一種高壓mosfet器件的終端結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型屬于半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種高壓MOSFET器件的終端結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]高壓MOSFET器件對耐壓終端結(jié)構(gòu)和電場分布有較高要求。目前的技術(shù)，高壓MOSFET器件的終端結(jié)構(gòu)一般是采用平面結(jié)，擊穿電壓只有平行平面結(jié)的50%左右，使得現(xiàn)有的MOSFET器件終端結(jié)構(gòu)耐壓低，穩(wěn)定性較差，電場分布不均勻。圖1所示是現(xiàn)有技術(shù)中平面結(jié)終端的剖面示意圖。
【實用新型內(nèi)容】
[0003]本實用新型的目的是提供一種高壓MOSFET器件的終端結(jié)構(gòu)，以提高M(jìn)OSFET器件的終端結(jié)構(gòu)的擊穿電壓。
[0004]本實用新型的技術(shù)方案是，一種高壓MOSFET器件的終端結(jié)構(gòu)，采用平面結(jié)終端，該平面結(jié)終端包括離子注入掩蔽層、離子注入?yún)^(qū)域、P+區(qū)域和EPI N型區(qū)域，所述離子注入掩蔽層具有多個掩蔽窗口，雜質(zhì)經(jīng)過離子注入到所述掩蔽窗口后再進(jìn)行擴(kuò)散。
[0005]所述的多個掩蔽窗口中，相鄰的掩蔽窗口中心位置間的距離是漸變的。
[0006]所述的掩蔽窗口是條狀或者圓孔形。
[0007]靠近終端內(nèi)側(cè)的掩蔽窗口是條狀，靠近終端外側(cè)的掩蔽窗口是圓孔形。
[0008]本實用新型提出一種變化橫向摻雜結(jié)構(gòu)，可以有效改善終端電場分布和耐壓?？梢蕴岣邠舸╇妷簽槠叫衅矫娼Y(jié)的95%左右。改善電場分布，提供終端穩(wěn)定性和可靠性。
【附圖說明】
[0009]圖1是現(xiàn)有技術(shù)中平面結(jié)終端的剖面示意圖。
[0010]圖2是本實用新型實施例中的終端剖面示意圖。
[0011]圖3是本實用新型實施例中的終端俯視示意圖。
[0012]其中，I為離子注入掩蔽層，
[0013]2為離子注入?yún)^(qū)域，
[0014]3 為 P+區(qū)域，
[0015]4為EPI N型區(qū)域，
[0016]5為P-低濃度區(qū)域，
[0017]6為終端外圍，
[0018]7為終端內(nèi)側(cè)。
【具體實施方式】
[0019]現(xiàn)有技術(shù)中，終端結(jié)構(gòu)的表面電場較強(qiáng)。如圖2所示的本實用新型的高壓MOSFET器件的終端結(jié)構(gòu)，采用平面結(jié)終端，該平面結(jié)終端包括離子注入掩蔽層、離子注入?yún)^(qū)域、P+區(qū)域和EPI N型區(qū)域，所述離子注入掩蔽層具有多個掩蔽窗口，雜質(zhì)經(jīng)過離子注入到所述掩蔽窗口后再進(jìn)行擴(kuò)散。所述的多個掩蔽窗口中，相鄰的掩蔽窗口中心位置間的距離是漸變的。所述的掩蔽窗口是條狀或者圓孔形。靠近終端內(nèi)側(cè)的掩蔽窗口是條狀，靠近終端外側(cè)的掩蔽窗口是圓孔形。
[0020]本實用新型通過距離變化的摻雜，雜質(zhì)經(jīng)過離子注入到掩蔽窗口后再進(jìn)行擴(kuò)散，雜質(zhì)分布是漸變的，來降低表面峰值電場，理論上可以得到最佳的表面電場。該終端的掩蔽窗口可以是條狀或者一些小孔，在離終端內(nèi)側(cè)是通過條狀的掩蔽注入擴(kuò)散得到高濃度P+區(qū)域，在終端外側(cè)通過一些小孔注入擴(kuò)散得到低濃度P-區(qū)域，從終端內(nèi)側(cè)到外側(cè)P型濃度是逐漸降低的。
[0021]如圖3所示，隨距離變化的掩蔽窗口高壓MOSFET終端排布結(jié)構(gòu)。掩蔽窗口可以是條狀或者一些小孔。掩蔽窗口條狀或者小孔的數(shù)量不限，依據(jù)最終器件參數(shù)要求而變化。掩蔽窗口條狀或者小孔的大小和間距是變化的，依據(jù)最終器件參數(shù)要求而變化。摻雜濃度經(jīng)過擴(kuò)散后從終端內(nèi)側(cè)到外側(cè)是逐漸降低的。
[0022]本實用新型可以大大降低表面電場，提高終端結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性和調(diào)高終端耐壓。
【主權(quán)項】
1.一種高壓MOSFET器件的終端結(jié)構(gòu)，采用平面結(jié)終端，該平面結(jié)終端包括離子注入掩蔽層、離子注入?yún)^(qū)域、P+區(qū)域和EPI N型區(qū)域，其特征在于，所述離子注入掩蔽層具有多個掩蔽窗口，雜質(zhì)經(jīng)過離子注入到所述掩蔽窗口后再進(jìn)行擴(kuò)散。2.如權(quán)利要求1所述的高壓MOSFET器件的終端結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的多個掩蔽窗口中，相鄰的掩蔽窗口中心位置間的距離是漸變的。3.如權(quán)利要求1所述的高壓MOSFET器件的終端結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的掩蔽窗口是條狀或者圓孔形。4.如權(quán)利要求3所述的高壓MOSFET器件的終端結(jié)構(gòu)，其特征在于，靠近終端內(nèi)側(cè)的掩蔽窗口是條狀，靠近終端外側(cè)的掩蔽窗口是圓孔形。
【專利摘要】本實用新型公開了一種高壓MOSFET器件的終端結(jié)構(gòu)，采用平面結(jié)終端，該平面結(jié)終端包括離子注入掩蔽層、離子注入?yún)^(qū)域、P+區(qū)域和EPI N型區(qū)域，所述離子注入掩蔽層具有多個掩蔽窗口，雜質(zhì)經(jīng)過離子注入到所述掩蔽窗口后再進(jìn)行擴(kuò)散。所述的多個掩蔽窗口中，相鄰的掩蔽窗口中心位置間的距離是漸變的。所述的掩蔽窗口是條狀或者圓孔形。靠近終端內(nèi)側(cè)的掩蔽窗口是條狀，靠近終端外側(cè)的掩蔽窗口是圓孔形。本實用新型是一種變化橫向摻雜結(jié)構(gòu)，可以有效改善終端電場分布和耐壓?？梢蕴岣邠舸╇妷簽槠叫衅矫娼Y(jié)的95％左右。改善電場分布，提高終端穩(wěn)定性和可靠性。
【IPC分類】H01L29/06
【公開號】CN204696121
【申請?zhí)枴緾N201520429714
【發(fā)明人】陸懷谷
【申請人】深圳市谷峰電子有限公司, 香港谷峰半導(dǎo)體有限公司
【公開日】2015年10月7日
【申請日】2015年6月19日