芯片的加工方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種芯片的加工方法，芯片依次包括導(dǎo)電玻璃和光電轉(zhuǎn)化層，芯片的加工方法包括：選取基礎(chǔ)芯片，在基礎(chǔ)芯片上設(shè)計(jì)切割線的位置；在基礎(chǔ)芯片上距離切割線預(yù)定距離處進(jìn)行絕緣處理，以使進(jìn)行絕緣處理后的基礎(chǔ)芯片靠近切割線一側(cè)和遠(yuǎn)離切割線的一側(cè)絕緣；沿切割線對進(jìn)行絕緣處理后的基礎(chǔ)芯片進(jìn)行裁切。本發(fā)明的技術(shù)方案有效地解決了現(xiàn)有技術(shù)中的芯片在工作時(shí)碎屑附著在裁切邊造成芯片的局部短路甚至由于芯片的短路使得芯片報(bào)廢的問題。
【專利說明】
芯片的加工方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及太陽能芯片制作加工的技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種芯片的加工方法。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有技術(shù)中的光伏領(lǐng)域的玻璃基的薄膜芯片在使用時(shí)需要切割。上述芯片在切割時(shí)采用和切割玻璃一樣的工藝:首先將需要切割的芯片放置在切割臺(tái)上，然后用玻璃刀或玻璃裁切機(jī)進(jìn)行裁切，再慢慢敲擊芯片的玻璃切割線，最后將芯片分割開。
[0003]但是上述芯片與普通玻璃有很大的區(qū)別，上述芯片主要作用是用來發(fā)電的。使用上述工藝很容易對芯片造成如下問題:1、芯片表面劃傷，芯片表面即最外層一般是通過物理氣相沉積的方法制備而來，表面光滑明亮但不耐磨，所以在切割過中會(huì)造成大量劃傷，而薄膜產(chǎn)品由于其玻璃基為普通玻璃，非鋼化玻璃，所以為確保其可靠性，一般都是雙玻封裝，劃傷的芯片背面將嚴(yán)重影響產(chǎn)品外觀;2、芯片光電轉(zhuǎn)化層的膜脫落，光電轉(zhuǎn)化層是在導(dǎo)電玻璃的導(dǎo)電膜面通過等離子化學(xué)氣象沉積的方法制備而來，其本身與導(dǎo)電玻璃的附著力并不是特別高，在切割過程中，局部受力，易導(dǎo)致膜層脫落;3、裁切邊鋒利易劃傷，且不易磨邊，玻璃磨邊需要使用水清洗玻璃，但是光電轉(zhuǎn)化層遇水容易導(dǎo)致失效，所以無法使用磨邊機(jī)進(jìn)行磨邊處理;4、裁切后的芯片易開裂，未磨邊的玻璃裁切面隱藏了大量的O?0.5mm深度的微裂紋，芯片工作會(huì)產(chǎn)生熱量，在長期的熱脹冷縮的情況下極易造成芯片開裂;5、易造成組件短路，裁切過程中大量的光電轉(zhuǎn)化層的碎肩會(huì)附著在裁切邊，芯片在工作時(shí)，這部分導(dǎo)電的碎肩極易造成芯片的局部短路，從而導(dǎo)致局部大量發(fā)熱，最終導(dǎo)致芯片報(bào)廢。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的主要目的在于提供一種芯片的加工方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)中的芯片在工作時(shí)碎肩附著在裁切邊造成芯片的局部短路甚至由于芯片的短路使得芯片報(bào)廢的問題。
[0005]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種芯片的加工方法，芯片依次包括導(dǎo)電玻璃和光電轉(zhuǎn)化層，芯片的加工方法包括:選取基礎(chǔ)芯片，在基礎(chǔ)芯片上設(shè)計(jì)切割線的位置;在基礎(chǔ)芯片上距離切割線預(yù)定距離處進(jìn)行絕緣處理，以使進(jìn)行絕緣處理后的基礎(chǔ)芯片靠近切割線一側(cè)和遠(yuǎn)離切割線的一側(cè)絕緣;沿切割線對進(jìn)行絕緣處理后的基礎(chǔ)芯片進(jìn)行裁切。
