一種ptc熱敏材料的制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種PTC熱敏材料的制備方法，包括配料、成片及制成芯片的過程，在成片后，將芯片采用階梯式分段降溫連續(xù)性迅速冷卻至室溫，所述階梯式分段降溫的溫度梯度為2～8℃/分鐘。本發(fā)明的PTC熱敏材料的制備方法具有一致性好、生產(chǎn)周期短、生產(chǎn)效率高和成本低廉的特點(diǎn)。
【專利說明】
一種PTC熱敏材料的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ]本發(fā)明涉及熱敏電阻材料技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種PTC熱敏材料的制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]高分子PTC熱敏電阻器廣泛地應(yīng)用于通信、計(jì)算機(jī)、汽車、工業(yè)控制、家用電器等眾多領(lǐng)域中。而通過現(xiàn)有的制造方法生產(chǎn)的高分子PTC熱敏電阻器，大都具有室溫電阻分布較寬以及使用過程中電阻變化不一致的缺點(diǎn)，嚴(yán)重時將會影響電器設(shè)備的正常工作，此外成品率較低。
[0003]針對于此，中國發(fā)明專利CN 1267939 C公開了一種高分子PTC熱敏電阻器的制造及熱處理方法，其具體采用的方法是結(jié)合高分子PTC熱敏電阻器芯材配料、成片的制造流程，在工藝沖片、輻照后，將芯片先置于高分子聚合物熔點(diǎn)以上40?80°C的加熱設(shè)備中，4?
6小時，然后迅速將其轉(zhuǎn)移至-20 0C?-60 0C的冷凍設(shè)備中使其迅速冷卻I?2小時，提高了高分子PTC熱敏電阻器性能的均勻性、一致性，進(jìn)而提高了成品率。但是，該生產(chǎn)方法存在以下缺陷:如加熱的溫度較高，高分子材料的結(jié)構(gòu)會在長時間高溫條件下發(fā)生變化，存在嚴(yán)重的品質(zhì)隱患，產(chǎn)品的一致性較差；如加熱時間前后長達(dá)5?8小時，生產(chǎn)周期過長，既影響了生產(chǎn)的效率，又使能耗成本居高不下，且不利于連續(xù)化生產(chǎn)的需要。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0004]本發(fā)明的目的是提供一種PTC熱敏材料的制備方法，具有一致性好、生產(chǎn)周期短、生產(chǎn)效率高和成本低廉的特點(diǎn)。
[0005]本發(fā)明可以通過以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn):
本發(fā)明公開了一種PTC熱敏材料的制備方法，包括配料、成片及制成芯片的過程，在工藝成片后，將芯片采用階梯式分段降溫連續(xù)性迅速冷卻至室溫。
[0006]進(jìn)一步地，所述階梯式分段降溫的溫度梯度為2?8°C/分鐘。
[0007]進(jìn)一步地，所述階梯式降溫是通過若干彼此連通且溫度呈階梯式下降的烘箱實(shí)現(xiàn)的，烘箱的最高溫度與芯片成片后的溫度一致，烘箱的最低溫度與室溫一致，。
[0008]進(jìn)一步地，所述芯片在降溫過程中從高溫向低溫連續(xù)性通過溫度階梯式下降的烘箱。
[0009 ]進(jìn)一步地，所述PTC熱敏材料包括有機(jī)高分子PTC材料。
[0010]本發(fā)明一種PTC熱敏材料的制備方法，具有如下的有益效果:
第一、一致性好，通過采用階梯式分段連續(xù)降溫，有效避免長時間持續(xù)高溫對PTC熱敏材料高分子結(jié)構(gòu)的破壞，有效保證了 PTC熱敏材料的一致性；
第二、降溫周期短，通過采用階梯式分段連續(xù)降溫，按照2?8°C/分鐘180°C降到室溫25°C計(jì)算，整個降溫過程只需要20多分鐘即可實(shí)現(xiàn)；
第三、生產(chǎn)效率高，通過采用階梯式分段連續(xù)降溫，降溫速度可控，連續(xù)化生產(chǎn)可實(shí)現(xiàn)性強(qiáng)，有效提高了 PTC熱敏材料的生產(chǎn)效率； 第四.成本低廉，通過壓縮降溫周期提高生產(chǎn)效率，批次生產(chǎn)過程中加熱的時間大為壓縮，有效節(jié)省能耗降低生產(chǎn)成本。
【具體實(shí)施方式】
[0011]為了使本技術(shù)領(lǐng)域的人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合實(shí)施例及對本發(fā)明產(chǎn)品作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。
[0012]實(shí)施例1
