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一種異質(zhì)結(jié)太陽能電池及其制備方法與太陽能電池組件的制作方法

文檔序號:9580807閱讀:611來源:國知局
一種異質(zhì)結(jié)太陽能電池及其制備方法與太陽能電池組件的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種異質(zhì)結(jié)太陽能電池及其制備方法與太陽能電池組件。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來,太陽能電池生產(chǎn)技術(shù)不斷進步,生產(chǎn)成本不斷降低,轉(zhuǎn)換效率不斷提高,光伏發(fā)電的應(yīng)用日益廣泛并成為電力供應(yīng)的重要能源之一。異質(zhì)結(jié)太陽能電池技術(shù)是一種新型的高效電池技術(shù),具有制程溫度低、工藝簡單、轉(zhuǎn)換效率高等優(yōu)勢?,F(xiàn)有的異質(zhì)結(jié)太陽能電池的結(jié)構(gòu),如圖1所示,包括:晶體硅片11、第一本征層I層12、第二本征層I層13、摻雜層P(或N)層14、摻雜層N(或P)層15、透明導(dǎo)電膜層16以及電極17。
[0003]現(xiàn)有異質(zhì)結(jié)太陽能電池的電極制備方式是:在制備透明導(dǎo)電膜層之后,采用絲網(wǎng)印刷的方式在透明導(dǎo)電膜層上制備電極。然而,在絲網(wǎng)印刷柵線工藝中,隨著絲網(wǎng)印刷技術(shù)的進步,柵線的寬度變得越來越窄,使得透明導(dǎo)電膜層上制備的電極與透明導(dǎo)電膜層的接觸面積變小,導(dǎo)致接觸電阻增加,電池的性能下降;同時絲網(wǎng)印刷制備的電極將照射到電極上的太陽光全部反射出去,使得太陽光不能被電池有效利用,降低太陽光的利用率,而且電極暴露在空氣中容易被氧化而在表面形成金屬氧化物薄膜,影響電極的導(dǎo)電性,從而影響電池性能。
[0004]綜上所述,現(xiàn)有技術(shù)中隨著絲網(wǎng)印刷技術(shù)的進步,絲網(wǎng)印刷的柵線寬度變得越來越窄,使得透明導(dǎo)電膜層上制備的電極與透明導(dǎo)電膜層的接觸面積變小,導(dǎo)致接觸電阻增加,電池的性能下降;同時電極將照射到電極上的太陽光全部反射出去,使得太陽光不能被電池有效利用,降低太陽光的利用率,而且電極暴露在空氣中容易被氧化而在表面形成金屬氧化物薄膜,影響電極的導(dǎo)電性,從而影響電池性能。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明實施例提供了一種異質(zhì)結(jié)太陽能電池及其制備方法與太陽能電池組件,用以增大電極與透明導(dǎo)電膜層的接觸面積,并且降低電池表面的反射作用,提高太陽光的利用率,同時提高電極的抗氧化能力,提升電池的性能。
[0006]本發(fā)明實施例提供的一種異質(zhì)結(jié)太陽能電池的制備方法,包括:在晶體硅片第一側(cè)表面沉積第一硅薄膜層,在晶體硅片第二側(cè)表面沉積第二硅薄膜層;在所述第一硅薄膜層和/或所述第二硅薄膜層上制備電極,并在制備有電極的晶體硅片上沉積第一透明導(dǎo)電膜層。
[0007]本發(fā)明實施例提供的上述方法中,在異質(zhì)結(jié)太陽能電池的制備過程中,先在第一硅薄膜層和/或第二硅薄膜層上制備電極,然后在制備有電極的晶體硅片上沉積第一透明導(dǎo)電膜層,使得異質(zhì)結(jié)太陽能電池中至少一個側(cè)面的電極被包覆于第一透明導(dǎo)電膜層之內(nèi),與現(xiàn)有技術(shù)中隨著絲網(wǎng)印刷柵線的變窄,在透明導(dǎo)電膜層上制備的電極與透明導(dǎo)電膜層接觸面積變小,且只有電極的一面與透明導(dǎo)電膜層接觸,導(dǎo)致接觸電阻增加,電池的性能下降相比,異質(zhì)結(jié)太陽能電池中至少一個側(cè)面的電極被包覆于第一透明導(dǎo)電膜層之內(nèi),電極的多面與第一透明導(dǎo)電膜層接觸,增加了電極與透明導(dǎo)電膜層的接觸面積,降低了接觸電阻,提高了電池的性能,而且使得部分被電極反射的太陽光經(jīng)過第一透明導(dǎo)電膜層的反射重新進入電池中,降低了電池表面的反射作用,提高太陽光的利用率,提升了電池電流,同時電極被包覆于第一透明導(dǎo)電膜層之內(nèi),避免了電極與空氣的直接接觸,能夠提高電極的抗氧化能力,提升電池的性能。
