本發(fā)明涉及掃描電子顯微測(cè)量技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種電子顯微圖像線條寬度和粗糙度的測(cè)量方法。

背景技術(shù)：

在微電子、光電子、mems等領(lǐng)域，精確測(cè)量線條寬度和粗糙度是一項(xiàng)非常重要的應(yīng)用。特別是對(duì)于某些情形，微納器件結(jié)構(gòu)包含非常嚴(yán)重的背景電子束強(qiáng)度分布，例如前層圖層存在圖形對(duì)電子束成像有較大影響，或切片之后對(duì)截面進(jìn)行電子束成像及評(píng)估沿高度方向線條寬度時(shí)背景電子束分布受到高度位置的嚴(yán)重影響等，這些現(xiàn)象均使得在量測(cè)線條寬度時(shí)存在嚴(yán)重缺陷。

現(xiàn)有的技術(shù)在處理這類問(wèn)題時(shí)，通常需要工程師指定量測(cè)位置避開背景圖形的影響，或不同區(qū)域采用獨(dú)立的參數(shù)值，這些方法帶來(lái)了較大的工作量，并且只能分析有限個(gè)數(shù)據(jù)點(diǎn)，且存在人為干預(yù)造成的測(cè)量誤差。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本申請(qǐng)實(shí)施例通過(guò)提供一種電子顯微圖像線條寬度和粗糙度的測(cè)量方法，解決了現(xiàn)有技術(shù)中測(cè)量線條寬度和粗糙度工作量較大、存在人為干預(yù)造成的測(cè)量誤差且只能分析有限個(gè)數(shù)據(jù)點(diǎn)的問(wèn)題。

本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種電子顯微圖像線條寬度和粗糙度的測(cè)量方法，包括：獲得待測(cè)線條結(jié)構(gòu)的掃描電子顯微圖像；

截取第一區(qū)域；

對(duì)所述第一區(qū)域內(nèi)的圖像進(jìn)行沿線條方向平均化處理，獲得線條邊緣像素分布曲線；

根據(jù)所述線條邊緣像素分布曲線，確定第一邊界區(qū)域；

對(duì)所述第一邊界區(qū)域內(nèi)的圖像進(jìn)行局域像素分析，獲得邊界分布；

根據(jù)所述邊界分布，計(jì)算所述待測(cè)線條的寬度和粗糙度，提取所述待測(cè)線條的寬度數(shù)值和粗糙度數(shù)值。

優(yōu)選的，在所述獲得待測(cè)線條結(jié)構(gòu)的掃描電子顯微圖像之后，還包括：確定橫向和縱向的每一個(gè)像素所代表的實(shí)際物理長(zhǎng)度。

優(yōu)選的，所述第一區(qū)域?yàn)椴话韵氯我庖环N或多種的區(qū)域：標(biāo)尺、標(biāo)注和非關(guān)注區(qū)域。

優(yōu)選的，所述根據(jù)所述線條邊緣像素分布曲線，確定第一邊界區(qū)域，包括：

選擇像素第一極值范圍內(nèi)的區(qū)域作為基本邊界區(qū)域；

向所述基本邊界區(qū)域外拓展第一寬度，所述基本邊界區(qū)域和所述第一寬度構(gòu)成所述第一邊界區(qū)域。

優(yōu)選的，所述像素第一極值范圍為像素極值對(duì)應(yīng)寬度的20％～80％。

優(yōu)選的，在所述根據(jù)所述線條邊緣像素分布曲線，確定第一邊界區(qū)域之后，還包括：

對(duì)所述線條邊緣像素分布曲線求導(dǎo)，獲得斜率絕對(duì)值的最大值，與所述第一邊界區(qū)域進(jìn)行交集檢查，排除干擾區(qū)域。

優(yōu)選的，所述對(duì)所述第一邊界區(qū)域內(nèi)的圖像進(jìn)行局域像素分析，獲得邊界分布，包括：

選擇邊界局域區(qū)域范圍；

篩選或去除不合理像素點(diǎn)；

以平均化局域邊界的極大值、極小值為依據(jù)計(jì)算邊界位置。

優(yōu)選的，所述邊界局域區(qū)域范圍在沿線條方向上覆蓋至少一個(gè)像素區(qū)域，所述邊界局域區(qū)域范圍在沿線條方向的最大像素個(gè)數(shù)不超過(guò)背景有用信息包含像素的二分之一。

