熱釋電傳感器制作工藝的制作方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及傳感器領域，尤其涉及一種熱釋電傳感器制作工藝。
【背景技術】
[0002]關于熱釋電傳感器的制作，現(xiàn)有工藝是將紅外晶體靈敏元薄片，通過精細研磨減薄至20?30 μ，然后再利用腐蝕的方法，將晶片減薄至10 μ左右(相當于頭發(fā)絲的1/8)，取出后在顯微鏡下，放入特制的鍍膜模具中，正反面鍍膜，再鍍金黑，這樣要反復打開真空室，反復移動10 μ的晶片，反復對準鍍膜模具；這一繁雜的過程造成晶片的成品率大幅度降低、光敏面的有效面積不能保證，以致影響到電參數(shù)。
[0003]10 μ的晶片在鍍好上下電極和金黑之后，再用膠粘在特定的陶瓷襯底上，這一工藝過程難度很大，且裝配精度不高。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0004]針對上述問題，本發(fā)明的目的在于提供一種熱釋電傳感器制作工藝，以解決現(xiàn)有技術中的問題，提高傳感器的成品率和內(nèi)在質量。
[0005]為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的技術方案如下:
熱釋電傳感器制作工藝，其特征在于，包括以下步驟:
Α、將紅外晶體靈敏元薄片加工至20?30 μ厚度；
Β、選用中部開有孔的高絕緣襯底，通過膠將靈敏元薄片與高絕緣襯底的一面粘貼；
C、膠固化后，通過腐蝕的方式，將靈敏元薄片的與高絕緣襯底的中部孔相對應部分的厚度減薄至10 μ左右，使靈敏元薄片形成中部薄，兩端厚的結構；再將整體洗凈、晾干；
D、將整體放入上下分別開設有孔的以便于雙面鍍膜的模具中，并固定；
Ε、在鍍膜機內(nèi)，通過模具的孔分別鍍上、下電極；
F、取出后，在模具的一面蓋上開有孔的黑金掩膜版，且黑金掩膜版的開孔位置與所述模具面的孔一致；再通過鍍膜機金黑層。
[0006]在步驟Α中，將紅外晶體靈敏元薄片通過精細研磨減薄至20?30 μ，再經(jīng)拋光、洗凈。
[0007]在步驟D中，所述模具包括上電極掩膜版、一體限厚框和下電極掩膜版，上、下電極掩膜版的中部分別開設所述孔。
[0008]在步驟D中，模具的上、下孔尺寸小于高絕緣襯底的孔尺寸。
[0009]在步驟F中，黑金掩膜版貼在上電極掩膜版上。
[0010]本發(fā)明的有益效果是:靈敏元薄片與高絕緣襯底粘貼為一整體，放入鍍膜模具后，靈敏元薄片不用做任何翻動，全是在一個定位模具中執(zhí)行工藝，所以不存在翻動損壞和電極錯位問題，最大限度減少芯片的翻動，自然成品率就會提高。本發(fā)明是在有襯底的芯片上做電極引線，操作方便。
[0011]本發(fā)明的特點可參閱本案圖式及以下較好實施方式的詳細說明而獲得清楚地了解。
【附圖說明】
[0012]圖1: 20~30 μ厚的靈敏兀薄片的不意圖。
[0013]圖2:高絕緣陶瓷襯底的示意圖。
[0014]圖3:靈敏元薄片粘在高絕緣陶瓷襯底上。
[0015]圖4:靈敏元薄片腐蝕后的示意圖。
[0016]圖5 旲具的不意圖。
[0017]圖6:電極鍍膜總裝圖。
[0018]圖7:黑金掩膜版放在模具上的示意圖。
[0019]圖8:引上下電極不意圖。
【具體實施方式】
[0020]為了使本發(fā)明實現(xiàn)的技術手段、創(chuàng)作特征、達成目的與功效易于明白了解，下面結合具體實施例進一步闡述本發(fā)明。
[0021]參見圖1，使用原工藝精心制作的LATGS晶體經(jīng)拋光、洗凈的5mm*2.8mm*20~30 μ
待用靈敏元薄片1。因為此時芯片有一定厚度，強度也較高，進行工藝操作和使用模具對中都非常方便，不易損壞。
[0022]參見圖2，選用中部開有孔的高絕緣陶瓷襯底2，將高絕緣陶瓷襯底正面涂上少許膠，將靈敏元薄片1輕輕目測對準放在高絕緣陶瓷襯底2涂膠的一面，輕壓。由于此晶體是水溶性的，所以非常怕潮，要求放置在十分干燥處，使膠慢慢固化。形成圖3所示的樣子。
