Oled用覆膜基板、用其制備oled顯示器件的方法和oled顯示器件的制作方法
【專利說(shuō)明】OLED用覆膜基板、用其制備0LED顯示器件的方法和0LED
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技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及0LED顯示器生產(chǎn)領(lǐng)域，具體地，涉及0LED用覆膜基板、用其制備0LED顯示器件的方法、以及0LED顯示器件。
【背景技術(shù)】
[0002]在0LED顯示器件如顯示面板的生產(chǎn)中，一般地，采用在基板上形成各功能元件(如層狀功能元件或稱為功能層)的方法。常見(jiàn)的基板是玻璃等。例如，在玻璃基板上，蒸鍍有機(jī)電致發(fā)光薄膜和陰極金屬薄膜，從而形成0LED顯示器件。當(dāng)基板尺寸較大時(shí)，例如在制備0LED電視顯示器時(shí)(例如，G6:1.5mXl.85m ；G8.5:2.2mX 2.5m)，為了克服基板自身受重力作用產(chǎn)生彎曲，在生產(chǎn)線上需要采用搬送系統(tǒng)。
[0003]靜電吸附式搬送系統(tǒng)由于產(chǎn)生的靜電電場(chǎng)強(qiáng)度較大對(duì)薄膜晶體管有損傷，因此一般選取非靜電吸附的粘附襯墊(pad) +底座(base)作為搬送系統(tǒng)。具體地，例如，可以利用粘附襯墊將玻璃基板粘附在底座表面，以搬送、運(yùn)輸玻璃基板。
[0004]然而，在蒸鍍制程結(jié)束之后，一般需要頂針(pin)分離動(dòng)作將基板與底座分離開(kāi)來(lái)，即通過(guò)在某些點(diǎn)用頂針將基板從底座上頂起分離。由于蒸鍍過(guò)程中底座移動(dòng)會(huì)在基板背面產(chǎn)生電荷積累，因此頂針?lè)蛛x時(shí)，基板與頂針接觸的區(qū)域會(huì)產(chǎn)生尖端放電，同時(shí)，該區(qū)域還受到頂針向上的擠壓應(yīng)力，兩者共同作用會(huì)造成基板元件側(cè)的薄膜晶體管的損傷。最終，在點(diǎn)亮制得的顯示面板時(shí)，會(huì)產(chǎn)生顯示器亮度不均。在本文中，將這種亮度不均稱為頂針位置亮度不均。
[0005]為了解決頂針?lè)蛛x方式造成顯示器亮度不均的問(wèn)題，已經(jīng)發(fā)展了一些方法。例如，可以將頂針位置設(shè)置在顯示面板的有效顯示區(qū)域(active area)之外。然而，如果采用將頂針移出面板有效顯示區(qū)域的方式消除亮度不均，會(huì)因頂針點(diǎn)位固定而使生產(chǎn)線無(wú)法對(duì)應(yīng)全尺寸產(chǎn)品(只能對(duì)應(yīng)少數(shù)幾種尺寸的產(chǎn)品)。而且接觸點(diǎn)位所處區(qū)域的靜電擊傷無(wú)法消除。如果該區(qū)域?qū)?yīng)扇出區(qū)，則可能造成不良；若處于面板之外，又浪費(fèi)了基板面積。
[0006]因此，在0LED顯示器件的生產(chǎn)中，仍需要克服大尺寸基板制備過(guò)程中的尖端放電和應(yīng)力集中導(dǎo)致的成品亮度不均問(wèn)題的手段。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供如下內(nèi)容:
[0008][1] 一種0LED顯示器件的覆膜基板，其中所述覆膜基板由基板和在其底面上的導(dǎo)電層構(gòu)成。
[0009][2]根據(jù)[1]所述的覆膜基板，其中，所述導(dǎo)電層是透明的。
[0010][3]根據(jù)[1]所述的覆膜基板，其中，所述基板是玻璃。
[0011][4]根據(jù)[1]所述的覆膜基板，其中，所述導(dǎo)電層為金屬氧化物導(dǎo)電薄膜、有機(jī)導(dǎo)電薄膜、碳納米管、石墨稀、金屬柵網(wǎng)、金屬納米線或超薄金屬薄膜。
[0012][5]根據(jù)[4]所述的覆膜基板，其中，所述導(dǎo)電層為IT0、IZ0、IGZ0、Zn0SPED0T。
[0013][6]根據(jù)[1]所述的覆膜基板，其中，所述導(dǎo)電層的厚度為0.1納米至10微米。
