2就構(gòu)成了磁性的芯部，并且繞組14連同基底12 —起構(gòu)成感應(yīng)元件或者所謂的存儲節(jié)制器。
[0039]在制好狀態(tài)下，特別地使用塑料充填導(dǎo)線16、20之間的間隙，于是就使得感應(yīng)元件10具有方形形狀。然后還要將感應(yīng)元件10嵌入到未示出的殼體內(nèi)。
[0040]圖2所示為感應(yīng)元件10的正視圖。在基底12區(qū)域內(nèi)的本身看不見的敷鍍通孔18用虛線表示。以相距基底12的頂面或底面小的間距來表示在基底12頂面上的印制導(dǎo)線16和在基底12底面上的印制導(dǎo)線20。每個同樣通過薄膜技術(shù)制造的塑料層26或28都位于印制導(dǎo)線16和印制導(dǎo)線20之間。
[0041]在圖3的俯視圖中可看到基底12以及在基底12的頂面上稍微傾斜于基底12的邊緣延伸的印制導(dǎo)線16。在基底12的底面上平行于基底12的端邊延伸的印制導(dǎo)線20僅用虛線表示。
[0042]圖4示出了在借助于薄膜技術(shù)涂敷繞組14之前的基底12?？梢钥吹?基底12包括兩排孔或?qū)Э?Vias) 30，其中，總共有七個孔30布置得平行于基底12的位于圖4上方的縱邊，并且七個孔30與基底12的布置在圖4左下方的縱邊相鄰。如已述，每個孔30都填充有導(dǎo)電的材料、特別是金屬，以便形成敷鍍通孔18，參見圖1。
[0043]在圖5的正視圖中，這些孔30本身都不可見，因而僅用虛線表示。圖6將有規(guī)律地布置的孔30分成平行于基底12的側(cè)邊且彼此等間距的兩并排。
[0044]這些孔30例如都可以采用激光方法產(chǎn)生。但是，它們例如也可以通過噴砂法、等離子體法或離子射線法或者還可以通過濕化學(xué)蝕刻法來制造。
[0045]圖7示出了根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式的感應(yīng)元件40。感應(yīng)元件40與圖1的感應(yīng)元件10十分相似地構(gòu)造，所以接下來僅闡述區(qū)別。感應(yīng)元件40具有被構(gòu)造為板形的基底42，但是，不同于圖1的感應(yīng)元件10的基底12，在縱邊上沒有敷鍍通孔或孔30，而是僅具有槽，也參見圖10。繞組14與感應(yīng)元件10的繞組14相一致地構(gòu)造，并且由總共十四個敷鍍通孔18組成，敷鍍通孔中的每兩個都通過在基底的頂面上的導(dǎo)線16或通過在基底的底面上的導(dǎo)線20相連接。
[0046]在圖10和12中可以十分清晰地看到的在基底42的兩個縱邊上的槽44還可以采用與在圖1至4的基底12中的孔30相同的方法產(chǎn)生。但是替代地，在槽44的情況下還可以采用精細(xì)且準(zhǔn)確的磨切工藝(Trennschleifprozess)來制得這些槽。
[0047]通過電鍍沉積銅或另一種導(dǎo)電的金屬材料例如銀或鋁對孔30或槽44進(jìn)行填充。但是，為了制得敷鍍通孔18，這些孔30或槽44例如還可以用導(dǎo)電的粘接劑或者具有金屬顆粒的環(huán)氧樹脂制成。
[0048]借助于圖13要對用于制造圖1的感應(yīng)元件10或圖7的感應(yīng)元件40的各種不同的方法步驟進(jìn)行詳述。
[0049]在第一步驟A中，如所述例如采用濕化學(xué)蝕刻法來制造基底12內(nèi)的孔30。
[0050]在步驟B中，電鍍地給基底12內(nèi)的孔30填充銅或另一種金屬。如所述，還可以使用另一種填充技術(shù)，以便在孔30的內(nèi)部產(chǎn)生敷鍍通孔18的一部分。應(yīng)當(dāng)指出，在步驟B結(jié)束后，對這些孔30適當(dāng)填充，使得填充物相對于基底12的頂面或底面總是齊平地延伸。
[0051]在步驟C中，在基底12的頂面進(jìn)行光刻膠-掩膜，以便產(chǎn)生用于接下來的電鍍沉積的形狀。
[0052]然后，在步驟D中進(jìn)行該電鍍沉積，在該步驟中，利用光刻膠-掩膜從已經(jīng)在這些孔30中產(chǎn)生的填充物的頂面起對銅或另一種金屬進(jìn)行限制。
[0053]在步驟E中再把光刻膠-掩膜去除。敷鍍通孔18的上面部分現(xiàn)在凸出于基底12的頂面。
[0054]在步驟F中，對敷鍍通孔18的頂部之間的間隙以及在敷鍍通孔18和基底的側(cè)邊之間的間隙填充塑料層。在此，例如可以使用聚酰亞胺，如圖13中所示。替代地，還可以使用環(huán)氧樹脂。于是，在步驟F結(jié)束之后，敷鍍通孔18的頂面就與聚酰亞胺層46的頂面齊平。
[0055]在步驟G中涂敷另一光刻膠-掩膜，以便形成用于接下來對位于基底頂面上的導(dǎo)線16進(jìn)行電鍍沉積的形狀。
