封裝方法及倒裝芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種封裝方法及倒裝芯片封裝結(jié)構(gòu)，所述封裝方法包括如下步驟：提供一基板及一芯片，所述芯片的焊盤表面具有一第一金屬柱；在所述基板上表面形成圖形化的金屬布線底層，所述金屬布線底層具有多個金屬墊；在所述金屬墊的上表面形成至少一個第二金屬柱，所述第二金屬柱的高度大于所述第一金屬柱的高度；將所述第一金屬柱與所述第二金屬柱焊接；塑封所述芯片、第一金屬柱、第二金屬柱及圖形化的金屬布線底層；去除所述基板，以使金屬布線底層的金屬墊下表面裸露，形成倒裝芯片封裝結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的優(yōu)點在于，第二金屬柱的高度大于芯片側(cè)的第一金屬柱的高度，該結(jié)構(gòu)能夠降低應(yīng)力，避免芯片受到損壞，且節(jié)約成本，可將成本降低至20％。
【專利說明】
封裝方法及倒裝芯片封裝結(jié)構(gòu)
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域，尤其涉及一種封裝方法及倒裝芯片封裝結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]以往的一級封裝技術(shù)都是將芯片的有源區(qū)面朝上，背對基板和貼后鍵合，如引線鍵合和載帶自動鍵合(TAB)。倒裝芯片封裝則將芯片有源區(qū)面對基板，通過芯片上呈陣列排列的焊料凸點實現(xiàn)芯片與襯底的互連。硅片直接以倒扣方式安裝到印制電路板，從硅片向四周引出輸入輸出端，互聯(lián)的大大縮短，減小了相移電路的延遲，有效地提高了電性能。顯然，這種芯片互連方式能提供更高的輸入輸出端的密度。倒裝占有面積幾乎與芯片大小一致。在所有表面安裝技術(shù)中，倒裝芯片可以達到最小、最薄的封裝。
[0003]但是，現(xiàn)有的倒裝封裝方法存在應(yīng)力大的缺點，會導(dǎo)致芯片受到損壞。因此，亟需一種封裝方法，降低倒裝封裝的應(yīng)力，避免芯片受到損壞。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是，提供一種封裝方法及倒裝芯片封裝結(jié)構(gòu)，其能夠降低應(yīng)力，避免芯片受到損壞，且節(jié)約成本。
[0005]為了解決上述問題，本發(fā)明提供了一種封裝方法，包括如下步驟:提供一基板及一芯片，所述芯片的焊盤表面具有一第一金屬柱；在所述基板上表面形成圖形化的金屬布線底層，所述金屬布線底層具有多個金屬墊;在所述金屬墊的上表面形成至少一個第二金屬柱，所述第二金屬柱的高度大于所述第一金屬柱的高度;將所述第一金屬柱與所述第二金屬柱焊接;塑封所述芯片、第一金屬柱、第二金屬柱及圖形化的金屬布線底層;去除所述基板，以使金屬布線底層的金屬墊下表面裸露，形成倒裝芯片封裝結(jié)構(gòu)。
[0006]進一步，還包括一在第二金屬柱對應(yīng)位置形成至少一個圖形化的金屬布線中間層的步驟，所述金屬布線中間層在第二金屬柱位置具有金屬墊，至少一個所述金屬布線中間層沿所述第二金屬柱高度方向間隔分割所述第二金屬柱。