[0006]進(jìn)一步地，導(dǎo)電玻璃包括玻璃基底和導(dǎo)電膜，導(dǎo)電膜設(shè)置在玻璃基底和光電轉(zhuǎn)化層之間，絕緣處理包括先設(shè)置絕緣線，再沿絕緣線將光電轉(zhuǎn)化層和導(dǎo)電膜切斷。
[0007]進(jìn)一步地，絕緣處理為采用激光將光電轉(zhuǎn)化層和導(dǎo)電膜沿絕緣線切斷。
[0008]進(jìn)一步地，切割光電轉(zhuǎn)化層的激光的波長在900nm至1300nm之間，切割導(dǎo)電膜的激光的波長在500nm至800nm之間。
[0009]進(jìn)一步地，在絕緣處理后的基礎(chǔ)芯片上設(shè)置密封層，密封層設(shè)置在光電轉(zhuǎn)化層的背離導(dǎo)電玻璃的一側(cè)。
[0010]進(jìn)一步地，沿切割線對進(jìn)行設(shè)置有密封層的基礎(chǔ)芯片進(jìn)行裁切具體包括:首先將基礎(chǔ)芯片的導(dǎo)電玻璃切斷，然后將密封層切斷。
[0011]進(jìn)一步地，對裁切后的芯片進(jìn)行磨邊處理及表面處理。
[0012]進(jìn)一步地，將裁切完畢的基礎(chǔ)芯片上設(shè)置玻璃層，玻璃層設(shè)置在密封層的背離光電轉(zhuǎn)化層的一側(cè)。
[0013]進(jìn)一步地，將切割完畢的基礎(chǔ)芯片在與玻璃層固定之前在密封層上設(shè)置粘接層，玻璃層通過粘接層粘接在密封層上。
[0014]進(jìn)一步地，粘接層的材料和密封層的材料相同。
[0015]進(jìn)一步地，將玻璃層通過輥壓機(jī)滾壓或者層壓工藝后，再采用高壓釜工藝將玻璃層固定在基礎(chǔ)芯片上。
[0016]進(jìn)一步地，密封層采用層壓工藝設(shè)置在基礎(chǔ)芯片上。
[0017]進(jìn)一步地，進(jìn)行磨邊處理的磨邊材料為酒精和/或水。
[0018]應(yīng)用本發(fā)明的技術(shù)方案，首先選取基礎(chǔ)芯片并設(shè)計(jì)好切割線的位置。然后在切割線靠內(nèi)側(cè)進(jìn)行絕緣處理，以使進(jìn)行絕緣處理后的基礎(chǔ)芯片靠近切割線一側(cè)和遠(yuǎn)離切割線的一側(cè)絕緣。這樣切割的基礎(chǔ)芯片在芯片工作時(shí)不會(huì)出現(xiàn)局部短路，及由于芯片的局部短路造成芯片的報(bào)廢的問題。本發(fā)明的技術(shù)方案有效地解決了現(xiàn)有技術(shù)中的芯片在工作時(shí)會(huì)出現(xiàn)芯片的局部短路甚至由于芯片的短路使得芯片報(bào)廢的問題。
【附圖說明】
[0019]構(gòu)成本申請的一部分的說明書附圖用來提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解，本發(fā)明的示意性實(shí)施例及其說明用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對本發(fā)明的不當(dāng)限定。在附圖中:
[0020]圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的芯片的實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0021 ] 其中，上述附圖包括以下附圖標(biāo)記:
[0022]10、基礎(chǔ)芯片；11、切割線；12、光電轉(zhuǎn)化層；13、導(dǎo)電玻璃；131、導(dǎo)電膜;132、玻璃基底;14、絕緣線;30、玻璃層。
【具體實(shí)施方式】
[0023]需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請中的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合。下面將參考附圖并結(jié)合實(shí)施例來詳細(xì)說明本發(fā)明。
