一種可定量調(diào)節(jié)功函數(shù)的透明疊層電極及其制備工藝的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及導(dǎo)電薄膜技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種可定量調(diào)節(jié)功函數(shù)的透明疊層電極，以及它的制備工藝。所述電極由第一半導(dǎo)體層、導(dǎo)電層和第二半導(dǎo)體層疊合組成；本發(fā)明提供的透明疊層電極，材料易得，生產(chǎn)成本低；制備方法簡(jiǎn)單，可實(shí)現(xiàn)工業(yè)化生產(chǎn)；產(chǎn)品性能好。
【專利說明】
一種可定量調(diào)節(jié)功函數(shù)的透明疊層電極及其制備工藝
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明涉及導(dǎo)電薄膜技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種可定量調(diào)節(jié)功函數(shù)的透明疊層電 極，以及它的制備工藝。
【背景技術(shù)】
[0002] 近年來，透明電極(Transparent Electrodes)技術(shù)在包括觸摸屏、液晶顯示(LCP s)、有機(jī)發(fā)光二極管(OLED s)和太陽能光伏電池的消費(fèi)電子行業(yè)應(yīng)用廣泛。影響透明電極 性能的主要因素有:透光率和電阻值。電極透光率高，產(chǎn)品失真率低；電阻值小，載壓能力 強(qiáng)，產(chǎn)品性能好。
[0003] 傳統(tǒng)的透明電極材料主要采用ΙΤ0，ΙΤ0是在氧化銦（In2〇3)中添加氧化錫(Sn〇2)形 成的化合物，具有良好的導(dǎo)電性和透明性，可以切斷對(duì)人體有害的電子輻射，紫外線及遠(yuǎn)紅 外線。然而，ΙΤ0透明電極主要存在以下缺點(diǎn)：第一，產(chǎn)品本身，由于原料銦的稀缺，導(dǎo)致生產(chǎn) 成本居高不下，產(chǎn)品價(jià)格昂貴;第二，在處理方法上，功函數(shù)不可定量調(diào)節(jié)，而功函數(shù)的高低 與接觸材料能級(jí)的差決定了載流子傳輸能力的高低，過高或過低的功函數(shù)，導(dǎo)致電極不能 與有機(jī)發(fā)光材料形成良好的歐姆接觸，限制了產(chǎn)品的使用性能。
[0004] 針對(duì)ΙΤ0透明電極生產(chǎn)成本高的問題，現(xiàn)有技術(shù)中以石墨烯、碳納米管、納米銀為 導(dǎo)電材料、用旋涂及絲網(wǎng)印刷等制備方法來制備透明電極，但仍然存在材料利用率低、生產(chǎn) 成本高及難以量產(chǎn)的問題。針對(duì)ΙΤ0透明電極功函數(shù)難以調(diào)節(jié)的問題，中國(guó)發(fā)明專利授權(quán)公 告號(hào)CN 102945693 B提供了一種提高ΙΤ0透明導(dǎo)電薄膜表面功函數(shù)的方法，具體是采用紫 外線照射的方式產(chǎn)生羥基自由基，取代鹵素原子，生成羥基和鹵素自由基，鹵素自由基作用 在ΙΤ0表面形成In-X鍵;且過氧化氫溶液經(jīng)紫外線照射后，單分子氧和氧氣結(jié)合形成臭氧， 擾動(dòng)溶液，促使In-X鍵在ΙΤ0表面分布更均勻，從而提高ΙΤ0表面的功能函數(shù)。然而對(duì)ΙΤ0進(jìn) 行表面處理來實(shí)現(xiàn)調(diào)節(jié)電極表面功函數(shù)的方法主要存在兩大缺點(diǎn)：一是調(diào)節(jié)手段復(fù)雜，步 驟繁瑣，需要在已經(jīng)成型的透明電極上進(jìn)行多步處理，不利于實(shí)際生產(chǎn)；二是只能定向調(diào)節(jié) 功函數(shù)，對(duì)于功函數(shù)的變化難以進(jìn)行準(zhǔn)確的控制，存在不確定性，無法實(shí)現(xiàn)定量調(diào)節(jié)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明提供了一種生產(chǎn)成本低、功函數(shù)可定量調(diào)節(jié)，產(chǎn)品性 能好的透明疊層電極。
