專利名稱：：金屬膜形成方法和金屬圖案形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種金屬膜形成方法和金屬圖案形成方法，特別是涉及一種作為金屬線路板、印刷線路板有用的金屬膜形成方法和金屬圖案形成方法。技術(shù)背景在基板上形成的金屬膜正在以圖案狀蝕刻的各種電器中使用。在基板上形成的金屬膜(金屬基板)為了使基板和金屬層具有粘合性，通過(guò)將基板表面進(jìn)行凹凸處理的定錨效果來(lái)發(fā)現(xiàn)有粘合性。其結(jié)果是，做好的金屬膜的基板界面部變得凹凸，作為電路配線使用時(shí)，有高頻特性差的問(wèn)題。進(jìn)而，形成金屬基板時(shí)，為了凹凸處理基板，存在必須用鉻酸等強(qiáng)酸處理基板的繁瑣工序的問(wèn)題。作為目前的金屬圖案形成方法，主要公知有"減法"、"半添加法"、"全添加法"。所謂的減法是指在基板上形成的金屬層上設(shè)置通過(guò)照射活性光線而感光的感光層，在該感光層上圖像曝光，顯影形成抗蝕劑像，接著蝕刻金屬形成金屬圖案，最后剝離抗蝕劑的方法。使用該方法的基板因?yàn)榫哂谢搴徒饘賹拥恼澈闲?，通過(guò)凹凸處理基板界面的定錨效果，來(lái)發(fā)現(xiàn)有粘合性。其結(jié)果是，做好的金屬圖案的基板界面部分變得凹凸，作為電路配線使用時(shí)，高頻特性有變差的問(wèn)題。進(jìn)而，形成金屬基板時(shí)，為了凹凸處理基板，有必須用鉻酸等強(qiáng)酸處理基板的繁瑣的工序問(wèn)題。為了解決該問(wèn)題，提出了在基板表面接枝自由基聚合性化合物，進(jìn)行表面改性，將基板的凹凸限制在最小限度，且簡(jiǎn)易處理基板的工序的方法(例如參見(jiàn)專利文獻(xiàn)l、非專利文獻(xiàn)i。)，但是該方法中，需要高價(jià)的裝置(y線發(fā)生裝置、電子線發(fā)生裝置)。并且，在該方法中使用的基板因?yàn)椴灰胱鳛榻又酆掀瘘c(diǎn)的聚合引發(fā)基團(tuán)，會(huì)有接枝聚合物不能以實(shí)用上充分的程度生成的擔(dān)心。進(jìn)而，即使由該方法制造的金屬基板通過(guò)減法圖案化，會(huì)有減法特有的問(wèn)題。即，因?yàn)橥ㄟ^(guò)減法形成高細(xì)線寬的金屬圖案，和抗蝕劑圖案的線寬相比蝕刻后的線寬變細(xì)，所謂的過(guò)蝕刻法是有效的，但是通過(guò)過(guò)蝕刻法直接形成精細(xì)金屬圖案的話，容易產(chǎn)生線的滲出或抽頭、斷線等，從形成良好的精細(xì)金屬圖案的觀點(diǎn)考慮，形成30um以下的金屬圖案是困難的。另外，為了通過(guò)蝕刻處理去除圖案部以外區(qū)域存在的金屬薄膜，浪費(fèi)很多，并且通過(guò)該蝕刻處理產(chǎn)生的金屬?gòu)U液的處理會(huì)有花費(fèi)等，有環(huán)境、價(jià)格方面的問(wèn)題。為了解決上述問(wèn)題，提出了稱為半添加法(SemiadditiveMethod)的金屬圖案形成方法。所謂的半添加法是指在基板上通過(guò)電鍍等形成薄的鉻等襯底基板層，在該襯底金屬層上形成抗蝕劑圖案。接著，在抗蝕劑圖案以外區(qū)域的襯底金屬層上通過(guò)電鍍形成Cu等金屬層后，通過(guò)除去抗蝕劑圖案形成配線圖案，進(jìn)而將該配線圖案作為掩膜，蝕刻襯底金屬層，在抗蝕劑圖案以外區(qū)域形成金屬圖案的方法。該方法因?yàn)槭遣挥梦g刻的方法，所以容易形成30um以下的細(xì)線圖案，為了通過(guò)電鍍只在必要部分析出金屬，對(duì)于環(huán)境、價(jià)格方面是有效的。但是該方法中，為了使基板和金屬圖案具有粘合性，必須凹凸處理基板表面，其結(jié)果是制造的金屬圖案的基板界面部變得凹凸，作為電路配線使用時(shí)有高頻特性差的問(wèn)題。另外，也正在提出稱為全添加法的金屬圖案形成方法。全添加法是指在基板上形成抗蝕劑圖案，通過(guò)電鍍抗蝕劑圖案以外區(qū)域，析出金屬，然后除去抗蝕劑圖案。該方法因?yàn)槭遣挥梦g刻的方法，容易形成30ym以下的細(xì)線圖案，但是和半添加法有著一樣的問(wèn)題，因此期望一種能形成細(xì)線圖案、基板界面的凹凸少、蝕刻廢液少的、新型的金屬圖案形成方法。這樣的金屬圖案作為印刷線路板的配線(導(dǎo)電膜)，在半導(dǎo)體設(shè)備中是有用的。近年來(lái)，對(duì)于電子儀器，要求高速處理大容量數(shù)據(jù)的要求正在提高。并且，在圖像處理或通信控制等中使用的半導(dǎo)體設(shè)備、內(nèi)部時(shí)鐘頻率或外部時(shí)鐘頻率逐年地變高，且連接針數(shù)也在增加。為了實(shí)現(xiàn)高速傳導(dǎo)，抑制信號(hào)遲延和衰減是重要的。對(duì)于抑制信號(hào)傳輸延遲，降低電導(dǎo)率是有效的，對(duì)于抑制介電損失，分別降低電導(dǎo)率和介質(zhì)損耗因子是有效的，但是介電損失中的電導(dǎo)率因?yàn)榕c電導(dǎo)率的平方根相關(guān)，實(shí)際上與介質(zhì)損耗因子相關(guān)度大。因此，從材料特性的觀點(diǎn)考慮，采用具有低介質(zhì)損耗因子特性的絕緣材料從高速化觀點(diǎn)看是有利的。另外，導(dǎo)電體表面的平滑對(duì)高密度化也有大的貢獻(xiàn)。目前的組裝印刷線路板中為了確保剝離強(qiáng)度進(jìn)行粗面化處理，但是現(xiàn)狀是數(shù)個(gè)微米的凹凸會(huì)成為進(jìn)一步精細(xì)配線化的妨礙。特別是使用進(jìn)行了粗面化處理的基板，使用該基板獲得的配線板用于半導(dǎo)體設(shè)備時(shí)，有高頻傳送適應(yīng)性損失的問(wèn)題。因而，從形成在半導(dǎo)體設(shè)備中有用的印刷線路板的觀點(diǎn)看，熱切期望在平滑的絕緣基板上致密地形成粘合性高的金屬圖案的方法。專利文獻(xiàn)1特開昭58—196238號(hào)公報(bào)非專利文獻(xiàn)1AdvancedMaterials2000年20號(hào)1481-1494
發(fā)明內(nèi)容考慮上述現(xiàn)有技術(shù)的問(wèn)題，本發(fā)明的目的在于提供一種與基板粘合性優(yōu)良、具有充分的導(dǎo)電性，且與基板的界面上凹凸較小的簡(jiǎn)便的金屬膜的形成方法。并且，本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種不進(jìn)行蝕刻工序就能形成精細(xì)的金屬圖案，且與基板的粘合性優(yōu)良、具有充分的導(dǎo)電性，與基板的界面上凹凸較小的簡(jiǎn)便地金屬圖案的形成方法。上述課題是通過(guò)下述的金屬膜形成方法和金屬圖案形成方法來(lái)解決。本發(fā)明的金屬膜形成方法的第1個(gè)方案是一種金屬膜形成方法，其特征在于具有下列工序(a1)在基板上設(shè)置具有由與金屬離子或金屬鹽相互作用的官能團(tuán)、且與該基板直接化學(xué)鍵合的聚合物構(gòu)成的聚合物層的工序，(a2)在上述聚合物層上提供金屬離子或金屬鹽的工序，(a3)還原上述金屬離子或金屬鹽，形成表面電阻率為10100kQ/口的導(dǎo)電層的工序，(a4)通過(guò)電鍍，形成表面電阻率為1X1(T'Q/口以下的導(dǎo)電層的工序。在下面的說(shuō)明中，有將本方案的金屬膜形成方法稱為"金屬膜形成方法(1)"的情況。本發(fā)明的金屬膜形成方法的第2個(gè)方案是一種金屬膜形成方法，其特征在于具有下列工序(b1)在基板上設(shè)置具有由與金屬膠體相互作用的官能團(tuán)、且與該基板直接化學(xué)鍵合的聚合物構(gòu)成的聚合物層的工序，(b2)在上述聚合物層上提供金屬膠體，形成表面電阻率為10100kQ/口的導(dǎo)電層的工序，(b3)通過(guò)電鍍，形成表面電阻率為1X10—'Q/口以下的導(dǎo)電層的工序。在下面的說(shuō)明中，有將本方案的金屬膜形成方法稱為"金屬膜形成方法(2)"的情況。本發(fā)明的金屬圖案形成方法的第1個(gè)方案是一種金屬圖案形成方法，其特征在于具有下列工序(cl)在基板上設(shè)置具有由與金屬離子或金屬鹽相互作用的官能團(tuán)、且與該基板直接化學(xué)鍵合的聚合物構(gòu)成的聚合物層的工序，(c2)在上述聚合物層上提供金屬離子或金屬鹽的工序，(c3)還原上述金屬離子或金屬鹽，形成表面電阻率為10100kQ/口的導(dǎo)電層的工序，(c4)在上述表面電阻率為10100kQ/口的導(dǎo)電層上形成圖案狀的抗蝕層的工序，(c5)通過(guò)電鍍，在未形成上述抗蝕層的區(qū)域形成lX1(T'Q/口以下的圖案狀的導(dǎo)電層的工序，(c6)剝離上述抗蝕層的工序，和(c7)在上述(c3)工序中形成的導(dǎo)電層中，除去由上述抗蝕層保護(hù)區(qū)域的導(dǎo)電層的工序。在下面的說(shuō)明中，有將本方案的金屬圖案形成方法稱為"金屬圖案形成方法(1)"的情況。本發(fā)明的金屬圖案形成方法的第2個(gè)方案是一種金屬圖案形成方法，其特征在于具有下列工序(d1)在基板上設(shè)置具有由與金屬膠體相互作用的官能團(tuán)、且與該基板直接化學(xué)鍵合的聚合物構(gòu)成的聚合物層的工序，(d2)在上述聚合物層上提供金屬膠體，形成表面電阻率為10100kQ/口的導(dǎo)電層的工序，(d3)在上述表面電阻率為10100kQ/口的導(dǎo)電層上形成圖案狀抗蝕層的工序，(d4)通過(guò)電鍍，在未形成上述抗蝕層的區(qū)域中形成表面電阻率為1XI0—'Q/口以下的圖案狀導(dǎo)電層的工序，(d5)剝離上述抗蝕層的工序，和(d6)在上述(d2)工序中形成的導(dǎo)電層中，除去上述抗蝕層保護(hù)的區(qū)域的導(dǎo)電層的工序。在下面的說(shuō)明中，有將本方案的金屬圖案形成方法稱為"金屬圖案形成方法(2)"的情況。本發(fā)明的金屬圖案形成方法的第3個(gè)方案是一種金屬圖案形成方法，其特征在于具有下列工序(e1)在基板上設(shè)置圖案狀的具有由與金屬離子或金屬鹽相互作用的官能團(tuán)、且與該基板直接化學(xué)鍵合的聚合物構(gòu)成的聚合物層的工序，(e2)在上述聚合物層上提供金屬離子或金屬鹽的工序，(e3)還原上述金屬離子或金屬鹽，形成表面電阻率為10100kQ/口的導(dǎo)電層的工序，(e4)通過(guò)電鍍，形成表面電阻率為1X10—/口以下的導(dǎo)電層的工序。在下面的說(shuō)明中，有將本方案的金屬圖案形成方法稱為"金屬圖案形成方法(3)"的情況。本發(fā)明的金屬圖案形成方法的第4個(gè)方案是一種金屬圖案形成方法，其特征在于具有下列工序(f1)在基板上設(shè)置圖案狀的具有由與金屬膠體相互作用的官能團(tuán)、且與該基板直接化學(xué)鍵合的聚合物構(gòu)成的聚合物層的工序，(f2)在上述聚合物層上提供金屬膠體，形成表面電阻率為10100kQ/口的導(dǎo)電層的工序，(f3)通過(guò)電鍍，形成表面電阻率為lXI0—'Q/口以下的圖案狀導(dǎo)電層的工序。在下面的說(shuō)明中，有將本方案的金屬圖案形成方法稱為"金屬圖案形成方法(4)"的情況。作為在本發(fā)明中使用的上述金屬離子或金屬鹽中含有的金屬，優(yōu)選選自銅、銀、金、鎳和鉻的金屬離子或鹽。作為本發(fā)明中使用的電鍍液，優(yōu)選含有添加劑。本發(fā)明中的電鍍優(yōu)選是從通電開始時(shí)的電量達(dá)到通電終止時(shí)需要的電量的1/101/4時(shí)，在電流密度為0.13mA/c1112條件下進(jìn)行。本發(fā)明中的"基板"是指聚合物可以直接化學(xué)鍵合到其表面上的產(chǎn)品，例如在樹脂薄膜上直接化學(xué)鍵合聚合物時(shí)，指該樹脂薄膜本身，在樹脂薄膜等基材表面上設(shè)置聚合引發(fā)層等中間層，在其表面上直接化學(xué)鍵合聚合物時(shí)，是指在薄膜基材上帶有中間層的產(chǎn)品。另外，下面，適宜地將能與金屬離子、金屬鹽或金屬膠體相互作用的官能團(tuán)稱為"相互作用性基"。通過(guò)本發(fā)明的金屬膜形成方法獲得的金屬膜、或通過(guò)本發(fā)明的金屬圖案形成方法獲得的金屬圖案是在表面凹凸為500nm以下的基板上設(shè)置金屬膜或金屬圖案的產(chǎn)品，該基板與該金屬膜或金屬圖案的粘合性優(yōu)選為0.2kN/m以上。這里，使用表面凹凸為500nm以下的基板，在其上形成聚合物層時(shí)，聚合物層的表面凹凸還在500nm以下。在這樣的聚合物層上，提供金屬離子或金屬鹽，還原后，或提供金屬膠體后，通過(guò)進(jìn)行電鍍，在該聚合物層中電鍍金屬呈嵌入狀態(tài)(復(fù)合狀態(tài))，且在該聚合物層上形成金屬鍍膜的狀態(tài)。由此，形成的金屬膜(或金屬圖案)與其基板界面部分(金屬和聚合物層(有機(jī)成分)的界面〕的粗糙度在電鍍金屬嵌入聚合物圖案的成分，比聚合物圖案表面的粗糙度粗些，但是因?yàn)槠涑潭鹊?