半導(dǎo)體發(fā)光元件晶片、半導(dǎo)體發(fā)光元件及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體發(fā)光元件晶片、半導(dǎo)體發(fā)光元件以及半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]關(guān)于半導(dǎo)體發(fā)光兀件的光取出效率的提尚，提出有各種方案。例如，在專利文獻(xiàn)1中，關(guān)于倒裝元件(FC元件)之類的、主要從基板的背面?zhèn)?未形成半導(dǎo)體層一側(cè))取出光的元件，提出有對(duì)基板的背面?zhèn)葘?shí)施加工而形成凹凸，形成粗糙面化的結(jié)構(gòu)。在該結(jié)構(gòu)中，在從半導(dǎo)體發(fā)光元件晶片的狀態(tài)向一個(gè)個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光元件分離的過(guò)程中，向基板照射激光，在基板的內(nèi)部形成改質(zhì)部，形成用于使該改質(zhì)部分離的切斷起點(diǎn)部。此外，為了能使激光的焦光點(diǎn)正確地對(duì)準(zhǔn)基板的內(nèi)部的作為切斷起點(diǎn)部的位置，作為基板的背面?zhèn)鹊陌纪沟某潭?，將表面粗糙度Ra形成為3nm?25nm。另外，在專利文獻(xiàn)2中，提出有作為基板的背面?zhèn)鹊陌纪沟某潭龋瑢纪沟母叨刃纬蔀?00nm?500nm的技術(shù)。另外，在專利文獻(xiàn)3、專利文獻(xiàn)4中，提出有在從半導(dǎo)體發(fā)光元件晶片的狀態(tài)向一個(gè)個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光元件分離的過(guò)程中，預(yù)先在基板的背面?zhèn)刃纬勺鳛榍袛嗥瘘c(diǎn)部的槽(刻痕線)的方法。
[0003]專利文獻(xiàn)1:日本特開2010-103424號(hào)公報(bào)
[0004]專利文獻(xiàn)2:日本特開2006-100518號(hào)公報(bào)
[0005]專利文獻(xiàn)3:日本特開2005-109432號(hào)公報(bào)
[0006]專利文獻(xiàn)4:日本特開平11-354841號(hào)公報(bào)
[0007]然而，在專利文獻(xiàn)1中，為了正確地對(duì)準(zhǔn)激光的焦光點(diǎn)，作為基板的背面?zhèn)鹊陌纪沟某潭?，將表面粗糙度Ra形成為3nm?25nm，因此對(duì)于如專利文獻(xiàn)2那樣的、將比較大的凹凸形成于基板的背面?zhèn)鹊募夹g(shù)，難以將專利文獻(xiàn)1的技術(shù)直接應(yīng)用。另外，在專利文獻(xiàn)2的技術(shù)中應(yīng)用專利文獻(xiàn)3或?qū)＠墨I(xiàn)4的技術(shù)，在形成用于將基板的背面?zhèn)却植诿婊陌纪购?，形成作為切斷起點(diǎn)部的槽，以此認(rèn)為可實(shí)現(xiàn)前述的課題的解決，不過(guò)在形成槽時(shí)，即使想要形成筆直的槽，受到凹凸的形狀的影響，仍擔(dān)心槽以蜿蜒的狀態(tài)形成。進(jìn)而，在使用這樣的槽進(jìn)行分離工序的情況下，無(wú)法將半導(dǎo)體發(fā)光元件彼此很好地分離，即便形成分離，受到槽的蜿蜒的影響，仍擔(dān)心半導(dǎo)體發(fā)光元件的分離的部分的形狀產(chǎn)生偏差，擔(dān)心造成由此引起的、半導(dǎo)體發(fā)光元件間的性能的偏差。作為其他的解決手段，考慮在凹凸的形成之前，在基板的背面?zhèn)仍O(shè)置槽，不過(guò)可以預(yù)見在凹凸的形成時(shí)，槽的部分也會(huì)受到影響。例如，當(dāng)較淺地設(shè)定槽的深度的情況下，槽混入凹凸之中，當(dāng)進(jìn)行分離工序時(shí)，即便使用光學(xué)顯微鏡等，也擔(dān)心依靠人的目視觀察所進(jìn)行的確認(rèn)不易確定作為切斷起點(diǎn)部的槽的位置?；蛘咭部紤]高于凹凸的程度較深地形成槽的深度，不過(guò)當(dāng)在半導(dǎo)體發(fā)光元件晶片加工槽后，在向形成凹凸的工序輸送時(shí)，擔(dān)心半導(dǎo)體發(fā)光元件晶片以槽為起點(diǎn)斷裂進(jìn)而破損。