一種新型一體式電感的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型屬于電器元件領(lǐng)域，涉及一種新型一體式電感。
【背景技術(shù)】
[0002]電感在電器元件中具有非常重要的作用，在LCL濾波電路中或是其它需要用到兩個(gè)電感的電路中，傳統(tǒng)的應(yīng)用時(shí)電感為兩個(gè)獨(dú)立的電感，電感一和電感二，這樣電感不僅占用體積大，而且有加工成本高的缺陷。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，本實(shí)用新型旨在提供一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、緊湊，體積小，成本低的新型一體式電感。
[0004]本實(shí)用新型的通過(guò)如下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)。
[0005]—種新型一體式電感，包括均為磁體的磁芯上軛、心柱磁芯、磁芯下軛、設(shè)置在所述心柱磁芯上方的繞組一和設(shè)置在所述心柱磁芯下方的繞組二，所述繞組一和所述繞組二不接觸，所述心柱磁芯位于所述磁芯上軛與所述磁芯下軛之間，所述磁芯上軛、磁芯下軛、心柱磁芯形成閉合磁回路，所述磁芯上軛、磁芯下軛、心柱磁芯、繞組一形成電感一，所述磁芯上軛、磁芯下軛、心柱磁芯、繞組二形成電感二。
[0006]優(yōu)選的，所述磁芯上軛與所述磁芯下軛的磁導(dǎo)率相同，所述心柱磁芯的磁導(dǎo)率與所述磁芯上軛的磁導(dǎo)率不同。
[0007]優(yōu)選的，所述磁芯上軛的磁導(dǎo)率大于所述心柱磁芯的磁導(dǎo)率。
[0008]優(yōu)選的，所述磁芯上軛與所述磁芯下軛平行，所述心柱磁芯與所述磁芯上軛垂直。
[0009]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)是:本實(shí)用新型在同一個(gè)磁芯上繞制兩個(gè)繞組，分別分布在磁芯的上下方向，電感一在上方，電感二在下方，電感一和電感二形成一體式電感，本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、緊湊，不僅很好的解決電感體積過(guò)大的問(wèn)題，而且有效的降低制造成本。
【附圖說(shuō)明】
[0010]圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0011]圖中:1.磁芯上軛，2.心柱磁芯，3.磁芯下軛，4.繞組一，5.繞組二。
【具體實(shí)施方式】
[0012]下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說(shuō)明，但不作為本實(shí)用新型的限定。
[0013]如圖1所示，一種新型一體式電感，包括均為磁體的磁芯上軛1、心柱磁芯2、磁芯下軛3、設(shè)置在所述心柱磁芯2上方的繞組一 4和設(shè)置在所述心柱磁芯2下方的繞組二 5，所述繞組一 4和所述繞組二 5不接觸，所述磁芯上軛I與所述磁芯下軛3平行，所述心柱磁芯2與所述磁芯上軛I垂直，所述心柱磁芯2位于所述磁芯上軛I與所述磁芯下軛3之間，所述磁芯上軛1、磁芯下軛3、心柱磁芯2形成閉合磁回路，所述磁芯上軛1、磁芯下軛3、心柱磁芯2、繞組一 4形成電感一，所述磁芯上軛1、磁芯下軛3、心柱磁芯2、繞組二 5形成電感二。
[0014]作為優(yōu)選的實(shí)施方案，所述磁芯上軛I與所述磁芯下軛3的磁導(dǎo)率相同，所述心柱磁芯2的磁導(dǎo)率與所述磁芯上軛I的磁導(dǎo)率不同。
[0015]作為優(yōu)選的實(shí)施方案，所述磁芯上軛I的磁導(dǎo)率大于所述心柱磁芯2的磁導(dǎo)率。
[0016]以上所述僅為本實(shí)用新型較佳的實(shí)施例，并非因此限制本實(shí)用新型的實(shí)施方式及保護(hù)范圍，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，應(yīng)當(dāng)能夠意識(shí)到凡運(yùn)用本實(shí)用新型說(shuō)明書及圖示內(nèi)容所作出的等同替換和顯而易見的變化所得到的方案，均應(yīng)當(dāng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種新型一體式電感，其特征在于:包括均為磁體的磁芯上軛、心柱磁芯、磁芯下軛、設(shè)置在所述心柱磁芯上方的繞組一和設(shè)置在所述心柱磁芯下方的繞組二，所述繞組一和所述繞組二不接觸，所述心柱磁芯位于所述磁芯上軛與所述磁芯下軛之間，所述磁芯上軛、磁芯下軛、心柱磁芯形成閉合磁回路，所述磁芯上軛、磁芯下軛、心柱磁芯、繞組一形成電感一，所述磁芯上軛、磁芯下軛、心柱磁芯、繞組二形成電感二。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型一體式電感，其特征在于:所述磁芯上軛與所述磁芯下軛的磁導(dǎo)率相同，所述心柱磁芯的磁導(dǎo)率與所述磁芯上軛的磁導(dǎo)率不同。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的新型一體式電感，其特征在于:所述磁芯上軛的磁導(dǎo)率大于所述心柱磁芯的磁導(dǎo)率。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型一體式電感，其特征在于:所述磁芯上軛與所述磁芯下軛平行，所述心柱磁芯與所述磁芯上軛垂直。
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種新型一體式電感，包括均為磁體的磁芯上軛、心柱磁芯、磁芯下軛、設(shè)置在所述心柱磁芯上方的繞組一和設(shè)置在所述心柱磁芯下方的繞組二，所述繞組一和所述繞組二不接觸，所述心柱磁芯位于所述磁芯上軛與所述磁芯下軛之間，所述磁芯上軛、磁芯下軛、心柱磁芯形成閉合磁回路，所述磁芯上軛、磁芯下軛、心柱磁芯、繞組一形成電感一，所述磁芯上軛、磁芯下軛、心柱磁芯、繞組二形成電感二。本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、緊湊，體積小，成本低。
【IPC分類】H01F27/24
【公開號(hào)】CN204904989
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520678656
【發(fā)明人】劉志達(dá)
【申請(qǐng)人】深圳市鉑科新材料股份有限公司
【公開日】2015年12月23日
【申請(qǐng)日】2015年9月2日