，在金屬?或金屬圖案)中電鍍層(無(wú)機(jī)成分)和聚合物層(有機(jī)成分)界面的凹凸可以防止形成的金屬膜(或金屬圖案)的高頻特性不降低。因此，將金屬圖案用于電路配線時(shí)，能獲得優(yōu)良的高頻特性。高頻特性是指以高頻送電時(shí)有傳送損失低的特性，在傳送損失中特別是有導(dǎo)體損失低的特性。這樣，詳細(xì)研究金屬膜(或金屬圖案)和基板之間存在的聚合物層(有機(jī)成分)，該基板和該金屬膜之間存在的聚合物層是從該基板和該金屬膜的界面沿基板方向包含厚度為O.05um以上、含有25體積％以上使通過(guò)電鍍析出的金屬構(gòu)成的微粒子分散的區(qū)域的聚合物層，由該金屬等構(gòu)成的微粒子的存在可以認(rèn)為是形成了對(duì)金屬膜的粘合性有用的復(fù)合狀態(tài)。這里，基板表面的凹凸小的話，則更能抑制金屬膜(或金屬圖案)的基板界面部的粗糙度，為了提高獲得的金屬膜(或金屬圖案)的高頻特性，優(yōu)選使用表面凹凸為100nm以下的基板。另外，根據(jù)本發(fā)明獲得的金屬膜(或金屬圖案)部分的基板表面通過(guò)表面接枝改性表面，基板界面的凹凸保留在最小限度，且金屬部分的基板界面是與在基板上直接結(jié)合的接枝聚合物處于混雜狀態(tài)，可以認(rèn)為是形成的金屬膜和基板的粘合性高的產(chǎn)品。本發(fā)明中，表面粗糙度的大致標(biāo)準(zhǔn)是JISB0601中的Rz，即"在指定面上從最大到第5個(gè)峰值的Z數(shù)據(jù)的平均值和從最小到第5個(gè)谷底的平均值之差"。適用本發(fā)明獲得的金屬圖案用作配線板等導(dǎo)電性材料時(shí)，形成的金屬膜(金屬圖案)、即配線部分的金屬和有機(jī)材料界面的凹凸越小，高頻送電時(shí)的電損失(送電損失)越少。因此，適用本發(fā)明獲得的金屬圖案用作導(dǎo)電層(配線)的印刷線路板，可以形成與平面性和與基板的粘合性優(yōu)良的精細(xì)配線，且高頻特性也優(yōu)良。根據(jù)本發(fā)明，可以提供一種金屬膜形成方法，其與基板的粘合性優(yōu)良，具有充分的導(dǎo)電性，且能以簡(jiǎn)便地方法形成與基板界面的凹凸小的金屬膜。另外，根據(jù)本發(fā)明，可以提供一種金屬圖案形成方法，其不進(jìn)行蝕刻工序就能形成精細(xì)的金屬圖案，并且與基板的粘合性優(yōu)良，具有充分的導(dǎo)電性，能以簡(jiǎn)便的方法形成與基板的界面凹凸小的金屬圖案。具體實(shí)施例方式下面，詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明。首先，說(shuō)明本發(fā)明的金屬膜形成方法。[金屬膜形成方法(1)]本發(fā)明的金屬膜形成方法的第1個(gè)方案的特征在于具有下列工序(a1)在基板上設(shè)置具有由與金屬離子或金屬鹽相互作用的官能團(tuán)、且與該基板直接化學(xué)鍵合的聚合物構(gòu)成的聚合物層的工序，(a2)在上述聚合物層中提供金屬離子或金屬鹽的工序，(a3)還原上述金屬離子或金屬鹽，形成表面電阻率為10100kQ/口的導(dǎo)電層的工序，(a4)通過(guò)電鍍，形成表面電阻率為1X10—'Q/□以下的導(dǎo)電層的工序。((a1)工序〕(a1)工序是在基板上設(shè)置具有由與金屬離子或金屬鹽相互作用的官能團(tuán)(相互作用性基)、且與該基板直接化學(xué)鍵合的聚合物構(gòu)成的聚合物層。(a1)工序優(yōu)選是(a1—1)制造在基材上形成含有聚合引發(fā)劑的聚合引發(fā)層的基板的工序，和(a1—2)在形成該聚合引發(fā)層的基板上，設(shè)置具有由相互作用性基團(tuán)，且與該基材直接化學(xué)鍵合的聚合物構(gòu)成的聚合物層的工序。另外、上述(a1—2)工序優(yōu)選是在形成了上述聚合引發(fā)層的基板上接觸具有聚合性基團(tuán)和相互作用性基團(tuán)的聚合物后，通過(guò)提供能量，在上述基板全部表面上直接化學(xué)鍵合該聚合物的工序。(表面接枝)在基板中聚合物層的形成使用一般的稱為表面接枝聚合的方法。所謂的接枝聚合是指在高分子化合物鏈上提供活性種，由其引發(fā)聚合，進(jìn)而聚合其他單體，合成接枝聚合物的方法。特別是，提供活性種的高分子化合物形成固體表面時(shí)，稱為表面接枝聚合。作為適用于本發(fā)明的表面接枝聚合法，可以使用文獻(xiàn)記載的公知方法的任何一種。例如《新高分子實(shí)驗(yàn)學(xué)l0》，高分子學(xué)會(huì)編，1994年共立出版有限公司發(fā)行)的第l35頁(yè)中作為表面接枝聚合法記載了光接枝聚合法、等離子體照射接枝聚合法。并且在《吸附技術(shù)便覽》，NTS公司，竹內(nèi)監(jiān)修，1999年2月發(fā)行的第203頁(yè)、第695頁(yè)中記載了y線、電子射線等的放射線照射接枝聚合法。作為光接枝聚合法的具體方法可以使用特開昭63_92658號(hào)公報(bào)、特開平10—296895號(hào)公報(bào)和特開平11—119413號(hào)公報(bào)中記載的方法。作為為了制造高分子化合物鏈的末端直接化學(xué)鍵合的聚合物層的方法，除此以外也可以在高分子化合物鏈的末端提供三烷氧基甲硅烷基、異氰酸酯基、氨基、羥基、羧基等反應(yīng)性官能團(tuán)，可以通過(guò)它和基板表面上存在的官能團(tuán)的偶聯(lián)反應(yīng)來(lái)形成。從生成更多的表面接枝聚合物的觀點(diǎn)考慮，優(yōu)選光接枝聚合法。(基板〕本發(fā)明中的基板是在其表面上，具有相互作用性基團(tuán)的高分子化合物的末端直接或通過(guò)干高分子化合物，顯示具有化學(xué)鍵合功能的表面的產(chǎn)品，基材本身也可以是具有這樣的表面特性的制品，另外在該基材上設(shè)置其他用途的中間層，該中間層也可以是具有這樣特性的制品。另外，作為具有相互作用性基團(tuán)的高分子化合物鏈的末端通過(guò)干高分子化合物來(lái)制造化學(xué)鍵合的表面的方法，有合成具有可以與基板表面的官能團(tuán)偶聯(lián)反應(yīng)獲得的官能團(tuán)和相互作用性基團(tuán)的高分子化合物，通過(guò)該高分子化合物與基板表面的官能團(tuán)的偶聯(lián)反應(yīng)，形成該表面的方法。作為其他方法，有在基板表面具有產(chǎn)生自由基種的性質(zhì)時(shí)，合成具有聚合性基團(tuán)和相互作用性基團(tuán)的高分子化合物，在基板表面上涂布該高分子化合物，產(chǎn)生自由基種，使基板表面和高分子化合物進(jìn)行聚合反應(yīng)，形成該表面的方法。本發(fā)明中，基于上述考慮，在基板表面上提供活性種，將其作為起點(diǎn)生成接枝聚合物，但是在接枝聚合物生成時(shí)，在基板上形成含有聚合引發(fā)劑的聚合引發(fā)層((a—l)工序〕，從有效地產(chǎn)生活性點(diǎn)、生成更多的表面接枝聚合物的觀點(diǎn)考慮是優(yōu)選的。聚合引發(fā)層優(yōu)選作為含有聚合性化合物和聚合引發(fā)劑的層來(lái)形成。本發(fā)明中的聚合引發(fā)層，將必要成分溶解在可以溶解的溶劑中，通過(guò)涂布等方法設(shè)置在基板表面上，由加熱或光照射固化膜來(lái)形成。(a)聚合性化合物在聚合引發(fā)層中使用的聚合性化合物只要是與基材的粘合性良好，且通過(guò)照射活性光線等提供能量，只要是生成表面接枝聚合物的制品，就沒(méi)有特別限制，也可以使用多官能單體等，特別優(yōu)選使用分子內(nèi)具有聚合性基團(tuán)的疏水性聚合物的方案。作為這樣的疏水性聚合物，具體能列舉有聚丁二烯、聚異戊二烯、聚戊二烯等二烯系均聚物、(甲基)丙烯酸烯丙酯、2-烯丙氧基乙基甲基丙烯酸酯等含有烯丙基單體的均聚物；進(jìn)而可列舉出，含有丁二烯、異戊二烯、戊二烯等二烯系單體或含有烯丙基的單體作為結(jié)構(gòu)單元、含有苯乙烯、(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯腈等二元或多元共聚物；不飽和聚酯、不飽和聚環(huán)氧化物、不飽和聚酰胺、不飽和聚丙烯酸、高密度聚乙烯等分子中具有碳一碳雙鍵的線性高分子或立體高分子類等。另外，本說(shuō)明書中，指"丙烯酸、甲基丙烯酸"兩者或任何之一時(shí)，用"(甲基)丙烯酸"來(lái)表示。聚合性化合物的含量在聚合引發(fā)層中優(yōu)選為固體成分占0100重量％的范圍，特別優(yōu)選為l080重量％的范圍。(b)聚合引發(fā)劑在聚合引發(fā)層中，含有用于通過(guò)提供能量產(chǎn)生聚合引發(fā)能的聚合引發(fā)劑。這里使用的聚合引發(fā)劑，通過(guò)規(guī)定的能量例如活性光線的照射、加熱、電子射線的照射等可以產(chǎn)生聚合引發(fā)能的公知的熱聚合引發(fā)劑、光聚合引發(fā)劑等，根據(jù)目的適宜的選擇使用。其中，利用光聚合從制造適應(yīng)性考慮是合適的，因此，優(yōu)選使用光聚合引發(fā)劑。光聚合引發(fā)劑只要是相對(duì)于照射的活性光線是活性的、只要是可以表面接枝聚合的產(chǎn)品，沒(méi)有特別限制，例如可以使用自由基聚合引發(fā)劑、陰離子聚合引發(fā)劑、陽(yáng)離子聚合引發(fā)劑等，從反應(yīng)性的觀點(diǎn)考慮優(yōu)選自由基聚合引發(fā)劑。作為這樣的光聚合引發(fā)劑，具體能列舉有例如p-叔丁基三氯苯乙酮、2，2'-二乙氧基苯乙酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基丙-1-酮類的苯乙酮類；二苯甲酮(4,4'-雙二甲基氨基二苯甲酮、2-氯代噻噸酮、2-甲基噻噸酮、2-乙基噻噸酮、2-異丙基噻噸酮之類的酮類；安息香、安息香甲基醚、安息香異丙基醚、安息香異丁基醚之類的安息香醚類；芐基二甲基縮酮、羥基環(huán)己基苯基酮之類的節(jié)基縮酮類等。聚合引發(fā)劑的含量在聚合引發(fā)層中優(yōu)選固體成分為0.170重量％的范圍，特別優(yōu)選為140重量％的范圍。涂布聚合性化合物和聚合引發(fā)劑時(shí)使用的溶劑只要是能溶解這些成分的物質(zhì)，沒(méi)有特別限制。從干燥的容易性、操作性的觀點(diǎn)考慮，優(yōu)選沸點(diǎn)不太高的溶劑，具體可以選擇沸點(diǎn)為4(TC150'C左右的溶劑。具體的可列舉有，丙酮、甲乙酮、環(huán)己烷、乙酸乙酯、四氫呋喃、甲苯、乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚、乙二醇二甲醚、丙二醇單甲醚、丙二醇單乙醚、乙酰基丙酮、環(huán)己酮、甲醇、乙醇、1-甲氧基-2-丙醇、3-甲氧基丙醇、二乙二醇單甲醚、二乙二醇單乙醚、二乙二醇二甲醚、二乙二醇二乙醚、丙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇單乙醚乙酸酯、3-甲氧基丙基乙酸酯等。這些溶劑可以單獨(dú)或混合使用。接著，涂布溶液中固體成分的濃度在250重量％是適當(dāng)?shù)摹Ｔ诨迳闲纬删酆弦l(fā)層時(shí)的涂布量從產(chǎn)生充分的聚合引發(fā)能和維持成膜性、防止膜剝落的觀點(diǎn)考慮，干燥后的質(zhì)量?jī)?yōu)選為0.l20g/m2，更優(yōu)選為115g/m2。本發(fā)明中形成聚合引發(fā)層時(shí)，如上所述，通過(guò)在基材表面上涂布形成上述聚合引發(fā)層用的組合物等，設(shè)置、除去溶劑成膜來(lái)形成。此時(shí)，優(yōu)選進(jìn)行加熱和/或光照射來(lái)固化膜。特別是通過(guò)加熱干燥后，進(jìn)行光照射，預(yù)先固膜的話，因?yàn)轭A(yù)先進(jìn)行聚合性化合物的某程度的固化，可以有效抑制實(shí)現(xiàn)接枝化后連聚合引發(fā)層一起脫落的情況。這里，在預(yù)先固化中利用光照射與上述光聚合引發(fā)劑中所述的理由相同。加熱溫度和時(shí)間可以根據(jù)充分干燥涂布溶劑來(lái)選擇條件，但是根據(jù)制造的合適性考慮，優(yōu)選溫度為l0(KC以下、干燥時(shí)間為30分鐘以內(nèi)，更優(yōu)選干燥溫度為408(TC、干燥時(shí)間為lO分鐘以內(nèi)的范圍選擇加熱條件。在加熱干燥后根據(jù)期望進(jìn)行的光照射可以使用后述接枝化化反應(yīng)中使用的光源。接著進(jìn)行的接枝化反應(yīng)中，從不妨礙由提供能量實(shí)施的聚合引發(fā)層的活性點(diǎn)和接枝鏈的結(jié)合的形成考慮，在聚合引發(fā)層中存在的聚合性化合物部分自由基聚合，優(yōu)選在完全沒(méi)有自由基聚合的程度下光照射。光照射時(shí)間根據(jù)光源的強(qiáng)度而不同，一般優(yōu)選為3O分以內(nèi)。