[0024]應(yīng)該指出，以下詳細(xì)說明都是例示性的，旨在對本申請?zhí)峁┻M(jìn)一步的說明。除非另有指明，本文使用的所有技術(shù)和科學(xué)術(shù)語具有與本申請所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員通常理解的相同含義。
[0025]為了便于描述，在這里可以使用空間相對術(shù)語，如“在……之上”、“在……上方”、“在……上表面”、“上面的”等，用來描述如在圖中所示的一個(gè)器件或特征與其他器件或特征的空間位置關(guān)系。應(yīng)當(dāng)理解的是，空間相對術(shù)語旨在包含除了器件在圖中所描述的方位之外的在使用或操作中的不同方位。例如，如果附圖中的器件被倒置，則描述為“在其他器件或構(gòu)造上方”或“在其他器件或構(gòu)造之上”的器件之后將被定位為“在其他器件或構(gòu)造下方”或“在其他器件或構(gòu)造之下”。因而，示例性術(shù)語“在……上方”可以包括“在……上方”和“在……下方”兩種方位。該器件也可以其他不同方式定位(旋轉(zhuǎn)90度或處于其他方位)，并且對這里所使用的空間相對描述作出相應(yīng)解釋。
[0026]現(xiàn)在，將參照附圖更詳細(xì)地描述根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式。然而，這些示例性實(shí)施方式可以由多種不同的形式來實(shí)施，并且不應(yīng)當(dāng)被解釋為只限于這里所闡述的實(shí)施方式。應(yīng)當(dāng)理解的是，提供這些實(shí)施方式是為了使得本發(fā)明的公開徹底且完整，并且將這些示例性實(shí)施方式的構(gòu)思充分傳達(dá)給本領(lǐng)域普通技術(shù)人員，在附圖中，為了清楚起見，擴(kuò)大了層和區(qū)域的厚度，并且使用相同的附圖標(biāo)記表示相同的器件，因而將省略對它們的描述。
[0027]如圖1所示，芯片依次包括導(dǎo)電玻璃13和光電轉(zhuǎn)化層12。本實(shí)施例的芯片的加工方法包括:選取基礎(chǔ)芯片10，在基礎(chǔ)芯片10上設(shè)計(jì)切割線11的位置。在基礎(chǔ)芯片10上距離切割線11預(yù)定距離處進(jìn)行絕緣處理，以使進(jìn)行絕緣處理后的基礎(chǔ)芯片10靠近切割線11 一側(cè)和遠(yuǎn)離切割線11的一側(cè)絕緣。沿切割線11對進(jìn)行絕緣處理后的基礎(chǔ)芯片1進(jìn)行裁切。
[0028]應(yīng)用本實(shí)施例的技術(shù)方案，首先選取基礎(chǔ)芯片設(shè)計(jì)好切割線的位置。然后在切割線靠內(nèi)側(cè)進(jìn)行絕緣處理，以使進(jìn)行絕緣處理后的基礎(chǔ)芯片10靠近切割線11 一側(cè)和遠(yuǎn)離切割線11的一側(cè)絕緣。這樣切割的基礎(chǔ)芯片10在芯片工作時(shí)不會(huì)出現(xiàn)局部短路，甚至由于芯片的局部短路造成芯片的報(bào)廢的問題。本實(shí)施例的技術(shù)方案有效地解決了現(xiàn)有技術(shù)中的芯片在工作時(shí)會(huì)出現(xiàn)芯片的局部短路甚至由于芯片的短路使得芯片報(bào)廢的問題。
[0029]如圖1所示，在本實(shí)施例的技術(shù)方案中，導(dǎo)電玻璃13包括玻璃基底132和導(dǎo)電膜131，導(dǎo)電膜131設(shè)置在玻璃基底132和光電轉(zhuǎn)化層12之間。絕緣處理包括先設(shè)置絕緣線14，在沿絕緣線14將基礎(chǔ)芯片10的光電轉(zhuǎn)化層12和基礎(chǔ)芯片10的導(dǎo)電膜131切斷。玻璃基底132的材料為普通玻璃，上述處理的方法簡單。