優(yōu)選的，所述篩選或去除不合理像素點(diǎn)，包括：

沿線條分布方向平均化局域像素值，或加入篩選算法分析孤立的像素值是否明顯為獨(dú)立噪聲，或采用最佳曲線擬合的方法進(jìn)行數(shù)據(jù)處理，以篩選或去除不合理像素點(diǎn)。

優(yōu)選的，所述計(jì)算線條寬度和粗糙度的方法包括：標(biāo)準(zhǔn)離散分析法，或功率譜密度分析法。

本申請(qǐng)實(shí)施例中提供的一個(gè)或多個(gè)技術(shù)方案，至少具有如下技術(shù)效果或優(yōu)點(diǎn)：

在本申請(qǐng)實(shí)施例中，采用邊界區(qū)域和局域范圍相結(jié)合的方法，前者通過(guò)沿線條方向平均化處理，獲得線條邊緣像素分布曲線，然后確定第一邊界區(qū)域，從而有效界定了邊界范圍；后者通過(guò)局域像素分析，獲得邊界分布，從而通過(guò)設(shè)置合理的局域范圍有效降低了背景像素影響，使邊界定位更加準(zhǔn)確。本發(fā)明方法能夠有效降低現(xiàn)有方法在確定電子束成像圖形時(shí)的局限性，提高測(cè)量的準(zhǔn)確性和可靠性，并極大地節(jié)省了工程師實(shí)際量測(cè)的時(shí)間和成本。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作一簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種電子顯微圖像線條寬度和粗糙度的測(cè)量方法的流程圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例一中的sem圖像及其沿線條方向的sem灰度平均值分布曲線。

圖3為本發(fā)明實(shí)施例一采用原始的固定像素閾值測(cè)量方法獲得的線條邊緣分布曲線，及采用本發(fā)明方法獲得的線條邊緣分布曲線。

圖4為本發(fā)明實(shí)施例一采用原始方法獲得的線條寬度粗糙度功率譜密度分布曲線，及采用本方法獲得的線條寬度粗糙度功率譜密度分布曲線。

圖5為本發(fā)明實(shí)施例二中的包含兩層結(jié)構(gòu)的sem俯視圖像及其沿x和y方向的灰度平均值分布曲線。

圖6為本發(fā)明實(shí)施例二采用原始的固定像素閾值測(cè)量方法獲得的線條邊緣分布曲線，及采用本發(fā)明方法獲得的線條邊緣分布曲線。

圖7為本發(fā)明實(shí)施例二采用原始方法獲得的線條寬度粗糙度功率譜密度分布曲線，及采用本方法獲得的線條寬度粗糙度功率譜密度分布曲線。

具體實(shí)施方式

本申請(qǐng)實(shí)施例通過(guò)提供一種電子顯微圖像線條寬度和粗糙度的測(cè)量方法，解決了現(xiàn)有技術(shù)中測(cè)量線條寬度和粗糙度工作量較大、存在人為干預(yù)造成的測(cè)量誤差且只能分析有限個(gè)數(shù)據(jù)點(diǎn)的問(wèn)題。