[0014][7]根據(jù)[6]所述的覆膜基板，其中，所述導(dǎo)電層的厚度為10納米至1微米。
[0015][8] 一種制備0LED顯示器件的方法，其中使用[1]所述的覆膜基板作為所述0LED顯示器件的基板，使得在所述0LED顯示器件制備過(guò)程中與所述覆膜基板接觸的設(shè)備機(jī)構(gòu)與所述覆膜基板的有導(dǎo)電層的一面接觸，在無(wú)導(dǎo)電層的一面上形成所述0LED顯示器件的功能元件。
[0016][9]根據(jù)[8]所述的方法，其中所述覆膜基板作為所述0LED器件的上頂蓋和/或下頂蓋。
[0017][10]根據(jù)[8]所述的方法，其中所述設(shè)備機(jī)構(gòu)是頂針、吸盤或滾輪。
[0018][11]根據(jù)[8]所述的方法，其中使用底座搬送系統(tǒng)搬送所述覆膜基板，所述覆膜基板導(dǎo)電層向下，安置于所述底座搬送系統(tǒng)上的粘附襯墊上；搬送并形成所述各功能元件后，用頂針?lè)绞皆趯?dǎo)電層側(cè)頂起所述覆膜基板，使所述覆膜基板與所述底座分離。
[0019][12]根據(jù)[8]所述的方法，包括以下步驟:
[0020]在未覆膜基板的一側(cè)上形成所述0LED顯示器件的所述功能元件中的一部分；
[0021]在所述未覆膜基板的未形成功能元件的一側(cè)上設(shè)置導(dǎo)電層，以形成[1]所述的覆膜基板；
[0022]將所述覆膜基板安置在所述底座搬送系統(tǒng)的粘附襯墊上，其中所述導(dǎo)電層與所述粘附襯墊接觸；
[0023]在所述覆膜基板的功能元件側(cè)形成所述0LED顯示器件的所述功能元件中的其余部分；
[0024]用頂針?lè)绞皆趯?dǎo)電層側(cè)頂起所述覆膜基板，使所述覆膜基板與所述底座分離。
[0025][13] 一種包含根據(jù)[1]所述的覆膜基板的顯示器件。
[0026]在本發(fā)明的一個(gè)方面中，通過(guò)在頂針?lè)蛛x過(guò)程前提前在基板的將與頂針接觸的面(即底面)上制備一層導(dǎo)電層而形成覆膜基板。這樣，在頂針?lè)蛛x時(shí)，該導(dǎo)電層既可以及時(shí)將靜電傳導(dǎo)走，又可以作為應(yīng)力緩沖層減小局部擠壓應(yīng)力，可以有效消除頂針造成的亮度不均，提高產(chǎn)品的顯示品質(zhì)和良品率。并且，由于頂針位置無(wú)需專門設(shè)置，因此生產(chǎn)線可以對(duì)應(yīng)全尺寸產(chǎn)品。
[0027]在本文中，術(shù)語(yǔ)“底面”指的是基板的不形成功能元件的那一面。作為0LED的基板，其作用是承載各功能元件(如發(fā)光元件)，因此各功能元件都形成在基板的同一側(cè)。本文將基板不承載功能元件的那一面稱為底面，以便于將本發(fā)明的覆膜基板與在功能元件面上形成有導(dǎo)電層的與本發(fā)明無(wú)關(guān)的基板區(qū)分開(kāi)來(lái)。
[0028]優(yōu)選地，所述導(dǎo)電層是透明的。尤其當(dāng)基板為底發(fā)射器件的基板時(shí)，光要從基板透出，因此導(dǎo)電層必須是透明的。當(dāng)然，如果基板為頂發(fā)射器件的基板，其可以是透明的，也可以是不透明的。
[0029]優(yōu)選地，所述基板可以為玻璃。玻璃基板是本領(lǐng)域利用最為廣泛的基板，并且其特別適用于底座-頂針搬送系統(tǒng)。
[0030]優(yōu)選地，所述導(dǎo)電層為金屬氧化物導(dǎo)電薄膜、有機(jī)導(dǎo)電薄膜、碳納米管、石墨烯、金屬柵網(wǎng)、金屬納米線、超薄金屬薄膜等。一般講來(lái)，只要該導(dǎo)電層導(dǎo)電即可起到消除尖端放電作用。上述幾種導(dǎo)電層可以同時(shí)滿足導(dǎo)電和減輕擠壓的要求，并且是本領(lǐng)域中研究和使用得較多的結(jié)構(gòu)，制備工藝更加成熟，可以在不對(duì)生產(chǎn)線進(jìn)行過(guò)多改進(jìn)、不更多增加成本的情況下達(dá)成技術(shù)效果。
