，所述保護環(huán)通過接觸孔和底部的P+區(qū)接觸，所述保護環(huán)為多晶硅保護環(huán)或金屬保護環(huán);所述多晶硅場板環(huán)和所述保護環(huán)通過接觸孔接觸或者所述多晶硅場板環(huán)和所述保護環(huán)不連接。
[0034]進一步的改進是，所述截止環(huán)的P+區(qū)的摻雜濃度大于leiecnf3。
[0035]進一步的改進是，沿著所述第一P型柱的寬度方向上，所述終端保護結構的超級結構的最外側的P型柱的寬度小于所述終端保護結構的超級結構的其它P型柱以及所述第一部分超結結構的P型柱的寬度，同時所述終端保護結構的超級結構的最外側的P型柱的深度小于所述終端保護結構的超級結構的其它P型柱以及所述第一部分超結結構的P型柱的深度。
[0036]進一步的改進是，沿著所述第一P型柱的寬度方向上，所述終端保護結構的超級結構的位于所述電壓承受區(qū)的P型柱的寬度小于所述終端保護結構的超級結構的位于所述過渡區(qū)的P型柱以及所述第一部分超結結構的P型柱的寬度，同時所述終端保護結構的超級結構的位于所述電壓承受區(qū)的P型柱的深度小于所述終端保護結構的超級結構的位于所述過渡區(qū)的P型柱以及所述第一部分超結結構的P型柱的深度。
[0037]本發(fā)明能取得如下有益技術效果:
[0038]本發(fā)明的過渡區(qū)和主要的承受電壓的區(qū)域的超級結構都采用單一方向的條狀的交替排列的P型柱和N型柱，即終端保護結構的超級結構的P型柱和N型柱都為不帶轉折的長條形，相對于現(xiàn)有的環(huán)繞式結構，本發(fā)明的主要的承受電壓的PN柱即P型柱和N型柱沒有現(xiàn)有技術的拐角，避免了PN柱彎折處的缺陷和電荷不平衡的問題，從而能提高器件的漏電特性。
[0039]本發(fā)明通過只在整個交替排列的單一方向的PN柱的最外周設計一個環(huán)繞整個PN柱交替排列結構的P型柱即第三P型柱，環(huán)形P柱能保證電荷承受區(qū)最外周的P型柱的電場強度的分布的一致性，從而能改善器件的可靠性。
[0040]本發(fā)明通過過渡區(qū)和電壓承受區(qū)的連接處設計場板，以及側面傾斜的臺階結構和場板，能夠改善器件過渡區(qū)和電壓承受區(qū)的電場強度的分布，提高器件的可靠性。
[0041]另外，本發(fā)明通過采用高質量的熱氧化膜作為側面傾斜的場板下的終端介質膜，能減小器件中的可動離子，改善器件的一致性和可靠性。
[0042]本發(fā)明通過采用截止環(huán)，特別是采用高濃度N型截止環(huán)即組成截止環(huán)的N+區(qū)和與N型硅片相接的金屬或多晶硅的膜層結構，高濃度的N型截止區(qū)能避免器件表面可能出現(xiàn)的弱反型，通過接觸孔連接上去的多晶硅或金屬保護環(huán)能更好地為器件提供了物理和電學的保護，進一步改善器件對劃片等工藝過程的耐受力，得到高可靠性的器件。
【附圖說明】
[0043]下面結合附圖和【具體實施方式】對本發(fā)明作進一步詳細的說明:
[0044]圖1是現(xiàn)有超結器件俯視圖；
[0045]圖2是本發(fā)明實施例一超結器件俯視圖；
[0046]圖3是本發(fā)明實施例二超結器件俯視圖；
[0047]圖4是本發(fā)明實施例一超結器件的剖面圖；
[0048]圖5是本發(fā)明實施例三超結器件的剖面圖；
[0049]圖6是本發(fā)明實施例四超結器件的剖面圖；
[0050]圖7是本發(fā)明實施例五超結器件的剖面圖；
[0051 ]圖8是本發(fā)明實施例六超結器件的剖面圖；
[0052]圖9是本發(fā)明實施例七超結器件的剖面圖；
[0053]圖10是本發(fā)明實施例六超結器件的剖面圖；
[0054]圖11是本發(fā)明實施例七超結器件的剖面圖。
【具體實施方式】
[0055]本發(fā)明實施例一超結器件:
[0056]如圖2所示，是本發(fā)明實施例一超結器件俯視圖；本發(fā)明實施例一超結器件的終端保護結構中，超結器件包含電荷流動區(qū)和終端保護結構，超結器件的中間區(qū)域為電荷流動區(qū)，終端保護結構環(huán)繞于所述電荷流動區(qū)的外周，所述終端保護結構包括過渡區(qū)和電壓承受區(qū)，所述過渡區(qū)位于所述電荷流動區(qū)和所述電壓承受區(qū)之間，圖2中1區(qū)表示電荷流動區(qū)，2區(qū)表示過渡區(qū)，3區(qū)表示電壓承受區(qū)。
