一種等離子體刻蝕裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體元器件加工的刻蝕裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]等離子刻蝕裝置，其原理是暴露在電子區(qū)域的氣體形成等離子體，由此產(chǎn)生的電離氣體和釋放高能電子組成的氣體，從而形成了等離子或離子，電離氣體原子通過電場加速時(shí)，會(huì)釋放足夠的力量與表面驅(qū)逐力緊緊粘合材料或蝕刻表面。進(jìn)行干式蝕刻工藝的設(shè)備包括反應(yīng)室、電源、真空部分。工件送入被真空泵抽空的反應(yīng)室。氣體被導(dǎo)入并與等離子體進(jìn)行交換。等離子體在工件表面發(fā)生反應(yīng)，反應(yīng)的揮發(fā)性副產(chǎn)物被真空泵抽走。現(xiàn)有的等離子刻蝕裝置存在的缺點(diǎn)是效率低，對(duì)產(chǎn)品的刻蝕不夠均勻，整機(jī)使用壽命有限，性價(jià)比低。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本實(shí)用新型的目的在于提供一種等離子體刻蝕裝置，能對(duì)產(chǎn)品的刻蝕更加均勻，并且提高效率。
[0004]為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本實(shí)用新型提供一種等離子體刻蝕裝置，包括主機(jī)柜，所述主機(jī)柜內(nèi)設(shè)有反應(yīng)室，所述反應(yīng)室上方與一送氣管連接，反應(yīng)室下方與一抽氣管連接，所述反應(yīng)室內(nèi)設(shè)有一靜電吸盤，所述反應(yīng)室上方中央設(shè)有射頻電源，所述射頻電源的四周設(shè)有射頻電感線圈，所述射頻電源與所述射頻電感線圈連接，所述射頻電源還與所述靜電吸盤連接，所述靜電吸盤與所述射頻電源的距離為20mm-40mm。
[0005]優(yōu)選地，所述主機(jī)柜的上方還設(shè)有一控制單元，所述控制單元包括控制板和觸摸顯示屏，所述控制單元與所述射頻電源連接，控制單元具有自動(dòng)/手動(dòng)控制切換功能。
[0006]優(yōu)選地，所述射頻電源的功率為5KW-40KW，所述射頻電源的頻率為2MHz至40MHz，所述射頻電感線圈的匝數(shù)為3圈至6圈。可精確、連續(xù)調(diào)節(jié)功率，電源穩(wěn)定性好。
[0007]優(yōu)選地，所述抽氣管一端與所述反應(yīng)室連接，另一端與一真空泵連接，所述抽氣管還與所述控制單元連接。
[0008]優(yōu)選地，所述靜電吸盤內(nèi)部設(shè)有多個(gè)獨(dú)立溫控區(qū)，每個(gè)獨(dú)立溫控區(qū)的溫度范圍在20 0C -180 °C。
[0009]優(yōu)選地，所述真空泵采用水冷雙級(jí)旋片泵，可延長了使用壽命。
[0010]如上所述，本實(shí)用新型的一種等離子體刻蝕裝置，具有以下有益效果:反應(yīng)室上方設(shè)有射頻電源，射頻電源的四周設(shè)有射頻電感線圈，能更好的控制等離子體的刻蝕速率及刻蝕深度，射頻電源放置于反應(yīng)室上方的中央位置，保證了放電用的電場的對(duì)稱性分布，使亥IJ蝕速率具有良好的均勻性，靜電吸盤與射頻電源的距離為20mm-40mm，該距離能更好的控制刻蝕深度和寬度。
【附圖說明】
[0011]圖1為等離子體刻蝕裝置的示意圖。
[0012]元件標(biāo)號(hào)說明:
[0013]1-主機(jī)柜，2-反應(yīng)室，3-送氣管，4-抽氣管，5-靜電吸盤，6_射頻電源，7_射頻電感線圈，8-真空泵。
【具體實(shí)施方式】
[0014]以下由特定的具體實(shí)施例說明本實(shí)用新型的實(shí)施方式，熟悉此技術(shù)的人士可由本說明書所揭露的內(nèi)容輕易地了解本實(shí)用新型的其他優(yōu)點(diǎn)及功效。
