)沿相反的方向移動(dòng)，在殼118內(nèi)部形成壓力艙(chamber)，通過(guò)控制壓力艙內(nèi)部的壓力，使起動(dòng)部件813可根據(jù)空壓或液壓被插入或拔出。根據(jù)本實(shí)用新型的另一個(gè)形態(tài)，具有相反方向的螺紋的螺紋棒(未圖示)在殼818內(nèi)部設(shè)置成與起動(dòng)部件813的螺紋吻合，通過(guò)夾具操作裝置Μ使螺紋棒旋轉(zhuǎn)，使起動(dòng)部件813向相互相反方向移動(dòng)。如此，通過(guò)多種構(gòu)成，通過(guò)起動(dòng)部件813的往返運(yùn)動(dòng)，能夠使夾具部件811向相互相反方向移動(dòng)。如此，通過(guò)起動(dòng)部件813的直線形態(tài)的往返運(yùn)動(dòng)，對(duì)利用夾具部件811夾起或放下晶元W的狀態(tài)進(jìn)行解除，從而有始終在一定位置夾住晶元W的邊緣而獲得穩(wěn)定的夾起狀態(tài)的優(yōu)點(diǎn)。
[0093]重要的是，液體供給機(jī)815設(shè)置于夾具部件811，從液體供給部L接收純水或清洗液等液體，向夾具部件811所夾著的晶元W的研磨面，以噴射或流出的方式提供純水等液體97，維持晶元W研磨面的濕潤(rùn)狀態(tài)。如此，因?yàn)槊總€(gè)單位晶元的化學(xué)機(jī)械研磨工藝所需的時(shí)間和清洗工藝所需的時(shí)間具有時(shí)間差，所以完成化學(xué)機(jī)械研磨工藝的晶元被送到下一個(gè)清洗工藝之前出現(xiàn)等待的時(shí)間，維持晶元W研磨面的濕潤(rùn)狀態(tài)是為了，防止在所述等待時(shí)間內(nèi)晶元的研磨面因干燥而受損。因此，通過(guò)如上所述地在夾具81中設(shè)置液體供給機(jī)815，防止晶元W的研磨面在等待送往清