作為這樣的預(yù)先固化的目標(biāo)列舉有在溶劑清洗后的膜殘存率為l0%以下，且預(yù)先固化后的引發(fā)劑殘存率為1%以上。(基材)在本發(fā)明中使用的基材優(yōu)選尺寸穩(wěn)定的片狀物，例如包括紙、塑料(例如聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯等)層壓的紙、金屬板(例如鋁、鋅、銅等)、塑料薄膜(例如二醋酸纖維素、三醋酸纖維素、丙酸纖維素、丁酸纖維素、醋酸丁酸纖維素、硝酸纖維素、聚對(duì)苯二甲酸乙二酯、聚乙烯、聚苯乙烯、聚丙烯、聚碳酸酯、聚乙烯醇縮醛、聚酰亞胺、環(huán)氧樹脂等)，層壓或被蒸鍍金屬的紙或塑料薄膜等。作為本發(fā)明中使用的基材，優(yōu)選聚酯薄膜或聚酰亞胺薄膜。并且，根據(jù)本發(fā)明獲得的金屬膜通過(guò)蝕刻而圖案化，可以適用于半導(dǎo)體封裝、各種電路配線基板等中。用于這樣的用途中時(shí)，優(yōu)選使用下面所示的絕緣性樹脂作為基板使用。作為絕緣樹脂，可以列舉有聚苯醚或改性聚苯醚、氰酸酯化合物、環(huán)氧化合物等樹脂。優(yōu)選使用通過(guò)包含這些樹脂的1種以上的熱固性樹脂組合物形成的基板。作為組合2種以上這些樹脂的樹脂組合物時(shí)優(yōu)選的組合，可列舉有聚苯醚或改性聚苯醚和氰酸酯化合物、聚苯醚或改性聚苯醚和環(huán)氧化合物、聚苯醚或改性聚苯醚和氰酸酯化合物及環(huán)氧化合物等的組合。通過(guò)這樣的熱固性樹脂組合物形成基板時(shí)，優(yōu)選不含有選自二氧化硅、滑石、氫氧化鋁、氫氧化鎂組成中的無(wú)機(jī)填充劑，并且優(yōu)選進(jìn)一步含有溴化合物或磷化合物的熱固性樹脂組合物。并且，作為其他絕緣樹脂，能列舉有l(wèi),2-雙(乙烯基苯撐)乙垸樹脂、或其和聚苯醚樹脂的改性樹脂。對(duì)于這樣的樹脂，例如在天羽悟們著、"JournalofAppliedPolymorScience"第92巻、p1252-1258(2004年)中有詳細(xì)的記載。進(jìn)而，還優(yōu)選夕，^制造的名稱為"《夕^夕一"等的、作為市售品能獲得的液晶性聚合物或聚四氟乙烯(PTFE)為代表的氟樹脂等。這些樹脂中，氟樹脂(PTFE)是高分子材料中高頻特性最優(yōu)良的。因?yàn)門g低的熱塑性樹脂對(duì)熱的尺寸穩(wěn)定性差，機(jī)械強(qiáng)度等也比熱固性樹脂材料差。并且還有形成性或加工性也差的問(wèn)題。并且，聚苯醚(PPE)等熱塑性樹脂也可以和熱固性樹脂等進(jìn)行合金化來(lái)使用。例如也可以使用PPE和環(huán)氧樹脂、與三烯丙基異氰酸酯的合金化樹脂、或引入聚合性官能團(tuán)的PPE樹脂和其他熱固性樹脂的合金化樹脂。環(huán)氧樹脂其原始的介電特性不充分，但是通過(guò)引入體積大的骨架等能得到改善，這樣，優(yōu)選使用產(chǎn)生各自樹脂的特性、引入彌補(bǔ)其缺點(diǎn)的結(jié)構(gòu)、進(jìn)行改性等的樹脂。例如，氰酸酯是在熱固化性樹脂中介電特性最優(yōu)良的樹脂，但是單獨(dú)使用它的情況少，一般作為環(huán)氧樹脂、馬來(lái)酰亞胺樹脂、熱塑性樹脂等的改性樹脂來(lái)使用。關(guān)于這些的詳細(xì)描述記載在"電子技術(shù)"2002年第9號(hào)第35頁(yè)中，這些記載中在選擇這樣的絕緣樹脂上可以參照。根據(jù)本發(fā)明將獲得的金屬膜用于半導(dǎo)體封裝、各種電路配線用途等時(shí)，從高速處理大容量數(shù)據(jù)考慮，為了抑制信號(hào)的延遲和衰減，使基板的電導(dǎo)率和介質(zhì)損耗因子分別變低是有效的。對(duì)于低介質(zhì)損耗因子材料，在"工^，卜口二，^組裝學(xué)會(huì)志"第7巻、第5號(hào)、第397頁(yè)(2004年)中有詳細(xì)的記載，采用具有特別低的介質(zhì)損耗因子特性的絕緣材料從高速化的觀點(diǎn)是優(yōu)選的。作為用于這樣用途的基板，具體優(yōu)選由1GHz下的電導(dǎo)率(比電導(dǎo)率)在3.5以下的絕緣性樹脂制得的基板，或在基材上具有該絕緣性樹脂構(gòu)成的層的基板。并且，優(yōu)選在1GHz下介質(zhì)損耗因子為0.01以下的絕緣性樹脂制得的基板，或在基材上具有該絕緣性樹脂構(gòu)成的層的基板。絕緣性樹脂的電導(dǎo)率和介質(zhì)損耗因子可以使用常規(guī)方法來(lái)測(cè)定。例如可以基于"第l8次電子學(xué)組裝學(xué)會(huì)學(xué)術(shù)演講大會(huì)匯編"(第18回工k夕卜口二夕7実裝學(xué)會(huì)學(xué)術(shù)講演大會(huì)要旨集)、2004年、第l89頁(yè)中記載的方法，使用空洞共振器擾動(dòng)法(例如極薄薄膜用er、tanS測(cè)定器、々一-厶公司制造)來(lái)測(cè)定。這樣，本發(fā)明中從電導(dǎo)率或介質(zhì)消耗因數(shù)考慮，選擇絕緣樹脂材料也是有用的。作為電導(dǎo)率為3.5以下、介質(zhì)消耗因數(shù)為0.01以下的絕緣樹脂，可列舉有液晶聚合物、聚酰亞胺樹脂、氟樹脂、聚苯醚樹脂、氰酸酯樹脂、雙(雙苯撐)乙烷樹脂等，進(jìn)而還包含它們的改性樹脂。在本發(fā)明的金屬膜形成方法中適用的基材表面的凹凸優(yōu)選為500nm以下，優(yōu)選為200nm以下、更優(yōu)選為50nm以下、最優(yōu)選為20nm以下。另外，作為基材表面的Rz(10點(diǎn)平均粗糙度)為500nm以下，優(yōu)選為100nm以下，更優(yōu)選為50nm以下，最優(yōu)選為20nm以下。另外，作為Rz的測(cè)定方法是基于JISB0601，"在指定面上從最大到第5個(gè)峰頂?shù)腪數(shù)據(jù)的平均值和從最小到第5個(gè)谷底的平均值之差"來(lái)測(cè)定的。(接枝聚合物的生成)作為(a1)工序中接枝聚合物的生成方案，如上所述，可以使用利用在基板表面存在的官能團(tuán)和高分子化合物在其末端或惻鏈上具有的反應(yīng)性官能團(tuán)的偶聯(lián)反應(yīng)的方法或使用直接光接枝聚合基板的方法。本發(fā)明中，優(yōu)選在形成聚合引發(fā)層的基板上引入化學(xué)鍍的催化劑或具有與其前體相互作用的官能團(tuán)(相互作用性基團(tuán))且和該基材直接化學(xué)鍵合的聚合物的方案((al—2)工序)。更優(yōu)選在形成聚合引發(fā)層的基材上接觸具有聚合性基團(tuán)和相互作用性基團(tuán)的聚合物接觸后，通過(guò)提供能量，在上述基材全部表面直接化學(xué)鍵合該聚合物的方案。g卩，使包含具有聚合性基團(tuán)和相互作用性基團(tuán)的化合物的組合物與形成的聚合引發(fā)層的基材表面接觸的同時(shí)，在該基材表面通過(guò)生成的活性種直接結(jié)合的方案。上述接觸可以通過(guò)在包含具有聚合性基團(tuán)和相互作用性基團(tuán)的化合物的液態(tài)組合物中浸漬基材來(lái)進(jìn)行，但是從操作性或制造效率考慮，如后所述，也可以在含有具有聚合性基團(tuán)和相互作用性基團(tuán)的化合物的組合物作主要成分的層通過(guò)涂布法形成于基板表面上。<利用基板表面上存在的官能團(tuán)和高分子化合物在其末端或側(cè)鏈具有的反應(yīng)性官能團(tuán)偶聯(lián)反應(yīng)的方法>本發(fā)明中，作為能適用于接枝聚合物生成中的偶聯(lián)反應(yīng)，可以使用任何的反應(yīng)。作為基板表面的官能團(tuán)和高分子化合物在其末端或側(cè)鏈具有的反應(yīng)性官能團(tuán)的具體組合，可列舉有(一COOH、胺)、(—COOH、乙撐亞胺)、(一COOH、異氰酸酯)、(一COOH，環(huán)氧基)、(一NKU，異氰酸酯)、(一NH"醛類)、(一OH、烷醇)、(一OH、鹵素化合物)、(一OH、胺)、(一OH、酸酐)的組合。從高反應(yīng)性考慮，特別優(yōu)選(一OH、多元異氰酸酯)、(一0H、環(huán)氧基)的組合。<直接光接枝聚合基板的方法>(具有相互作用性基團(tuán)且能光接枝聚合的單體)本發(fā)明中，通過(guò)直接光接枝聚合基板的方法，用于生成接枝聚合物時(shí)，作為具有相互作用性基團(tuán)且與直接化學(xué)鍵合基板的化合物，可列舉有以下的單體。例如有(甲基)丙烯酸或其堿金屬鹽和胺鹽、衣康酸或其堿金屬鹽和胺鹽、2—羥基乙基(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酰胺、N—單羥甲基(甲基)丙烯酰胺、N—二羥甲基(甲基)丙烯酰胺、烯丙胺或其鹵代含氫酸鹽、3—乙烯基丙酸或其堿金屬鹽和胺鹽、乙烯基磺酸或其堿金屬鹽和胺鹽、2—硫代乙基(甲基)丙烯酸酯、聚氧乙二醇單(甲基)丙烯酸酯、2—丙烯酰胺一2—甲基丙磺酸、酸膦氧(acidphosphooxy)聚氧化乙二醇單(甲基)丙烯酸酯、N—乙烯基吡咯垸酮(下述結(jié)構(gòu))等具有羧基、磺酸基、磷酸基、氨基或其鹽、羥基、酰胺基、膦基、咪唑基、吡啶基或它們的鹽、和醚基等的官能團(tuán)的單體。這些單體可以單獨(dú)使用一種，也可以2種以上組合使用。化1(具有相互作用性基團(tuán)且能與基板直接化學(xué)鍵合的聚合物)作為具有相互作用性基團(tuán)且能與基板直接化學(xué)鍵合的聚合物，可列舉有由具有相互作用性基團(tuán)的單體生成的聚合物。另外，更優(yōu)選使用在使用選自具有相互作用性基團(tuán)的單體的至少一種獲得的均聚物、共聚物中作為聚合性基引入乙烯基、丙烯酸基、(甲基)丙烯酸基等乙烯加成聚合性不飽和基團(tuán)(聚合性基團(tuán))的聚合物，即使用具有聚合性基團(tuán)和相互作用性基團(tuán)的聚合物。該具有聚合性基團(tuán)和相互作用性基團(tuán)的聚合物是在至少一個(gè)末端或側(cè)鏈上具有聚合性基團(tuán)的產(chǎn)品，特別優(yōu)選在末端具有聚合性基團(tuán)的產(chǎn)品，更優(yōu)選在末端和側(cè)鏈具有聚合性基團(tuán)的產(chǎn)品。這樣，在本發(fā)明中，適合使用具有聚合性基團(tuán)和相互作用性基團(tuán)的聚合物的理由如下。即考慮使用單體進(jìn)行接枝聚合時(shí)的操作性的話，在單體溶液中浸漬的方法難以大量生產(chǎn)。并且涂布單體溶液的方法光照射到基材上時(shí)均勻保持單體溶液非常困難。進(jìn)而，涂布單體溶液后，用薄膜等覆蓋的方法也是公知的，但是均勻覆蓋是困難的，必須覆蓋操作時(shí)，操作困難。對(duì)此，使用聚合物時(shí)，為了在涂布后形成固體，能均勻地制膜，容易大量生產(chǎn)。作為用于合成上述聚合物的具有相互作用性基團(tuán)的單體，可列舉有下面的單體。例如，可列舉有(甲基)丙烯酸或其堿金屬鹽和胺鹽、衣康酸或其堿金屬鹽和胺鹽、2—羥基乙基(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酰胺、N—單羥甲基(甲基)丙烯酰胺、N—二羥甲基(甲基)丙烯酰胺、烯丙胺或其鹵代含氫酸鹽、3—乙烯基丙酸或其堿金屬鹽和胺鹽、乙烯基磺酸或其堿金屬鹽和胺鹽、2—硫代乙基(甲基)丙烯酸酯、聚氧乙二醇單(甲基)丙烯酸酯、2—丙烯酰胺一2—甲基丙垸磺酸、酸膦氧(acidphosphooxy)聚氧乙二醇單(甲基)丙烯酸酯、N—乙烯基吡咯烷酮具有(下述結(jié)構(gòu))等的羧基、磺酸基、磷酸基、氨基或其鹽、羥基、酰胺基、膦基、咪唑基、吡啶基、或其鹽、和醚基等官能團(tuán)的單體。這些單體可以單獨(dú)使用一種，也可以結(jié)合2種以上來(lái)使用。具有聚合性基團(tuán)和相互作用性基團(tuán)的聚合物合成如下作為合成方法，能列舉有(i)具有互作用性基團(tuán)的單體和具有聚合性基團(tuán)的單體共聚合的方法，(ii)具有相互作用性基團(tuán)的單體和具有雙鍵前體的單體共聚合，接著通過(guò)堿等處理引入雙鍵的方法，(iii)具有相互作用性基團(tuán)的聚合物和具有聚合性基團(tuán)的單體反應(yīng)，引入雙鍵的(引入聚合性基團(tuán))方法。從合成適應(yīng)性考慮，優(yōu)選(ii)具有相互作用性基團(tuán)的單體和具有雙鍵前體的單體共聚合，接著通過(guò)堿等處理引入雙鍵的方法，(iii)具有相互作用性基團(tuán)的聚合物和具有聚合性基團(tuán)的單體反應(yīng)，引入聚合性基團(tuán)的方法。作為在具有聚合性基團(tuán)和相互作用性基團(tuán)的聚合物合成中使用的、具有相互作用性基團(tuán)的單體，可以使用和具有上述相互作用性基團(tuán)的單體一樣的單體。單體可以單獨(dú)使用一種，也可以2種以上并用。作為具有能與具有相互作用性基團(tuán)的單體共聚合的具有聚合性基團(tuán)的單體，可列舉有(甲基)丙烯酸烯丙酯、2—烯丙基氧基乙基甲基丙烯酸酯等。