[0015]請(qǐng)參閱圖1。須知，本說明書所附圖式所繪示的結(jié)構(gòu)、比例、大小等，均僅用以配合說明書所揭示的內(nèi)容，以供熟悉此技術(shù)的人士了解與閱讀，并非用以限定本實(shí)用新型可實(shí)施的限定條件，故不具技術(shù)上的實(shí)質(zhì)意義，任何結(jié)構(gòu)的修飾、比例關(guān)系的改變或大小的調(diào)整，在不影響本實(shí)用新型所能產(chǎn)生的功效及所能達(dá)成的目的下，均應(yīng)仍落在本實(shí)用新型所揭示的技術(shù)內(nèi)容得能涵蓋的范圍內(nèi)。同時(shí)，本說明書中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中間”及“一”等的用語，亦僅為便于敘述的明了，而非用以限定本實(shí)用新型可實(shí)施的范圍，其相對(duì)關(guān)系的改變或調(diào)整，在無實(shí)質(zhì)變更技術(shù)內(nèi)容下，當(dāng)亦視為本實(shí)用新型可實(shí)施的范疇。
[0016]如圖1所示，本實(shí)用新型提供一種等離子體刻蝕裝置，包括主機(jī)柜1，所述主機(jī)柜I內(nèi)設(shè)有反應(yīng)室2，所述反應(yīng)室2上方與一送氣管3連接，反應(yīng)室2下方與一抽氣管4連接，所述反應(yīng)室2內(nèi)設(shè)有一靜電吸盤5，所述反應(yīng)室2上方中央設(shè)有射頻電源6，所述射頻電源6的四周設(shè)有射頻電感線圈7，所述射頻電源6與所述射頻電感線圈7連接，所述射頻電源6還與所述靜電吸盤5連接，所述靜電吸盤5與所述射頻電源6的距離為20mm-40mm。
[0017]作為一種具體實(shí)施例，主機(jī)柜的上方還設(shè)有一控制單元，所述控制單元包括控制板和觸摸顯示屏，所述控制單元與所述射頻電源連接，控制單元具有自動(dòng)/手動(dòng)控制切換功能。
[0018]作為一種具體實(shí)施例，射頻電源6的功率為5KW-40KW，所述射頻電源6的頻率為2MHz至40MHz，所述射頻電感線圈7的匝數(shù)為3圈至6圈?？删_、連續(xù)調(diào)節(jié)功率，電源穩(wěn)定性好。
[0019]作為一種具體實(shí)施例，抽氣管4 一端與所述反應(yīng)室2連接，另一端與一真空泵8連接，所述抽氣管4還與所述控制單元連接。
[0020]作為一種具體實(shí)施例，靜電吸盤5內(nèi)部設(shè)有多個(gè)獨(dú)立溫控區(qū)，每個(gè)獨(dú)立溫控區(qū)的溫度范圍在20°C _180°C，溫度對(duì)于刻蝕效率也有影響，因此，將靜電吸盤上的溫度進(jìn)行控制調(diào)節(jié)，可使得待刻蝕產(chǎn)品表面得到更好的刻蝕和控制。
[0021]作為一種具體實(shí)施例，真空泵8采用水冷雙級(jí)旋片泵，可延長了使用壽命。
[0022]進(jìn)行工作時(shí)，將待刻蝕的產(chǎn)品放置在反應(yīng)室的靜電吸盤上，抽取反應(yīng)室內(nèi)本底真空，通入工作氣體，調(diào)節(jié)工作壓強(qiáng)。抽取所述反應(yīng)室內(nèi)的氣體，使得所述反應(yīng)室的壓強(qiáng)進(jìn)入預(yù)定的本底真空范圍，預(yù)定本底真空范圍為l(T5-l(T3Pa ;向所述反應(yīng)室混合通入工作氣體，調(diào)整所述反應(yīng)室的抽氣速度，使得所述反應(yīng)室的壓強(qiáng)進(jìn)入預(yù)定的工作壓強(qiáng)范圍，預(yù)定工作壓強(qiáng)范圍為lPa_20Pa。啟動(dòng)線圈射頻電源，產(chǎn)生適當(dāng)密度的等離子體，促使等離子體輝光放電，并將設(shè)備維持在一個(gè)穩(wěn)定的等離子體環(huán)境中，調(diào)節(jié)選取合適的刻蝕工藝參數(shù)，使待刻蝕產(chǎn)品表面生成大范圍、高密度的表面納米結(jié)構(gòu)。