[0006] 為實(shí)現(xiàn)以上目的，本發(fā)明通過以下技術(shù)方案予以實(shí)現(xiàn)：
[0007] -種可定量調(diào)節(jié)功函數(shù)的透明疊層電極，所述透明疊層電極由第一半導(dǎo)體層、導(dǎo) 電層和第二半導(dǎo)體層疊合組成;所述導(dǎo)電層為導(dǎo)電金屬層或?qū)щ娊饘傺趸飳印?br>[0008] 進(jìn)一步的，所述第一半導(dǎo)體層為六8、〇1、附工&、1'^11、211、？13、66、？6、0^1中的其 中一種；所述導(dǎo)電層為211〇、1'丨〇2、2抑2、恥2〇5、311〇2、1^0 3』63〇4^20(摻鋁氧化鋅）、11'0(氧化 銦錫）、ΑΤ0(摻銻二氧化錫）、In 203、GZ0(鎵摻氧化鋅）、FZ0(鎵氟氧化鋅）中的其中一種;所述 第二半導(dǎo)體層為?6、0、附、(：11、48中的其中一種。
[0009] 進(jìn)一步的，所述透明疊層電極為 Zn0/Ag/Zn0、AZ0/Cu/AZ0、Sn02/Ag/Sn02、Nb20 5/ △8/他205、8120 3/^8/^203、厶1203/^8/^1 203、1102/^8/1102中的其中一種；
[0010] -種可定量調(diào)節(jié)功函數(shù)的透明疊層電極的制備工藝，包括如下步驟：
[0011] S1、用原子層沉積方法將第一半導(dǎo)體層沉積在硅襯底上，循環(huán)數(shù)為75循環(huán)，厚度為 7.5nm；
[0012] S2、用熱蒸鍍方法將導(dǎo)電層蒸鍍?cè)诘谝话雽?dǎo)體層上，導(dǎo)電金屬層的厚度5-20nm;
[0013] S3、用原子層沉積方法將第二半導(dǎo)體層沉積在導(dǎo)電層上，循環(huán)數(shù)為75循環(huán)，厚度為 7.5nm〇
[0014] 進(jìn)一步的，所述的用原子層沉積的循環(huán)步驟為：
[0015] a.艙室真空抽至〇.5Tor，加熱艙室；
[0016] b.向艙室內(nèi)通入一個(gè)Zn(C2H5)2脈沖；
[0017] c.用高純氮?dú)鉀_洗艙室；
[0018] d.向艙室內(nèi)通入水蒸氣(H20);
[0019] e.用高純氮?dú)鉀_洗艙室。
[0020] 進(jìn)一步的，所述的熱蒸鍍方法的操作步驟為：
[0021] a.將生長(zhǎng)了第一半導(dǎo)體層薄膜的基片放入抽至真空的蒸發(fā)臺(tái)沉積室中；
[0022] b.預(yù)加熱乘有導(dǎo)電層材料的鎢舟，使加熱電流達(dá)到50A左右；
[0023] c.調(diào)整導(dǎo)電層的生長(zhǎng)速度在1.0埃/秒左右，打開擋板開始生長(zhǎng)；
[0024] d.當(dāng)生長(zhǎng)到所需厚度時(shí)，關(guān)閉擋板，結(jié)束生長(zhǎng)。
[0025] 進(jìn)一步的，其特征在于，所述沉積方法為CVD、溶膠-凝膠法、旋涂法和PLD。
[0026] 本發(fā)明的有益效果為：
[0027] 1、能有效降低透明疊層電極的生產(chǎn)成本:采用的原料一一金屬及金屬氧化物，以 及沉積用的前軀體，均屬于完全商用產(chǎn)業(yè)化的材料，原料價(jià)廉易得，生產(chǎn)成本低；制備工藝 的手段成熟，可進(jìn)行產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)。
[0028] 2、通過改變電極薄層厚度，實(shí)現(xiàn)定量調(diào)節(jié)透明電極的功函數(shù):將透明電極結(jié)構(gòu)設(shè) 計(jì)為由三層載流子濃度差距大的薄層材料形成的疊層構(gòu)成，并通過改變薄膜厚度，實(shí)現(xiàn)定 量調(diào)節(jié)透明疊層電極的功函數(shù)值，使電極能與有機(jī)發(fā)光材料形成良好的歐姆接觸，提高了 透明電極的使用性能；功函數(shù)調(diào)節(jié)原理為:采用兩種電學(xué)性質(zhì)差異較大的導(dǎo)體或半導(dǎo)體材 料，制成導(dǎo)電薄膜，可定量改變電極功函數(shù)。
