一種剔出芯片點(diǎn)測過程中不良晶粒的裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體芯片制造過程中，揀出不合格芯粒的裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，在晶圓片測試芯片晶粒時，發(fā)現(xiàn)不合格的失效晶粒，在失效晶粒上正常打點(diǎn)，并注入油墨，然后烘干、貼膜、切害U、分離晶粒，通過人工，用鑷子或小刀剔出一個一個微小的不良晶粒，這樣不但會誤傷鄰近合格的晶粒，而且既費(fèi)人工，生產(chǎn)效率低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]為解決前述在晶圓片測試芯片晶粒時，揀出不合格芯粒存在的問題，本實(shí)用新型提供一種剔出芯片點(diǎn)測過程中不良晶粒的裝置，該裝置是在晶圓片測試芯片晶粒時，發(fā)現(xiàn)不合格的失效晶粒，在失效晶粒上正常打點(diǎn)，并注入磁性油墨，在切割、分尚后的晶粒兩側(cè)，布設(shè)兩根非磁性導(dǎo)軌，導(dǎo)軌距分離后的晶粒的高度在4-6_，在兩根導(dǎo)軌之間架設(shè)一磁鋼滾筒，磁鋼滾筒受電機(jī)帶動，沿導(dǎo)軌來回滾動，吸出晶圓片上的不良晶粒。所述磁性油墨的磁極性與磁鋼滾筒的磁極性相反。
[0004]本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)是，剔出不合格晶粒效率高，成品率高，大大降低了生產(chǎn)成本。
【附圖說明】
[0005]圖1是本實(shí)用新型的主視圖。
[0006]圖2是圖1的俯視圖。
[0007]圖3是沒有剔出不合格晶粒示意圖。
[0008]圖4是副出不合格晶粒后不意圖。
[0009]圖5是在晶圓測試打點(diǎn)站時，將磁性油墨加注入打點(diǎn)器內(nèi)，并在失效晶粒上正常打點(diǎn)示意圖。
[0010]圖6是將測試打點(diǎn)完畢晶粒按照正常制程放加熱平臺烘烤示意圖。
[0011]圖中標(biāo)號說明:
[0012]1-磁鋼滾筒；2_非磁性導(dǎo)軌；3_防靜電墊；4_合格晶粒；5_不合格晶粒。
【具體實(shí)施方式】
[0013]請參閱附圖5所示，在晶圓測試打點(diǎn)站時，將磁性油墨加注入打點(diǎn)器內(nèi)(圖中黑的圓點(diǎn))，并在失效晶粒上正常打點(diǎn)；
[0014]請參閱附圖6所示，將測試打點(diǎn)完畢晶粒按照正常制程放加熱平臺烘烤10分鐘左右。然后將晶圓正常貼藍(lán)膜、切割成晶粒，最后下藍(lán)分離晶粒。
[0015]在分離后的晶粒兩側(cè)，布設(shè)兩根非磁性導(dǎo)軌2，導(dǎo)軌2距分離后的晶粒4、5的高度在4-6_，在兩根導(dǎo)軌2之間架設(shè)一磁鋼滾筒1，磁鋼滾筒I受電機(jī)帶動，沿導(dǎo)軌2來回滾動，吸出晶圓片上的不良晶粒5。所述磁性油墨的磁極性與磁鋼滾筒的磁極性相反。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種剔出芯片點(diǎn)測過程中不良晶粒的裝置，其特征在于，在晶圓片測試芯片晶粒時，發(fā)現(xiàn)不合格的失效晶粒，在失效晶粒上正常打點(diǎn)，并注入磁性油墨，在切割、分離后的晶粒兩側(cè)，布設(shè)兩根非磁性導(dǎo)軌，導(dǎo)軌距分離后的晶粒的高度在4-6_，在兩根導(dǎo)軌之間架設(shè)一磁鋼滾筒，磁鋼滾筒受電機(jī)帶動，沿導(dǎo)軌來回滾動，吸出晶圓片上的不良晶粒。
【專利摘要】本實(shí)用新型提供一種剔出芯片點(diǎn)測過程中不良晶粒的裝置，該裝置是在晶圓片測試芯片晶粒時，發(fā)現(xiàn)不合格的失效晶粒，在失效晶粒上正常打點(diǎn)，并注入磁性油墨，在切割、分離后的晶粒兩側(cè)，布設(shè)兩根非磁性導(dǎo)軌，導(dǎo)軌距分離后的晶粒的高度在4-6mm，在兩根導(dǎo)軌之間架設(shè)一磁鋼滾筒，磁鋼滾筒受電機(jī)帶動，沿導(dǎo)軌來回滾動，吸出晶圓片上的不良晶粒。所述磁性油墨的磁極性與磁鋼滾筒的磁極性相反。本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)是，剔出不合格晶粒效率高，成品率高，大大降低了生產(chǎn)成本。
【IPC分類】H01L21-67
【公開號】CN204481007
【申請?zhí)枴緾N201520153191
【發(fā)明人】沈峰, 常彩青, 黃建勛
【申請人】上海旭福電子有限公司, 敦南微電子（無錫）有限公司
【公開日】2015年7月15日
【申請日】2015年3月18日