雙柵極tft陣列基板及制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示領(lǐng)域，特別是涉及一種雙柵極TFT陣列基板及制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有的液晶顯示技術(shù)中，為了提高雙柵極TFT陣列基板中氧化TFT的穩(wěn)定性，刻蝕阻擋層(ESL)結(jié)構(gòu)的TFT結(jié)構(gòu)被廣泛采用，該結(jié)構(gòu)可以有效降低外界環(huán)境因素與源漏電極的刻蝕損傷對背溝道的影響。
[0003]在有源陣列顯示裝置中，常采用的是Single-gateTFT(單柵極薄膜晶體管)。然而Dual gate TFT (雙柵極晶體管)不僅具有較高的迀移率，較大的開態(tài)電流，更小的亞閾值擺幅，閾值電壓穩(wěn)定性和均勻性好等優(yōu)點，還具有更好的柵極偏壓穩(wěn)定性。
[0004]然而，傳統(tǒng)的FFS顯示模式的Dual-GateTFT陣列基板制造方法中，公共電極層與源漏極的形成各需要一道光罩，需要的光罩次數(shù)較多，增加了工藝的復雜性以及生產(chǎn)成本，不利于提高生產(chǎn)效率。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0005]本發(fā)明的目的在于提供一種改進的雙柵極TFT陣列基板及制作方法；以解決現(xiàn)有的雙柵極TFT陣列基板制作工藝復雜、生產(chǎn)效率低的問題。
[0006]為解決上述問題，本發(fā)明提供的技術(shù)方案如下:
[0007]本發(fā)明實施例提供一種雙柵極TFT陣列基板的制作方法，包括以下步驟:
[0008]在玻璃基板上沉積第一金屬層，并在該第一金屬層上形成底柵極；
[0009]在所述玻璃基板以及所述底柵極上沉積第一絕緣層，并在所述第一絕緣層上形成半導體層；
[0010]在所述半導體層以及所述第一絕緣層上沉積第二絕緣層，并形成將所述半導體層露出的第一過孔以及第二過孔；
[0011]在所述第二絕緣層上沉積公共電極層，所述公共電極層通過所述第一過孔以及第二過孔與所述半導體層接觸；
[0012]在所述公共電極層上沉積第二金屬層，在所述第二金屬層上涂布第一光阻層;通過光罩對所述第一光阻層進行圖形化處理，并對所述第二金屬層上未被所述第一光阻層覆蓋的區(qū)域進行濕法刻蝕，以在所述公共電極層形成公共電極，在所述第二金屬層形成源極和漏極；
[0013]將所述第一光阻層以及該第二金屬層上除開所述源極和漏極以外的金屬除去；
[0014]在所述第二絕緣層、所述第二金屬層以及所述公共電極層上沉積第三絕緣層，在所述第三絕緣層上形成將所述源極露出的第三過孔；
[0015]在所述第三絕緣層上沉積像素電極層以及頂柵極，所述像素電極層通過該第三過孔與所述源極接觸。
[0016]在本發(fā)明所述的雙柵極TFT陣列基板的制作方法中，所述在所述第三絕緣層上設(shè)置像素電極層以及頂柵極的步驟包括:
[0017]在所述第三絕緣層上沉積像素電極層;在所述像素電極層上沉積第三金屬層，在所述第三金屬層上涂布第二光阻層，通過光罩對所述第二光阻層進行圖形化處理，并對所述第三金屬層上未被第二光阻層覆蓋的區(qū)域進行濕法刻蝕，以在所述第三金屬層形成頂柵極，在所述像素電極層形成像素電極；
[0018]將該第二光阻層以及第三金屬上除開所述頂柵極的金屬除去。
[0019]在本發(fā)明所述的雙柵極TFT陣列基板的制作方法中，所送半導體層包括銦鎵鋅氧化物半導體。
[0020]在本發(fā)明所述的雙柵極TFT陣列基板的制作方法中，所述像素電極層包括氧化銦錫氧化銦鋅。
[0021]在本發(fā)明所述的雙柵極TFT陣列基板的制作方法中，所述第一絕緣層包括二氧化硅以及氮化硅。
[0022]在本發(fā)明所述的雙柵極TFT陣列基板的制作方法中，所述第三絕緣層包括氮化硅。[0023 ]本發(fā)明還提供了一種雙柵極TFT陣列基板，包括:
[0024]玻璃基板；
[0025]底柵極，其設(shè)置與該玻璃基板上；
[0026]第一絕緣層，其設(shè)置于該底柵極以及所述玻璃基板上；
[0027]半導體層，其設(shè)于所述第一絕緣層上并位于所述底柵極上方；
[0028]第二絕緣層，其設(shè)于所述半導體層以及所述第一絕緣層上，該第二絕緣層上設(shè)有將該半導體層露出的第一過孔和第二過孔；
[0029]公共電極層，其設(shè)置于所述第二絕緣層上，所述公共電極層通過所述第一過孔以及所述第二過孔與所述半導體層接觸，所述公共電極層上形成有公共電極；
[0030]源極以及漏極，所述源極以及漏極均設(shè)于所述公共電極層上；
[0031]第三絕緣層，其設(shè)置于所述第二絕緣層、所述公共電極層、所述源極以及漏極上；
[0032]像素電極層，其設(shè)置于所述第三絕緣層之上，該像素電極層上形成有像素電極；
[0033]頂柵極，其設(shè)置于所述像素電極層之上。
[0034]在本發(fā)明所述的雙柵極TFT陣列基板中，所送半導體層包括氧化銦鎵鋅。
[0035]在本發(fā)明所述的雙柵極TFT陣列基板中，所述像素電極層包括氧化銦錫或氧化銦鋅。
[0036]在本發(fā)明所述的雙柵極TFT陣列基板中，所述第一絕緣層包括二氧化硅以及氮化硅混合。
