半導(dǎo)體封裝過程中保護(hù)焊點(diǎn)免受污染的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種半導(dǎo)體封裝過程中保護(hù)焊點(diǎn)免受污染的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]一般而言，半導(dǎo)體芯片(包括GaN，SiC在內(nèi)的第三代半導(dǎo)體芯片)只有經(jīng)過封裝后才能發(fā)揮應(yīng)有的作用。封裝的基本工藝包括固晶、回流焊、引線鍵合、注塑和成型等。對于射頻和功率器件(含第三代半導(dǎo)體功率器件)而言，固晶工藝常用的焊料都含有Sn或Pb成分，在高溫回流焊的過程中，這些Sn或Pb會(huì)揮發(fā)到引線框架上，引起污染，且難以清洗，造成引線框架上焊點(diǎn)的焊接質(zhì)量下降，封裝良品率的損失，嚴(yán)重的會(huì)產(chǎn)生潛在的可靠性問題。因此，防止污染對提高焊點(diǎn)質(zhì)量，提高良品率，降低工藝成本具有十分重要的意義。現(xiàn)有的發(fā)明專利，有對芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)改進(jìn)，從而減少助焊劑揮發(fā)對芯片上焊盤的污染，但不能解決回流焊過程中引線框架上焊盤的污染問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)存在回流焊過程中焊盤污染的缺陷，提供一種半導(dǎo)體封裝過程保護(hù)焊點(diǎn)免受污染的方法。
[0004]本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:一種半導(dǎo)體封裝過程中保護(hù)焊點(diǎn)免受污染的方法，步驟依次包括涂覆焊料、貼片、將焊盤隔離、回流焊、取消焊盤隔離、打線。
[0005]具體地，所述將焊盤隔離具體為，設(shè)置隔離框架將基板上的焊盤和與所述焊盤接近的焊料分隔開。利用隔離框架將焊盤與其接近的焊料分隔開，在回流焊過程中能夠有效避免焊盤受污染。
[0006]進(jìn)一步地，所述的隔離框架為橫縱交錯(cuò)的若干隔離板組合而成。
[0007]作為優(yōu)選，為便于所述隔離框架的安裝，所述基板上設(shè)置有若干安裝所述隔離框架的槽口。
[0008]作為優(yōu)選，所述將焊盤隔離具體為，設(shè)置保護(hù)蓋板蓋在基板上的焊盤上。利用蓋板將焊盤蓋住，在回流焊過程中能夠避免焊料對焊盤污染。
[0009]有益效果:本發(fā)明在回流焊工藝過程中，引入一道保護(hù)易受污染焊點(diǎn)的工序和保護(hù)裝置，能夠有效的解決焊點(diǎn)污染問題，且操作性強(qiáng)。能夠提高良品率2%左右，同時(shí)消除了后期使用過程中脫焊現(xiàn)象等隱患。
【附圖說明】
[0010]下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。
[0011]圖1是貼片后結(jié)構(gòu)不意圖；
[0012]圖2是開槽后結(jié)構(gòu)示意圖；
[0013]圖3是安裝隔離框架后的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0014]圖4是安裝隔離框架后截面剖視圖；
[0015]圖5是打線后立體結(jié)構(gòu)示意圖；
[0016]圖6是蓋上蓋板后結(jié)構(gòu)示意圖；
[0017]圖7是蓋上蓋板后截面剖視圖；
[0018]圖8是實(shí)施例2打線后立體結(jié)構(gòu)示意圖。
[0019]其中:1.焊盤，2.芯片一，3.芯片二，4.基板，5.槽口，6.隔離框架，7.蓋板，8.焊料。
【具體實(shí)施方式】
[0020]實(shí)施例1
[0021]—種半導(dǎo)體封裝過程中保護(hù)焊點(diǎn)免受污染的方法，如下在基板4上涂覆焊料8，將芯片一(小)2和芯片二(大)3進(jìn)行貼片，如圖1所示，再利用隔離框架6將基板4上的焊盤1和與所述焊盤1接近的焊料8分隔開，如圖3和4所示，然后進(jìn)行回流焊，回流焊完成后，取下隔離框架6，然后進(jìn)行打線處理，打線完成后如圖5所示，最后進(jìn)行切割。
