陣列基板及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]穿戴裝置是一個(gè)顯示器發(fā)展的全新領(lǐng)域，然而目前的顯示器皆為玻璃基板顯示器，無(wú)法有效的彎曲。因此要開(kāi)發(fā)柔性顯示器需要與玻璃基板完全不同的基板，如塑料基版。另一方面，原先使用的非晶硅、氮化硅、氧化硅等材料，由于迀移率、硬度、曲率及加工工藝等等的問(wèn)題，無(wú)法被用來(lái)作為柔性顯示器的材料。采用有機(jī)材料作為半導(dǎo)體層及絕緣層可以有效的改善，并開(kāi)發(fā)出全新的顯示器:柔性顯示器。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明主要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種能夠應(yīng)用于柔性顯示器中的陣列基板及其制造方法。
[0004]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明采用的一個(gè)技術(shù)方案是:提供一種陣列基板的制造方法，包括形成頂柵型的薄膜晶體管，具體包括:在基板上形成源極和漏極；在源極、漏極上依次層疊形成有機(jī)半導(dǎo)體層、第一絕緣層和柵極；以柵極作為硬膜，采用蝕刻技術(shù)，將第一絕緣層和半導(dǎo)體層逐一圖形化。
[0005]其中，在基板上形成源極和漏極的步驟之后，制造方法進(jìn)一步包括:形成連接源極的數(shù)據(jù)線和連接漏極的傳輸墊。
[0006]其中，以柵極作為硬膜，采用蝕刻技術(shù)，將絕緣層和半導(dǎo)體層逐一圖形化的步驟之后，制造方法進(jìn)一步包括:形成連接?xùn)艠O的掃描線；形成連接傳輸墊的透明電極層。
[0007]其中，形成連接?xùn)艠O的掃描線的步驟包括:在柵極的上方形成第二絕緣層，第二絕緣層具有與柵極對(duì)應(yīng)的第一過(guò)孔和與傳輸墊對(duì)應(yīng)的第二過(guò)孔；在第二絕緣層上形成掃描線，且掃描線穿過(guò)第一過(guò)孔與柵極電連接。
[0008]其中，形成連接傳輸墊的透明電極層的步驟包括:在第二絕緣層的上方形成第三絕緣層，第三絕緣層具有形成于第二過(guò)孔中的第三過(guò)孔；在第三絕緣層上形成透明電極層，且透明電極層穿過(guò)第二過(guò)孔與傳輸墊電連接。
[0009]其中，蝕刻技術(shù)為干式蝕刻。
[0010]其中，在源極、漏極上依次層疊形成有機(jī)半導(dǎo)體層、第一絕緣層和柵極的步驟包括:在源極、漏極上沉積有機(jī)半導(dǎo)體層；在有機(jī)半導(dǎo)體層上方沉積第一絕緣層；在第一絕緣層上方沉積柵極金屬層，并采用柵極光罩制程圖案化柵極金屬層，以形成柵極。
[0011]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明采用的一個(gè)技術(shù)方案是:提供一種陣列基板，其包括:基板和形成于基板上的頂柵型的薄膜晶體管，薄膜晶體管包括源極、漏極、柵極、有機(jī)半導(dǎo)體層和絕緣層，源極和漏極同層設(shè)置于基板上，有機(jī)半導(dǎo)體層、絕緣層和柵極依次層疊于源極和漏極上，有機(jī)半導(dǎo)體層和絕緣層的圖形化是采用柵極為硬膜一次蝕刻得到的。
[0012]其中，基板為柔性基板。
[0013]其中，陣列基板還包括數(shù)據(jù)線、掃描線、傳輸墊和透明電極層，掃描線連接?xùn)艠O，數(shù)據(jù)線連接源極，傳輸墊連接漏極和透明電極層，數(shù)據(jù)線和傳輸墊采用不同于源極/漏極的同一制程制得，且數(shù)據(jù)線/傳輸墊的抗蝕刻能力優(yōu)于源極/漏極。
[0014]本發(fā)明的有益效果是:與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明陣列基板的制造方法得到頂柵型的薄膜晶體管，且利用柵極當(dāng)做硬膜對(duì)第一絕緣層和有機(jī)半導(dǎo)體層依次圖形化，不僅制程簡(jiǎn)單，且可以避免在圖形化有機(jī)半導(dǎo)體層的過(guò)程中對(duì)有機(jī)材料造成損害。
【附圖說(shuō)明】
[0015]圖1是本發(fā)明第一實(shí)施例陣列基板的制造方法的流程圖；
[0016]圖2是圖1所示制造方法中層疊形成有機(jī)半導(dǎo)體層、絕緣層和柵極的流程圖；
[0017]圖3是本發(fā)明第二實(shí)施例陣列基板的制造方法的流程圖；
[0018]圖4A-4F是圖3所示制作方法在制作過(guò)程中的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0019]圖5是圖3所示制作方法制得的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0020]請(qǐng)參照?qǐng)D1和圖2，本發(fā)明第一實(shí)施例陣列基板的制造方法包括形成頂柵型的薄膜晶體管，形成頂柵型的薄膜晶體管的步驟具體包括:
[0021]S11，在基板上形成源極和漏極。
[0022]本步驟中，優(yōu)選地，基板選擇彎曲性能較好、即容易彎曲的基板，以使本發(fā)明陣列基板的制造方法應(yīng)用于柔性顯示器中?？梢杂糜谌嵝燥@示器中的彎曲性能較好的基板包括塑料基板等。當(dāng)然，本發(fā)明亦可以應(yīng)用于不可彎曲的顯示器中，基板可以是彎曲性能較差的玻璃基板。
[0023]在基板上形成源極和漏極的步驟具體包括:在基板上沉積第一金屬層并通過(guò)第一道光罩制程圖案化第一金屬層，以形成間隔設(shè)置的源極和漏極。
[0024]S12，在源極和漏極上依次層疊形成有機(jī)半導(dǎo)體層、絕緣層和柵極。
[0025]本步驟具體包括:
[0026]S121，在源極和漏極上沉積有機(jī)半導(dǎo)體層。
[0027]本步驟亦可以理解為，在基板上沉積覆蓋源極及漏極的有機(jī)半導(dǎo)體層。
[0028]S122，在有機(jī)半導(dǎo)體層上方沉積第一絕緣層。
[0029]用于柔性顯示器中的絕緣層假如采用非晶硅、氮化硅、氧化硅等材料，則在迀移率、硬度、曲率及加工工藝等方面存在問(wèn)題。因此，優(yōu)選地，第一絕緣層為有機(jī)材料層。
[0030]S123，在第一絕緣層上方沉積柵極金屬層，并采用柵極光罩制程圖案化柵極金屬層，以形成柵極。
[0031]由于源極和漏極的形成過(guò)程中沉積了一金屬層，而本步驟柵極的形成過(guò)程中沉積了另一金屬層。本實(shí)施例形成頂柵型的薄膜晶體管過(guò)程中，為了與前文第一金屬層相對(duì)應(yīng)，柵極金屬層即第二金屬層；柵極光罩制程即第二道光罩制程。
[0032]S13，以柵極作為硬膜，采用蝕刻技術(shù)，將絕緣層和半導(dǎo)體層逐一圖形化。
[0033]具體地，由于有機(jī)半導(dǎo)體層非常容易因?yàn)闈袷轿g刻造成污染，因此本步驟中的蝕刻技術(shù)為干式蝕刻技術(shù)。在形成柵極之后，直接采用柵極作為硬膜，利用干式蝕刻對(duì)金屬和有機(jī)材料的蝕刻速率差異而完成圖形化。換句話說(shuō)，柵極為金屬層，其可以抵擋干式蝕刻，而第一絕緣層和有機(jī)半導(dǎo)體層卻不能夠抵擋干式蝕刻；當(dāng)采用柵極當(dāng)做硬膜時(shí)，位于其下方的第一絕緣層和有機(jī)半導(dǎo)體層得以保留，而沒(méi)有柵極保護(hù)的其他部分的第一絕緣層和有機(jī)半導(dǎo)體層則被蝕刻掉。本步驟完成后，柵極、第一絕緣層和半導(dǎo)體層在它們的層疊方向上完全重置。
[0034]經(jīng)過(guò)上述步驟頂柵型的薄膜晶體管制作完成。
[0035]當(dāng)然，在制造陣列基板時(shí)除了制得薄膜晶體管，還需要薄膜晶體管與外部電路建立電連接。具體請(qǐng)參照?qǐng)D3所示本發(fā)明第二實(shí)施例陣列基板的制造方法，具體包括:
[0036]S21，在基板上形成源極和漏極。
[0037]本步驟中，優(yōu)選地，基板選擇彎曲性能較好、即容易彎曲的基板，以使本發(fā)明陣列基板的制造方法應(yīng)用于柔性顯示器中?？梢杂糜谌嵝燥@示器中的彎曲性能較好的基板包括塑料基板等。當(dāng)然，本發(fā)明亦可以應(yīng)用于不可彎曲的顯示器中，基板可以是彎曲性能較差的玻璃基板。
[0038]在基板上形成源極和漏極的步驟具體包括:在基板上沉積第一金屬層并通過(guò)第一道光罩制程圖案化第一金屬層，以形成間隔設(shè)置的源極和漏極。第一金屬層采用高導(dǎo)電特性的材料。
[0039]請(qǐng)一并參照?qǐng)D4A，圖4A為對(duì)沉積于基板10的第一金屬層進(jìn)行第一道光罩制程后得到的源極111和漏極112的主視示意圖。
[0040]S22，形成連接源極的數(shù)據(jù)線和連接漏極的傳輸墊。
[0041]具體地，在基板上沉積第二金屬層并通過(guò)第二道光罩制程圖案化第二金屬層，圖案化后形成連接源極的數(shù)據(jù)線和連接漏極的傳輸墊。為了后續(xù)工藝，第二金屬層采用不同于第一金屬層的材質(zhì)，第二金屬層為抗蝕刻能力較佳的材料。
[0042]請(qǐng)一并參照?qǐng)D4B，圖4B為對(duì)沉積于基板10的第二金屬層進(jìn)行第二道光罩制程后得到的連接源極11的數(shù)據(jù)線12和連接漏極112的傳輸墊13的主視示意圖。
[0043]S23，在源極和漏極上依次層疊形成有機(jī)半導(dǎo)體層、絕緣層和柵極。
[0044]本步驟具體包括:
[0045]在源極和漏極上沉積有機(jī)半導(dǎo)體層；在有機(jī)半導(dǎo)體層上方沉積第一絕緣層；在第一絕緣層上方沉積柵極金屬層，并采用柵極光罩制程圖案化柵極金屬層，以形成柵極。
[0046]與本實(shí)施例前文的第一金屬層和第二金屬層相對(duì)應(yīng)，而本步驟柵極的形成過(guò)程中沉積的柵極金屬層即第三金屬