并且，作為具有雙鍵前體的單體可列舉有2-(3-氯-1-氧代丙氧基)乙基甲基丙烯酸酯、2-(3-溴-1-氧代丙氧基)乙基甲基丙烯酸酯等。進(jìn)而，作為用于利用與具有相互作用性基團(tuán)的聚合物中的羧基、氨基或其鹽、羥基和環(huán)氧基等官能團(tuán)的反應(yīng)引入不飽和基團(tuán)的、具有聚合性基團(tuán)的單體，有(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸縮水甘油基酯、烯丙基縮水甘油基醚、(甲基)丙烯酸2—異氰酸根合乙基酯等。另外，本發(fā)明中，也可以使用大分子。本發(fā)明中使用的大分子的制造方法例如在平成1年9月20日由IPC出版社發(fā)行的"大分子化學(xué)與工業(yè)"(編者山下雄也)的第2章"大分子的合成"中提出了各種方法。作為本發(fā)明使用的大分子中特別有用是丙烯酸、甲基丙烯酸等含有羧基的單體衍生的大分子、2—丙烯酰胺基一2—甲基丙磺酸、乙烯基苯乙烯磺酸和其鹽的單體衍生的磺酸系大分子、(甲基)丙烯酰胺、N—乙烯基乙酰胺、N—乙烯基甲酰胺、N—乙烯基羧酸酰胺單體衍生的酰胺系大分子、羥基乙基甲基丙烯酸酯、羥基乙基丙烯酸酯、甘油單甲基丙烯酸酯等含有羥基的單體衍生的大分子、丙烯酸甲氧基乙基酯、甲氧基聚乙二醇丙烯酸酯、聚乙二醇丙烯酸酯等含有烷氧基或環(huán)氧乙烷基單體衍生的大分子。并且具有聚乙二醇鏈或聚丙二醇鏈的單體也可以有用地作為本發(fā)明中使用的大分子。這些大分子的有用分子量在25010萬(wàn)的范圍，特別優(yōu)選的范圍是4003萬(wàn)。在含有具有相互作用性基團(tuán)的單體或具有聚合性基團(tuán)和相互作用性基團(tuán)的聚合物的組合物中使用的溶劑是組合物的主要成分，只要是能溶解具有相互作用性基團(tuán)的單體、具有聚合性基團(tuán)和相互作用性基團(tuán)的化合物等，沒(méi)有特別限制。溶劑中還可以進(jìn)一步添加表面活性劑。作為可以使用的溶劑例如有甲醇、乙醇、丙醇、乙二醇、甘油、丙二醇單甲基醚之類的烷醇系溶劑、醋酸之類的酸、丙酮、環(huán)己酮之類的酮系溶劑、甲酰胺、二甲基乙酰胺之類的酰胺系溶劑等。根據(jù)需要在溶劑中添加的表面活性劑只要是能溶于溶劑的產(chǎn)品就可以，作為這樣的表面活性劑，例如可列舉有正十二烷基苯磺酸鈉之類的陰離子性表面活性劑或正十二烷基三甲基銨氯化物之類的陽(yáng)離子性表面活性劑、聚氧化乙烯壬基酚醚(作為市售商品例如二7Ay>910、花王公司制造等)、聚氧化乙烯脫水山梨糖醇單月桂酸酯(作為市售商品例如商品名為<—>20"等)、聚氧化乙烯月桂基醚之類的非離子性表面活性劑等。組合物以液態(tài)原樣接觸時(shí)，可以任意地進(jìn)行，但是根據(jù)涂布法形成含有相互作用性基團(tuán)的組合物涂布層時(shí)的涂布量，從與金屬離子等的充分的相互作用性和獲得均勻的涂布膜的觀點(diǎn)考慮，換算成固體成分優(yōu)選為0.l10g/m2，特別優(yōu)選為0.55g/m2。(提供能量)作為向基材表面提供能量的方法，例如可以使用加熱或曝光等輻射線照射。例如可以通過(guò)uv燈、可見(jiàn)光線等的光照射、用熱板等加熱等。作為光源例如有水銀燈、金屬鹵素?zé)?、氙燈、化學(xué)燈、碳弧燈等。作為放射線有電子射線、x射線、離子束、遠(yuǎn)紅外線等。并且還可以使用g線、i線、Deep—UV光、高密度能量束(激光束)。作為一般使用的具體的提供能量方案，適合列舉有通過(guò)熱記錄頭等直接成像記錄、由紅外線激光進(jìn)行掃描曝光、氙放電燈等高照度閃光曝光或紅外線燈曝光等。作為提供能量需要的時(shí)間，根據(jù)目標(biāo)接枝聚合物的生成量和光源而不同，通常為10秒5小時(shí)。根據(jù)以上說(shuō)明的(a1)工序，可以在基材上由具有相互作用性基團(tuán)的聚合物形成聚合物層(接枝聚合物層)?！?a2)工序〕(a2)工序中，在上述(a1)工序中形成的聚合物層上提供金屬離子或金屬鹽。本工序中，構(gòu)成聚合物層的接枝聚合物具有的相互作用性基團(tuán)根據(jù)其功能附著(吸附)提供的金屬離子或金屬鹽。(金屬離子或金屬鹽)下面說(shuō)明金屬離子或金屬鹽。作為金屬鹽，只要是能溶解在用于在聚合物層上提供的合適的溶劑中，解離成金屬離子和堿(陰離子)的產(chǎn)品，沒(méi)有特別限制，能列舉有M(N03)n、MC1、M2/(S04)、M3,n(P04)(M表示n價(jià)的金屬原子)等。作為金屬離子，適合使用上述金屬鹽解離的產(chǎn)品。作為本發(fā)明中的金屬離子或金屬鹽，因?yàn)檫€原的金屬的難以被氧化，以在電子材料中優(yōu)選的觀點(diǎn)考慮，優(yōu)選選自銅、銀、金、鎳、和鉻的金屬的離子或鹽。(金屬離子和金屬鹽的提供方法)作為提供金屬離子或金屬鹽的方法，可以根據(jù)形成構(gòu)成聚合物層的接枝聚合物的化合物而適宜選擇。并且，接枝聚合物從金屬離子等的附著的觀點(diǎn)考慮，優(yōu)選具有親水性基團(tuán)。作為具體的提供金屬離子或金屬鹽的方法，可適宜選擇下列任何一種來(lái)使用(i)接枝聚合物具有作為相互作用性基團(tuán)的離子性基團(tuán)(極性基團(tuán))時(shí)，在該接枝聚合物的離子性基團(tuán)上吸附金屬離子的方法，(ii)接枝聚合物對(duì)聚乙烯基吡咯烷酮等這樣的金屬鹽親和性高時(shí)，將該接枝聚合物浸漬金屬鹽或含有金屬鹽的溶液的方法，(iii)在親水性接枝聚合物上浸漬含有金屬鹽的溶液或溶解了金屬鹽的溶液，在該接枝聚合物上浸漬含有金屬離子和/或金屬鹽的溶液的方法。特別的，根據(jù)(iii)的方法，其與接枝聚合物的性質(zhì)不是特別相關(guān)，能提供期望的金屬離子^J金屬鹽。在聚合物層上提供金屬離子或金屬鹽時(shí)，(i)接枝聚合物是具有離子性基團(tuán)，使用在該離子性基團(tuán)上吸附金屬離子的方法時(shí)，可以在適合的溶劑中溶解上述金屬鹽，在形成聚合物層的基板表面上涂布含有解離的金屬離子的溶液，或也可以在該溶液中浸漬形成了聚合物層的基板。與含有金屬離子的溶液接觸下，可以在上述離子性基團(tuán)上離子吸附金屬離子。從充分進(jìn)行這些吸附的觀點(diǎn)考慮，接觸的溶液的金屬離子濃度或金屬鹽濃度優(yōu)選在150質(zhì)量％的范圍，更優(yōu)選1030質(zhì)量％的范圍。并且接觸時(shí)間優(yōu)選為10秒24小時(shí)左右，更優(yōu)選1分鐘到180分鐘左右。在聚合物層上提供金屬離子或金屬鹽時(shí)，(ii)接枝聚合物是相對(duì)于聚乙烯基吡咯垸酮等這樣的金屬鹽具有高親和性時(shí)，以微粒狀直接附著上述金屬鹽，或使用能分散金屬鹽的適合的溶劑來(lái)制備分散液，在形成聚合物層的基板表面上涂布該分散液，或也可以在該溶液中浸漬形成聚合物層的基板。并且，接枝聚合物是由親水性化合物構(gòu)成時(shí)，因?yàn)榻又酆衔锞哂懈叩谋Ｋ裕迷摳叩谋Ｋ?，可以在接枝聚合物中浸漬分散了金屬鹽的分散液。從充分進(jìn)行分散液的浸漬觀點(diǎn)考慮，接觸分散液的金屬鹽濃度或金屬鹽濃度優(yōu)選在150質(zhì)量％的范圍，更優(yōu)選在l030質(zhì)量％的范圍。并且，接觸時(shí)間優(yōu)選為l0秒24小時(shí)左右，更優(yōu)選l分鐘到l8O分鐘左右。在接枝聚合物上提供金屬離子或金屬鹽時(shí)，(iii)使用在含有金屬鹽的溶液、或溶解金屬鹽的溶液中浸漬具有親水性接枝聚合物構(gòu)成的聚合物層的玻璃基板，在該聚合物層上浸漬含有金屬離子和/或金屬鹽的溶液的方法時(shí)，使用能分散上述金屬鹽的合適的溶劑制備分散液，或用適合的溶劑溶解上述金屬鹽，制備含有解離的金屬離子的該溶液，在具有聚合物層的基板表面上涂布該分散液或溶液，或在該溶液中浸漬具有聚合物層的基板。對(duì)于涉及的方法，和上述一樣，利用親水性接枝聚合物具有的高的保水性，可以在該親水性接枝聚合物中含浸的分散液或溶液。從充分進(jìn)行分散液或溶液的含浸的觀點(diǎn)考慮，接觸分散液的金屬鹽濃度或金屬鹽濃度優(yōu)選為150質(zhì)量％的范圍，更優(yōu)選l030質(zhì)量％的范圍。并且，接觸時(shí)間優(yōu)選為10秒24小時(shí)左右，更優(yōu)選為1分鐘到180分鐘左右。一接枝聚合物具有的官能團(tuán)的極性和金屬離子或金屬鹽的關(guān)系一接枝聚合物只要是具有帶負(fù)電荷的官能團(tuán)的產(chǎn)品，在這里吸附具有正電荷的金屬離子，還原該吸附的金屬離子，能形成析出金屬單體(金屬膜或金屬微粒子)的區(qū)域。一親水性化合物結(jié)合類型的親水性基極性和金屬離子或金屬鹽的關(guān)系一作為接枝聚合物具有之前描述的親水性官能團(tuán)，如羧基、磺酸基、或磺酸基等之類的陰離子性基團(tuán)時(shí)，選擇性地具有負(fù)電荷，這里吸附具有正電荷的金屬離子，還原該吸附的金屬離子，形成金屬(微粒子)膜區(qū)域(例如配線等)。另一方面，接枝聚合物鏈具有特開平l0—296895號(hào)公報(bào)中記載的銨基等之類的陽(yáng)離子性基團(tuán)時(shí)，選擇性地具有正電荷，在這里浸漬含有金屬鹽的溶液、或溶解金屬鹽的溶液，還原該含浸的溶液中的金屬離子或金屬鹽中的金屬離子，形成金屬(微粒子)膜區(qū)域(配線)。這些金屬離子以提供(吸附)到親水性表面的親水性基團(tuán)上的最大量來(lái)結(jié)合，這樣從耐久性考慮是優(yōu)選的。作為在親水性基團(tuán)上提供金屬離子的方法，可列舉有在支持體表面上涂布溶解或分散金屬離子或金屬鹽的液體的方法，和在這些溶液或分散液中浸漬支持體表面的方法等。涂布、浸漬任何一種情況下為了提供過(guò)量的金屬離子、在親水性基團(tuán)之間引入充分的離子鍵，在溶液或分散液與支持體表面的接觸時(shí)間優(yōu)選為10秒24小時(shí)左右，更優(yōu)選l分鐘到l8O分鐘左右。上述金屬離子或金屬鹽不僅可以使用l種，根據(jù)需要可以多種并用。并且，為了得到期望的導(dǎo)電性，也可以預(yù)先混合多種材料使用。本工序中形成的導(dǎo)電層通過(guò)SEM、AFM的表面觀察、斷面觀察，能確認(rèn)表面接枝膜中滿滿地分散金屬微粒子。形成的金屬微粒子的大小為粒徑lum1nm左右。((a3)工序)(a3)工序，上述(a2)工序中，還原聚合物層中提供的金屬離子或金屬鹽，形成表面電阻率為10100kQ/口的導(dǎo)電層。(還原劑)本工序中，還原接枝聚合物中吸附或浸漬存在的金屬鹽或金屬離子，用于將導(dǎo)電層成膜的還原劑只要是能還原使用的金屬鹽化合物，具有析出金屬的物性的產(chǎn)品，沒(méi)有特別限制，例如能列舉有次磷酸鹽、四氫硼酸鹽、肼等。這些還原劑可以根據(jù)與使用的金屬鹽、金屬離子的關(guān)系適宜選擇，例如作為供給金屬離子、金屬鹽的金屬鹽水溶液使用硝酸銀水溶液等時(shí)，適合用四氫硼酸酸鈉，使用二氯化鈀水溶液時(shí)，適合用肼。作為上述還原劑的添加方法，例如可以列舉有在具有聚合物層的基板表面上提供金屬離子或金屬鹽，水洗除去多余的金屬鹽、金屬離子后，在離子交換水等水中浸漬該基板，再添加還原劑的方法，在該基板表面上直接涂布或滴加一定濃度的還原劑水溶液的方法等。作為還原劑的添加量，優(yōu)選相對(duì)于金屬離子，以等量以上的過(guò)量使用，更優(yōu)選lo倍當(dāng)量以上。通過(guò)添加還原劑，存在均勻的高強(qiáng)度導(dǎo)電層可以通過(guò)表面的金屬光澤目視確認(rèn)，使用透過(guò)型電子顯微鏡或AFM(原子力顯微鏡)觀察表面，能確認(rèn)其結(jié)構(gòu)。另外，金屬(微粒子)膜的膜厚可以通過(guò)常規(guī)方法例如用電子顯微鏡觀察斷面等方法很容易地進(jìn)行。((a4)工序〕(a4)工序中，接著上述(a3)工序進(jìn)行電鍍，形成表面電阻率為1X1O一'Q/口以下的導(dǎo)電層。即，本工序中，以(a3)工序形成的導(dǎo)電層作為基礎(chǔ)，進(jìn)而進(jìn)行電鍍，形成與基板的粘合性優(yōu)良，同時(shí)具有充分的導(dǎo)電性的導(dǎo)電層。作為電鍍的方法，可以使用目前公知的方法。作為在本工序中的電鍍中使用的金屬，可以列舉有銅、鉻、鉛、鎳、金、銀、錫、鋅等，從導(dǎo)電性的觀點(diǎn)考慮，優(yōu)選銅、金、銀，更優(yōu)選銅。在本工序的電鍍中使用的電鍍液，從改善金屬膜的平滑性、延展性、導(dǎo)電性等作為電子電路使用時(shí)的特性考慮，優(yōu)選含有添加劑。作為電鍍中的添加劑，可以使用市售的電鍍用添加劑。作為具體的添加劑，例如可以列舉有煙魯綠B(JGB)、SPS(硫代丙基硫醇鹽)、聚乙二醇、各種表面活性劑等。并且，這些混合物的各電鍍液制造商的上市商品可以使用^^于'7夕^公司制造的力八°—夕'U—厶系列、奧野制藥工業(yè)公司制造的卜7^Af于系列、荏原二一'y，<卜公司制造的々二一7"，<卜系列等，但是根據(jù)上述獲得的金屬膜的力學(xué)特性等也可以進(jìn)行選擇。