[0007]進一步，在第二金屬柱對應(yīng)位置形成至少一個圖形化的金屬布線中間層的方法包括如下步驟:在所述金屬墊的上表面形成至少一個第二金屬柱步驟中，縮短所述第二金屬柱的高度，在此定義該縮短的第二金屬柱為次第二金屬柱;采用塑封材料或絕緣材料覆蓋所述圖形化的金屬布線底層、基板及次第二金屬柱，形成一絕緣層，所述次第二金屬柱的上表面暴露與所述絕緣層上表面;在所述絕緣層上表面形成一圖形化的金屬布線中間層，所述圖形化的金屬布線中間層的金屬墊對應(yīng)所述次第二金屬柱的位置;在所述圖形化的金屬布線中間層的金屬墊上表面形成一凸起，該凸起與所述次第二金屬柱共同構(gòu)成所述第二金屬柱，從而在所述基板表面形成由金屬布線底層、第二金屬柱及沿所述第二金屬柱高度方向間隔分割所述第二金屬柱的金屬布線中間層構(gòu)成的結(jié)構(gòu)，所述第二金屬柱及所述金屬布線中間層的高度之和大于所述第一金屬柱的高度。
[0008]進一步，在所述金屬墊的上表面形成至少一個第二金屬柱的步驟中，采用絕緣材料覆蓋所述圖形化的金屬布線底層及基板，形成絕緣層，并在所述金屬布線底層的金屬墊對應(yīng)位置形成過孔，暴露出所述金屬墊；在所述絕緣層上表面形成一圖形化的金屬布線中間層的步驟中，同時在所述過孔中沉積金屬，形成所述次第二金屬柱。
[0009]進一步，在焊接步驟之前，還包括一在至少一個所述第二金屬柱側(cè)壁和/或至少一個所述圖形化的金屬布線底層的金屬墊的側(cè)壁和/或至少一個所述圖形化的金屬布線中間層的金屬墊的側(cè)壁形成用于鎖定封裝結(jié)構(gòu)塑封體的凸起的步驟。
[0010]進一步，在所述基板一表面形成圖形化的金屬布線底層及在所述金屬墊的上表面形成至少一個第二金屬柱的方法包括如下步驟:在所述基板上表面沉積圖形化的第一掩膜層;在所述第一掩膜層的圖形處沉積金屬，形成圖形化的金屬布線底層，所述第一掩膜層的圖形處沉積成所述金屬布線底層的金屬墊;在所述第一掩膜層及金屬布線底層表面沉積圖形化的第二掩膜層，所述第二掩膜層的圖形處對應(yīng)所述金屬墊;在所述第二掩膜層的圖形處沉積金屬，以在所述金屬墊上表面形成至少一個第二金屬柱。
[0011 ]進一步，在去除所述基板的步驟之后，還包括一在所述裸露的金屬墊下表面形成可焊層的步驟。
[0012]進一步，在焊接步驟之前，還包括一對所述第二金屬柱及金屬墊金屬防氧化處理的步驟。
[0013]本發(fā)明還提供一種倒裝芯片封裝結(jié)構(gòu)，包括圖形化的金屬布線底層、芯片和包覆所述金屬布線底層及芯片的塑封體，所述圖形化的金屬布線底層具有多個金屬墊，所述金屬墊上表面上設(shè)置有至少一個第二金屬柱，所述金屬墊下表面裸露于所述塑封體，所述芯片朝向所述金屬布線底層的表面設(shè)置有與芯片焊盤電連接的至少一個第一金屬柱，所述第一金屬柱與所述第二金屬柱對應(yīng)電連接，且所述第二金屬柱的高度大于所述第一金屬柱的高度。
[0014]進一步，所述封裝結(jié)構(gòu)還包括至少一個圖形化的金屬布線中間層，多個所述金屬布線中間層沿所述第二金屬柱間高度方向與所述金屬布線底層間隔設(shè)置。
[0015]進一步，至少一個所述第二金屬柱側(cè)壁和/或至少一個所述圖形化的金屬布線底層的金屬墊的側(cè)壁和/或至少一個所述圖形化的金屬布線中間層的金屬墊的側(cè)壁具有用于鎖定封裝結(jié)構(gòu)塑封體的凸起。
[0016]進一步，在所述金屬布線底層的金屬墊的裸露出所述塑封體的下表面具有可焊層，用于與外界焊接。
[0017]本發(fā)明的優(yōu)點在于，利用本發(fā)明封裝方法形成一基板側(cè)的第二金屬柱的高度大于芯片側(cè)的第一金屬柱的高度的倒裝芯片封裝結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)能夠降低應(yīng)力，避免芯片受到損壞，且節(jié)約成本，可將成本降低至20 %。
【附圖說明】
[0018]圖1是本發(fā)明封裝方法的步驟示意圖；
[0019]圖2A?圖2G是本發(fā)明封裝方法的流程示意圖；
[0020]圖3A?圖3G是在基板表面形成圖形化的金屬布線底層及在所述金屬墊的上表面形成至少一個第二金屬柱的流程示意圖；