[0031]更優(yōu)選地，所述金屬氧化物導(dǎo)電薄膜可以為IT0、IZ0、IGZ0或ZnO薄膜。這些薄膜是透明導(dǎo)電氧化物(TC0)，兼具導(dǎo)電性和透明性，并且機(jī)械性能也適于作為機(jī)械緩沖層。在有機(jī)導(dǎo)電薄膜中，ΡΗ)0Τ是優(yōu)選的。
[0032]優(yōu)選地，所述導(dǎo)電層的厚度為0.1納米至10微米。當(dāng)?shù)陀?.1納米時(shí)，導(dǎo)電層的導(dǎo)電能力不足。當(dāng)高于10微米時(shí)，消耗材料過(guò)多，制備時(shí)間長(zhǎng)，在成本方面不利。并且當(dāng)導(dǎo)電層為透明層時(shí)，若厚度高于10微米時(shí)，導(dǎo)電層的透明度不足。更優(yōu)選范圍為10納米至1微米。當(dāng)?shù)陀诜秶?0納米時(shí)，緩解擠壓的能力較差。
[0033]本發(fā)明特別優(yōu)選的覆膜基板是以玻璃為基板，以ΙΤ0(氧化銦錫)、ΙΖ0(氧化銦鋅)、IGZ0(氧化銦鎵鋅)、Ζη0(氧化鋅)、PED0T(聚乙烯二氧噻吩)、金屬柵網(wǎng)(metalgrids)、碳納米管(CNT)、石墨烯、金屬納米線或超薄金屬薄膜為導(dǎo)電層，導(dǎo)電層的厚度為10納米至1微米。
[0034]本發(fā)明的第二方面提供了制備0LED顯示器件方法，所述方法包括使用本發(fā)明的覆膜基板。
[0035]具體地，在制備中使有導(dǎo)電層的一面與設(shè)備機(jī)構(gòu)接觸，以消除靜電和擠壓的影響。在無(wú)導(dǎo)電層的一面形成功能元件等。
[0036]優(yōu)選地，以覆膜基板作為0LED的上頂蓋或下頂蓋，即所有功能元件都形成在覆膜基板的無(wú)導(dǎo)電層的一側(cè)。
[0037]本發(fā)明的覆膜基板可用于頂針?lè)蛛x機(jī)構(gòu)。其同樣可用于吸盤、滾輪等其他設(shè)備機(jī)構(gòu)接觸，也可以起到釋放靜電和緩沖局部擠壓應(yīng)力的作用。本發(fā)明的制備方法特別有利于包括頂針過(guò)程的制備流程。
[0038]優(yōu)選地，覆膜基板的導(dǎo)電層向下，面向搬送基板的底座搬送系統(tǒng)，安置于底座的粘附襯墊上，在搬送并形成各功能元件后，用頂針?lè)绞皆趯?dǎo)電層側(cè)頂起所述覆膜基板，使覆膜基板與底座分尚。
[0039]優(yōu)選地，通過(guò)以下步驟制備0LED顯示器件:在未覆膜基板的一側(cè)上形成所述0LED顯示器件的功能元件中的一部分；在所述未覆膜基板的未形成功能元件的一側(cè)上設(shè)置導(dǎo)電層，以形成根據(jù)權(quán)利要求1所述的覆膜基板；將所述覆膜基板的導(dǎo)電層側(cè)安置在底座搬送系統(tǒng)上；在所述覆膜基板的功能元件側(cè)形成所述0LED顯示器件的功能元件中的其余部分；用頂針?lè)绞皆趯?dǎo)電層側(cè)頂起所述覆膜基板，使所述覆膜基板與所述底座分離。
[0040]本發(fā)明的第三方面提供了包含本發(fā)明的覆膜基板的顯示器件。
[0041]該覆膜基板適用于大尺寸顯示器的生產(chǎn)，但不限于此。在中小尺寸0LED顯示器件如手機(jī)屏、筆記本電腦屏、監(jiān)視器屏、平板電腦屏的制程中，也可以使用本發(fā)明的覆膜基板。
[0042]該覆膜基板涉及的結(jié)構(gòu)制程簡(jiǎn)單，僅增加一層導(dǎo)電層而不需要額外工藝，便解決了前述技術(shù)問(wèn)題。該導(dǎo)電層層不限于用濺射方式制作，也可以用熱蒸發(fā)、電子束蒸發(fā)、噴墨、滾筒至滾筒轉(zhuǎn)印、旋涂等方式制作。
[0043]本發(fā)明的方法可以用于背板制程中，包括a -Si背板、氧化物半導(dǎo)體背板、LTPS背板等。
[0044]附圖簡(jiǎn)述
[0045]圖1是本發(fā)明的覆膜基板的一個(gè)實(shí)施方案的剖面圖。
[0046]圖2是顯示本發(fā)明的一個(gè)顯示器件的實(shí)施方案的剖面圖。
[0047]圖3是頂針過(guò)程的示意圖。
[0048]圖4顯示了底座、頂針和顯示器件的相互位置示意圖。
[0049]圖5示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案，使用ΙΖ