關(guān)于添加劑的種類和其添加量的具體方案，考慮電鍍速度、電鍍時(shí)的電流密度、形成的金屬膜的內(nèi)部應(yīng)力等各項(xiàng)特性，也可以適宜調(diào)整。具體的，作為添加劑的藥品濃度，為O.lmg/L1.0g/L，市售的電鍍液時(shí)，可以添加lml/L50m1/L(根據(jù)各制造商的目錄)。(a4)工序中的電鍍優(yōu)選在從通電開始時(shí)的電量到達(dá)通電終止時(shí)需要電量的1/101/4時(shí)，以電流密度0.l3mA/cm2下進(jìn)行。本工序中的電鍍從通電開始時(shí)在一定時(shí)間以小的電流密度進(jìn)行，可以在表面電阻較高的基板上形成均勻的金屬覆蓋膜，金屬膜慢慢成長(zhǎng)，可以致密地形成適合于電傳導(dǎo)度優(yōu)良的電子電路的金屬膜。在上述范圍的電流密度下進(jìn)行電鍍的期間，根據(jù)形成的金屬膜的性質(zhì)、用途等，23適宜設(shè)定從通電開始時(shí)的電量到達(dá)通電終止時(shí)需要電量的1/101/4的時(shí)間。并且，電流密度的大小也在上述范圍內(nèi)，可以根據(jù)形成的金屬膜的用途、性質(zhì)等適宜設(shè)定。本工序中的電鍍以上述范圍的小電流密度下進(jìn)行一定時(shí)間后，進(jìn)而增加電流密度。電流密度的增加程度可以適宜設(shè)定，但是通常是通電開始時(shí)的電流密度的220倍、優(yōu)選為35倍左右。對(duì)于電流密度的增加方案沒(méi)有特別限制，可以采用線性的增加、階梯狀的增加、指數(shù)關(guān)系的增加等方案。從電鍍被覆膜的均勻性考慮，優(yōu)選呈線性增加電流密度。對(duì)于由電鍍形成的導(dǎo)電層的膜厚，根據(jù)用途而不同，可以通過(guò)調(diào)整電鍍液中含有的金屬濃度、浸漬時(shí)間或電流密度等來(lái)控制。另外，在一般的電路配線等中使用時(shí)的膜厚從導(dǎo)電性的觀點(diǎn)考慮，優(yōu)選0.3um以上，更優(yōu)選3"m以上。通過(guò)(a4)工序形成的導(dǎo)電層的表面電阻率在lX10—'Q/口以下，優(yōu)選為1X10—2Q/口以下。另外，本說(shuō)明書中的表面電阻率是使用義<7<>^';m^乂>卜公司制造的電阻儀口^^夕EP'MCP—T360型，采用通過(guò)4端子4探針?lè)?、定電流施加方式測(cè)定的值。[金屬膜形成方法(2)]本發(fā)明的金屬膜形成方法的第2種方案的特征在于具有(b1)在基板上設(shè)置由具有與金屬膠體相互作用的官能團(tuán)、且與該基板直接化學(xué)鍵合的聚合物構(gòu)成的聚合物層的工序，(b2)在上述聚合物層上提供金屬膠體的工序，和(b3)通過(guò)電鍍形成表面電阻率為l0—'Q/口以下的導(dǎo)電層的工序。艮口，金屬膜形成方法(2)是代替上述金屬膜形成方法(1)中的(a2)和(a3)工序，在聚合物層上提供金屬膠體，進(jìn)行形成表面電阻率為10100kQ/口的導(dǎo)電層的(b2)工序?！?b1)工序〕(b1)工序是在基板上設(shè)置由具有與金屬離子或金屬鹽相互作用的官能團(tuán)(相互作用性基團(tuán))、且與該基板直接化學(xué)鍵合的聚合物構(gòu)成的聚合物層。在金屬膜形成方法(2)中的(b1)工序和上述金屬膜形成方法(1)中的(a1)工序相同，優(yōu)選方案也相同。((b2)工序)(b2)工序中在由上述(b1)工序形成的聚合物層上提供金屬膠體，形成表面電阻率為10100kQ/口的導(dǎo)電層。S卩，在本工序中，構(gòu)成聚合物層的接枝聚合物具有的相互作用性基團(tuán)，根據(jù)其功能附著(吸附)提供的金屬膠體，形成表面電阻率為10100kQ/口的導(dǎo)電層。(金屬膠體)適合于本工序的金屬膠體主要是O價(jià)金屬，能列舉有Pd、Ag、Cu、Ni、Al、Fe、Co等。本發(fā)明中特別因?yàn)镻d、Ag的操作性良好，催化性能高，是優(yōu)選使用的。作為在上述接枝聚合物上(相互作用性區(qū)域)固定0價(jià)金屬的方法，一般使用調(diào)節(jié)電荷的金屬膠體，不過(guò)，該金屬膠體在存在帶電荷的表面活性劑或帶電荷的保護(hù)劑的溶液中，可以通過(guò)還原上述金屬的金屬離子來(lái)制備。這里通過(guò)使用的表面活性劑改變所帶的電荷，與接枝圖案上的相互作用性基團(tuán)相互作用下，可以在接枝圖案上選擇吸附。(提供金屬膠體方法)作為在接枝聚合物上提供金屬膠體的方法，可以在適當(dāng)?shù)姆稚⒚浇橹蟹稚⒔饘倌z體，或用合適的溶劑溶解金屬鹽，在存在接枝聚合物的基板表面上涂布含有解離的金屬離子的溶液、或也可以在該溶液中浸漬具有接枝聚合物的基板。接觸含有金屬離子的溶液下，上述圖案部的相互作用基團(tuán)可以利用離子一離子或雙極性一離子相互作用來(lái)吸附金屬離子。從充分進(jìn)行該吸附的觀點(diǎn)考慮，接觸溶液的金屬離子濃度、或金屬鹽濃度優(yōu)選為150質(zhì)量％的范圍，更優(yōu)選為l030質(zhì)量％的范圍。另外，接觸時(shí)間優(yōu)選為l分鐘24小時(shí)左右，更優(yōu)選5分鐘1小時(shí)左右?！?b3)工序〕金屬膜形成方法(2)中的(b3)工序和上述金屬膜形成方法(1)中的(a4)工序相同，優(yōu)選的方案也相同。如上所述，根據(jù)本發(fā)明的金屬膜形成方法，可以不進(jìn)行蝕刻工序來(lái)形成精細(xì)的金屬圖案，且能獲得與基板的粘合性優(yōu)良，具有充分導(dǎo)電性的金屬膜。[金屬圖案形成方法(1)]本發(fā)明的金屬圖案形成方法的第1方案的特征在于具有下列工序(c1)在基板上設(shè)置由具有與金屬離子或金屬鹽相互作用的官能團(tuán)、且與該基板直接化學(xué)鍵合的聚合物構(gòu)成的聚合物層的工序，(c2)在上述聚合物層上提供金屬離子或金屬鹽的工序，(c3)還原上述金屬離子或金屬鹽，形成表面電阻率為l0100kQ/口的導(dǎo)電層的工序，(c4)在上述表面電阻率為10100kQ/□的導(dǎo)電層上形成圖案狀的抗蝕層的工序，(c5)通過(guò)電鍍形成表面電阻率為1X1(T'Q/口以下的圖案狀的導(dǎo)電層的工序，(c6)剝離上述抗蝕層的工序和(c7)在由上述(c3)工序形成的導(dǎo)電層中，除去由上述抗蝕層保護(hù)的區(qū)域的導(dǎo)電層的工序。下面，說(shuō)明在金屬圖案形成方法(1)中的(c1)工序乃至(c7)工序。((c1)工序)(c1)工序中，.在基板上設(shè)置由具有與金屬離子或金屬鹽相互作用的官能團(tuán)(相互作用性基團(tuán))、且與該基板直接化學(xué)鍵合的聚合物構(gòu)成的聚合物層。金屬圖案形成方法(1)中的(c1)工序和上述金屬膜形成方法(1)中的(a1)工序相同，優(yōu)選的方案也相同。((c2)工序)(c2)工序中，在上述(c1)工序中形成的聚合物層上提供金屬離子或金屬±卜jm。金屬圖案形成方法(1)中的(c2)工序和上述金屬膜形成方法(1)中的(a2)工序相同，優(yōu)選的方案也相同。((c3)工序〕(c3)工序中，在上述(c2)工序中還原聚合物層上提供的金屬離子或金屬鹽，形成表面電阻率為10100kQ/口的導(dǎo)電層。金屬圖案形成方法(1)中的(c3)工序和上述金屬膜形成方法(1)中的(a3)工序相同，優(yōu)選的方案也相同。((c4)工序〕(c4)工序中，在上述(c3)工序中形成的表面電阻率為10100kQ/口的導(dǎo)電層上形成圖案狀的抗蝕層。抗蝕層可以使用感光性抗蝕劑來(lái)形成。作為使用的感光性抗蝕劑，可以使用光固化型的負(fù)抗蝕劑、或通過(guò)曝光溶解的光溶解型正抗蝕劑。作為感光性抗蝕劑，可以使用1.感光性干薄膜抗蝕劑(DFR)、2.液態(tài)抗蝕劑、3.ED(電沉積)抗蝕劑。它們具有各自的特征。即，因?yàn)閘.感光性干膜抗蝕劑(DFR)可以干式使用，所以操作簡(jiǎn)便。2.液態(tài)抗蝕劑可以制成薄的膜厚，因此能制造分辨率好的圖案。3.ED(電沉積)抗蝕劑因?yàn)槟苤频帽〉哪ず?，能制造分辨率好的圖案，并且對(duì)涂布面的凹凸的追蹤性良好，粘合性優(yōu)良。使用的感光性抗蝕劑，可以適宜選擇增加這些特征。使用上述各感光性抗蝕劑時(shí)，(c3)工序中對(duì)形成的導(dǎo)電層上的抗蝕劑的配置如下來(lái)進(jìn)行。1.感光性干膜感光性干膜一般制成加在聚酯薄膜和聚乙烯薄膜間的三明治結(jié)構(gòu)，邊用層壓機(jī)剝離聚乙烯薄膜邊用熱輥壓接。感光性干膜抗蝕劑對(duì)于其配方、制膜方法、疊層方法在本申請(qǐng)人之前提出的特愿2005—103677的說(shuō)明書、段落編號(hào)(0192)(0372)中詳細(xì)的記載，這些記載也能和本發(fā)明同樣來(lái)適用。2.液態(tài)抗蝕劑涂布方法有噴涂、輥涂、簾式涂布、浸涂。兩面上同時(shí)涂布優(yōu)選其中的輥涂、浸涂。液態(tài)抗蝕劑在本申請(qǐng)人之前提出的特愿2005—188722的說(shuō)明書、段落編號(hào)(0199〕(0219〕中有詳細(xì)的記載，這些記載也適用于本發(fā)明中。3.ED(電沉積)抗蝕劑ED抗蝕劑是將感光性抗蝕劑作成微細(xì)的粒子懸浮于水中的膠體的物質(zhì)，因?yàn)榱Ｗ訋щ姾桑趯?dǎo)體層上提供電壓，則通過(guò)電泳，在導(dǎo)體層上析出抗蝕劑，在導(dǎo)體上膠體相互結(jié)合成膜狀，能進(jìn)行涂布。接著，進(jìn)行圖案曝光和顯影。圖案曝光是將在金屬膜上部設(shè)置抗蝕膜的基材與掩膜或干板密合，用使用的抗蝕劑的感光區(qū)域的光曝光。使用薄膜時(shí)用真空相框機(jī)(焼含枠)密合曝光。關(guān)于曝光源，對(duì)于圖案寬度為l00ym左右可以使用點(diǎn)光源。形成圖案寬度在l00"m以下的制品時(shí)優(yōu)選使用平行光源。顯影可以采用溶解光固化型的負(fù)抗蝕劑對(duì)應(yīng)的未曝光部分，或溶解通過(guò)曝光溶解的光溶解型正抗蝕劑對(duì)應(yīng)的曝光部分的任何一種，主要從使用有機(jī)溶劑、堿性水溶液，降低環(huán)境負(fù)擔(dān)的觀點(diǎn)考慮，優(yōu)選使用堿性水溶液。((c5)工序〕(c5)工序中，通過(guò)電鍍形成表面電阻率為lX10—/口以下的圖案狀導(dǎo)電層。即，本工序中，由(c3)工序形成的導(dǎo)電層作為基礎(chǔ)，進(jìn)入進(jìn)行電鍍，形成與基板的粘合性優(yōu)良，并且?guī)в谐浞值膶?dǎo)電性的圖案狀導(dǎo)電層。并且，(c5)工序中電鍍前，為了除去上述工序的抗蝕劑顯影中的殘?jiān)蛏鲜龉ば蛑斜┞兜?c3)工序中形成的導(dǎo)電層表面形成的氧化被覆膜，優(yōu)選設(shè)置脫脂清洗工序。脫脂清洗工序中，可以使用蒸餾水、稀酸、稀氧化劑水溶液，優(yōu)選使用稀酸性的氧化劑水溶液。酸可以使用作為鹽酸、硫酸、氧化劑的過(guò)氧化氫或過(guò)硫酸銨，優(yōu)選在濃度為O.01質(zhì)量％1質(zhì)量％，室溫50'C的溫度下處理13O分鐘。金屬圖案形成方法(1)中的(c5)工序和上述金屬膜形成方法(1)中的(a4)工序相同，優(yōu)選的方案也相同。((c6)工序)(c6)工序中，接著上述(c5)工序中的導(dǎo)電層的形成，剝離上述抗蝕層。剝離可以通過(guò)噴灑剝離液來(lái)進(jìn)行。剝離液根據(jù)抗蝕劑的種類而不同，一般通過(guò)噴灑使抗蝕劑膨潤(rùn)的溶劑或溶液，擦拭使抗蝕劑膨潤(rùn)，從而剝離。((c7)工序〕(c7)工序中，在上述(c3)工序中形成的導(dǎo)電層中除去由上述抗蝕層保護(hù)的區(qū)域的導(dǎo)電層。導(dǎo)電層的除去通過(guò)溶解除去導(dǎo)電層來(lái)進(jìn)行。該溶解除去使用作為導(dǎo)電層除去液包含促進(jìn)金屬鹽溶解的螯合劑、氧化金屬使其離子化的氧化劑、溶解金屬的酸等的水溶液，在除去液中浸漬基板，或者在基板上噴灑除去液來(lái)進(jìn)行。作為螯合劑能列舉有EDTA、NTA、磷酸等市售的金屬螯合劑。作為氧化劑能列舉有過(guò)氧化氫、過(guò)酸(次氯酸、過(guò)硫酸等)，作為酸能列舉有硫酸、鹽酸、硝酸等。本發(fā)明中，優(yōu)選組合這些氧化劑、螯合劑、酸來(lái)使用。[金屬圖案形成方法(2)]本發(fā)明的金屬圖案形成方法的第2方案的特征在于具有下列工序(d1)在基板上設(shè)置由具有與金屬膠體相互作用的官能團(tuán)、且與該基板直接化學(xué)鍵合的聚合物構(gòu)成的聚合物層的工序，(d2)在上述聚合物層上提供金屬膠體，形成表面電阻率為10100kQ/口的導(dǎo)電層的工序，(d3)在上述表面電阻率為10100kQ/口的導(dǎo)電層上形成圖案狀的抗蝕層的工序，(d4)通過(guò)電鍍，在上述抗蝕層的非形成區(qū)域上形成表面電阻率為1XI0—'Q/口以下的圖案狀導(dǎo)電層的工序，(d5)剝離上述抗蝕層的工序，(d6)在上述(d4)工序形成的導(dǎo)電層中，除去由上述抗蝕層保護(hù)的區(qū)域的導(dǎo)電層的工序。