[0057]所述電流流動區(qū)包含由形成于N型外延層中的交替排列的第一P型柱22a和第一 N型柱23a組成的第一部分超結結構。第一部分超結結構中的所述第一 N型柱23a于在超結器件導通時提供導通通路，第一 P型柱22a和第一 N型柱23a在超結器件反偏時互相耗盡共同承受反向偏壓。
[0058]2區(qū)和3區(qū)為于超結器件的終端，共同作為表示超結器件的終端保護結構。在器件導通時所述2區(qū)和3區(qū)不提供電流，在反偏狀態(tài)用于承擔從I區(qū)外周單元的表面到器件最外端表面襯底的電壓該電壓為橫向電壓和從I區(qū)外周單元表面到襯底的電壓該電壓為縱向電壓。
[0059]在俯視面上，所述第一P型柱22a和所述第一N型柱23a都呈長條形且互相平行，各所述第一 P型柱22a和所述第一 N型柱23a都沿著長度方向延伸到所述電流流動區(qū)的外側的所述電壓承受區(qū)中形成第二部分超結結構。
[0060]由形成于所述N型外延層中的交替排列的第二P型柱22b和第二 N型柱23b組成的第三部分超結結構，所述第三部分超級結構沿著所述第一 P型柱22a的寬度方向從所述電流流動區(qū)的外側延伸到所述電壓承受區(qū)中；所述第二 P型柱22b和所述第二 N型柱23b都呈長條形且互相平行，且所述第二 P型柱22b和所述第一 P型柱22a平行。
[0061]所述第二部分超結結構和所述第三部分超結結構一起組成環(huán)繞在所述電流流動區(qū)的外周的所述終端保護結構的超級結構，使所述終端保護結構的超級結構的P型柱和N型柱都為不帶轉折的長條形，從而提高所述超結器件的漏電特性。
[0062]在所述過渡區(qū)中形成有場板24和P型環(huán)25，所述場板24呈環(huán)形結構并環(huán)繞在所述電流流動區(qū)的外周;所述P型環(huán)25形成于所述N型外延層中，所述P型環(huán)25呈環(huán)形結構并環(huán)繞在所述電流流動區(qū)的外周。
[0063]在所述電壓承受區(qū)的最外端的所述N型外延層中形成有截止環(huán)21，所述截止環(huán)21呈環(huán)形結構并環(huán)繞在所述終端保護結構的超級結構的外周。
[0064]如圖4所示，是本發(fā)明實施例一超結器件的剖面圖，圖4是沿著圖2的EF線的剖面圖，超結器件以平面柵超結N型MOSFET器件為例，位于I區(qū)中的器件元胞結構為:
[0065]在N型重摻雜的娃襯底I上形成有N型外延層，在N型外延層中形成有第一N型柱3a和第一 P型柱4a，第一 N型柱3a即為圖2中俯視圖上的第一 N型柱23a，第一 P型柱4a即為圖2中的第一 P型柱22a。
[0066]在第一 P型柱4a的頂部形成有P阱7，在P阱7中形成有N+區(qū)組成的源區(qū)8和由P+區(qū)組成的P阱引出區(qū)9，在P阱7的表面形成有柵介質層如柵氧化層5和多晶硅柵6。
[0067]還包括:層間膜10，接觸孔11，正面金屬層12，正面金屬層12圖形化后分別引出源極和柵極。在硅襯底I的背面形成有背面金屬層13，背面金屬層13引出漏極。
[0068]由于硅襯底I為重摻雜，N型外延層為輕摻雜，在二者交界處形成有濃度過渡的區(qū)域。
[0069]圖4中E1E2界面為減薄后的硅襯底I的底部表面，界面D1D2為硅襯底I的頂部表面，界面C1C2為超結結構的底部界面，界面M1M2為N型外延層的頂部表面。界面E1E2和界面D1D2之間的厚度為TOO，界面E1E2和界面M1M2之間的厚度為TlO，界面C1C2和界面M1M2之間的厚度為T20，界面D1D2和界面C1C2之間的厚度為T30。[0070 ]如圖4所述，本發(fā)明實施例一的2區(qū)和3區(qū)的結構為:
[0071 ]在N型外延層中形成有交替排列的第二 P型柱4b和第二 N型柱3b，第二 N型柱3b即為圖2中俯視圖上的N型柱23b，P型柱4b即為圖2中的P型柱22KN型柱3ab表示一個過渡N型柱，用于使第二 P型柱4b和第二 N型柱3b的交替排列結構和第一 P型柱22a和第一 N型柱23a的交替排列結構之間電荷平衡實現(xiàn)良好的過渡。
[0072]在所述終端保護結構區(qū)域的所述N型外延層上形成有終端介質膜31，所述終端介質膜31具有一臺階結構，所述臺階結構的側面傾斜且位于所述過渡區(qū)中，從所述過渡區(qū)到所述電壓承受區(qū)方向上所述臺階結構的厚度逐漸增加。
[0073]所述過渡區(qū)的場板24覆蓋所述臺階結構并延伸到