[0029] 本發(fā)明提供的透明疊層電極，材料易得，生產(chǎn)成本低；制備方法簡(jiǎn)單，可實(shí)現(xiàn)工業(yè) 化生產(chǎn);產(chǎn)品性能好。
【附圖說明】
[0030] 圖1為本發(fā)明一種可定量調(diào)節(jié)功函數(shù)的透明疊層電極的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0031] 圖2為第一~第五種實(shí)施方式得到的透明電極功函數(shù)隨銀層厚度變化的曲線圖。 [0032]圖3為ΙΤ0電極和本發(fā)明第三~第五種實(shí)施方式制成產(chǎn)品0LED器件后的電流密度 和電流效率關(guān)系圖。
【具體實(shí)施方式】
[0033]為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明的實(shí)施 例，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域 普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù) 的范圍。
[0034] 實(shí)施例1:
[0035]由第一半導(dǎo)體層ΙΖηΟ、導(dǎo)電層2Ag、第二半導(dǎo)體層3Zn0構(gòu)成的透明疊層電極ZnO/ Ag/ZnO；
[0036]疊層導(dǎo)電氧化物薄膜層的制備工藝為：
[0037] S1、用原子層沉積方法將氧化鋅沉積在硅襯底上，循環(huán)數(shù)為75循環(huán)，厚度為7.5nm;
[0038] S2、用熱蒸鍍方法將銀蒸鍍?cè)谘趸\上，銀的厚度5nm;
[0039] S3、用原子層沉積方法將氧化鋅沉積在銀層上，循環(huán)數(shù)為75循環(huán)，厚度為7.5nm。
[0040] 其中，用原子層沉積技術(shù)沉積氧化鋅的循環(huán)方法為：
[0041 ] 3.艙室真空抽至0.51'(^，加熱艙室；
[0042] b.向艙室內(nèi)通入一個(gè)Zn(C2H5)2脈沖；
[0043] c.用高純氮?dú)鉀_洗艙室；
[0044] d.向艙室內(nèi)通入水蒸氣(H20);
[0045] e.用高純氮?dú)鉀_洗艙室。
[0046] 用熱蒸鍍將銀蒸鍍?cè)谘趸\上的方法為：
[0047] a.將生長(zhǎng)了氧化鋅薄膜的基片放入抽至真空的蒸發(fā)臺(tái)沉積室中；
[0048] b.預(yù)加熱乘有銀材料的鎢舟，使加熱電流達(dá)到50A左右；
[0049] c.調(diào)整銀生長(zhǎng)速度在1.0埃/秒左右，打開擋板開始生長(zhǎng)；
[0050] d.當(dāng)生長(zhǎng)到所需厚度時(shí)，關(guān)閉擋板，結(jié)束生長(zhǎng)。
[0051 ] 實(shí)施例2:
[0052]由第一半導(dǎo)體層ΙΖηΟ、導(dǎo)電層2Ag、第二半導(dǎo)體層3Zn0構(gòu)成的透明疊層電極ZnO/ Ag/ZnO；
[0053]疊層導(dǎo)電氧化物薄膜層的制備工藝:改變銀的沉積厚度為8nm，其余步驟同實(shí)施例 1〇
[0054] 實(shí)施例3:
[0055]由第一半導(dǎo)體層ΙΖηΟ、導(dǎo)電層2Ag、第二半導(dǎo)體層3Zn0構(gòu)成的透明疊層電極ZnO/ Ag/ZnO；
[0056]疊層導(dǎo)電氧化物薄膜層的制備工藝：改變銀的沉積厚度為10nm，其余步驟同實(shí)施 例1〇
[0057] 實(shí)施例4:
[0058]由第一半導(dǎo)體層ΙΖηΟ、導(dǎo)電層2Ag、第二半導(dǎo)體層3Zn0構(gòu)成的透明疊層電極ZnO/ Ag/ZnO；
[0059] 疊層導(dǎo)電氧化物薄膜層的制備工藝：改變銀的沉積厚度為15nm，其余步驟同實(shí)施 例1〇
[0060] 實(shí)施例5:
[00611由第一半導(dǎo)體層ΙΖηΟ、導(dǎo)電層2Ag、第二半導(dǎo)體層3Zn0構(gòu)成的透明疊層電極ZnO/ Ag/ZnO；