[0008]在一種可能的實施方式中,本發(fā)明實施例提供的上述方法中,當(dāng)在所述第一硅薄膜層或所述第二硅薄膜層上制備電極時,在制備有電極的晶體硅片上沉積第一透明導(dǎo)電膜層之后,該方法還包括:在所述晶體硅片未制備電極的一側(cè)沉積第二透明導(dǎo)電膜層,并在所述第二透明導(dǎo)電膜層上制備電極。
[0009]在一種可能的實施方式中,本發(fā)明實施例提供的上述方法中,所述第一透明導(dǎo)電膜層的厚度大于或等于50納米,且小于或等于150納米。
[0010]在一種可能的實施方式中,本發(fā)明實施例提供的上述方法中,在所述第一硅薄膜層和/或所述第二硅薄膜層上制備電極之前,該方法還包括:在所述第一硅薄膜層和所述第二硅薄膜層上沉積第二透明導(dǎo)電膜層;在所述第一硅薄膜層和/或所述第二硅薄膜層上制備電極,具體為:在沉積有第二透明導(dǎo)電膜層的第一硅薄膜層上和沉積有第二透明導(dǎo)電膜層的第二硅薄膜層上制備電極。
[0011 ] 在一種可能的實施方式中,本發(fā)明實施例提供的上述方法中,在所述第一硅薄膜層和/或所述第二硅薄膜層上制備電極之前,該方法還包括:在所述第一硅薄膜層上沉積第二透明導(dǎo)電膜層,則在所述第一硅薄膜層和/或所述第二硅薄膜層上制備電極,具體為:在所述第二硅薄膜層上和沉積有第二透明導(dǎo)電膜層的第一硅薄膜層上制備電極;或者在所述第二硅薄膜層上沉積第二透明導(dǎo)電膜層,則在所述第一硅薄膜層和/或所述第二硅薄膜層上制備電極,具體為:在所述第一硅薄膜層和沉積有第二透明導(dǎo)電膜層的第二硅薄膜層上制備電極。
[0012]在一種可能的實施方式中,本發(fā)明實施例提供的上述方法中,所述第一透明導(dǎo)電膜層的厚度為大于或等于50納米且小于或等于200納米,所述第二透明導(dǎo)電膜層的厚度為大于或等于40納米且小于或等于150納米。
[0013]在一種可能的實施方式中,本發(fā)明實施例提供的上述方法中,所述第一透明導(dǎo)電膜層的材料為以下材料中任意一種或其組合:氧化銦錫、氧化鋅、氧化錫,和/或所述第二透明導(dǎo)電膜層的材料為以下材料中任意一種或其組合:氧化銦錫、氧化鋅、氧化錫。
[0014]本發(fā)明實施例提供的一種異質(zhì)結(jié)太陽能電池,采用本發(fā)明實施例提供的異質(zhì)結(jié)太陽能電池的制備方法制備而成。
[0015]本發(fā)明實施例提供的異質(zhì)結(jié)太陽能電池,在異質(zhì)結(jié)太陽能電池的制備過程中,先在第一硅薄膜層和/或第二硅薄膜層上制備電極,然后在制備有電極的晶體硅片上沉積第一透明導(dǎo)電膜層,使得異質(zhì)結(jié)太陽能電池中至少一個側(cè)面的電極被包覆于第一透明導(dǎo)電膜層之內(nèi),與現(xiàn)有技術(shù)中隨著絲網(wǎng)印刷柵線的變窄,在透明導(dǎo)電膜層上制備的電極與透明導(dǎo)電膜層接觸面積變小,且只有電極的一面與透明導(dǎo)電膜層接觸,導(dǎo)致接觸電阻增加,電池的性能下降相比,異質(zhì)結(jié)太陽能電池中至少一個側(cè)面的電極被包覆于第一透明導(dǎo)電膜層之內(nèi),電極的多面與第一透明導(dǎo)電膜層接觸,增加了電極與透明導(dǎo)電膜層的接觸面積,降低了接觸電阻,提高了電池的性能,而且使得部分被電極反射的太陽光經(jīng)過第一透明導(dǎo)電膜層的反射重新進入電池中,降低了電池表面的反射作用,提高太陽光的利用率,提升了電池電流,同時電極被包覆于第一透明導(dǎo)電膜層之內(nèi),避免了電極與空氣的直接接觸,能夠提高電極的抗氧化能力,提升電池的性能。
[0016]本發(fā)明實施例提供的一種太陽能電池組件,包括至少一個本發(fā)明實施例提供的異質(zhì)結(jié)太陽能電池。
[0017]本發(fā)明實施例提供的太陽能電池組件中,包括至少一個本發(fā)明實施例提供的異質(zhì)
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