[0037]相較于現(xiàn)有的雙柵極TFT陣列基板及制作方法，本發(fā)明通過將源極和漏極設(shè)置在公共電極層之上，制作時可以通過一道光罩同時形成公共電極層上的公共電極以及該源極和漏極，因此，本發(fā)明提供的雙柵極TFT陣列基板及制作方法具有減少光罩次數(shù)，縮短工藝流程，提高生產(chǎn)效率的有益效果。
[0038]為讓本發(fā)明的上述內(nèi)容能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實施例，并配合所附圖式，作詳細說明如下:
【附圖說明】
[0039]圖1為本發(fā)明的雙柵極TFT陣列基板的優(yōu)選實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0040]圖2為本發(fā)明的雙柵極TFT陣列基板的制作方法的優(yōu)選實施例的流程圖；
[0041 ]圖3A-圖3L為本發(fā)明的雙柵極TFT陣列基板的制作方法的優(yōu)選實施例的制作示意圖。
【具體實施方式】
[0042]以下各實施例的說明是參考附加的圖式，用以例示本發(fā)明可用以實施的特定實施例。本發(fā)明所提到的方向用語，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「內(nèi)」、「外」、「側(cè)面」等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用以說明及理解本發(fā)明，而非用以限制本發(fā)明。
[0043]在圖中，結(jié)構(gòu)相似的單元是以相同標號表示。
[0044]請參照圖1，圖1為本發(fā)明的雙柵極TFT陣列基板的優(yōu)選實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。本優(yōu)選實施例的雙柵極TFT陣列基板101包括:玻璃基板1、底柵極2、第一絕緣層3、半導體層4、第二絕緣層5、公共電極層6、源極7、漏極8、第三絕緣層9、像素電極層10、頂柵極11以及平坦層
12ο
[0045]其中，該底柵極2設(shè)置與玻璃基板I上，第一絕緣層3設(shè)置于底柵極2以及玻璃基板I上。半導體層4設(shè)置于第一絕緣層3上并位于底柵極2正上方。第二絕緣層5設(shè)置于半導體層2以及第一絕緣層3上;公共電極層6設(shè)置于第二絕緣層5上，公共電極層6上形成有公共電極；源極7以及漏極8均設(shè)置于公共電極層6上;第三絕緣層9設(shè)置于第二絕緣層5、公共電極層6、源極7以及漏極8之上;像素電極層10設(shè)置于第三絕緣層9之上，像素電極層10上形成有像素電極;頂柵極11設(shè)置于像素電極層10之上。
[0046]本實施例中，通過將頂柵極11設(shè)置于像素電極層10之上，可以通過一道光罩同時形成像素電極層10上像素電極以及該頂柵極11;通過將源極7和漏極8設(shè)置在公共電極層6之上，可以通過一道光罩同時形成公共電極層6上的公共電極以及該源極7和漏極8，因此，本發(fā)明提供的雙柵極TFT陣列基板具有減少光罩次數(shù)，縮短工藝流程，提高生產(chǎn)效率的有益效果。并且頂柵極11還可以作為遮光層阻止光照對薄膜晶體管的電性穩(wěn)定性的影響。
[0047]具體地，該底柵極2的材料為鉬、鈦、鋁、銅中的一種或多種的堆棧組合。
[0048]該第一絕緣層3可采用化學氣相沉積法沉積形成，其材料為氮化硅、二氧化硅、或二者的組合。
[0049]該半導體層4采用物理氣相沉積法沉積形成，其材料可以為氧化物半導體(如銦鎵鋅氧化物半導體)、非晶硅半導體、或低溫多晶硅半導體等。
[0050]該第二絕緣層5的材料為氮化硅、二氧化硅、或二者的組合。其通過光罩對該第二絕緣層5進行圖形化處理，包括了涂光阻、曝光、顯影、濕蝕刻、及去光阻等制程工序，以在該第二絕緣層5上形成了第一過孔(圖1中未標號)和第二過孔(圖1中未標號)。
[0051]該公共電極層6為透明電極，如氧化銦錫電極、氧化銦鋅電極等。該源極7以及漏極8對稱地分布于該半導體層4之上。
[0052]第三絕緣層9的材料為氮化硅、二氧化硅、或二者的組合。該第三絕緣層9上開設(shè)有將該源極7露出的第三過孔(圖1未標號)，該像素電極層10通過該第三過孔與該源極7接觸。
[0053]該像素電極層10為透明電極，其可以采用氧化銦錫、氧化銦鋅等材料。該頂柵極11的材料為鉬、鈦、鋁、銅中的一種或多種的堆棧組合，其與底柵極2正對。
[0054]請參照圖2，圖2為本發(fā)明的雙柵極TFT陣列基板的制作方法優(yōu)選實施例的流程示意圖。其中，該制作方法，包括以下步驟:
[0055]S201、在玻璃基板上沉積第一金屬層，并在該第一金屬層上形成底柵極；
[0056]S202、在玻璃基板以及底柵極上沉積第一絕緣層，并在第一絕緣層上形成半導體層；
[0057]S203、在半導體層以及第一絕緣層上沉積第二絕緣層，并在該第一絕緣層上形成將半導體層露出的第一過孔以及第二過孔；
[0058]S204、在第二絕緣層上沉積公共電極層，公共電極層通過第一過孔以及第二過孔與半導體層接觸；
[0059]S205、在公共電極層上沉積第二金屬層，在第二金屬層上涂布第一光阻層;采用掩模板通過光罩對第一光阻層進行圖形化處理，并對第二金屬層上未被第一光阻層覆蓋的區(qū)域進行濕法刻蝕，以在公共電極層形成公共電極，在第二金屬層形成