[0022]其中為了便于隔離框架6的安裝，所述的隔離框架6為橫縱交錯(cuò)的若干隔離板組合而成，所述基板4上設(shè)置有若干安裝所述隔離框架6的槽口 5，如圖2所示。
[0023]其中芯片一 2采用環(huán)氧樹脂焊料，為低溫焊料，芯片二 3采用Sn/Pb焊料，為高溫焊料，其中焊盤1、一個(gè)芯片一 2和一個(gè)芯片二 3形成一個(gè)功率器件，若干個(gè)功率器件整齊布置在基板4上?；亓骱高^程中對焊盤1影響較大的是Sn/Pb焊料，且在同一個(gè)功率器件中芯片二 3距離焊盤1較遠(yuǎn)，因此在回流焊過程中功率器件的芯片二 3對相鄰的功率器件中的焊盤1影響較大，因此只需要利用隔離框架6將相鄰的功率器件隔離開即可，如圖3所不ο
[0024]實(shí)施例2
[0025]將實(shí)施例1中的隔離框架6替換為蓋板7，將焊盤1隔離步驟具體為，將設(shè)置保護(hù)蓋板7蓋在基板4上的焊盤1上，如圖6和7所示。利用蓋板7將焊盤1蓋住，在回流焊過程中能夠避免焊料對焊盤1污染，回流焊完成后取下蓋板7。其他條件同實(shí)施例1，經(jīng)打線后如圖8所示。
[0026]應(yīng)當(dāng)理解，以上所描述的具體實(shí)施例僅用于解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。由本發(fā)明的精神所引伸出的顯而易見的變化或變動(dòng)仍處于本發(fā)明的保護(hù)范圍之中。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種半導(dǎo)體封裝過程中保護(hù)焊點(diǎn)免受污染的方法，其特征在于:步驟依次包括涂覆焊料、貼片、將焊盤隔離、回流焊、取消焊盤隔離、打線。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝過程中保護(hù)焊點(diǎn)免受污染的方法，其特征在于:所述將焊盤隔離具體為，設(shè)置隔離框架將基板上的焊盤和與所述焊盤接近的焊料分隔開。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝過程中保護(hù)焊點(diǎn)免受污染的方法，其特征在于:所述的隔離框架為橫縱交錯(cuò)的若干隔離板組合而成。4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的半導(dǎo)體封裝過程中保護(hù)焊點(diǎn)免受污染的方法，其特征在于:所述基板上設(shè)置有若干安裝所述隔離框架的槽口。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝過程中保護(hù)焊點(diǎn)免受污染的方法，其特征在于:所述將焊盤隔離具體為，設(shè)置保護(hù)蓋板蓋在基板上的焊盤上。
【專利摘要】本發(fā)明屬于半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域，一種半導(dǎo)體封裝過程中保護(hù)焊點(diǎn)免受污染的方法，步驟依次包括涂覆焊料、貼片、將焊盤隔離、回流焊、取消焊盤隔離、打線。有益效果：本發(fā)明在回流焊工藝過程中，引入一道保護(hù)易受污染焊點(diǎn)的工序和保護(hù)裝置，能夠有效的解決焊點(diǎn)污染問題，且操作性強(qiáng)。能夠提高良品率2％左右，同時(shí)消除了后期使用過程中脫焊現(xiàn)象等隱患。
【IPC分類】H01L21/60
【公開號(hào)】CN105355575
【申請?zhí)枴緾N201510791160
【發(fā)明人】呂光軍, 張 浩, 范供齊, 樊學(xué)軍, 張國旗
【申請人】常州市武進(jìn)區(qū)半導(dǎo)體照明應(yīng)用技術(shù)研究院
【公開日】2016年2月24日
【申請日】2015年11月17日