甚至作為其他的解決手段，還考慮將切斷起點(diǎn)部形成于半導(dǎo)體發(fā)光元件層側(cè)，而非半導(dǎo)體發(fā)光元件晶片的基板的背面?zhèn)鹊姆椒?。不過(guò)在采用這樣的方法的情況下，在半導(dǎo)體發(fā)光元件晶片的分離工序時(shí)，由于使形成半導(dǎo)體發(fā)光元件層一側(cè)與支承臺(tái)抵接，從基板的背面?zhèn)鹊挚糠蛛x刃實(shí)施加壓，因此擔(dān)心會(huì)因?qū)τ诎雽?dǎo)體發(fā)光元件層的加壓致使半導(dǎo)體發(fā)光元件層損傷。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]在本發(fā)明中，提出即使為了提高半導(dǎo)體發(fā)光元件的光取出效率而在基板的背面?zhèn)炔捎帽容^大的凹凸，也能夠消除在從半導(dǎo)體發(fā)光元件晶片的狀態(tài)向一個(gè)個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光元件分離時(shí)的前述的顧慮事項(xiàng)的、半導(dǎo)體發(fā)光元件晶片、半導(dǎo)體發(fā)光元件以及半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法。更詳細(xì)地說(shuō)，提出能夠容易地檢測(cè)并確定作為形成用于從半導(dǎo)體發(fā)光元件晶片的狀態(tài)向一個(gè)個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光元件分離的切斷起點(diǎn)部的位置的分離區(qū)域，進(jìn)而在半導(dǎo)體發(fā)光元件的分離工序中能夠抑制由于對(duì)半導(dǎo)體發(fā)光元件的加壓致使半導(dǎo)體發(fā)光元件的損傷的、半導(dǎo)體發(fā)光元件晶片、半導(dǎo)體發(fā)光元件以及半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法。
[0009]本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體發(fā)光元件晶片，包括:基板，該基板具有第1面和作為與該第1面相反側(cè)的面的第2面；以及半導(dǎo)體發(fā)光元件層，該半導(dǎo)體發(fā)光元件層形成于第1面，上述半導(dǎo)體發(fā)光元件晶片的特征在于，在半導(dǎo)體發(fā)光元件晶片形成多個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光元件基體，半導(dǎo)體發(fā)光元件基體在相鄰的半導(dǎo)體發(fā)光元件基體彼此的邊界部具有分離區(qū)域，分離區(qū)域半導(dǎo)體以包圍發(fā)光元件基體中的功能部分的周圍的方式形成，在第2面中，不與分離區(qū)域相當(dāng)?shù)牟糠譃榇植诿娌?，與分離區(qū)域相當(dāng)?shù)牟糠窒啾炔慌c分離區(qū)域相當(dāng)?shù)牟糠制教?，在分離區(qū)域形成有切斷起點(diǎn)部。
[0010]在本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光元件中，該半導(dǎo)體發(fā)光元件是通過(guò)將形成于半導(dǎo)體發(fā)光元件晶片的多個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光元件基體分離而形成的，上述半導(dǎo)體發(fā)光元件晶片包括:具有第1面和作為與該第1面相反側(cè)的面的第2面的基板；以及形成于第1面的半導(dǎo)體發(fā)光元件層，上述半導(dǎo)體發(fā)光元件的特征在于，在相鄰的半導(dǎo)體發(fā)光元件基體彼此的邊界部，在至少一部分具有半導(dǎo)體發(fā)光元件基體彼此分離后殘留的殘留部分，殘留部分以包圍半導(dǎo)體發(fā)光元件中的功能部分的周圍的方式形成，在第2面中，不與殘留部分相當(dāng)?shù)牟糠譃榇植诿娌?