[0023]在濕度小于60%的環(huán)境中，將整個放入預先配好的“腐蝕液中”按原工藝(現(xiàn)有腐蝕工藝)腐蝕、測量，輕拿輕放，將靈敏元薄片的與高絕緣陶瓷襯底的中部孔相對應部分的厚度減薄至10μ左右，形成如(圖4)的形狀，用金屬鑷子或特制濾網(wǎng)，將其取出，除去腐蝕液，晾干，待用。
[0024]選用圖5所示的模具，包括上電極掩膜版5、一體限厚框和下電極掩膜版6，上、下電極掩膜版的中部分別開設孔。
[0025]將靈敏元薄片和高絕緣陶瓷襯底整體放入圖5所示的模具內(nèi)固緊，形成圖6所示的樣子。從現(xiàn)在開始，靈敏元薄片就不動了，在下面的工藝中只需翻動模具整體即可。
[0026]在鍍膜機內(nèi)鍍膜(上電極9、下電極10)。結束后，取出模具整體。
[0027]在模具上端面蓋上開有孔的黑金掩膜版7，且黑金掩膜版的開孔位置與所述模具面的孔一致(如圖7所示);移入另一臺鍍膜機內(nèi)，鍍好金黑層8后，將整個模具取出；拆解后將靈敏元薄片和高絕緣陶瓷襯底整體取出。用引線將上下電極引出(如圖8所示)，本工藝宣告結束。
[0028]以上顯示和描述了本發(fā)明的基本原理、主要特征和本發(fā)明的優(yōu)點。本行業(yè)的技術人員應該了解，本發(fā)明不受上述實施例的限制，上述實施例和說明書中描述的只是本發(fā)明的原理，在不脫離本發(fā)明精神和范圍的前提下本發(fā)明還會有各種變化和改進，這些變化和改進都落入要求保護的本發(fā)明的范圍內(nèi)。本發(fā)明要求的保護范圍由所附的權利要求書及其等同物界定。
【主權項】
1.熱釋電傳感器制作工藝，其特征在于，包括以下步驟: A、將紅外晶體靈敏元薄片加工至20?30 μ厚度； Β、選用中部開有孔的高絕緣襯底，通過膠將靈敏元薄片與高絕緣襯底的一面粘貼； C、膠固化后，通過腐蝕的方式，將靈敏元薄片的與高絕緣襯底的中部孔相對應部分的厚度減薄至10 μ左右，使靈敏元薄片形成中部薄，兩端厚的結構；再將整體洗凈、晾干； D、將整體放入上下分別開設有孔的以便于雙面鍍膜的模具中，并固定； Ε、在鍍膜機內(nèi)，通過模具的孔分別鍍上、下電極； F、取出后，在模具的一面蓋上開有孔的黑金掩膜版，且黑金掩膜版的開孔位置與所述模具面的孔一致；再通過鍍膜機金黑層。2.根據(jù)權利要求1所述的熱釋電傳感器制作工藝，其特征在于，在步驟Α中，將紅外晶體靈敏元薄片通過精細研磨減薄至20?30 μ，再經(jīng)拋光、洗凈。3.根據(jù)權利要求1所述的熱釋電傳感器制作工藝，其特征在于，在步驟D中，所述模具包括上電極掩膜版、一體限厚框和下電極掩膜版，上、下電極掩膜版的中部分別開設所述孔。4.根據(jù)權利要求1所述的熱釋電傳感器制作工藝，其特征在于，在步驟D中，模具的上、下孔尺寸小于高絕緣襯底的孔尺寸。5.根據(jù)權利要求3所述的熱釋電傳感器制作工藝，其特征在于，在步驟F中，黑金掩膜版貼在上電極掩膜版上。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種熱釋電傳感器制作工藝，包括：A、將紅外晶體靈敏元薄片加工至20～30μ厚度；B、選用中部開有孔的高絕緣襯底，將靈敏元薄片與高絕緣襯底的一面粘貼；C、通過腐蝕的方式，將靈敏元薄片的與高絕緣襯底的中部孔相對應部分的厚度減薄至10μ左右；D、將整體放入上下分別開設有孔的以便于雙面鍍膜的模具中；E、在鍍膜機內(nèi)，通過模具的孔分別鍍上、下電極；F、取出后，在模具的一面蓋上開有孔的黑金掩膜版，再通過鍍膜機金黑層。靈敏元薄片與高絕緣襯底粘貼為一整體，放入鍍膜模具后，靈敏元薄片不用做任何翻動，全是在一個定位模具中執(zhí)行工藝，所以不存在翻動損壞和電極錯位問題，最大限度減少芯片的翻動，自然成品率就會提高。
【IPC分類】H01L37/02
【公開號】CN105390604
【申請?zhí)枴緾N201510912021
【發(fā)明人】王云生
【申請人】上海德凱儀器有限公司
【公開日】2016年3月9日
【申請日】2015年12月11日