[0056]在步驟Η中，再次電鍍沉積銅或另一金屬層，以便由此形成位于基底頂面上的導(dǎo)線16。在步驟Η之后，繞組14就制完了略多于一半。還缺少敷鍍通孔18的底部以及位于基底12的底面上的導(dǎo)線20。
[0057]在步驟Η之后，又在步驟I中去除光刻膠-掩膜。
[0058]然后，在步驟J中將位于基底12頂面上的導(dǎo)線16埋入到塑料特別是聚酰亞胺或環(huán)氧樹脂中。這樣一來，同時也填充了位于基底12的頂面上的導(dǎo)線16之間的間隙。
[0059]圖1至3或7至9不包含在導(dǎo)線16之間或在導(dǎo)線20之間的塑料層，以便可以更清楚地示出繞組14的延伸走向。
[0060]在步驟J之后結(jié)束對在基底12的頂面上的繞組的制造。現(xiàn)在，在基底12的第二側(cè)面上制造繞組14，其中，在此重復(fù)進(jìn)行步驟C至J，這些步驟將不予贅述。
[0061]在制造過程結(jié)束時會產(chǎn)生一種如在步驟Κ中所示的結(jié)構(gòu)，即如在圖1中所示的感應(yīng)元件10。但是，如已述，在圖1中省去了多個在圖13的步驟Κ中示出的塑料層或聚酰亞胺層。
[0062]接下來，還要將如步驟Κ中所示的感應(yīng)元件10放入到殼體內(nèi)。殼體同樣可以由鐵氧體材料或者由LTCC-陶瓷組成。替代地，也可以對感應(yīng)元件10澆注塑料。
[0063]根據(jù)本發(fā)明的感應(yīng)元件10、40或存儲節(jié)制器具有十分小的空間需求、特別是十分小的高度。它們在DC-DC-變流器中例如可以用在移動便攜式設(shè)備如書寫板、智能手機或電腦內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種感應(yīng)元件，具有非導(dǎo)電的基底(12;42)和導(dǎo)電的、至少逐段地環(huán)繞所述基底(12 ;42)的繞組(14)，其中，通過薄膜技術(shù)將所述繞組(14)至少逐段地涂敷到所述基底(12 ;42)上，其特征在于，所述基底(12 ;42)完全由軟磁性的鐵氧體材料組成，或者含有分布在基底的整個體積中的軟磁性的鐵氧體材料。2.按照權(quán)利要求1所述的感應(yīng)元件，其特征在于，所述基底(12;42)被構(gòu)造為板狀。3.按照權(quán)利要求1或2所述的感應(yīng)元件，其特征在于，所述基底(12)開設(shè)有多個從基底(12)的頂面向底面穿透的孔(30)，所述孔被設(shè)置用于容納繞組區(qū)段。4.按照權(quán)利要求1或2所述的感應(yīng)元件，其特征在于，所述基底(42)在兩個對置的側(cè)面上分別開設(shè)有多個槽，所述槽從所述基底的頂面向底面延伸并且被設(shè)置用于容納繞組區(qū)段。5.按照上述權(quán)利要求中至少一項所述的感應(yīng)元件，其特征在于，所述基底(12;42)由環(huán)氧樹脂組成，在所述環(huán)氧樹脂中埋入軟磁性的鐵氧體材料顆粒。6.按照上述權(quán)利要求中至少一項所述的感應(yīng)元件，其特征在于，所述基底(12;42)是板狀的，并且具有在20微米和300微米之間的厚度。7.按照上述權(quán)利要求中至少一項所述的感應(yīng)元件，其特征在于，具有繞組(14)的基底(12 ;42)被布置在由塑料、鐵氧體或LTCC-陶瓷(低溫共燒陶瓷)制成的殼體內(nèi)。8.按照上述權(quán)利要求中至少一項所述的感應(yīng)元件，其特征在于，所述繞組(14)具有通過薄膜技術(shù)涂敷的印制導(dǎo)線區(qū)段(16、20)，其中，在兩個印制導(dǎo)線區(qū)段(16、20)之間設(shè)置有塑料層。9.按照上述權(quán)利要求中至少一項所述的感應(yīng)元件，其特征在于，所述繞組(14)至少部分地由電鍍沉積的金屬特別是銅、鋁或銀組成。
【專利摘要】提出了一種感應(yīng)元件，具有非導(dǎo)電的基底(12；42)和導(dǎo)電的、至少逐段地環(huán)繞所述基底(12；42)的繞組(14)，其中，通過薄膜技術(shù)將所述繞組(14)至少逐段地涂敷到所述基底(12；42)上，其特征在于，所述基底(12；42)完全由軟磁性的鐵氧體材料組成，或者含有分布在基底的整個體積中的軟磁性的鐵氧體材料。
【IPC分類】H01F27/28, H01F1/34, H01F27/24, H01F5/00
【公開號】CN105321675
【申請?zhí)枴緾N201410858481
【發(fā)明人】D·迪努洛維奇
【申請人】沃思電子埃索斯有限責(zé)任兩合公司
【公開日】2016年2月10日
【申請日】2014年12月19日
【公告號】DE202014005370U1