[0021]圖4A?圖4G是在第二金屬柱對應(yīng)位置形成至少一個圖形化的金屬布線中間層的流程示意圖；
[0022]圖5是形成凸起的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖6是本發(fā)明倒裝芯片封裝結(jié)構(gòu)一個【具體實施方式】的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖7是本發(fā)明倒裝芯片封裝結(jié)構(gòu)另一個【具體實施方式】的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0025]下面結(jié)合附圖對本發(fā)明提供的封裝方法及倒裝芯片封裝結(jié)構(gòu)的【具體實施方式】做詳細說明。
[0026]參見圖1，本發(fā)明封裝方法包括如下步驟:步驟S10:提供一基板及一芯片，所述芯片的焊盤表面具有一第一金屬柱；步驟S12:在所述基板一表面形成圖形化的金屬布線底層，所述金屬布線底層具有多個金屬墊;步驟S14:在所述金屬墊的上表面形成至少一個第二金屬柱，所述第二金屬柱的高度大于所述第一金屬柱的高度;步驟S16:將所述第一金屬柱與所述第二金屬柱焊接;步驟S18:塑封所述芯片、第一金屬柱、第二金屬柱及圖形化的金屬布線底層;步驟S20:去除所述基板，以使金屬布線底層的金屬墊下表面裸露，形成倒裝芯片封裝結(jié)構(gòu)。
[0027]圖2A?圖2G是本發(fā)明封裝方法的工藝流程圖。
[0028]參見圖2A及步驟S10，提供一基板200及一芯片300，所述芯片300的焊盤(附圖中未標不)表面具有一第一金屬柱301。
[0029]所述基板200可以為單純的載體，也可以為表面具有可剝離金屬層的載體，所述可剝離金屬層可以通過電鍍或者其他方式沉積，后續(xù)可剝離。所述第一金屬柱301可以為事先制作在焊盤表面的銅凸點或者其他金屬凸點。
[0030]參見圖2B、步驟S12及步驟S14，在所述基板200—表面形成圖形化的金屬布線底層201，所述金屬布線底層201具有多個金屬墊202。在所述金屬墊202的上表面形成至少一個第二金屬柱203，所述第二金屬柱203的高度大于所述第一金屬柱301的高度。
[0031 ]在本【具體實施方式】中，參見圖3A?圖3G，在所述基板200—表面形成圖形化的金屬布線底層201及在所述金屬墊202的上表面形成至少一個第二金屬柱203的方法包括如下步驟:
[0032]參見圖3A，在所述基板200的一表面覆蓋感光掩膜301。
[0033]參見圖3B，圖形化所述感光掩膜301，形成圖形化的第一掩膜層302。
[0034]參見圖3C，在所述第一掩膜層302的圖形處沉積金屬，例如電鍍銅，形成圖形化的金屬布線底層201，所述第一掩膜層302的圖形處沉積成所述金屬布線底層201的金屬墊202。
[0035]參見圖3D，在所述第一掩膜層302及金屬布線底層201表面覆蓋感光掩膜303。
[0036]參見圖3E，圖形化所述感光掩膜303，形成圖形化的第二掩膜層304，所述第二掩膜層304的圖形處對應(yīng)所述金屬墊202。
[0037]參見圖3F，在所述第二掩膜層304的圖形處沉積金屬，以在所述金屬墊202上表面形成至少一個第二金屬柱203。
[0038]參見圖3G，去除所述第一掩膜層302及第二掩膜層304，暴露出圖形化的金屬布線底層201及第二金屬柱203。在該步驟后，還可以包括一對所述第二金屬柱203進行防氧化處理步驟，該步驟的處理方法為現(xiàn)有技術(shù)，在此不再贅述。