本申請(qǐng)實(shí)施例的技術(shù)方案為解決上述技術(shù)問(wèn)題，總體思路如下：

一種電子顯微圖像線條寬度和粗糙度的測(cè)量方法，包括：

獲得待測(cè)線條結(jié)構(gòu)的掃描電子顯微圖像；

截取第一區(qū)域；

對(duì)所述第一區(qū)域內(nèi)的圖像進(jìn)行沿線條方向平均化處理，獲得線條邊緣像素分布曲線；

根據(jù)所述線條邊緣像素分布曲線，確定第一邊界區(qū)域；

對(duì)所述第一邊界區(qū)域內(nèi)的圖像進(jìn)行局域像素分析，獲得邊界分布；

根據(jù)所述邊界分布，計(jì)算所述待測(cè)線條的寬度和粗糙度，提取所述待測(cè)線條的寬度數(shù)值和粗糙度數(shù)值。

通過(guò)采用邊界區(qū)域和局域范圍相結(jié)合的方法，前者通過(guò)沿線條方向平均化處理，獲得線條邊緣像素分布曲線，然后確定第一邊界區(qū)域，從而有效界定了邊界范圍；后者通過(guò)局域像素分析，獲得邊界分布，從而通過(guò)設(shè)置合理的局域范圍有效降低了背景像素影響，使邊界定位更加準(zhǔn)確。本發(fā)明方法能夠有效降低現(xiàn)有方法在確定電子束成像圖形時(shí)的局限性，提高測(cè)量的準(zhǔn)確性和可靠性，并極大地節(jié)省了工程師實(shí)際量測(cè)的時(shí)間和成本。

為了更好的理解上述技術(shù)方案，下面將結(jié)合說(shuō)明書附圖以及具體的實(shí)施方式對(duì)上述技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)的說(shuō)明。

實(shí)施例一：

本實(shí)施例提供了一種電子顯微圖像線條寬度和粗糙度的測(cè)量方法，如圖1所示，包括：

步驟10：獲得待測(cè)線條結(jié)構(gòu)的掃描電子顯微圖像。

所述待測(cè)線條結(jié)構(gòu)可以是經(jīng)過(guò)光刻工藝之后所獲得的光刻圖形。所述光刻工藝是在光刻膠上形成圖形，該圖形進(jìn)一步用于刻蝕的掩膜層。所述待側(cè)線條結(jié)構(gòu)也可以是通過(guò)刻蝕工藝對(duì)待刻蝕層進(jìn)行刻蝕之后獲得中間圖形或目標(biāo)圖形，待刻蝕層可以為柵材料層、襯底、介質(zhì)材料層或金屬層等任何需要刻蝕的材料層，刻蝕工藝可以為濕法刻蝕或光刻刻蝕。所述待測(cè)線條結(jié)構(gòu)可以是經(jīng)過(guò)切片之后的線條圖形。所述待測(cè)線條結(jié)構(gòu)還可以是進(jìn)行其他的工藝之后的需要測(cè)量線條寬度或者粗糙度的圖形，在此不作限制，并不再一一列舉。

特別的，待測(cè)線條結(jié)構(gòu)的掃描電子顯微圖像的電子束成像之后的背景像素分布不均勻，或背景包含其他圖形。例如，電子束對(duì)當(dāng)前層結(jié)構(gòu)成像的同時(shí)，能反應(yīng)前層結(jié)構(gòu)圖形，從而造成電子束成像存在前層圖形成像干擾；或電子束對(duì)切片結(jié)構(gòu)進(jìn)行成像，由于不同位置的電子束運(yùn)行過(guò)程受到的約束不同而導(dǎo)致的電子束成像像素不均勻，故采用傳統(tǒng)的測(cè)量方法量測(cè)線條寬度或者粗糙度時(shí)會(huì)存在嚴(yán)重缺陷。

本實(shí)施例中，待測(cè)線條結(jié)構(gòu)為深刻蝕線條結(jié)構(gòu)的切片圖，如圖2所示，沿線條方向，坐標(biāo)位置從1增加到100時(shí)，均值像素明顯增大。

此外，在所述獲得待測(cè)線條結(jié)構(gòu)的掃描電子顯微圖像之后，確定橫向和縱向的每一個(gè)像素所代表的實(shí)際物理長(zhǎng)度。

本實(shí)施例中，確定的橫向和縱向每一個(gè)像素代表的物理長(zhǎng)度均為1nm。一般的，橫向和縱向的像素所代表的實(shí)際物理長(zhǎng)度相同，但是針對(duì)特殊情況可以存在不同。

步驟20：截取第一區(qū)域。

所述第一區(qū)域?yàn)椴话韵氯我庖环N或多種的區(qū)域：標(biāo)尺、標(biāo)注和非關(guān)注區(qū)域。

一般的，可以使用其他工具對(duì)原始圖片進(jìn)行最佳區(qū)域選擇處理，也可以在該步驟根據(jù)實(shí)際需求靈活截取合適區(qū)域。本實(shí)施例所示的圖片均經(jīng)過(guò)了合理區(qū)間截取，去除標(biāo)尺、標(biāo)注等干擾區(qū)域。