艮P，金屬圖案形成方法(2)是代替上述金屬圖案形成方法(1)中的(c2)和(c3)工序，在聚合物層上提供金屬膠體，進(jìn)行形成表面電阻率為10100kQ/口的導(dǎo)電層的(d2)工序?！?d1)工序〕金屬圖案形成方法(2)中的(d1)工序和上述金屬膜形成方法(1)中的(a1)工序相同，優(yōu)選方案也相同。((d2)工序〕(d2)工序是在由上述(d1)工序形成的聚合物層上提供金屬膠體，形成表面電阻率為10100kQ/口的導(dǎo)電層。金屬圖案形成方法(2)中的(d2)工序和上述金屬膜形成方法(2)中的(a2)工序相同，優(yōu)選方案也相同。((d3)工序(d6)工序)金屬圖案形成方法(2)中的(d3)工序(d6)工序分別和上述金屬圖案形成方法(1)中的(c4)工序(c7)工序相同，優(yōu)選方案也相同。[金屬圖案形成方法(3)]本發(fā)明的金屬圖案形成方法的第3方案的特征在于具有下列工序(e1)在基板上以圖案狀設(shè)置由具有與金屬離子或金屬鹽相互作用的官能團(tuán)、且與該基板直接化學(xué)鍵合的聚合物構(gòu)成的聚合物層的工序，(e2)在上述聚合物層上提供金屬離子或金屬鹽的工序，(e3)還原上述金屬離子或金屬鹽，形成表面電阻率為l0100kQ/口的導(dǎo)電層的工序，(e4)通過(guò)電鍍，形成表面電阻率為1X10-'Q/口以下的導(dǎo)電層的工序。艮口，上述金屬圖案形成方法(1)和(2)中，在基板上的全部表面上形成聚合物層，在該聚合物層上形成圖案狀的導(dǎo)電層的方案，金屬圖案形成方法(3)是在基板上以圖案狀形成具有相互作用性基團(tuán)的聚合物構(gòu)成的聚合物層，在該聚合物層上形成導(dǎo)電層的方案。下面，說(shuō)明金屬圖案形成方法(3)中的(e1)工序(e4)工序。〔(e1)工序〕(e1)工序中，在基板上以圖案狀設(shè)置由具有與金屬離子或金屬鹽相互作用的官能團(tuán)、且與該基板直接化學(xué)鍵合的聚合物構(gòu)成的聚合物層。(e1)工序中，在基板上設(shè)置接枝圖案的方法可以列舉有下面所示的圖案形成方案(1)(3)中的各方案。<圖案形成方案(1)>圖案形成方案(1)是基于用金屬膜形成方法(1)的(a1)工序的說(shuō)明方法，金屬膜形成方法(1)中，在基板的全部表面上提供能量，形成聚合物層，但是本方案中聚合物層的形成中呈圖案狀進(jìn)行提供能量，呈圖案狀形成聚合物層(下面稱這樣的表面為"圖案形成層")。本方案中適用的基板(基材和在基材上形成的中間層)、構(gòu)成聚合物層的各要素的事項(xiàng)等詳細(xì)內(nèi)容與上述金屬膜形成方法(1)的(a1)工序中說(shuō)明的事項(xiàng)一樣適用。(圖案(圖像)的形成〕圖案形成方案(1)中用于圖案形成中提供能量的方法沒(méi)有特別限制，只要是在基板表面上生成活性點(diǎn)、與具有相互作用性基團(tuán)的化合物結(jié)合、提供能量的方法，可以使用任何一種，但是考慮成本、裝置的簡(jiǎn)易性，優(yōu)選照射活性光線的方法。作為圖案形成方法可以列舉有通過(guò)加熱、曝光等輻射線照射進(jìn)行寫入的方法。例如可以通過(guò)紅外線寧光、紫外線燈、可見(jiàn)光線等的光照射、Y線等的電子線照射、通過(guò)熱敏頭進(jìn)行熱記錄等。作為這些光源，例如有水銀燈、金屬鹵化物燈、氙燈、化學(xué)燈、碳弧燈等。作為放射線有電子射線、X線、離子束、遠(yuǎn)紅外線等。并且還可以使用g線、i線、Deep—UV光、高密度能量束(激光束)。作為一般使用的具體的提供能量方案，可以適合地列舉用熱記錄頭等直接圖像記錄、用紅外線激光掃描曝光、氙放電燈等高照度閃光曝光或紅外線燈曝光等。圖像曝光上照射活性光線時(shí)，也可以使用基于數(shù)字信號(hào)的掃描曝光、使用凹版膜圖案曝光的任何一種。進(jìn)行這樣的提供能量，在基板表面產(chǎn)生的活性點(diǎn)和具有聚合性基團(tuán)和相互作用性基團(tuán)的化合物聚合，形成由運(yùn)動(dòng)性高的接枝鏈構(gòu)成的接枝圖案。并且，作為優(yōu)選的方案，使用在末端和側(cè)鏈具有聚合性基團(tuán)的化合物，在與基板結(jié)合的接枝鏈側(cè)鏈的聚合性基團(tuán)上結(jié)合接枝鏈，形成具有分枝的接枝鏈結(jié)構(gòu)，接枝的形成密度、運(yùn)動(dòng)性同時(shí)飛躍地提高，發(fā)現(xiàn)與化學(xué)鍍的催化劑或其前體有更高的相互作用。<圖案形成方案(2)>圖案形成方案(2)是通過(guò)熱、酸或輻射線，使與金屬離子或金屬鹽相互作用的官能團(tuán)發(fā)生變化，或者在基板表面全面直接結(jié)合具有使該效果喪失的官能團(tuán)(極性變換基)的高分子化合物后，呈圖案狀提供熱、酸或輻射線，形成接枝圖案。本方案是基于圖案形成方案(1)的方案，圖案形成方案(1)中，在基板表面上呈圖案狀直接結(jié)合具有相互作用性基團(tuán)的化合物，形成圖案形成層(聚合物層)，但是本方案中是使用具有極性變換基的化合物，在基板表面全部上形成聚合物層后，呈圖案狀進(jìn)行熱、酸或輻射線的提供，提供能量的區(qū)域中的極性改變基團(tuán)變成相互作用性基團(tuán)，或者通過(guò)使該效果喪失，形成由具有相互作用性基團(tuán)的聚合物構(gòu)成圖案狀的聚合物層(圖案形成層)。下面說(shuō)明本方案中使用的極性變換基團(tuán)。本方案中的極性變換基團(tuán)有(A)通過(guò)熱或酸改變極性的類型，和(B)通過(guò)輻射線(光)改變極性的類型。另外，本發(fā)明中的"與化學(xué)鍍催化劑或其前體相互作用的官能團(tuán)"是指能附著后述的化學(xué)鍍催化劑或其前體的官能團(tuán)，沒(méi)有特別限制，但是一般為親水性基團(tuán)。((A)通過(guò)熱或酸改變極性的官能團(tuán))首先說(shuō)明(A)通過(guò)熱或酸改變極性的官能團(tuán)。作為(A)通過(guò)熱或酸改變極性類型的官能團(tuán)，可以列舉出有通過(guò)熱或酸從疏水性變成親水性的官能團(tuán)、和通過(guò)熱或酸從親水性變成疏水性的官能團(tuán)兩種。((A—1)通過(guò)熱或酸從疏水性變成親水性的官能團(tuán))(A—l)作為通過(guò)熱或酸從疏水性變成親水性的官能團(tuán)，可列舉有文獻(xiàn)記載的公知的官能團(tuán)。這些官能團(tuán)的有用的例子，可以列舉有特開平l0—282672號(hào)公報(bào)中記載的垸基磺酸酯、二砜、砜酰亞胺、用EP065248S、W092/9934中記載的烷氧基烷基酯、H.Ito等人著的高分子第2l巻。ppl477中記載的叔丁基酯、其他甲硅垸基酯、乙烯基酯等文獻(xiàn)記載的酸分解性基團(tuán)保護(hù)的碳酸酯等。另外，還可以列舉角岡正弘著的"表面"的第133巻(1995)，pp374記載的亞氨基磺酸酯基、角岡正弘著的PolymorPreprints,Japan第46巻(1997)第2045頁(yè)記載的e酮磺酸酯類、山岡亞夫著的特開昭63—257750號(hào)的硝基芐基磺酸酯化合物，但是不限于這些官能團(tuán)。它們中特別優(yōu)良的基團(tuán)是特開2001—117223公報(bào)中記載的通式(1)表示的仲烷基磺酸酯基、叔碳酸酯基和通式(2)表示的垸氧基烷基酯基，其中最優(yōu)選通式(1)表示的仲垸基磺酸酯基。下面示出特別優(yōu)選的官能團(tuán)的具體例子?；?<formula>formulaseeoriginaldocumentpage31</formula>((A—2)通過(guò)熱或酸從親水性改變成疏水性的官能團(tuán))本發(fā)明中，作為(A—2)通過(guò)熱或酸從親水性改變成疏水性的官能團(tuán)，可以列舉公知的官能團(tuán)，例如特開平10—296895號(hào)和美國(guó)專利第6，190，83O號(hào)中記載的含有鏠鹽基的聚合物，特別是含有銨鹽的聚合物。具體的，能列舉有(甲基)丙烯酰氧基垸基三甲基銨等。并且，適合列舉特開2001—117223公報(bào)中記載的通式(3)所示的碳酸基和碳酸鹽基，但是不特別限制于這些列舉。下面，示出特別優(yōu)選的官能團(tuán)的具體例?；?<formula>formulaseeoriginaldocumentpage32</formula>本發(fā)明中具有極性變換基團(tuán)的高分子化合物是具有上述的官能團(tuán)的單體的1種的均聚物，也可以是2種以上的共聚物。并且，在無(wú)損于本發(fā)明效果的范圍內(nèi)，可以是和其他單體的共聚物。下面示出(A—1)具有通過(guò)熱或酸從疏水性改變成親水性的官能團(tuán)的單體的具體例子?；?<formula>formulaseeoriginaldocumentpage33</formula>下面示出(A—2)具有通過(guò)熱或酸從親水性改變成疏水性的官能團(tuán)的單體的具體例子?；?<formula>formulaseeoriginaldocumentpage34</formula>(光熱轉(zhuǎn)換物質(zhì))在使用具有上述極性變換基團(tuán)的高分子化合物的圖案形成材料表面上形成接枝圖案時(shí)，只要提供的能量是IR激光等的光能量，為了將該光能量轉(zhuǎn)變?yōu)闊崮芰康墓鉄徂D(zhuǎn)換物質(zhì)優(yōu)選在圖案形成材料的任何之一中含有。作為事先含有光熱轉(zhuǎn)換物質(zhì)的部分，例如可以是圖案形成層、中間層、基材的任何之一，進(jìn)而在中間層和基材之間設(shè)置光熱轉(zhuǎn)換物質(zhì)層，也可以在此添加。作為可以使用的光熱轉(zhuǎn)換物質(zhì)，只要是吸收紫外線、可見(jiàn)光線、紅外線、白色光線等光能轉(zhuǎn)變成熱的物質(zhì)，都可以使用，例如可以列舉有碳黑、碳石墨、顏料、酞菁系顏料、鐵粉、石墨粉末、氧化鐵粉、氧化鉛、氧化銀、氧化鉻、硫化鐵、硫化鉻等。特別優(yōu)選在提供能量中使用的紅外線激光的曝光波長(zhǎng)從760nml200nm有極大吸收波長(zhǎng)的染料、顏料或金屬微粒。作為染料，可以利用市售的染料和文獻(xiàn)(例如"染料便覽"有機(jī)合成化學(xué)協(xié)會(huì)編集、昭和45年刊)中記載的公知產(chǎn)品。具體的能列舉有偶氮染料、金屬絡(luò)鹽偶氮染料、吡唑酮偶氮染料、蒽醌染料、酞菁染料、碳鎗染料、醌亞胺染料、次甲基染料、花青染料、金屬硫醇鹽配合物等的染料。作為優(yōu)選的染料，例如可以列舉有特開昭58—125246號(hào)、特開昭59—84356號(hào)、特開昭59—202829號(hào)、特開昭60—78787號(hào)等中記載的花青染料、特開昭58—173696號(hào)、特開昭58—181690號(hào)、特開昭58—194595號(hào)等中記載的次甲基染料、特開昭58—112793號(hào)、特開昭58—224793號(hào)、特開昭59—48187號(hào)、特開昭59—73996號(hào)、特開昭60—52940號(hào)、特開昭60—63744號(hào)等中記載的萘醌染料、特開昭58—112792號(hào)等中記載的角鯊?fù)殍€(^夕7UD々A)色素、英國(guó)專利434，875號(hào)記載的花青染料等。并且，美國(guó)專利第5，156，938號(hào)中記載的近紅外吸收增感劑也適合使用，并且美國(guó)專利第3，881，924號(hào)中記載的取代芳基苯并(硫代)吡喃鑰鹽、特開昭57—142645號(hào)(美國(guó)專利第4,327，169號(hào))中記載的三次甲基硫代吡喃鎗鹽、特開昭58—181051號(hào)、特開昭58—220143號(hào)、特開昭59—41363號(hào)、特開昭59—84248號(hào)、特開昭59—84249號(hào)、特開昭59—146063號(hào)、特開昭59—146061號(hào)中記載的吡喃鎗系化合物、特開昭59—216146號(hào)記載的花青素、美國(guó)專利第4，238，475號(hào)中記載的五次甲基硫代吡喃鑰鹽等或特公平5—13514號(hào)、特公平5—19702號(hào)公報(bào)中公開的吡喃鐵化合物也優(yōu)選使用。并且，作為優(yōu)選的其他染料的例子，可以列舉有美國(guó)專利第4，756，993號(hào)說(shuō)明書中作為式(I)、(II)記載的近紅外吸收染料。作為這些染料中特別優(yōu)選的能列舉有花青素、角鯊?fù)殍€色素、吡喃鎗鹽、鎳硫醇鹽配合物。作為使用的顏料，可以利用市售的顏料和顏色索引(C.I.)便覽、"最新顏料便覽"(日本顏料技術(shù)協(xié)會(huì)編、1977年刊)、"最新顏料應(yīng)用技術(shù)"(CMC出版、1986年刊)、"印刷墨水技術(shù)"(CMC出版、1984年刊)中記載的顏料。