[0039]在本發(fā)明另一【具體實施方式】中，參見圖4A，還包括一在第二金屬柱203對應(yīng)位置形成至少一個圖形化的金屬布線中間層205的步驟。所述金屬布線中間層205在第二金屬柱位置具有金屬墊206，至少一個所述金屬布線中間層205沿所述第二金屬柱203高度方向間隔分割所述第二金屬柱203，即所述金屬布線中間層205將所述第二金屬柱203分成若干份，優(yōu)選地，等分為若干等份，每一份第二金屬柱203定義為次第二金屬柱。參見圖4A所示，在本【具體實施方式】中，包含一個所述金屬布線中間層205，一個所述金屬布線中間層205將所述第二金屬柱203分成兩份。所述圖形化的金屬布線中間層205用于將所述芯片300扇出(Fanout)，以匹配PCB板。
[0040]所述金屬布線中間層的制作方法可分為兩種情況，一種情況是步驟S12之后，即在所述基板200—表面形成圖形化的金屬布線底層201的步驟之后，制作金屬布線中間層205;另一種情況是在步驟S14之后，即在所述金屬墊202的上表面形成至少一個第二金屬柱203步驟之后，制作金屬布線中間層205。
[0041]下文分別描述兩種情況下，所述金屬布線中間層的制作方法。
[0042]圖4B?圖4D是所述金屬布線中間層的一種制作方法。在所述基板200—表面形成圖形化的金屬布線底層201的步驟之后形成所述金屬布線中間層205。
[0043]參見圖4B，在所述基板200—表面形成圖形化的金屬布線底層201的步驟之后，采用絕緣材料覆蓋所述圖形化的金屬布線底層201及基板200，形成絕緣層210，并在所述金屬布線底層201的金屬墊202對應(yīng)位置形成過孔211，暴露出所述金屬墊202。
[0044]參見圖4C，在所述絕緣層210上表面形成一圖形化的金屬布線中間層205，在該步驟中，金屬沉積在過孔211中，形成次第二金屬柱212，所述圖形化的金屬布線中間層205的金屬墊206對應(yīng)次第二金屬柱212的位置。
[0045]參見圖4D，在所述圖形化的金屬布線中間層205的金屬墊206上形成一凸起213。該凸起213在后續(xù)工藝中，用于與第一金屬柱301焊接。該凸起213與所述次第二金屬柱212共同構(gòu)成所述第二金屬柱203。在所述基板200表面形成由金屬布線底層201、第二金屬柱203及沿所述第二金屬柱203高度方向間隔分割所述第二金屬柱203的金屬布線中間層205構(gòu)成的結(jié)構(gòu)，所述第二金屬柱203及所述金屬布線中間層205的高度之和大于所述第一金屬柱301的高度。
[0046]圖4E?圖4G是所述金屬布線中間層的另一種制作方法。在所述金屬墊202的上表面形成至少一個第二金屬柱203步驟之后，制作金屬布線中間層205。
[0047]在所述金屬墊202的上表面形成至少一個第二金屬柱203步驟中，縮短所述第二金屬柱203的高度，在此定義該縮短的第二金屬柱203為次第二金屬柱212;
[0048]參見圖4E，采用塑封材料或絕緣材料覆蓋所述圖形化的金屬布線底層201、基板200及次第二金屬柱212，形成一絕緣層210，所述次第二金屬柱212的上表面暴露于所述絕緣層210上表面ο
[0049]參見圖4F，在所述絕緣層上表面形成一圖形化的金屬布線中間層205，所述圖形化的金屬布線中間層205的金屬墊206對應(yīng)所述次第二金屬柱212的位置。
[0050]參見圖4G，在所述圖形化的金屬布線中間層205的金屬墊206上表面形成一凸起213，該凸起213與所述次第二金屬柱212共同構(gòu)成所述第二金屬柱203，在所述基板200表面形成由金屬布線底層201、第二金屬柱203及沿所述第二金屬柱203高度方向間隔分割所述第二金屬柱203的金屬布線中間層205構(gòu)成的結(jié)構(gòu)，所述第二金屬柱203及所述金屬布線中間層205的高度之和大于所述第一金屬柱301的高度。
