一種膜層圖案化的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種膜層圖案化的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，顯示基板內(nèi)部的重要部件包括多種具有圖案的膜層，在膜層圖案化的制作過程中，環(huán)境或者設(shè)備中的懸浮顆粒會(huì)落在待圖案化膜層的表面。在采用干刻工藝對(duì)待圖案化膜層進(jìn)行刻蝕處理時(shí)，由于懸浮顆粒的遮擋，在懸浮顆粒下方的膜層不能被刻蝕掉，會(huì)在懸浮顆粒物下方留下該膜層的殘留物，產(chǎn)生膜層圖案化的殘留物不良。
[0003]例如在制作陣列基板中的薄膜晶體管的有源層時(shí)，在對(duì)形成有待圖案化的有源層a-Si薄膜上的光刻膠層PR進(jìn)行曝光顯影后得到圖案化光刻膠層PR，如圖la所示，環(huán)境或者干刻設(shè)備中的懸浮顆粒會(huì)落在待圖案化的有源層a-Si薄膜表面起到掩模的作用。在進(jìn)行干刻過程中，如圖lb所示，懸浮顆粒造成下方的有源層a-Si薄膜不會(huì)被刻蝕掉；如圖lc所示，在圖案化光刻膠層被剝離后，在有源層a-Si圖案中產(chǎn)生了刻蝕殘留物(虛線框所示)。根據(jù)刻蝕殘留物在陣列基板的具體位置，如圖1d所示刻蝕殘留物有可能會(huì)連接有源層a-Si和像素電極ΙΤ0，也有可能會(huì)連接數(shù)據(jù)線和像素電極，造成亮點(diǎn)，嚴(yán)重影響產(chǎn)品的品質(zhì)。
[0004]因此，如何在干刻工藝過程中避免產(chǎn)生刻蝕殘留物，是本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的技術(shù)問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]有鑒于此，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種膜層圖案化的方法，用以解決現(xiàn)有的膜層圖案化方法會(huì)在圖案化膜層上產(chǎn)生刻蝕殘留物的問題。
[0006]因此，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種膜層圖案化的方法，包括:
[0007]對(duì)待圖案化膜層進(jìn)行干刻處理形成圖案化膜層；
[0008]去除所述圖案化膜層上覆蓋的懸浮顆粒；
[0009]對(duì)去除懸浮顆粒后的所述圖案化膜層再次進(jìn)行干刻處理，形成膜層的最終圖案。
[0010]在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述方法中，在所述對(duì)待圖案化膜層進(jìn)行干刻處理形成圖案化膜層之前，還包括:
[0011]在待圖形化膜層上涂覆光刻膠；
[0012]對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光顯影，在所述待圖形化膜層上形成圖案化光刻膠層。
[0013]在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述方法中，所述對(duì)待圖案化膜層進(jìn)行干刻處理形成圖案化膜層，具體包括:
[0014]以覆蓋在所述待圖案化膜層上的圖案化光刻膠層為掩模，對(duì)所述待圖案化膜層進(jìn)行干刻處理，形成圖案化膜層。
[0015]在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述方法中，所述圖案化光刻膠層的圖案與所述膜層的最終圖案一致。
[0016]在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述方法中，所述去除所述圖案化膜層上覆蓋的懸浮顆粒，具體包括:對(duì)所述圖案化膜層進(jìn)行清洗處理。
[0017]在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述方法中，所述清洗處理具體包括:液體清洗或氣體清洗。
[0018]在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述方法中，所述圖案化光刻膠層包括:覆蓋所述膜層的最終圖案的光刻膠完全保留區(qū)域，以及覆蓋獨(dú)立于所述膜層的最終圖案之外區(qū)域的光刻膠部分保留區(qū)域。
[0019]在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述方法中，所述去除所述圖案化膜層上覆蓋的懸浮顆粒，具體包括:
[0020]對(duì)所述圖案化光刻膠層進(jìn)行灰化處理，去除所述圖案化光刻膠層中的光刻膠部分保留區(qū)域。
[0021 ] 在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述方法中，所述對(duì)去除懸浮顆粒后的所述圖案化膜層再次進(jìn)行干刻處理，形成膜層的最終圖案，具體包括:
[0022]以經(jīng)灰化處理后的所述光刻膠全部保留區(qū)域?yàn)檠谀?，?duì)所述圖案化膜層進(jìn)行干刻處理，形成膜層的最終圖案。
[0023]在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述方法中，所述待圖案化膜層為有源層、歐姆接觸層、源漏電極、像素電極層、公共電極層或觸控電極層。
[0024]本發(fā)明實(shí)施例的有益效果包括:
[0025]本發(fā)明實(shí)施例提供的一種膜層圖案化的方法，在對(duì)待圖案化膜層進(jìn)行干刻處理形成圖案化膜層時(shí)，由于可能存在的懸浮顆粒的遮擋，在懸浮顆粒下方的膜層不會(huì)被刻蝕掉而產(chǎn)生刻蝕殘留物，因此，通過去除圖案化膜層上覆蓋的懸浮顆粒，可以將刻蝕殘留物上方的懸浮顆粒移位或完全去除，之后對(duì)去除懸浮顆粒后的圖案化膜層再次進(jìn)行干刻處理時(shí)將刻蝕殘留物刻蝕掉，在形成的膜層的最終圖案中完全避免了刻蝕殘留物的產(chǎn)生，從而提高了產(chǎn)品良率，保證了產(chǎn)品的品質(zhì)。
【附圖說明】
[0026]圖la至圖1d分別為現(xiàn)有技術(shù)中有源層圖案化的方法中各步驟執(zhí)行后的側(cè)視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027]圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的膜層圖案化的方法的流程示意圖之一；