根據(jù)實(shí)際情形可以選擇對(duì)所述第一區(qū)域內(nèi)的圖像使用或不使用去噪算法；如選擇使用去燥算法，可以使用但不限于高斯去噪算法，去除隨機(jī)噪聲的影響。本實(shí)施例沒(méi)有使用去噪算法。

步驟30：對(duì)所述第一區(qū)域內(nèi)的圖像進(jìn)行沿線條方向平均化處理，獲得線條邊緣像素分布曲線。

所述沿線條方向平均化處理，指沿線條方向累加所有像素值，再除以像素點(diǎn)個(gè)數(shù)，以獲取平均后的線條像素分布曲線。該步驟的作用是去除測(cè)量過(guò)程中產(chǎn)生的信號(hào)噪聲，獲取光滑的邊界分布，從而為下一步驟確定基本邊界區(qū)域提供準(zhǔn)確依據(jù)。特別的，為評(píng)估前層/背景像素分布的影響，往往對(duì)底層像素值沿垂直于線條方向進(jìn)行平均化處理，獲取背景像素分布曲線，如本實(shí)施例中的圖2所示。

步驟40：根據(jù)所述線條邊緣像素分布曲線，確定第一邊界區(qū)域。

所述根據(jù)所述線條邊緣像素分布曲線，確定第一邊界區(qū)域，包括：

選擇像素第一極值范圍內(nèi)的區(qū)域作為基本邊界區(qū)域；

向所述基本邊界區(qū)域外拓展第一寬度，所述基本邊界區(qū)域和所述第一寬度構(gòu)成所述第一邊界區(qū)域。

例如，對(duì)于線條扭曲的情形，沿線條平均處理的方法所獲得的像素極值范圍往往不能涵蓋特殊扭曲線條，因此需要向外適當(dāng)拓展，即向所述基本邊界區(qū)域外拓展第一寬度。

其中，所述像素第一極值范圍優(yōu)選為像素極值對(duì)應(yīng)寬度的20％～80％。

在所述根據(jù)所述線條邊緣像素分布曲線，確定第一邊界區(qū)域之后，還可以對(duì)所述線條邊緣像素分布曲線求導(dǎo)，獲得斜率絕對(duì)值的最大值，與所述第一邊界區(qū)域進(jìn)行交集檢查，排除干擾區(qū)域，以確定準(zhǔn)確的邊界范圍。

步驟50：對(duì)所述第一邊界區(qū)域內(nèi)的圖像進(jìn)行局域像素分析，獲得邊界分布。

所述對(duì)所述第一邊界區(qū)域內(nèi)的圖像進(jìn)行局域像素分析，獲得邊界分布，包括：

選擇邊界局域區(qū)域范圍；

篩選或去除不合理像素點(diǎn)；

以平均化局域邊界的極大值、極小值為依據(jù)計(jì)算邊界位置。

通過(guò)局域像素分析可以降低背景像素影響，獲得較準(zhǔn)確的邊界閾值分布。

其中，邊界局域區(qū)域范圍的合理選擇方法通常需要兼顧背景像素分布情況。

較少的邊界局域范圍可以有效減小平滑處理對(duì)最佳邊界尋找的影響，但是卻增加了噪聲影響；較多的邊界局域范圍可以有效抑制噪聲影響，但同時(shí)加強(qiáng)了背景像素的影響，使實(shí)際邊界位置偏離真實(shí)位置。

一般的，所述邊界局域區(qū)域范圍在沿線條方向上覆蓋至少一個(gè)像素區(qū)域，所述邊界局域區(qū)域范圍在沿線條方向的最大像素個(gè)數(shù)不超過(guò)背景有用信息包含像素的二分之一。

可以通過(guò)沿線條分布方向平均化局域像素值，或加入篩選算法分析孤立的像素值是否明顯為獨(dú)立噪聲，或采用最佳曲線擬合的方法進(jìn)行數(shù)據(jù)處理，以篩選或去除不合理像素點(diǎn)。