[0051]其中，在該兩種方法中，所述圖形化的金屬布線中間層205及凸起213的制作方法可采用掩膜的方法，該方法為本領(lǐng)域公知的技術(shù)，在此不贅述。另外，在制作所述圖形化的金屬布線中間層205之前可在所述絕緣層210表面形成導(dǎo)電層(附圖中未標示)，后續(xù)可采用電鍍的方法沉積圖形化的金屬布線中間層205。在本【具體實施方式】中，覆蓋掩膜層及圖形化的方法為本領(lǐng)域技術(shù)人員常用的方法，在此不再贅述。
[0052]參見圖2C，在步驟S14之后，還包括一在所述第二金屬柱203表面形成可焊層204的步驟，所述可焊層204用于后續(xù)工藝中作為焊接層使用。該步驟可以在圖3F所示步驟之后進行，即在去除第一掩膜層302及第二掩膜層304的步驟之前形成可焊層204，也可以在去除去除第一掩膜層302及第二掩膜層304的步驟之后形成可焊層204，本文對此不進行限定。
[0053]參見圖2D及步驟S16，將所述第一金屬柱301與所述第二金屬柱203焊接。在所述第一金屬柱301的表面可預(yù)先植入金屬球，在進行焊接時，可以將第一金屬柱301表面的金屬球與所述可焊層204焊接形成焊接層400。
[0054]在焊接步驟S16之前，參見圖5，還包括一在至少一個所述第二金屬柱203側(cè)壁和/或至少一個所述圖形化的金屬布線底層201的金屬墊202的側(cè)壁和/或至少一個所述圖形化的金屬布線中間層205的金屬墊206的側(cè)壁形成用于鎖定封裝結(jié)構(gòu)塑封體的凸起207的步驟。所述第二金屬柱203側(cè)壁、所述圖形化的金屬布線底層201的金屬墊202的側(cè)壁及所述圖形化的金屬布線中間層205的金屬墊206的側(cè)壁中的一個或多個均可以形成凸起207，所述凸起207在側(cè)壁形成類似耳朵的結(jié)構(gòu)，可進一步固定后續(xù)封裝形成的塑封體500，避免塑封體500與元器件(例如芯片300)分離。在本【具體實施方式】中，僅在所述圖形化的金屬布線底層201的金屬墊202的側(cè)壁形成凸起207。
[0055]參見圖2E及步驟S18，塑封所述芯片300、第一金屬柱301、第二金屬柱203及圖形化的金屬布線底層201，所述塑封體500包圍所述芯片300、第一金屬柱301、第二金屬柱203及圖形化的金屬布線底層201。
[0056]參見圖2F及步驟S20，去除所述基板200，以使金屬布線底層201的金屬墊202下表面裸露，形成倒裝芯片封裝結(jié)構(gòu)600。去除所述基板200的方法為本領(lǐng)域常規(guī)方法，在此不再贅述。
[0057]進一步，參見圖2G，在去除所述基板200之后，還包括一在所述金屬布線底層201的金屬墊202的裸露出所述塑封體500的下表面形成可焊層208的步驟，所述可焊層208用于與外界實現(xiàn)焊接。所述可焊層208可通過化學(xué)沉錫、沉積鎳金或OSP處理(有機可焊性保護)等方式形成。
[0058]本發(fā)明還提供一種倒裝芯片封裝結(jié)構(gòu)，參見圖6，倒裝芯片封裝結(jié)構(gòu)600包括圖形化的金屬布線底層201、芯片300和包覆所述金屬布線底層201及芯片300的塑封體500，所述圖形化的金屬布線底層201具有多個金屬墊202，所述金屬墊202上表面上設(shè)置有至少一個第二金屬柱203，所述金屬墊202下表面裸露于所述塑封體500，所述芯片300朝向所述金屬布線底層201的表面設(shè)置有與芯片焊盤電連接的至少一個第一金屬柱301，所述第一金屬柱301與所述第二金屬柱203對應(yīng)電連接，且所述第二金屬柱203的高度大于所述第一金屬柱301的高度。