[0030]如圖1所示，在本實(shí)施例的技術(shù)方案中，絕緣處理為采用波長在900nm至1300nm之間的激光將光電轉(zhuǎn)化層12切斷，采用波長在500nm至SOOnm之間的激光將導(dǎo)電膜131沿絕緣線14切斷。具體地，采用波長為1064nm的激光切割光電轉(zhuǎn)化層12，采用波長為532nm的激光切割導(dǎo)電膜131。光電轉(zhuǎn)化層12采用波長為532nm的激光不易切割，采用1064nm的激光容易將光電轉(zhuǎn)化層12切割為需要的產(chǎn)品。在距離切割線2mm左右的位置與切割線進(jìn)行平行絕緣線刻畫。絕緣線可以在電腦中進(jìn)行設(shè)置，這樣控制的絕緣線較準(zhǔn)確，效率較高。
[0031]當(dāng)然，作為本領(lǐng)域技術(shù)人員知道，當(dāng)需要將基礎(chǔ)芯片10的一個(gè)側(cè)邊裁切時(shí)，只需將基礎(chǔ)芯片10的需要裁切的側(cè)邊進(jìn)行切割(絕緣處理)。當(dāng)需要將基礎(chǔ)芯片10的兩個(gè)側(cè)邊裁切時(shí)，需將基礎(chǔ)芯片10的需要裁切的兩個(gè)側(cè)邊都進(jìn)行切割(絕緣處理)。同樣的道理，當(dāng)需要將基礎(chǔ)芯片10的三個(gè)側(cè)邊裁切時(shí)，需將基礎(chǔ)芯片10的需要裁切的三個(gè)側(cè)邊都進(jìn)行切割(絕緣處理)。當(dāng)需要將基礎(chǔ)芯片10的四個(gè)側(cè)邊裁切時(shí)，需將基礎(chǔ)芯片10的需要裁切的四個(gè)側(cè)邊都進(jìn)行切割(絕緣處理)。
[0032]在本實(shí)施例的技術(shù)方案中，對絕緣處理后的基礎(chǔ)芯片10上預(yù)留引線位置，并進(jìn)行引線處理。
[0033]如圖1所示，在本實(shí)施例的技術(shù)方案中，在絕緣處理后的基礎(chǔ)芯片10上設(shè)置密封層，密封層設(shè)置在基礎(chǔ)芯片10的光電轉(zhuǎn)化層12的背離基礎(chǔ)芯片10的導(dǎo)電玻璃13的一側(cè)。由于密封層(又叫密封劑保護(hù)層)的保護(hù)，使得芯片在裁切過程中，光電轉(zhuǎn)化層收到密封層的限制作用不會(huì)導(dǎo)致芯片的光電轉(zhuǎn)化層的脫落或者劃傷芯片的表面。同時(shí)，密封層也是一個(gè)很好的緩沖層，保護(hù)芯片避免意外的磕碰損失?；A(chǔ)芯片10的表面設(shè)置了密封層還能起到絕緣防水和保護(hù)的作用，這樣在芯片進(jìn)行后續(xù)的加工時(shí)(例如進(jìn)行磨邊處理)減少了破壞等隱患產(chǎn)生。具體地，密封層可以為PVB層、EVA層、POE層或SGP層等。進(jìn)一步具體地，密封層采用層壓工藝設(shè)置在基礎(chǔ)芯片10上。
[0034]如圖1所示，在本實(shí)施例的技術(shù)方案中，將裁切完畢的基礎(chǔ)芯片10上設(shè)置玻璃層30，玻璃層30設(shè)置在密封層的背離光電轉(zhuǎn)化層12的一側(cè)。本實(shí)施例的芯片為玻璃基非晶硅薄膜發(fā)電芯片。上述結(jié)構(gòu)一方面保護(hù)了基礎(chǔ)芯片10，避免基礎(chǔ)芯片10收到損壞，另一方面玻璃層30透光性較好。當(dāng)然，作為本領(lǐng)域技術(shù)人員知道，玻璃層30可以使用其它具有上述功能的材料替換。
[0035]如圖1所示，在本實(shí)施例的技術(shù)方案中，將切割完畢的基礎(chǔ)芯片10在與玻璃層30固定之前在密封層上設(shè)置粘接層，玻璃層30通過粘接層粘接在密封層上。將玻璃層30固定在基礎(chǔ)芯片10上時(shí)，將基礎(chǔ)芯片、粘結(jié)劑及玻璃層30三層材料按照結(jié)構(gòu)順序上下放置好，然后放入層壓機(jī)層壓固定或者使用輥壓機(jī)滾壓粘合，再通過高壓釜工藝使這三層結(jié)構(gòu)形成一個(gè)最終的完整的整體。進(jìn)一步地，在本實(shí)施例的技術(shù)方案中，粘接層的材料和密封層的材料相同。這樣粘結(jié)層容易和密封層融為一體，粘結(jié)層將密封層和玻璃層固定地較牢靠。