本發(fā)明公開了一種PTC熱敏材料的制備方法，包括配料、成片及制成芯片的過程，在工藝成片后，將芯片采用階梯式分段降溫連續(xù)性迅速冷卻至室溫。所述階梯式分段降溫的溫度梯度為3°c/分鐘。所述階梯式降溫是通過若干彼此連通且溫度呈階梯式下降的烘箱實(shí)現(xiàn)的，烘箱的最高溫度與芯片成片后的溫度一致，烘箱的最低溫度與室溫一致，所述芯片在降溫過程中從高溫向低溫連續(xù)性通過溫度階梯式下降的烘箱。所述PTC熱敏材料有機(jī)高分子PTC材料。
[0013]實(shí)施例2
本發(fā)明公開了一種PTC熱敏材料的制備方法，包括配料、成片及制成芯片的過程，在工藝成片后，將芯片采用階梯式分段降溫連續(xù)性迅速冷卻至室溫。所述階梯式分段降溫的溫度梯度為5°c/分鐘。所述階梯式降溫是通過若干彼此連通且溫度呈階梯式下降的烘箱實(shí)現(xiàn)的，烘箱的最高溫度與芯片成片后的溫度一致，烘箱的最低溫度與室溫一致，所述芯片在降溫過程中從高溫向低溫連續(xù)性通過溫度階梯式下降的烘箱。所述PTC熱敏材料有機(jī)高分子PTC材料。
[0014]實(shí)施例3
本發(fā)明公開了一種PTC熱敏材料的制備方法，包括配料、成片及制成芯片的過程，在工藝成片后，將芯片采用階梯式分段降溫連續(xù)性迅速冷卻至室溫。所述階梯式分段降溫的溫度梯度為7°c/分鐘。所述階梯式降溫是通過若干彼此連通且溫度呈階梯式下降的烘箱實(shí)現(xiàn)的，烘箱的最高溫度與芯片成片后的溫度一致，烘箱的最低溫度與室溫一致，所述芯片在降溫過程中從高溫向低溫連續(xù)性通過溫度階梯式下降的烘箱。所述PTC熱敏材料有機(jī)高分子PTC材料。
[0015]為了驗(yàn)證本發(fā)明所述PTC熱敏材料的制備方法所得的PTC熱敏材料用在熱敏電阻的性能，分別把實(shí)施例1?3采用四探針法進(jìn)行室溫內(nèi)阻測試和動作1000次后的室溫內(nèi)阻進(jìn)行測試。與此同時，作為對比，把采用循環(huán)式降溫所得的PTC熱敏材料也采用相同的方法制作為熱敏電阻作為對比例I，也采用同一儀器采用四探針法在同樣的條件下進(jìn)行相同項(xiàng)目的性能測試。測試過程為選用的原料配比一致(均為常規(guī)的炭黑、鎳粉體系)，前工序一致，僅存在降溫流程的差異，通過對每實(shí)施例隨機(jī)抽取100PCS芯片進(jìn)行測試可知，實(shí)施例1?3制備的樣品的室溫內(nèi)阻的平局值與對比例I相當(dāng)，但是極差較對比例I顯著降低，標(biāo)準(zhǔn)差也處于較低的水平，說明本發(fā)明制備所得的PTC材料具有較好的批次一致性。
[0016]以上所述，僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式上的限制;凡本行業(yè)的普通技術(shù)人員均可按說明書所述和以上所述而順暢地實(shí)施本發(fā)明；但是，凡熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，可利用以上所揭示的技術(shù)內(nèi)容而作出的些許更動、修飾與演變的等同變化，均為本發(fā)明的等效實(shí)施例；同時，凡依據(jù)本發(fā)明的實(shí)質(zhì)技術(shù)對以上實(shí)施例所作的任何等同變化的更動、修飾與演變等，均仍屬于本發(fā)明的技術(shù)方案的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種PTC熱敏材料的制備方法，包括配料、成片及制成芯片的過程，其特征在于:在工藝成片后，將芯片采用階梯式分段降溫連續(xù)性迅速冷卻至室溫。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的PTC熱敏材料的制備方法，其特征在于:所述階梯式分段降溫的溫度梯度為2?8 °C/分鐘。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的PTC熱敏材料的制備方法，其特征在于:所述階梯式降溫是通過若干彼此連通且溫度呈階梯式下降的烘箱實(shí)現(xiàn)的，烘箱的最高溫度與芯片成片后的溫度一致，烘箱的最低溫度與室溫一致，。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的PTC熱敏材料的制備方法，其特征在于:所述芯片在降溫過程中從高溫向低溫連續(xù)性通過溫度階梯式下降的烘箱。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述PTC熱敏材料的制備方法，其特征在于:所述PTC熱敏材料包括有機(jī)高分子PTC材料。
【文檔編號】H01C7/02GK105989936SQ201610531510
【公開日】2016年10月5日
【申請日】2016年7月7日
【發(fā)明人】于永斌
【申請人】惠州市聚鼎電子有限公司