[0028]圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的膜層圖案化的方法的流程示意圖之二 ；
[0029]圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的實(shí)例一的流程示意圖；
[0030]圖5a至圖5d分別為實(shí)例一的方法中各步驟執(zhí)行后的側(cè)視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0031]圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的實(shí)例二的流程示意圖；
[0032]圖7a至圖7d分別為實(shí)例二的方法中各步驟執(zhí)行后的側(cè)視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0033]圖8a至圖8d分別為實(shí)例二的方法中各步驟執(zhí)行后的俯視結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0034]下面結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例提供的膜層圖案化的方法的【具體實(shí)施方式】進(jìn)行詳細(xì)地說明。
[0035]附圖中各膜層的厚度和形狀不反映膜層圖案的真實(shí)比例，目的只是示意說明本
【發(fā)明內(nèi)容】
。
[0036]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種膜層圖案化的方法，如圖2所示，包括:
[0037]S201、對(duì)待圖案化膜層進(jìn)行干刻處理形成圖案化膜層；
[0038]S202、去除圖案化膜層上覆蓋的懸浮顆粒；
[0039]S203、對(duì)去除懸浮顆粒后的圖案化膜層再次進(jìn)行干刻處理，形成膜層的最終圖案。
[0040]本發(fā)明實(shí)施例提供的上述膜層圖案化的方法，在對(duì)待圖案化膜層進(jìn)行干刻處理形成圖案化膜層時(shí)，由于可能存在的懸浮顆粒的遮擋，在懸浮顆粒下方的膜層不會(huì)被刻蝕掉而產(chǎn)生刻蝕殘留物，因此，通過去除圖案化膜層上覆蓋的懸浮顆粒，可以將刻蝕殘留物上方的懸浮顆粒移位或完全去除，之后對(duì)去除懸浮顆粒后的圖案化膜層再次進(jìn)行干刻處理時(shí)將刻蝕殘留物刻蝕掉，在形成的膜層的最終圖案中完全避免了刻蝕殘留物的產(chǎn)生，從而提高了產(chǎn)品良率，保證了產(chǎn)品的品質(zhì)。
[0041]在具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述膜層圖案化的方法中，在執(zhí)行步驟S201在對(duì)待圖案化膜層進(jìn)行干刻處理形成圖案化膜層之前，如圖3所示，一般還會(huì)執(zhí)行以下步驟:
[0042]S301、在待圖形化膜層上涂覆光刻膠；
[0043]S302、對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光顯影，在待圖形化膜層上形成圖案化光刻膠層。
[0044]在具體實(shí)施時(shí)，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述方法中的步驟S301中對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光顯影，具體可以采用掩膜板圖形對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光顯影。并且，依據(jù)掩膜板圖形的不同，形成的圖案化光刻膠層的圖案可以具體有兩種，一種是圖案化光刻膠層的圖案與膜層的最終圖案一致；另一種是圖案化光刻膠層包括兩部分，一部分是覆蓋膜層的最終圖案的光刻膠完全保留區(qū)域，另一部是分覆蓋獨(dú)立于膜層的最終圖案之外區(qū)域的光刻膠部分保留區(qū)域。
[0045]具體地，可以采用具有完全透光區(qū)域和完全遮光區(qū)域兩部分組成的掩膜板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光顯影，以形成與膜層的最終圖案一致的圖案化光刻膠層的圖案。
[0046]具體地，可以采用具有完全透光區(qū)域、部分透光區(qū)域和完全遮光區(qū)域三部分組成的掩膜板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光顯影，以形成同時(shí)具有光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠部分保留區(qū)域的圖案化光刻膠層。并且，在具體實(shí)施時(shí)，該掩膜板可以選擇使用半色調(diào)掩膜板、灰色調(diào)掩膜板或者具有狹縫的掩膜板，在此不做限定。
[0047]在具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述方法中的步驟S201對(duì)待圖案化膜層進(jìn)行干刻處理形成圖案化膜層時(shí)，以覆蓋在待圖案化膜層上的圖案化光刻膠層為掩模，對(duì)待圖案化膜層進(jìn)行干刻處理，形成圖案化膜層。
[0048]具體地，在圖案化光刻膠層的圖案與膜層的最終圖案一致時(shí)，步驟S201對(duì)待圖案化膜層進(jìn)行干刻處理后，形成的圖案化膜層理論上應(yīng)與膜層的最終圖案一致，但是由于懸浮顆粒的遮擋，在懸浮顆粒下方的膜層不會(huì)被刻蝕掉而產(chǎn)生刻蝕殘留物，因此，干刻處理后形成的圖案化膜層除了包含與膜層的最終圖案一致的膜層區(qū)域之外，還會(huì)包括刻蝕殘留物。
[0049]因此，在執(zhí)行本發(fā)明實(shí)施例提供的上述方法中的步驟S201去除圖案化膜層上覆蓋的懸浮顆粒時(shí)，具體可以采用對(duì)圖案化膜層進(jìn)行清洗處理的方式完全清洗掉或移動(dòng)懸浮顆粒，以露出懸浮顆粒下方的刻蝕殘留物，以便在執(zhí)行步驟S203對(duì)圖案化膜層再次進(jìn)行干刻處理時(shí)，去掉刻蝕殘留物后形成膜層的最終圖案。
[0050]具體地，上述對(duì)圖案化膜層進(jìn)行清洗處理在具體實(shí)施時(shí)，該清洗處理具體可以包括:液體清洗或氣體清洗。例如采用清水沖洗懸浮顆?；虿?