[0036]如圖1所示，在本實(shí)施例的技術(shù)方案中，沿切割線11對進(jìn)行設(shè)置有密封層的基礎(chǔ)芯片10進(jìn)行裁切具體包括:首先將基礎(chǔ)芯片10的導(dǎo)電玻璃13切斷，然后將密封層切斷。具體地，首先用玻璃刀或者玻璃裁切機(jī)將基礎(chǔ)芯片10裁切出斷層，然后用美工刀沿著上述的斷層將密封層劃斷。
[0037]如圖1所示，在本實(shí)施例的技術(shù)方案中，對裁切后的芯片進(jìn)行磨邊處理及表面處理。在本實(shí)施例的技術(shù)方案中，在對裁切后的芯片進(jìn)行磨邊處理后需要對裁切后的芯片進(jìn)行清洗，清洗完畢后，對芯片進(jìn)行表面清潔和干燥處理，芯片干燥后，再將密封層上設(shè)置粘結(jié)層將玻璃層固定在基礎(chǔ)芯片10上。磨邊處理所用的磨邊材料為酒精或水或兩者的混合物。
[0038]從以上的描述中，可以看出，本發(fā)明上述的實(shí)施例實(shí)現(xiàn)了如下技術(shù)效果:
[0039]裁切過程可以無損芯片表面，避免了劃傷造成的外觀不良。
[0040]避免裁切過程造成的光電轉(zhuǎn)化層的脫落。
[0041]在進(jìn)行邊緣磨邊時(shí)不用擔(dān)心光電轉(zhuǎn)化層遇水導(dǎo)致失效，同時(shí)磨邊去除微裂紋防止芯片后期開裂。
[0042]避免了芯片產(chǎn)品由于裁切邊緣脫落的光電轉(zhuǎn)化層碎肩進(jìn)入芯片激光線縫隙而造成的短路。
[0043]本發(fā)明的技術(shù)方案可以解決現(xiàn)有玻璃基薄膜組件在裁切過程中的電性能損失問題以及后期使用隱患問題大大提高了芯片裁切的良品率。
[0044]需要注意的是，這里所使用的術(shù)語僅是為了描述【具體實(shí)施方式】，而非意圖限制根據(jù)本申請的示例性實(shí)施方式。如在這里所使用的，除非上下文另外明確指出，否則單數(shù)形式也意圖包括復(fù)數(shù)形式，此外，還應(yīng)當(dāng)理解的是，當(dāng)在本說明書中使用術(shù)語“包含”和/或“包括”時(shí)，其指明存在特征、步驟、操作、器件、組件和/或它們的組合。
[0045]需要說明的是，本發(fā)明的說明書和權(quán)利要求書及上述附圖中的術(shù)語“第一”、“第二”等是用于區(qū)別類似的對象，而不必用于描述特定的順序或先后次序。應(yīng)該理解這樣使用的數(shù)據(jù)在適當(dāng)情況下可以互換，以便這里描述的本發(fā)明的實(shí)施方式例如能夠以除了在這里圖示或描述的那些以外的順序?qū)嵤?。此外，術(shù)語“包括”和“具有”以及他們的任何變形，意圖在于覆蓋不排他的包含，例如，包含了一系列步驟或單元的過程、方法、系統(tǒng)、產(chǎn)品或設(shè)備不必限于清楚地列出的那些步驟或單元，而是可包括沒有清楚地列出的或?qū)τ谶@些過程、方法、產(chǎn)品或設(shè)備固有的其它步驟或單元。
[0046]以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種芯片的加工方法，所述芯片依次包括導(dǎo)電玻璃(13)和光電轉(zhuǎn)化層(12)，其特征在于，所述芯片的加工方法包括: 選取基礎(chǔ)芯片(10)，在所述基礎(chǔ)芯片(10)上設(shè)計(jì)切割線(11)的位置； 在所述基礎(chǔ)芯片(10)上距離所述切割線(11)預(yù)定距離處進(jìn)行絕緣處理，以使進(jìn)行絕緣處理后的所述基礎(chǔ)芯片(10)靠近所述切割線(11) 一側(cè)和遠(yuǎn)離所述切割線(11)的一側(cè)絕緣；沿所述切割線(11)對進(jìn)行絕緣處理后的所述基礎(chǔ)芯片(10)進(jìn)行裁切。