[0059]參見圖7，在本發(fā)明另一【具體實施方式】中，所述封裝結(jié)構(gòu)還包括至少一個圖形化的金屬布線中間層205，多個所述金屬布線中間層205沿所述第二金屬柱203高度方向與所述金屬布線底層201間隔設(shè)置。在本【具體實施方式】中，所述封裝結(jié)構(gòu)還包括一個圖形化的金屬布線中間層205，一個所述金屬布線中間層205將所述第二金屬柱203分成兩份。
[0060]優(yōu)選地，至少一個所述第二金屬柱203側(cè)壁和/或至少一個所述圖形化的金屬布線底層201的金屬墊202的側(cè)壁和/或至少一個所述圖形化的金屬布線中間層205的金屬墊206的側(cè)壁具有用于鎖定封裝結(jié)構(gòu)塑封體的凸起207，所述凸起207在側(cè)壁形成類似耳朵的結(jié)構(gòu)，可進一步固定塑封體500，避免塑封體500與元器件(例如芯片300)分離，參見圖7，在本【具體實施方式】中，僅在所述圖形化的金屬布線底層201的金屬墊202的側(cè)壁形成凸起207。[0061 ] 優(yōu)選地，在所述金屬布線底層201的金屬墊202的裸露出所述塑封體500的下表面還具有可焊層208，所述可焊層208用于與外界實現(xiàn)焊接。
[0062]以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應(yīng)當指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護范圍。
【主權(quán)項】
1.一種封裝方法，其特征在于，包括如下步驟: 提供一基板及一芯片，所述芯片的焊盤表面具有一第一金屬柱； 在所述基板上表面形成圖形化的金屬布線底層，所述金屬布線底層具有多個金屬墊；在所述金屬墊的上表面形成至少一個第二金屬柱，所述第二金屬柱的高度大于所述第一金屬柱的高度； 將所述第一金屬柱與所述第二金屬柱焊接； 塑封所述芯片、第一金屬柱、第二金屬柱及圖形化的金屬布線底層； 去除所述基板，以使金屬布線底層的金屬墊下表面裸露，形成倒裝芯片封裝結(jié)構(gòu)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝方法，其特征在于，還包括一在第二金屬柱對應(yīng)位置形成至少一個圖形化的金屬布線中間層的步驟，所述金屬布線中間層在第二金屬柱位置具有金屬墊，至少一個所述金屬布線中間層沿所述第二金屬柱高度方向間隔分割所述第二金屬柱。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的封裝方法，其特征在于，在第二金屬柱對應(yīng)位置形成至少一個圖形化的金屬布線中間層的方法包括如下步驟: 在所述金屬墊的上表面形成至少一個第二金屬柱步驟中，縮短所述第二金屬柱的高度，在此定義該縮短的第二金屬柱為次第二金屬柱； 采用塑封材料或絕緣材料覆蓋所述圖形化的金屬布線底層、基板及次第二金屬柱，形成一絕緣層，所述次第二金屬柱的上表面暴露于所述絕緣層上表面； 在所述絕緣層上表面形成一圖形化的金屬布線中間層，所述圖形化的金屬布線中間層的金屬墊對應(yīng)所述次第二金屬柱的位置； 在所述圖形化的金屬布線中間層的金屬墊上表面形成一凸起，該凸起與所述次第二金屬柱共同構(gòu)成所述第二金屬柱，從而在所述基板表面形成由金屬布線底層、第二金屬柱及沿所述第二金屬柱高度方向間隔分割所述第二金屬柱的金屬布線中間層構(gòu)成的結(jié)構(gòu)，所述第二金屬柱及所述金屬布線中間層的高度之和大于所述第一金屬柱的高度。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的封裝方法，其特征在于，在所述金屬墊的上表面形成至少一個第二金屬柱的步驟中，采用絕緣材料覆蓋所述圖形化的金屬布線底層及基板，形成絕緣層，并在所述金屬布線底層的金屬墊對應(yīng)位置形成過孔，暴露出所述金屬墊;在所述絕緣層上表面形成一圖形化的金屬布線中間層的步驟中，同時在所述過孔中沉積金屬，形成所述次第二金屬柱。