，與殘留部分相當(dāng)?shù)牟糠窒啾炔慌c殘留部分相當(dāng)?shù)牟糠制教埂?br>[0011]在本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法中，該半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法具有:在基板中的第1面形成半導(dǎo)體發(fā)光元件層的工序；在作為與第1面的相反側(cè)的面的第2面實(shí)施粗糙面化的工序；以及將相鄰的半導(dǎo)體發(fā)光元件基體彼此在邊界部的分離區(qū)域分離的工序，上述半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法的特征在于，在第2面中，對(duì)包圍半導(dǎo)體發(fā)光元件基體中的功能部分的周圍的部位、且為與分離區(qū)域相當(dāng)?shù)牟糠謱?shí)施平坦化的平坦化工序；在第2面中，對(duì)分離區(qū)域以外的部分實(shí)施粗糙面化的粗糙面化工序；以及在經(jīng)過(guò)平坦化工序之后，在分離區(qū)域形成切斷起點(diǎn)部的加工工序。
[0012]在本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光元件晶片中，對(duì)于形成于半導(dǎo)體發(fā)光元件晶片的、相鄰的半導(dǎo)體發(fā)光元件基體彼此的邊界部的分離區(qū)域，在作為基板的第2面?zhèn)鹊谋趁鎮(zhèn)?，相比不與分離區(qū)域相當(dāng)?shù)牟糠忠嗉创植诿娌科教?。因此，與專利文獻(xiàn)1中所公開的半導(dǎo)體發(fā)光元件晶片相比，盡管在基板的背面?zhèn)炔捎昧吮容^大的凹凸，卻能夠容易地檢測(cè)并確定作為形成用于從半導(dǎo)體發(fā)光元件晶片的狀態(tài)向一個(gè)個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光元件分離的切斷起點(diǎn)部的位置的分離區(qū)域。另外，切斷起點(diǎn)部的形成也可容易地進(jìn)行。進(jìn)而，由于將分離區(qū)域相比半導(dǎo)體發(fā)光元件基體的功能部分設(shè)置在更靠外側(cè)，因此將基板的背面?zhèn)鹊钠教共窟M(jìn)行所需最小限度地保留。
[0013]在本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光元件中，將從半導(dǎo)體發(fā)光元件晶片的狀態(tài)向一個(gè)個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光元件分離時(shí)的殘留部分設(shè)置在相比半導(dǎo)體發(fā)光元件的功能部分靠外側(cè)的部位，并且該殘留部分在基板的第2面?zhèn)纫嗉幢趁鎮(zhèn)?，相比不與殘留部分相當(dāng)?shù)牟糠忠嗉创植诿娌科教?。因此，與專利文獻(xiàn)1中公開的半導(dǎo)體發(fā)光元件相比，除了作為基板的外周部分的微小的區(qū)域以外，在基板的背面?zhèn)鹊拇蟛糠謪^(qū)域形成比較大的凹凸，并且分離時(shí)所需的平坦的殘留部分被進(jìn)行所需最小限度地保留。
[0014]在本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法中，在作為基板的第2面的背面形成切斷起點(diǎn)部的部位被實(shí)施平坦化。因此，與專利文獻(xiàn)1中公開的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法相比，盡管在基板的背面?zhèn)炔捎昧吮容^大的凹凸，卻能夠容易地檢測(cè)并確定作為形成用于從半導(dǎo)體發(fā)光元件晶片的狀態(tài)向一個(gè)個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光元件分離的切斷起點(diǎn)部的位置的分離區(qū)域，并且能夠容易地進(jìn)行切斷起點(diǎn)部的形成。進(jìn)而，由于將分離區(qū)域相比半導(dǎo)體發(fā)光元件層的功能部分設(shè)置在更靠外側(cè)，因此將基板的背面?zhèn)鹊钠教共窟M(jìn)行所需最小限度地保留。
【附圖說(shuō)明】
[0015]圖1為本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光元件晶片的主視圖。(實(shí)施例1)
[0016]圖2為對(duì)圖1的