[0062]疊層導(dǎo)電氧化物薄膜層的制備工藝：改變銀的沉積厚度為20nm，其余步驟同實(shí)施 例1〇
[0063] 實(shí)施例6:
[0064]由第一半導(dǎo)體層1AZ0、導(dǎo)電層2Cu、第二半導(dǎo)體層3AZ0構(gòu)成的透明疊層電極ΑΖ0/ Cu/AZO；
[0065]疊層導(dǎo)電氧化物薄膜層的制備工藝為：
[0066] S1、用溶膠-凝膠沉積方法將ΑΖ0沉積在硅襯底上，循環(huán)數(shù)為75循環(huán)，厚度為7.5nm;
[0067] S2、用熱蒸鍍方法將銅蒸鍍?cè)讦ˇ?上，銅的厚度5nm;
[0068] S3、用溶膠-凝膠沉積方法將氧化鋅沉積在銅層上，循環(huán)數(shù)為75循環(huán)，厚度為 7.5nm〇
[0069] 改變熱蒸鍍方法中生長(zhǎng)物為銅，其余熱蒸鍍步驟同實(shí)施例1。
[0070] 實(shí)施例7:
[0071 ]由第一半導(dǎo)體層lSn〇2、導(dǎo)電層2Ag、第二半導(dǎo)體層3Sn〇2構(gòu)成的透明疊層電極Sn〇2/ Ag/Sn〇2；
[0072]疊層導(dǎo)電氧化物薄膜層的制備工藝為：
[0073] S1、用溶膠-凝膠沉積方法將Sn02沉積在硅襯底上，循環(huán)數(shù)為75循環(huán)，厚度為 7.5nm；
[0074] S2、用熱蒸鍍方法將銀蒸鍍?cè)赟n02上，銀的厚度8nm;
[0075] S3、用溶膠-凝膠沉積方法將Sn02沉積在銀層上，循環(huán)數(shù)為75循環(huán)，厚度為7.5nm。
[0076] 其余熱蒸鍍步驟同實(shí)施例2。
[0077] 實(shí)施例8:
[0078]由第一半導(dǎo)體層lNb2〇5、導(dǎo)電層2Ag、第二半導(dǎo)體層3Nb2〇5構(gòu)成的透明疊層電極 Nb2〇5/Ag/Nb2〇5 ；
[0079] 疊層導(dǎo)電氧化物薄膜層的制備工藝為：
[0080] S1、用旋涂沉積方法將Nb2〇5沉積在硅襯底上，循環(huán)數(shù)為75循環(huán)，厚度為7.5nm;
[00811 S2、用熱蒸鍍方法將銀蒸鍍?cè)贜b205上，銀的厚度10nm;
[0082] S3、用旋涂沉積方法將Nb2〇5沉積在銀層上，循環(huán)數(shù)為75循環(huán)，厚度為7.5nm。
[0083] 其余熱蒸鍍步驟同實(shí)施例3。
[0084] 實(shí)施例9:
[0085]由第一半導(dǎo)體層lBi2〇3、導(dǎo)電層2Ag、第二半導(dǎo)體層3Bi2〇3構(gòu)成的透明疊層電極 Bi2〇3/Ag/Bi2〇3；
[0086]疊層導(dǎo)電氧化物薄膜層的制備工藝為：
[0087] S1、用PLD沉積方法將Bi2〇3沉積在硅襯底上，循環(huán)數(shù)為75循環(huán)，厚度為7.5nm;
[0088] S2、用熱蒸鍍方法將銀蒸鍍?cè)贐 i 2〇3上，銀的厚度15nm;
[0089] S3、用PLD沉積方法將Bi2〇3沉積在銀層上，循環(huán)數(shù)為75循環(huán)，厚度為7.5nm。
[0090] 其余熱蒸鍍步驟同實(shí)施例4。
[0091] 實(shí)施例10:
[0092] 由第一半導(dǎo)體層IAI2O3、導(dǎo)電層2Ag、第二半導(dǎo)體層3Al2〇3構(gòu)成的透明疊層電極 Al2〇3/Ag/Al2〇3 ；
[0093]疊層導(dǎo)電氧化物薄膜層的制備工藝為：
[0094] S1、用CVD沉積方法將Al2〇3沉積在硅襯底上，循環(huán)數(shù)為75循環(huán)，厚度為7.5nm;
[0095] S2、用熱蒸鍍方法將銀蒸鍍?cè)贏12〇3上，銀的厚度20nm;
[0096] S3、用CVD沉積方法將Al2〇3沉積在銀層上，循環(huán)數(shù)為75循環(huán)，厚度為7.5nm。
[0097] 其余熱蒸鍍步驟同實(shí)施例5。
[0098] 疊層導(dǎo)電氧化物薄膜層的制備工藝:改變沉積方法為CVD，其余步驟同實(shí)施例5。
[0099] 實(shí)施例11:
[0?00]由第一半導(dǎo)體層lTi〇2、導(dǎo)電層2Ag、第二半導(dǎo)體層3Ti〇2構(gòu)成的透明疊層電極Ti〇2/ Ag/Ti02;
[0101] 疊層導(dǎo)電氧化物薄膜層的制備工藝為：
[0102] S1、用溶膠-凝膠沉積方法將Ti02沉積在硅襯底上，循環(huán)數(shù)為75循環(huán)，厚度為 7.5nm；
[0103] S2、用熱蒸鍍方法將銀蒸鍍?cè)赥i02上，銀的厚度5nm;
[0104] S3、用溶膠-凝膠沉積方法將Ti02沉積在銀層上，循環(huán)數(shù)為75循環(huán)，厚度為7.5nm。
[0105] 其余熱蒸鍍步驟同實(shí)施例1。
[0106] 此外，第一半導(dǎo)體層還可以為六8、〇1、附工&、1'^11、211、？13、66、？6、(>^1中的其中 一種；導(dǎo)電層還可以為ZnO、Ti02、Zr02、Nb2〇5、Sn0 2、Re03、Fe3〇4、ΑΖ0、ΙΤ0、ΑΤ0、In2〇3、GZ0、FZ0 中的其中一種;第二半導(dǎo)體層還可以為?0、〇、附、(：11、48中的其中一種。
[0107]性能測(cè)試：
[0108] 1.使用ΚΡ公司SKP5050功函數(shù)測(cè)量設(shè)備測(cè)量了本例所制備的疊層電極的功函數(shù)， 不同厚度的Ag層制成的透明電極Zn0/Ag/Zn0對(duì)應(yīng)的功函數(shù)如下表所示：
[0109]
[0110] 透明電極功函數(shù)隨銀層厚度變化的曲線圖如圖2所示：
[0111] 由圖表可知:不同厚度的Ag層，對(duì)應(yīng)不同大小的功函數(shù);特定厚度的的Ag層對(duì)應(yīng)唯 一且固定大小的功函數(shù);所以通過改變Ag層厚度，可以定量改變透明電極功函數(shù)的大小。
[0112] 2.利用制備電極制作0LED器件：
[0113] 制作如下結(jié)構(gòu)的0LED:
[0114] 陽電極/Mo03/m_M TDATA/NPB/Alq3:C545T(l%)/Alq3/Liq/Al
[0115] 陽電極包括參考電極 ΙΤ0 及 Zn0/10nmAg/Zn0、Zn0/15nmAg/Zn0、Zn0/20nmAg/Zn0。 制作的0LED電流效率如圖1所示。從圖3中可以看到，使用ZAZ電極的0LED器件效率相較傳統(tǒng) ΙΤ0電極有很大的提高。
[0116] 由圖可知，該例中所制備的透明電極性能優(yōu)于ΙΤ0透明電極，且改變功函數(shù)后所制 備器件的光電性能存在差異。
[0117] 材料上:本發(fā)明提供的透明疊層電極薄層可以是各種具有半導(dǎo)體性質(zhì)的高折射率 金屬氧化物或?qū)щ娦粤己玫慕饘俨牧?或由原理來說，只要是采用兩種電學(xué)性質(zhì)差異較大 的導(dǎo)體或半導(dǎo)體材料均可以制備成改變功函數(shù)的導(dǎo)電薄膜，從原理上與本方法是一致的；
[0118] 工藝上:不限于已提供的沉積方法，包括各種可以用來生長(zhǎng)金屬、及金屬氧化物的 方法；
[0119] 產(chǎn)品結(jié)構(gòu)上:本例中為頂I結(jié)構(gòu)（即半導(dǎo)體/金屬/半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)），但由于本發(fā)明核心 為利用超薄層改變功函數(shù)，至于其余的ΑΒΑ結(jié)構(gòu)、ABABA結(jié)構(gòu)(層數(shù)的疊加數(shù)量不受限制，但 根據(jù)效果ΑΒΑ為優(yōu)選結(jié)構(gòu))及可能的ABCA等結(jié)構(gòu)，只要A和B兩種材料為載流子濃度差距大的 材料，且原理與本結(jié)構(gòu)相同，則應(yīng)考慮為相同技術(shù)的替代方案。
[0120] 本發(fā)明中疊層厚度優(yōu)選改變了 Ag層厚度，因 ZnO厚度增加對(duì)電極的導(dǎo)電性能有很 大影響，因此優(yōu)選為7.5nm。利用改變ZnO層厚度從而改變功函數(shù)的方法也應(yīng)考慮為其替代 方案。
