欧美在线观看视频网站,亚洲熟妇色自偷自拍另类,啪啪伊人网,中文字幕第13亚洲另类,中文成人久久久久影院免费观看 ,精品人妻人人做人人爽,亚洲a视频

控制晶片在壓塑成型時翹曲的方法及使用該方法的制品的制作方法_5

文檔序號:9650707閱讀:來源:國知局
。
[0146] 在本發(fā)明的另一個實施方案中,提供運樣的多層結(jié)構(gòu),其包含:
[0147] 娃層,所述娃層在其上包含多個忍片且在所述忍片下面包含底部填充層,
[014引施用至與所述多個忍片同一面的經(jīng)固化的模塑配制物,W及
[0149] 施用至所述模塑配制物的增強元件,
[0150] 其中所述增強元件的熱膨脹系數(shù)(CT巧與所述娃層的熱膨脹系數(shù)足夠接近,W便 使所述結(jié)構(gòu)在所述模塑配制物固化時的翅曲最小。
[0151] 在又一個實施方案中,提供了減小晶片在施用至娃支撐件的一側(cè)的可固化模塑配 制物固化時翅曲的方法,所述方法包括在所述可固化模塑配制物固化之前將增強元件施用 至所述可固化模塑配制物。
[0152] 根據(jù)上述方法,晶片在固化時的翅曲減小至少20%。在一些實施方案中,晶片翅曲 減小至少30% ;在一些實施方案中,晶片翅曲減小至少40% ;在一些實施方案中,晶片翅曲 減小至少50% ;在一些實施方案中,晶片翅曲減小至少60% ;在一些實施方案中,晶片翅曲 減小至少70% ;在一些實施方案中,晶片翅曲減小至少80% ;在一些實施方案中,晶片翅曲 減小至少90% ;在一些實施方案中,晶片翅曲減小至少95% ;在一些實施方案中,晶片翅曲 減小至少99%。
[0153] 根據(jù)本發(fā)明的另一方面,提供了制備在固化時基本沒有翅曲的晶片的方法,所述 方法包括:
[0154] 將可固化模塑配制物施用至娃層的一側(cè),然后
[01巧]將增強元件施用至所述可固化模塑配制物。
[0156] 此后,在將所述增強元件施用至所述可固化模塑配制物之后固化所述可固化模塑 配制物。增強元件的存在用W將晶片在固化時的翅曲減小至少20%。在一些實施方案中, 晶片翅曲減小至少30% ;在一些實施方案中,晶片翅曲減小至少40% ;在一些實施方案中, 晶片翅曲減小至少50% ;在一些實施方案中,晶片翅曲減小至少60% ;在一些實施方案中, 晶片翅曲減小至少70% ;在一些實施方案中,晶片翅曲減小至少80% ;在一些實施方案中, 晶片翅曲減小至少90% ;在一些實施方案中,晶片翅曲減小至少95% ;在一些實施方案中, 晶片翅曲減小至少99%。
[0157] 根據(jù)本發(fā)明的又一方面,提供了制備在固化時基本沒有翅曲的晶片的方法, 所述方法包括將增強元件施用至其上具有可固化模塑配制物的娃中介層(silicon interposer)的一側(cè),W及此后在將所述增強元件施用至所述模塑配制物之后固化所述可 固化模塑配制物。
[015引通過W下非限制性實施例對本發(fā)明的各個方面進行了示例說明。運些實施例是為 了示例說明性的目的,不是對本發(fā)明的任何實踐的限制。應(yīng)當(dāng)理解,可W在不偏離本發(fā)明的 精神和范圍的情況下做出變化和變型。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員很容易知道如何合成或通過商 業(yè)渠道獲得本說明書中所述的試劑和組分。
[0159] 實施例
[0160]現(xiàn)在通常將重配置晶片(reconfiguredwafer)制成具有8"或12"的直徑。在使 用中,用來封裝晶片的熱固性樹脂組合物可W通過空氣壓力或活塞分配在晶片的中央部分 上或者中央部分的周圍。
[0161]接著,暴露于液體壓塑成型條件,例如大約100~120°C的溫度持續(xù)大約300~ 400秒的時間。在運樣的暴露處理W后,可W將壓塑成型的晶片放置在常規(guī)烘箱中用于在大 約120°C~150°C的溫度下進行大約15分鐘至1小時的模塑后固化。優(yōu)選地,8 "、970ym 厚的模塑晶片所具有的翅曲(所述晶片的彎曲跨度)應(yīng)小于大約1mm。
[0162] 將不含增強元件的由雙酪A環(huán)氧樹脂、脂環(huán)族環(huán)氧樹脂和酸酢制得的對照樣品(1 號樣品)施用至其上布置有娃忍片的載體上并W如上所述的方式模塑。用陰影云紋法觀察 到模塑晶片的翅曲在X和Y方向上適中,其中所述陰影云紋法用非接觸的且非破壞性的方 法來測量模塑晶片的全場表面形貌。
[016引利用運種技術(shù),對分離晶片(debondedwafer)的翅曲進行測量。接著用不同的升 溫過程對晶片進行退火,然后再次測量翅曲。