5.根據(jù)權(quán)利要求1或2中任意一項所述的封裝方法，其特征在于，在焊接步驟之前，還包括一在至少一個所述第二金屬柱側(cè)壁和/或至少一個所述圖形化的金屬布線底層的金屬墊的側(cè)壁和/或至少一個所述圖形化的金屬布線中間層的金屬墊的側(cè)壁形成用于鎖定封裝結(jié)構(gòu)塑封體的凸起的步驟。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝方法，其特征在于，在所述基板一表面形成圖形化的金屬布線底層及在所述金屬墊的上表面形成至少一個第二金屬柱的方法包括如下步驟: 在所述基板上表面沉積圖形化的第一掩膜層； 在所述第一掩膜層的圖形處沉積金屬，形成圖形化的金屬布線底層，所述第一掩膜層的圖形處沉積成所述金屬布線底層的金屬墊； 在所述第一掩膜層及金屬布線底層表面沉積圖形化的第二掩膜層，所述第二掩膜層的圖形處對應(yīng)所述金屬墊； 在所述第二掩膜層的圖形處沉積金屬，以在所述金屬墊上表面形成至少一個第二金屬柱。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝方法，其特征在于，在去除所述基板的步驟之后，還包括一在所述裸露的金屬墊下表面形成可焊層的步驟。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝方法，其特征在于，在焊接步驟之前，還包括一對所述第二金屬柱及金屬墊金屬防氧化處理的步驟。9.一種倒裝芯片封裝結(jié)構(gòu)，包括圖形化的金屬布線底層、芯片和包覆所述金屬布線底層及芯片的塑封體，所述圖形化的金屬布線底層具有多個金屬墊，所述金屬墊上表面上設(shè)置有至少一個第二金屬柱，所述金屬墊下表面裸露于所述塑封體，所述芯片朝向所述金屬布線底層的表面設(shè)置有與芯片焊盤電連接的至少一個第一金屬柱，其特征在于，所述第一金屬柱與所述第二金屬柱對應(yīng)電連接，且所述第二金屬柱的高度大于所述第一金屬柱的高度。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的倒裝芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述封裝結(jié)構(gòu)還包括至少一個圖形化的金屬布線中間層，多個所述金屬布線中間層沿所述第二金屬柱間高度方向與所述金屬布線底層間隔設(shè)置。11.根據(jù)權(quán)利要求9或10任意一項所述的倒裝芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，至少一個所述第二金屬柱側(cè)壁和/或至少一個所述圖形化的金屬布線底層的金屬墊的側(cè)壁和/或至少一個所述圖形化的金屬布線中間層的金屬墊的側(cè)壁具有用于鎖定封裝結(jié)構(gòu)塑封體的凸起。12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的倒裝芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，在所述金屬布線底層的金屬墊的裸露出所述塑封體的下表面具有可焊層，用于與外界焊接。
【文檔編號】H01L23/488GK106057685SQ201610607544
【公開日】2016年10月26日
【申請日】2016年7月28日
【發(fā)明人】譚小春, 陸培良
【申請人】合肥矽邁微電子科技有限公司