[0121] 以上實(shí)施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對(duì)其限制；盡管參照前述實(shí)施例 對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解:其依然可以對(duì)前述各實(shí)施 例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換;而這些修改或者 替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技術(shù)方案的精神和范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種可定量調(diào)節(jié)功函數(shù)的透明疊層電極，其特征在于，所述透明疊層電極由第一半 導(dǎo)體層（1)、導(dǎo)電層(2)和第二半導(dǎo)體層(3)疊合組成;所述導(dǎo)電層為導(dǎo)電金屬層或?qū)щ娊饘? 氧化物層。2. 如權(quán)利要求1所述的可定量調(diào)節(jié)功函數(shù)的透明疊層電極，其特征在于，所述第一半導(dǎo) 體層（1)為六8、〇1、附丄3、11、]\111、211、？13、66、？6、〇^1中的其中一種 ；所述導(dǎo)電層（2)為2110、 11〇2、2抑2、他2〇5、511〇2、1^〇3小63〇4、厶20、11'0、厶1'0、1112〇3、620、卩20中的其中一種 ；所述第二半 導(dǎo)體層(3)為Fe、Cr、Ni、Cu、Ag中的其中一種。3. 如權(quán)利要求1所述的可定量調(diào)節(jié)功函數(shù)的透明疊層電極，其特征在于，所述透明疊層 電極為 ZnO/Ag/ZnO、AZO/Cu/AZO、Sn02/Ag/Sn〇2、Nb2〇5/Ag/Nb 2〇5、Bi 2〇3/Ag/Bi2〇3、Al 2〇3/Ag/ Al203、Ti02/Ag/Ti02 中的其中一種。4. 一種如權(quán)利要求1 - 3中任一項(xiàng)所述的可定量調(diào)節(jié)功函數(shù)的透明疊層電極的制備工 藝，其特征在于，包括如下步驟： 51、 用原子層沉積方法將第一半導(dǎo)體層沉積在硅襯底上，循環(huán)數(shù)為75循環(huán)，厚度為 7.5nm； 52、 用熱蒸鍍方法將導(dǎo)電層蒸鍍?cè)诘谝话雽?dǎo)體層上，導(dǎo)電金屬層的厚度5-20nm; 53、 用原子層沉積方法將第二半導(dǎo)體層沉積在導(dǎo)電層上，循環(huán)數(shù)為75循環(huán)，厚度為 7.5nm〇5. 如權(quán)利要求4所述的可定量調(diào)節(jié)功函數(shù)的透明疊層電極的制備工藝，其特征在于，所 述的用原子層沉積的循環(huán)步驟為： a. 艙室真空抽至0.5Tor，加熱艙室； b. 向艙室內(nèi)通入一個(gè)Zn(C2H5)2脈沖； c. 用高純氮?dú)鉀_洗艙室； d. 向艙室內(nèi)通入水蒸氣(H2O); e. 用高純氮?dú)鉀_洗艙室。6. 如權(quán)利要求4所述的可定量調(diào)節(jié)功函數(shù)的透明疊層電極的制備工藝，其特征在于，所 述的熱蒸鍍方法的操作步驟為： a. 將生長(zhǎng)了第一半導(dǎo)體層薄膜的基片放入抽至真空的蒸發(fā)臺(tái)沉積室中； b. 預(yù)加熱乘有導(dǎo)電層材料的鎢舟，使加熱電流達(dá)到50A左右； c. 調(diào)整導(dǎo)電層的生長(zhǎng)速度在1.0埃/秒左右，打開擋板開始生長(zhǎng)； d. 當(dāng)生長(zhǎng)到所需厚度時(shí)，關(guān)閉擋板，結(jié)束生長(zhǎng)。7. 如權(quán)利要求4所述的可定量調(diào)節(jié)功函數(shù)的透明疊層電極的制備方法，其特征在于，所 述沉積方法為CVD、溶膠-凝膠法、旋涂法和PLD。
【文檔編號(hào)】H01L51/56GK105932172SQ201610312091
【公開日】2016年9月7日
【申請(qǐng)日】2016年5月11日
【發(fā)明人】段羽, 劉云飛, 陳平, 熊鵬鵬, 陳政, 陶冶, 趙毅
【申請(qǐng)人】吉林大學(xué)