以平均化局域邊界的極大值、極小值為依據(jù)計(jì)算邊界位置。其中，計(jì)算最佳邊界位置時(shí)，采用局域邊界平均化之后的極大值和極小值，邊界閾值為固定像素百分制閾值。

本實(shí)施例中，沿線條方向像素分布呈現(xiàn)均勻變化趨勢(shì)，因此局域范圍沿線條方向可以選擇較大的像素區(qū)域，例如本實(shí)施例使用的11個(gè)像素作為局域處理區(qū)，由此確定的邊界分布如圖3(b)所示。對(duì)比的，原始方法確定的邊界分布如圖3(a)所示，明顯的，原始方法確定的邊界在y方向偏離真實(shí)邊界，從而造成較大的量測(cè)誤差。

步驟60：根據(jù)所述邊界分布，計(jì)算所述待測(cè)線條的寬度和粗糙度，提取所述待測(cè)線條的寬度數(shù)值和粗糙度數(shù)值。

所述計(jì)算線條寬度和粗糙度的方法包括：標(biāo)準(zhǔn)離散分析法，或功率譜密度分析法。

本實(shí)施例中，采用標(biāo)準(zhǔn)離散方法分別計(jì)算了原始方法確定的邊界和本發(fā)明方法確定的邊界的平均寬度，兩者分別為31.4(納米或像素點(diǎn))和31.2(納米或像素點(diǎn))，即本發(fā)明方法的使用對(duì)平均寬度降低了0.2(納米或像素點(diǎn))。

本實(shí)施例中，采用功率譜密度方法分別獲得了原始方法和本發(fā)明方法得到的線條寬度粗糙度功率譜密度曲線，如圖4所示，使用本發(fā)明方法可以有效降低線條寬度粗糙度，特別是低頻范圍的功率譜密度值。寬度粗糙度從原始方法的3.6納米降低至本發(fā)明方法的1.6納米，極大地提高了測(cè)量線條寬度及其均勻性范圍的準(zhǔn)確性。

實(shí)施例二：

實(shí)施例二與實(shí)施例一在多數(shù)步驟中相同，這里僅說(shuō)明不同之處。

步驟10：獲得待測(cè)線條結(jié)構(gòu)的掃描電子顯微圖像。

本實(shí)施例中，待測(cè)結(jié)構(gòu)為包含雙層結(jié)構(gòu)的俯視圖，如圖5所示，其中，當(dāng)前層結(jié)構(gòu)的電子束成像亮度高，呈南北分布(上下分布)；前層結(jié)構(gòu)的電子束成像亮度較低，呈東西分布(左右分布)。由于前層結(jié)構(gòu)的存在，其平均像素分布差高達(dá)40個(gè)像素值。

本實(shí)施例一個(gè)像素代表1納米，并且未使用去噪算法。

步驟30：對(duì)所述第一區(qū)域內(nèi)的圖像進(jìn)行沿線條方向平均化處理，獲得線條邊緣像素分布曲線。

本實(shí)施例中，我們分別獲取了測(cè)量當(dāng)前層沿線條方向的邊緣像素分布曲線，如圖5下圖所示，該平均化像素分布曲線有效地界定了當(dāng)前層線條的基本邊界區(qū)域；同時(shí)為評(píng)估前層圖層的干擾像素信號(hào)強(qiáng)度，沿前層線條方向進(jìn)行了像素平均化處理，獲取了前層干擾信號(hào)的像素分布變化曲線，如圖5左圖所示，該線條分布有助于評(píng)估前層圖層干擾信號(hào)強(qiáng)度，并以此合理選取最佳的局域化像素范圍。

步驟50：對(duì)所述第一邊界區(qū)域內(nèi)的圖像進(jìn)行局域像素分析，獲得邊界分布。

本實(shí)施例中，沿當(dāng)前層線條方向，前層結(jié)構(gòu)的電子束成像結(jié)果具有較強(qiáng)的影響，因此所確定的局域范圍應(yīng)盡可能小，例如本實(shí)施例使用的3個(gè)像素作為局域處理區(qū)，由此確定的邊界分布如圖6(b)所示。對(duì)比的，原始方法確定的邊界分布曲線如圖6(a)所示，明顯的，在與前層結(jié)構(gòu)重疊的區(qū)域，原始方法確定的邊界受到非常明顯的影響，線條邊界向兩側(cè)擴(kuò)張；本發(fā)明方法確定的邊界只有輕微的波動(dòng)，并未呈現(xiàn)較大變化。