[0023]如上所述，本實(shí)用新型提供的一種等離子體刻蝕裝置，反應(yīng)室上方設(shè)有射頻電源，射頻電源的四周設(shè)有射頻電感線圈，能更好的控制等離子體的刻蝕速率及刻蝕深度，射頻電源放置于反應(yīng)室上方的中央位置，保證了放電用的電場的對(duì)稱性分布，使刻蝕速率具有良好的均勻性，靜電吸盤與射頻電源的距離為20mm-40mm，該距離能更好的控制刻蝕深度和寬度。所以，本實(shí)用新型有效克服了現(xiàn)有技術(shù)中的種種缺點(diǎn)而具高度產(chǎn)業(yè)利用價(jià)值。
[0024]上述實(shí)施例僅例示性說明本實(shí)用新型的原理及其功效，而非用于限制本實(shí)用新型。任何熟悉此技術(shù)的人士皆可在不違背本實(shí)用新型的精神及范疇下，對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行修飾或改變。因此，舉凡所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者在未脫離本實(shí)用新型所揭示的精神與技術(shù)思想下所完成的一切等效修飾或改變，仍應(yīng)由本實(shí)用新型的權(quán)利要求所涵蓋。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種等離子體刻蝕裝置，其特征在于:包括主機(jī)柜，所述主機(jī)柜內(nèi)設(shè)有反應(yīng)室，所述反應(yīng)室上方與一送氣管連接，反應(yīng)室下方與一抽氣管連接，所述反應(yīng)室內(nèi)設(shè)有一靜電吸盤，所述反應(yīng)室上方中央設(shè)有射頻電源，所述射頻電源的四周設(shè)有射頻電感線圈，所述射頻電源與所述射頻電感線圈連接，所述射頻電源還與所述靜電吸盤連接，所述靜電吸盤與所述射頻電源的距離為20mm-40mmo
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種等離子體刻蝕裝置，其特征在于:所述主機(jī)柜的上方還設(shè)有一控制單元，所述控制單元包括控制板和觸摸顯示屏，所述控制單元與所述射頻電源連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種等離子體刻蝕裝置，其特征在于:所述射頻電源的功率為5KW-40KW，所述射頻電源的頻率為2MHz至40MHz，所述射頻電感線圈的匝數(shù)為3圈至6圈。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種等離子體刻蝕裝置，其特征在于:所述抽氣管一端與所述反應(yīng)室連接，另一端與一真空泵連接，所述抽氣管還與所述控制單元連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種等離子體刻蝕裝置，其特征在于:所述靜電吸盤內(nèi)部設(shè)有多個(gè)獨(dú)立溫控區(qū)，每個(gè)獨(dú)立溫控區(qū)的溫度范圍在20°C -180°C。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種等離子體刻蝕裝置，其特征在于:所述真空泵采用水冷雙級(jí)旋片泵。
【專利摘要】本實(shí)用新型提供一種等離子體刻蝕裝置，包括主機(jī)柜，所述主機(jī)柜內(nèi)設(shè)有反應(yīng)室，所述反應(yīng)室上方與一送氣管連接，反應(yīng)室下方與一抽氣管連接，所述反應(yīng)室內(nèi)設(shè)有一靜電吸盤，所述反應(yīng)室上方中央設(shè)有射頻電源，所述射頻電源的四周設(shè)有射頻電感線圈，所述射頻電源與所述射頻電感線圈連接，所述射頻電源還與所述靜電吸盤連接，所述靜電吸盤與所述射頻電源的距離為20mm-40mm。能更好的控制等離子體的刻蝕速率及刻蝕深度，保證了放電用的電場的對(duì)稱性分布，使刻蝕速率具有良好的均勻性。
【IPC分類】H01J37-32
【公開號(hào)】CN204407288
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520079805
【發(fā)明人】張海霞, 殷翔芝, 江霞, 喬冠娣
【申請(qǐng)人】江蘇金來順光電科技有限公司
【公開日】2015年6月17日
【申請(qǐng)日】2015年2月2日