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片的加工方法，其特征在于，所述導(dǎo)電玻璃(13)包括導(dǎo)電膜(131)和玻璃基底(132)，所述導(dǎo)電膜(131)設(shè)置在所述玻璃基底(132)和所述光電轉(zhuǎn)化層(12)之間，所述絕緣處理包括先設(shè)置絕緣線(14)，再沿所述絕緣線(14)將所述光電轉(zhuǎn)化層(12)和所述導(dǎo)電膜(131)切斷。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的芯片的加工方法，其特征在于，所述絕緣處理為采用激光將所述光電轉(zhuǎn)化層(12)和所述導(dǎo)電膜(131)沿所述絕緣線(14)切斷。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的芯片的加工方法，其特征在于，切割所述光電轉(zhuǎn)化層(12)的所述激光的波長在900nm至1300nm之間，切割所述導(dǎo)電膜(131)的所述激光的波長在500]11]1至800nm之間。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片的加工方法，其特征在于，在絕緣處理后的所述基礎(chǔ)芯片(10)上設(shè)置密封層，所述密封層設(shè)置在所述光電轉(zhuǎn)化層(12)的背離所述導(dǎo)電玻璃(13)的一側(cè)。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的芯片的加工方法，其特征在于，將裁切完畢的所述基礎(chǔ)芯片(10)上設(shè)置玻璃層(30)，所述玻璃層(30)設(shè)置在所述密封層的背離所述光電轉(zhuǎn)化層(12)的一側(cè)。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的芯片的加工方法，其特征在于，將切割完畢的所述基礎(chǔ)芯片(10)在與所述玻璃層(30)固定之前在所述密封層上設(shè)置粘接層，所述玻璃層(30)通過所述粘接層粘接在所述密封層上。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的芯片的加工方法，其特征在于，所述粘接層的材料和所述密封層的材料相同。9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的芯片的加工方法，其特征在于，將所述玻璃層(30)通過輥壓機(jī)滾壓或者層壓機(jī)層壓后，再采用高壓釜工藝將所述玻璃層(30)固定在所述基礎(chǔ)芯片(10)上。10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的芯片的加工方法，其特征在于，所述密封層采用層壓工藝設(shè)置在所述基礎(chǔ)芯片(10)上。11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的芯片的加工方法，其特征在于，沿所述切割線(11)對進(jìn)行設(shè)置有所述密封層的所述基礎(chǔ)芯片(10)進(jìn)行裁切具體包括:首先將所述基礎(chǔ)芯片(10)的導(dǎo)電玻璃(13)切斷，然后將所述密封層切斷。12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片的加工方法，其特征在于，對所述裁切后的所述芯片進(jìn)行磨邊處理及表面處理。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的芯片的加工方法，其特征在于，進(jìn)行磨邊處理的磨邊材料為酒精和/或水。
【文檔編號(hào)】H01L31/18GK105870259SQ201610349445
【公開日】2016年8月17日
【申請日】2016年5月23日
【發(fā)明人】沈相健, 戚運(yùn)東, 馬海慶, 孟慶凱, 潘若宏
【申請人】山東新華聯(lián)新能源科技有限公司