作為顏料的種類，可以列舉有黑色顏料、黃色顏料、橙色顏料、褐色顏料、紅色顏料、紫色顏料、藍(lán)色顏料、綠色顏料、熒光顏料、金屬粉末顏料、其他聚合物結(jié)合色素。具體的可以使用不溶性偶氮顏料、偶氮色淀顏料、縮合偶氮顏料、螯合偶氮顏料、酞菁系顏料、蒽醌系顏料、茈和《'J7^系顏料、硫靛系顏料、喹吖酮系顏料、二噁嗪系顏料、異二氫B引哚酮系顏料、醌酞酮系顏料、染上色淀的顏料、吖嗪顏料、亞硝基顏料、硝基顏料、天然顏料、熒光顏料、無(wú)機(jī)顏料、碳黑等。這些顏料中優(yōu)選碳黑。這些染料或顏料從敏感度合含有光熱轉(zhuǎn)換物質(zhì)的層的膜強(qiáng)度考慮，是含有光熱轉(zhuǎn)換物質(zhì)層的全部固體成分的0.0150重量％，優(yōu)選為O.110重量％，染料時(shí)特別優(yōu)選為0.510重量％,是顏料時(shí)特別優(yōu)選為3.110重量。Z的比例來(lái)使用。(酸產(chǎn)生物質(zhì))在使用具有上述極性變換基團(tuán)的高分子化合物的圖案形成材料表面形成接枝圖案時(shí)，為了提供極性轉(zhuǎn)換的酸，優(yōu)選事先在圖案形成材料的任何之一中含有酸產(chǎn)生物質(zhì)。作為含有酸產(chǎn)生物質(zhì)的部分，例如可以在圖案形成層、中間層、基材的任何之一中添加。作為酸產(chǎn)生物質(zhì)，是通過(guò)熱或光產(chǎn)生酸的化合物，一般能列舉有在光陽(yáng)離子聚合的光引發(fā)劑、光自由基聚合的光引發(fā)劑、色素類的光消色劑、光變色劑、微抗蝕劑等中使用的、通過(guò)公知的光產(chǎn)生酸的化合物及其混合物等，可以適宜選擇來(lái)使用。例女B，在S丄Schlesinger,Photogr.Sci.Eng.,18,387(1974);T.S.Baletal.，Polymor，21，423(1980)等中記載的重氮鎗鹽、特開平3—140140號(hào)公報(bào)等中記載的銨鹽、美國(guó)專利第4，069，055號(hào)說(shuō)明書等中記載的磷鹽、特開平2—150848號(hào)公報(bào)、特開平2—296514號(hào)公報(bào)等中記載的碘鎗鹽、J.V.Crivelloetal.,Polymor.J.，17,73(1985)、美國(guó)專利第3，902，114號(hào)的說(shuō)明書、歐州專利第233，567號(hào)說(shuō)明書、歐州專利第297，443號(hào)說(shuō)明書、歐州專利第297，442號(hào)說(shuō)明書、美國(guó)專利第4，933，377號(hào)說(shuō)明書、美國(guó)專利第4，491，628號(hào)說(shuō)明書、美國(guó)專利第5，041，358號(hào)說(shuō)明書、美國(guó)專利第4，760，013號(hào)說(shuō)明書、美國(guó)專利第4，734，444號(hào)說(shuō)明書、美國(guó)專利第2，833，827號(hào)說(shuō)明書、獨(dú)聯(lián)體專利第2，904，626號(hào)說(shuō)明書、獨(dú)聯(lián)體專利第3，604，580號(hào)說(shuō)明書、獨(dú)聯(lián)體專利第3，604，581號(hào)說(shuō)明書等中記載的锍鹽、J.V.Crivelloetal.，Macromolecules，10(6)，1307(1977)等中記載的硒鎗鹽、C.S.Wenetal.,The,Proc.Conf.Rad.CuringAsia,p478,Tokyo,Oct(1988)等中記載的鈿鹽等鑰鹽、特開昭63—298339號(hào)公報(bào)等中記載的有機(jī)鹵化物、特開平2—161445號(hào)公報(bào)等中記載的有機(jī)金屬/有機(jī)鹵化物、S.Hayaseetal.,J.PolymorSci.,25,753(1987)、特開昭60—198538號(hào)公報(bào)、特開昭53—133022號(hào)公報(bào)等中記載的具有鄰硝基芐基型保護(hù)基的光酸產(chǎn)生劑、特開昭64—18143號(hào)公報(bào)、特開平2—245756號(hào)公報(bào)、特開平3—140109號(hào)公報(bào)等中記載的亞胺基磺酸酯等代表的光分解產(chǎn)生磺酸的化合物、特開昭61—166544號(hào)公報(bào)等中記載的二砜化合物。這些酸產(chǎn)生物質(zhì)從敏感度和酸產(chǎn)生物質(zhì)含有層的膜強(qiáng)度考慮，含有酸產(chǎn)生物質(zhì)層的全部固體成分的0.0150重量％，優(yōu)選為O.130重量％的比例來(lái)使用。((B)通過(guò)光極性變化的官能團(tuán)〕即使極性變化的官能團(tuán)也是通過(guò)照射700nm以下的光改變其極性的基團(tuán)。通過(guò)這樣的(B)光極性變化的官能團(tuán)(極性變換基團(tuán)感應(yīng)700nm以下的光的極性變換基團(tuán))的特征是不通過(guò)在紅外線等長(zhǎng)波長(zhǎng)的曝光或熱，而通過(guò)照射特定波長(zhǎng)的光，直接地分解、開環(huán)或產(chǎn)生二聚化反應(yīng)，高敏感度地改變極性。下面說(shuō)明通過(guò)照射700nm以下的光而改變極性的官能團(tuán)。(B)通過(guò)光改變極性類型的官能團(tuán)中，有(B—1)通過(guò)光從疏水性變成親水性的官能團(tuán)，和(B—2)通過(guò)光從親水性變成疏水性的官能團(tuán)兩種。((B—1)通過(guò)光從疏水性變成親水性的官能團(tuán))作為(B—1)通過(guò)光從疏水性變成親水性的官能團(tuán)，例如能列舉有特開2003—222972公報(bào)中記載的通式(1)(4)、禾口(7)(9)表示的官能團(tuán)。((B—2)通過(guò)光從親水性變成疏水性的官能團(tuán))作為(B—2)通過(guò)光從親水性變成疏水性的官能團(tuán)，例如能列舉有雙吡啶并乙烯基。(基板〕在圖案形成方案(2)中使用的基板具有這樣的基板表面，其具有極性變換基團(tuán)的高分子化合物的末端直接或通過(guò)干高分子化合物化學(xué)鍵合的表面接枝層，與該高分子化合物的末端直接或通過(guò)干高分子化合物能化學(xué)鍵合的基板表面。如上所述，可以是基板的表面本身具有這樣的特性，也可以使用具有這樣特性的中間層設(shè)置在基材表面來(lái)作為基板。(基板表面)這樣的基板表面只要是具有適合接枝合成上述表面接枝層的特性，可以是無(wú)機(jī)層、有機(jī)層的任何之一。并且，本方案中，因?yàn)橛杀拥母叻肿踊衔飿?gòu)成的圖案形成層來(lái)發(fā)現(xiàn)親疏水性的變化，表面的極性沒(méi)有問(wèn)題，親水性和疏水性都行。中間層中，特別在通過(guò)光接枝聚合法、等離子體照射接枝聚合法、放射線照射接枝聚合法合成本方案的薄層聚合物時(shí)，優(yōu)選具有有機(jī)表面的層，特別優(yōu)選有機(jī)聚合物的層。另外作為有機(jī)聚合物，能使用環(huán)氧樹脂、丙烯酸樹脂、氨基甲酸酯樹脂、苯酚樹脂、苯乙烯系樹脂、乙烯系樹脂、聚酯樹脂、聚酰胺系樹脂、三聚氰胺系樹脂、福爾馬林樹脂等合成樹脂、膠、酪蛋白、纖維素、淀粉等天然樹脂中的任何一種，但是因?yàn)楣饨又酆戏?、等離子體照射接枝聚合法、放射線照射接枝聚合法等中，接枝聚合的開始是從有機(jī)聚合物的拔氫開始進(jìn)行的，使用容易拔氫的聚合物，特別是丙烯酸樹脂、氨基甲酸酯樹脂、苯乙烯系樹脂、乙烯系樹脂、聚酯樹脂、聚酰胺系樹脂、環(huán)氧樹脂等從制造適應(yīng)性考慮特別優(yōu)選。這樣的中間層也可以兼作上述的基材，或者根據(jù)需要在基材上設(shè)置的中間層也沒(méi)關(guān)系。本方案中，為了使基板的表面凹凸控制在500nm以下，基板只是由樹脂薄膜等基板構(gòu)成時(shí)，基材即基板本身的表面或基材表面上設(shè)置中間層制成基板時(shí)，其中間層表面的表面凹凸優(yōu)選調(diào)整到500nm以下?；宓谋砻姘纪挂?yàn)槭窃?0Onm以下，作為材料選擇平滑性優(yōu)良的樹脂基材，同時(shí)形成中間層時(shí)，中間層的膜厚均勻性高是好的。(產(chǎn)生聚合引發(fā)能的層〕圖案形成方案(2)中，作為在上述基板表面上提供能量產(chǎn)生聚合引發(fā)能的化合物，從有效地產(chǎn)生活性點(diǎn)，提高圖案形成敏感度考慮，優(yōu)選添加聚合性化合物和聚合引發(fā)劑，形成作為中間層(基板)表面的產(chǎn)生聚合引發(fā)能的層。產(chǎn)生聚合引發(fā)能的層(以下適宜地稱為聚合性層)可以在能溶解必要成分的溶劑中溶解它們，用涂布等方法在基板表面上設(shè)置，通過(guò)加熱或光照射來(lái)固化膜形成。作為圖案形成方案(2)中適用的產(chǎn)生聚合引發(fā)能的層，和上述金屬膜形成方法(1)的(a1)工序中說(shuō)明的事項(xiàng)相同。(基材)作為圖案形成方案(2)中適用的基材，和上述金屬膜形成方法(1)的(a1)工序中說(shuō)明的事項(xiàng)相同?！矆D案(圖像)的形成)圖案形成方案(2)中的圖案形成可以通過(guò)光等輻射線的照射或加熱來(lái)進(jìn)行。并且，作為光照射的一個(gè)方案，只要是并用上述光熱轉(zhuǎn)換物質(zhì)的類型，可以通過(guò)紅外線區(qū)域的激光等掃描曝光、加熱來(lái)形成圖案。作為圖案形成方法，可列舉有通過(guò)加熱、曝光等輻射線照射進(jìn)行寫入的方法。例如能通過(guò)紅外線激光、紫外線燈、可見(jiàn)光線等的光照射、Y線等的電子射線照射、通過(guò)感熱頭記錄熱等。作為這些光源，例如有水銀燈、金屬鹵素?zé)簟㈦療?、化學(xué)燈、碳弧燈等。作為放射線有電子射線、X線、離子束、遠(yuǎn)紅外線等。還可以使用g線、i線、Deep—UV光、高密度能量束(激光束)。作為一般使用的具體方案，適合列舉用熱記錄頭等直接成像記錄、用紅外線激光掃描曝光、氙放電燈等高照度閃光曝光或紅外線燈曝光等。使用對(duì)700nm以下的光有感應(yīng)的極性改變基團(tuán)時(shí)，只要是在圖案形成層內(nèi)中產(chǎn)生極性變化，即上述極性變換基團(tuán)分解、開環(huán)或二聚合化，改變親疏水性，可以使用任何一種光照射的手段。例如能使用通過(guò)紫外線燈、可見(jiàn)光線等的光照射。作為這些光源，例如可列舉有水銀燈、金屬鹵素?zé)?、氙燈、化學(xué)燈、碳弧燈等。為了根據(jù)計(jì)算機(jī)的數(shù)字信息進(jìn)行直接圖案形成，優(yōu)選是通過(guò)激光曝光改變極性的方法。作為激光，能使用C(V激光、氮?dú)饧す?、Ar激光、He/Ne激光、He/Cd激光、Kr激光等氣體激光、液體(色素)激光、紅寶石激光、Nd/YAG激光等固體激光、GaAs/GaAlAs、InGaAs激光等半導(dǎo)體激光、KrF激光、XeCl激光、XeF激光、Ai"2等準(zhǔn)分子激光等。<圖案形成方案(3)〉圖案形成方案(3)是在基板上設(shè)置含有光熱轉(zhuǎn)換物質(zhì)和粘合劑的感光層(下面稱圖案形成方案(3)的這樣的感光層為"磨削層")和在該感光層表面全面上直接結(jié)合具有相互作用性基團(tuán)的高分子化合物的層，成圖像狀照射輻射線，形成接枝圖案?！哺泄鈱?磨削層))圖案形成方案(3)中磨削層從有效地產(chǎn)生活性點(diǎn)、提高圖案形成敏感度考慮，具有與在基板上設(shè)置的能產(chǎn)生聚合引發(fā)能的層相同的功能。這樣的磨削層必須含有后述的光熱轉(zhuǎn)換物質(zhì)和粘合劑，也可以根據(jù)需要含有其他添加劑。另外，本方案中，照射的激光光等輻射線是被光熱轉(zhuǎn)換物質(zhì)吸收轉(zhuǎn)化成熱，引起感光層的磨耗，伴隨著磨削層的除去(溶融、分解、揮發(fā)、燃燒、等)，通過(guò)除去后述的相互作用性層的除去，在基板表面選擇性地形成相互作用性區(qū)域。并且，本方案中，在磨削層中通過(guò)提供能量，添加作為可以產(chǎn)生聚合引發(fā)能的化合物的聚合性化合物和聚合引發(fā)劑，該磨削層作為產(chǎn)生聚合引發(fā)能的層來(lái)形成，其從在磨削層表面有效產(chǎn)生活性點(diǎn)，提高圖案形成敏感度考慮是優(yōu)選。上述磨削層作為產(chǎn)生聚合引發(fā)能的層形成中，可以在溶解必要成分的溶劑中溶解它們，采用涂布等方法設(shè)置在基板表面上，也可以通過(guò)加熱或光照射固化膜。下面，說(shuō)明上述磨削層中含有的成分。(粘合劑)圖案形成方案(3)中的粘合劑是為了提高涂膜性、膜強(qiáng)度和磨削效果而使用的物質(zhì)，考慮與光熱轉(zhuǎn)換物質(zhì)的相溶性或光熱轉(zhuǎn)換物質(zhì)的分散性來(lái)適當(dāng)選擇。