步驟60：根據(jù)所述邊界分布，計(jì)算所述待測(cè)線條的寬度和粗糙度，提取所述待測(cè)線條的寬度數(shù)值和粗糙度數(shù)值。

本實(shí)施例中，采用標(biāo)準(zhǔn)離散方法分別計(jì)算了原始方法確定的邊界和本發(fā)明方法確定的邊界的平均寬度，兩者分別為37.6(納米或像素點(diǎn))和37.3(納米或像素點(diǎn))。本發(fā)明方法的使用對(duì)平均寬度降低了0.3(納米或像素點(diǎn))。

本實(shí)施例中，采用功率譜密度方法分別獲得了原始方法和本發(fā)明方法得到的線條寬度粗糙度功率譜密度曲線，如圖7所示，該圖顯示，使用本發(fā)明方法可以有效降低線條寬度粗糙度，特別是原始方法確定的功率譜密度曲線在0.02nm^-1位置存在突出峰值，對(duì)應(yīng)于原始圖像存在50nm的周期波動(dòng)，與圖5沿y方向的灰度分布以及圖6(a)的邊界分布曲線一致。使用本發(fā)明方法確定的邊界寬度粗糙度功率譜密度曲線明顯降低了中低頻范圍內(nèi)的功率譜密度值，即降低了前層結(jié)構(gòu)的干擾。從數(shù)值上看，原始方法確定的寬度粗糙度(3σ)為9.0納米，而本發(fā)明方法確定的寬度粗糙度(3σ)降低至6.5納米。

特別需要指出的是，本發(fā)明的方法不限于精確量測(cè)包含背景影響的線條結(jié)構(gòu)寬度和粗糙度的量測(cè)，同時(shí)可以精確量測(cè)線條邊緣粗糙度。

本發(fā)明方法不僅適用于硅基集成電路制造中的先進(jìn)量測(cè)，也適用于光電子器件、硅鍺集成電路、三五族集成結(jié)構(gòu)或微機(jī)電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)中的任意工藝過(guò)程中所形成的線條結(jié)構(gòu)的粗糙度量測(cè)。

本發(fā)明實(shí)施例公開的精確表征電子顯微圖像線條寬度和粗糙度的測(cè)量方法，不限于集成電路器件研發(fā)和量產(chǎn)過(guò)程中的對(duì)關(guān)鍵尺寸粗糙度的精確測(cè)量，其他任何具有一維方向特征的器件或結(jié)構(gòu)的光學(xué)成像或電子束成像圖像均可以采用本發(fā)明提供的方法及其延伸方法進(jìn)行分析和處理。

本發(fā)明實(shí)施例提供的一種電子顯微圖像線條寬度和粗糙度的測(cè)量方法至少包括如下技術(shù)效果：

在本申請(qǐng)實(shí)施例中，采用邊界區(qū)域和局域范圍相結(jié)合的方法，前者通過(guò)沿線條方向平均化處理，獲得線條邊緣像素分布曲線，然后確定第一邊界區(qū)域，從而有效界定了邊界范圍；后者通過(guò)局域像素分析，獲得邊界分布，從而通過(guò)設(shè)置合理的局域范圍有效降低了背景像素影響，使邊界定位更加準(zhǔn)確。本發(fā)明方法能夠有效降低現(xiàn)有方法在確定電子束成像圖形時(shí)的局限性，提高測(cè)量的準(zhǔn)確性和可靠性，并極大地節(jié)省了工程師實(shí)際量測(cè)的時(shí)間和成本。

最后所應(yīng)說(shuō)明的是，以上具體實(shí)施方式僅用以說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案而非限制，盡管參照實(shí)例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)說(shuō)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行修改或者等同替換，而不脫離本發(fā)明技術(shù)方案的精神和范圍，其均應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的權(quán)利要求范圍當(dāng)中。