[0164] W上說明書所在領(lǐng)域的技術(shù)人員將知曉除了本文所示和描述的那些變型W外的 本發(fā)明的各種變型。所述變型同樣意欲落入所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)。
[0165] 本說明書中提及的專利和公布文本表明本發(fā)明所設(shè)及領(lǐng)域的普通技術(shù)人員的水 平。運些專利和公布文本通過援引加入的方式納入本文中,納入程度好像每個單獨的申請 或公布文本均通過援引加入的方式明確地逐一納入本文中一樣。
[0166] 上述描述示例說明了本發(fā)明的具體實施方案,但不意味著對其實踐的限制。所附 權(quán)利要求,包括其所有等同方案,旨在限定本發(fā)明的范圍。
【主權(quán)項】
1. 多層結(jié)構(gòu),其包含: 硅層,所述硅層在其一個面上包含多個芯片且在所述芯片下面包含底部填充層, 施用至與所述多個芯片同一面的可固化模塑配制物,以及 施用至所述模塑配制物的增強元件, 其中所述增強元件的熱膨脹系數(shù)(CTE)與所述硅層的熱膨脹系數(shù)足夠接近,以便使所 述結(jié)構(gòu)在所述模塑配制物固化時的翹曲最小。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu),其中所述增強層的熱膨脹系數(shù)為大約0至大約小于 8ppm/°C〇3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu),其中所述硅層的熱膨脹系數(shù)為大約2至3ppm/°C。4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的結(jié)構(gòu),其中所述增強層的熱膨脹系數(shù)在所述硅層熱膨脹系數(shù) 的±90%范圍內(nèi)。5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu),其中所述增強元件是碳纖維片材、玻璃薄片、液晶聚合 物(LCP)片材、硅板或硅片材、或者陶瓷薄板或陶瓷片材。6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的結(jié)構(gòu),其中所述陶瓷薄板或陶瓷片材由碳化硅、氮化硅、礬 土、氧化鋁、氧化鋁-氧化鋯、氮化鋁、硅酸鋁、碳化硼、氮化硼、鋁酸鈣、碳、鈰土、堇青石、鎂 橄欖石、石墨、氧化鉿、二氧化鉿、高嶺土、粘土基氧化鎂或菱鎂礦、金屬硼化物、富鋁紅柱 石、稀土金屬氧化物(REO)、瓷、藍寶石、硅石、熔凝硅石、硅化物、滑石、氧化釔、碳化鎢、鋯石 或磷酸鋯制成。7. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的結(jié)構(gòu),其中所述陶瓷薄板或陶瓷片材由碳化硅、氮化硅、碳化 硼、氮化硼或者碳化鎢制成。8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu),其中所述可固化模塑配制物包含含有80至95wt%無 機填料的可固化樹脂基體。9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的結(jié)構(gòu),其中所述無機填料是硅石、礬土、氧化鋁、硅酸鋁、氮化 硅、氮化鋁、經(jīng)二氧化硅涂布的氮化鋁、碳化硼、氮化硼、炭黑或者它們中任意兩種或多種的 組合。10. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的結(jié)構(gòu),其中所述可固化模塑配制物的特征在于: -在100°C至200°C的溫度下能在30分鐘內(nèi)模塑, -在100°C至175°C的溫度下能在8小時內(nèi)固化, -具有低的熱膨脹系數(shù)(α1 < 30ppm/°C), -具有高的溫度穩(wěn)定性(即,具有在250°C下< 1.0%的重量損失率),以及 -具有> 50°C的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg。11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的結(jié)構(gòu),其中所述可固化模塑配制物是液體壓塑成型配制 物、粉末壓塑成型配制物、壓塑成型膜或面板模塑配制物。12. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的結(jié)構(gòu),其中通過固化所制備的制品的翹曲比由其上沒有增 強元件的結(jié)構(gòu)制得的制品小至少20%。13. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的結(jié)構(gòu),其中所述結(jié)構(gòu)的8"晶片在固化時的翹曲< 1mm且/ 或所述結(jié)構(gòu)的12"晶片在固化時的翹曲< 2mm。14. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu),其中所述硅層包含一個或多個硅貫通通孔(TSV)。15. 多層組件,其包含堆疊的多個如權(quán)利要求8所述的結(jié)構(gòu)以便在單個堆疊體中形成 多個裸片。16. 多層結(jié)構(gòu),其包含: 硅層,所述硅層在其上包含多個芯片且在所述芯片下面包含底部填充層, 施用至與所述多個芯片同一面的經(jīng)固化的模塑配制物,以及 施用至所述模塑配制物的增強元件, 其中所述增強元件的熱膨脹系數(shù)(CTE)與所述硅層的熱膨脹系數(shù)足夠接近,以便使所 述結(jié)構(gòu)在所述模塑配制物固化時的翹曲最小。17. 減小晶片在施用至硅支撐件的一側(cè)的可固化模塑配制物固化時翹曲的方法,所述 方法包括在所述可固化模塑配制物固化之前將增強元件施用至所述可固化模塑配制物。18. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法,其中晶片在固化時的翹曲減小至少20%。19. 制備在固化時基本沒有翹曲的晶片的方法,所述方法包括: 將可固化模塑配制物施用至硅層的一側(cè),然后 將增強元件施用至所述可固化模塑配制物。20. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法,還包括在將所述增強元件施用至所述可固化模塑配 制物之后固化所述可固化模塑配制物。21. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法,其中晶片在固化時的翹曲減小至少20%。22. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法,其中所述結(jié)構(gòu)的8"晶片在固化時的翹曲< 1mm且/ 或所述結(jié)構(gòu)的12"晶片在固化時的翹曲< 2mm。23. 制備在固化時基本沒有翹曲的晶片的方法,所述方法包括將增強元件施用至其上 具有模塑配制物的硅中介層的一側(cè)。24. 根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法,還包括在將所述增強元件施用至所述模塑配制物后 固化所述模塑配制物。25. 根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法,其中所述結(jié)構(gòu)的8"晶片在固化時的翹曲< 1mm且/ 或所述結(jié)構(gòu)的12"晶片在固化時的翹曲< 2mm。26. 根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法,其中晶片在固化時的翹曲減小至少20%。
【專利摘要】本發(fā)明提供這樣的多層結(jié)構(gòu),其在某些組分固化時翹曲的傾向減小。一方面,提供包含多個上述多層結(jié)構(gòu)的多層組件。另一方面,提供用于減小晶片在其上所施用的模塑組合物固化時翹曲的方法。又一方面,提供制備在固化時基本沒有翹曲的晶片的方法。
【IPC分類】H01L23/28
【公開號】CN105408995
【申請?zhí)枴緾N201480039589
【發(fā)明人】T·塔卡諾, G·黃
【申請人】漢高知識產(chǎn)權(quán)控股有限責(zé)任公司
【公開日】2016年3月16日
【申請日】2014年7月8日
【公告號】US20160079187, WO2015013024A1
當(dāng)前第5頁1 2 3 4 5 
網(wǎng)友詢問留言 已有0條留言
  • 還沒有人留言評論。精彩留言會獲得點贊!
1
泾源县| 改则县| 澄迈县| 浦北县| 石楼县| 微山县| 寻乌县| 武穴市| 张掖市| 玛沁县| 托克托县| 马龙县| 墨竹工卡县| 句容市| 溧阳市| 无极县| 肥乡县| 昌宁县| 泰顺县| 内乡县| 高邑县| 林甸县| 千阳县| 宁阳县| 商水县| 翁源县| 沾益县| 腾冲县| 哈密市| 蓝山县| 广州市| 双城市| 江安县| 崇左市| 涟源市| 张家港市| 黔西县| 巴彦淖尔市| 基隆市| 兖州市| 嵩明县|