作為上述粘合劑，例如可以使用(甲基)丙烯酸或衣康酸等不飽和酸，和(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸苯基酯、(甲基)丙烯酸芐基酯、苯乙烯、Cl一甲基苯乙烯等的共聚物；聚甲基丙烯酸甲酯為代表的甲基丙烯酸烷基酯或丙烯酸烷基酯的聚合物；(甲基)丙烯酸垸基酯和丙烯腈、氯乙烯、偏氯乙烯、苯乙烯等的共聚物；丙烯腈和氯乙烯或偏氯乙烯的共聚物；在側(cè)鏈具有羧基的纖維素改性物；聚環(huán)氧乙垸；聚乙烯基吡咯垸酮；苯酚、鄰一、間一、對(duì)一甲酚、和/或二甲苯酚和醛、丙酮等通過(guò)縮合反應(yīng)獲得的酚醛樹脂；環(huán)氧氯丙烷和雙酚A的聚醚；可溶性尼龍；聚偏氯乙烯；氯化聚烯烴；氯乙烯和醋酸乙烯的共聚物；醋酸乙烯的聚合物；丙烯腈和苯乙烯的共聚物；丙烯腈和丁二烯、苯乙烯的共聚物；聚乙烯基烷基醚；聚乙烯基烷基酮；聚苯乙烯；聚氨基甲酸酯；聚對(duì)苯二甲酸乙二酯異酞酸酯；乙?；w維素；乙?；趸w維素；乙?；⊙趸w維素；硝基纖維素；賽璐珞；聚乙烯醇縮丁醛；環(huán)氧樹脂；三聚氰胺樹脂；福爾馬林樹脂等。另外，本說(shuō)明書中指"丙烯酸、甲基丙烯酸"兩者或任何之一時(shí)，用"(甲基)丙烯酸"來(lái)表示。上述粘合劑在磨削層中的含量在全部磨削層固體成分中，優(yōu)選為595重量%，進(jìn)一步優(yōu)選為1090重量％，更優(yōu)選為2080重量％。(聚合性化合物)作為和上述粘合劑并用的聚合性化合物，只要是與基板的粘合性是良好的，且通過(guò)活性光線照射等提供能量，只要是可以加成具有后述的聚合性基團(tuán)和相互作用性基團(tuán)的化合物獲得的產(chǎn)品，沒(méi)有特別的限制，其中優(yōu)選在分子內(nèi)具有聚合性基團(tuán)的疏水性聚合物。作為上述聚合性化合物，上述粘合劑可以是兼作此化合物，也可以是和上述粘合劑不同的化合物。具體的有聚丁二烯、聚異戊二烯、聚戊二烯等二烯系均聚物、(甲基)丙烯酸烯丙基酯、2—烯丙基氧代乙基甲基丙烯酸酯等含有烯丙基單體的均聚物；進(jìn)而，以上述聚丁二烯、聚異戊二烯、聚戊二烯等二烯系單體或含有烯丙基單體作為結(jié)構(gòu)單位、與苯乙烯、(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯腈等的二元或多元共聚物；不飽和聚酯、不飽和聚環(huán)氧化物、不飽和聚酰胺、不飽和聚丙烯酸、高密度聚乙烯等在分子中具有碳一碳雙鍵的線狀高分子或立體高分子類等。在粘合劑中添加上述聚合性化合物時(shí)的含量在全部磨削層固體成分中，優(yōu)選為595重量％的范圍，特別優(yōu)選2080重量％的范圍。(聚合引發(fā)劑)作為聚合引發(fā)劑，可以原樣使用在圖案形成方案(1)的具有聚合引發(fā)能的層中使用的聚合引發(fā)劑。聚合引發(fā)劑的含量在磨削層中優(yōu)選以固體成分計(jì)為0.170重量％的范圍，特別優(yōu)選140重量％的范圍。(光熱轉(zhuǎn)換物質(zhì))作為圖案形成方案(3)中的光熱轉(zhuǎn)換物質(zhì)，只要是吸收紫外線、可見(jiàn)光線、紅外線、白色光線等光轉(zhuǎn)變成熱的物質(zhì)，全都能使用，更詳細(xì)的，可以使用和上述圖案形成方案(1)中記載的光熱轉(zhuǎn)換物質(zhì)同樣的染料和顏料。使用的染料或顏料從敏感度和光熱轉(zhuǎn)換物質(zhì)含有層的膜強(qiáng)度考慮，為磨削層全部固體成分的0.0150重量％，優(yōu)選為0.l10重量％，染料時(shí)特別優(yōu)選為0.510重量％，顏料時(shí)特別優(yōu)選以3.110重量％的比例使用。(其他添加劑)本方案中，以提高磨削效果為目的，優(yōu)選在磨削層中進(jìn)一步含有硝基纖維素。硝基纖維素通過(guò)光吸收劑吸收近紅外激光，由產(chǎn)生的熱而分解，可以更有效率地產(chǎn)生低分子氣體，促進(jìn)磨削層的去除?！材ハ鲗拥男纬伞衬ハ鲗涌梢栽诨迳贤坎寄苋芙馍鲜龀煞值倪m當(dāng)?shù)娜軇﹣?lái)設(shè)置。并且，涂布磨削層時(shí)使用的溶劑只要是能溶解光熱轉(zhuǎn)換物質(zhì)、粘合劑等上述各成分的制品，沒(méi)有特別限制。從容易干燥、可操作性的觀點(diǎn)考慮，優(yōu)選沸點(diǎn)不太高的溶劑，具體的可以選擇沸點(diǎn)為4(TC150'C左右的溶劑。作為在基板上形成磨削層時(shí)的涂布量，優(yōu)選干燥后的重量為0.0510g/m2，更優(yōu)選為0.35g/m2。圖案形成方案(3)中，通過(guò)在基板表面上涂布上述磨削層形成用的組合物等來(lái)配置，通過(guò)除去溶劑，成膜，形成磨削層，但是此時(shí)優(yōu)選進(jìn)行加熱和/或光照射來(lái)固化膜。特別是如果通過(guò)加熱干燥后，進(jìn)行光照射，預(yù)先固化膜的話，則因?yàn)轭A(yù)先進(jìn)行聚合性化合物的某種程度的固化，在磨削層上接枝具有聚合性基團(tuán)和相互作用性基團(tuán)的化合物后，能有效地抑制磨削層的脫落，因而是優(yōu)選的。這里，預(yù)先固化中利用光照射，因而和圖案形成方案(1)中的光聚合引發(fā)劑項(xiàng)目中所述的理由相同。加熱溫度和時(shí)間可以選擇涂布溶劑能充分干燥的條件，但是從適合制造考慮，優(yōu)選溫度為l0OT以下、干燥時(shí)間為3O分鐘以內(nèi)，更優(yōu)選干燥溫度為408(TC、干燥時(shí)間為lO分鐘以內(nèi)的范圍的加熱條件。加熱干燥后根據(jù)期望進(jìn)行的光照射可以使用在后述的圖案形成中使用的光源。該光照射從不妨礙連續(xù)進(jìn)行接枝圖案的形成、通過(guò)提供能量實(shí)施的磨削層的活性點(diǎn)與接枝鏈的結(jié)合形成考慮，優(yōu)選在磨削層中存在的聚合性化合物部分自由基聚合，而不是完全自由基聚合的程度。在光照射時(shí)間中根據(jù)光源的強(qiáng)度而不同，一般優(yōu)選為30分鐘以內(nèi)。這樣的預(yù)先固化的目標(biāo)是在溶劑洗浄后的膜殘存率為10%以上，且預(yù)先固化后的引發(fā)劑殘存率為1%以上。(相互作用性層〕圖案形成方案(3)中，在上述磨削層上直接化學(xué)結(jié)合具有相互作用性基團(tuán)的高分子化合物，形成相互作用性層。并且，本方案中，包括在磨削層表面上直接結(jié)合接枝聚合物，以及通過(guò)磨削層表面上配置的干高分子化合物結(jié)合的任何一種。本方案中的接枝聚合物的特征是聚合物的末端結(jié)合在磨削層表面上，不限制發(fā)生相互作用性的聚合物部分的運(yùn)動(dòng)性，能保持高的運(yùn)動(dòng)性。因此，考慮發(fā)生與化學(xué)鍍催化劑或其前體具有優(yōu)良的相互作用性的產(chǎn)品。這樣的接枝聚合物鏈的分子量在Mw50050O萬(wàn)的范圍，優(yōu)選為分子量為Mwl000100萬(wàn)的范圍，更優(yōu)選為Mw2000100萬(wàn)的范圍。并且，本方案中，接枝聚合物鏈結(jié)合到直接磨削層表面上稱為"表面接枝"。作為"表面接枝"的形成方法，可以使用上述的"表面接枝聚合"的形成方法。(具有聚合性基團(tuán)和相互作用性基團(tuán)的化合物)作為適合用于本方案中的具有聚合性基團(tuán)和相互作用性基團(tuán)的化合物，可以使用和上述圖案形成方案(2)中使用的具有聚合性基團(tuán)和相互作用性基團(tuán)的化合物相同的產(chǎn)品。另外，也可以使用與在含有具有聚合性基團(tuán)和相互作用性基團(tuán)的化合物的組合物中使用的溶劑、添加劑等相同的產(chǎn)品。〔基板〕圖案形成方案(3)中使用的基板是尺寸穩(wěn)定的板狀物，優(yōu)選表面凹凸為500nm以下，具體的，可以和之前在金屬膜形成方法(1)的(a1)工序中列舉的基板、構(gòu)成它的基材、中間層等相同的制品?！矆D案(畫像)的形成〕本方案中的圖案形成機(jī)理是通過(guò)呈圖像狀照射輻射線，產(chǎn)生磨耗，通過(guò)除去形成相互作用性表面的感光層，露出不具有相互作用性的基板，形成相互作用性區(qū)域(圖案)。作為圖案的形成方法，可以列舉有通過(guò)加熱、曝光等輻射線照射進(jìn)行寫入的方法。例如，有通過(guò)紅外線激光、紫外線燈、可見(jiàn)光線等的光照射、Y線等的電子線照射、熱敏頭的熱記錄等。作為這些光源，例如有水銀燈、金屬鹵素?zé)?、氙燈、化學(xué)燈、碳弧燈等。作為放射線還有電子線、X線、離子束、遠(yuǎn)紅外線等。還可以使用g線、i線、Deep—UV光、高密度能量束(激光束)。作為一般使用的具體方案，適合列舉有由熱記錄頭等的直接成像記錄、通過(guò)紅外線激光的掃描曝光、氤放電燈等的高照度閃光曝光或紅外線燈曝光等。為了根據(jù)計(jì)算機(jī)的數(shù)字信息進(jìn)行直接圖案形成，優(yōu)選通過(guò)激光曝光產(chǎn)生磨削的方法。作為激光能使用C02激光、氮?dú)饧す狻r激光、He/Ne激光、He/Cd激光、Kr激光等氣體激光、液體(色素)激光、紅寶石激光、Nd/YAG激光等固體激光、GaAs/GaAlAs、InGaAs激光等半導(dǎo)體激光、KrF激光、XeCl激光、XeF激光、Ar2等準(zhǔn)分子激光等。其中，通過(guò)放射波長(zhǎng)7001200nm的紅外線的半導(dǎo)體激光、YAG激光等的固體高輸出紅外線激光的曝光是適合的。((e2)工序(e4)工序〕金屬圖案形成方法(3)中的(e2)工序(e4)工序分別和上述金屬膜形成方法(1)中的(a2)工序(a4)工序相同，優(yōu)選方案也相同。[金屬圖案形成方法(4)]本發(fā)明的金屬圖案形成方法的第4方案的特征在于具有下列工序(f1)在基板上以圖案狀設(shè)置由具有與金屬膠體相互作用的官能團(tuán)，且與該基板直接化學(xué)鍵合的聚合物構(gòu)成的聚合物層的工序，(f2)在上述聚合物層上提供金屬膠體，形成表面電阻率為10100kQ/口的導(dǎo)電層的工序，禾卩(f3)通過(guò)電鍍，形成表面電阻率為1X10—/口以下的圖案狀導(dǎo)電層的工序。艮口，金屬圖案形成方法(4)是代替上述金屬圖案形成方法(3)中的(e2)工序和(e3)工序，進(jìn)行在聚合物層上提供金屬膠體，形成表面電阻率為10100kQ/口的導(dǎo)電層的(f2)工序。((a6)工序〕金屬圖案形成方法(4)中的(f1)工序和上述金屬膜形成方法(1)中的(a1)工序相同，優(yōu)選方案也相同。((f2)工序)(f2)工序中，在由上述(f1)工序形成的聚合物層上提供金屬膠體，形成表面電阻率為10100kQ/口的導(dǎo)電層。金屬圖案形成方法(4)中的(f2)工序和上述金屬膜形成方法(2)中的(b2)工序相同，優(yōu)選方案也相同?！?f3)工序〕金屬圖案形成方法(4)中的(f3)工序和上述金屬膜形成方法(1)中的(a4)工序相同，優(yōu)選方案也相同。[金屬膜和金屬圖案]通過(guò)本發(fā)明獲得的金屬膜和金屬圖案優(yōu)選表面的凹凸為500nm以下，更優(yōu)選為在表面的凹凸為l00nm以下的基板的全面或局部上設(shè)置金屬膜的產(chǎn)品。并且，該基板和該金屬膜的粘合性優(yōu)選為0.2kN/m以上。g卩，具有基板表面平滑，且基板與金屬膜的粘合性優(yōu)良的特征。更詳細(xì)的，通過(guò)本發(fā)明獲得的金屬膜和金屬圖案(下面有僅將兩者總稱為"金屬膜"的情況。)是在表面凹凸為500nm以下、優(yōu)選為100nm以下的基板上設(shè)置具有相互作用性的、與該基板直接化學(xué)鍵合的聚合物構(gòu)成的聚合物層，在該聚合物層上提供金屬離子或金屬鹽后，還原析出金屬后，或在該聚合物層上提供金屬膠體后，進(jìn)行電鍍來(lái)形成，該基板和該金屬膜的粘合性優(yōu)選為0.2kN/m以上。并且，表面的凹凸是通過(guò)相對(duì)于基板表面垂直切斷基板或形成后的金屬膜，通過(guò)SEM觀察其斷面測(cè)定的值。更詳細(xì)的說(shuō)，基于JISB0601測(cè)定的Rz、即"指定面中從最大到第5大的峰頂Z數(shù)據(jù)的平均值和從最小到第5小的谷底的平均值之差"必須在500nm以下。并且，基板與金屬膜的粘合性的值是在金屬膜表面上用環(huán)氧系接合劑(環(huán)氧樹脂，千"力M年'一制造)接合銅板(厚度0.lmm)，在l40。C下干燥4小時(shí)后，基于JISC648l進(jìn)行9O度剝離實(shí)驗(yàn)，或直接剝離金屬膜本身的端部，基于JISC6481進(jìn)行9O度剝離實(shí)驗(yàn)獲得的值。一般的金屬膜中，基板表面的凹凸、即與金屬膜界面的凹凸在500nm以下，可以獲得高頻特性優(yōu)良的金屬膜。然而，目前的金屬膜基板表面的凹凸減少的話，則基板與金屬膜的粘合性會(huì)低下，因此采取通過(guò)各種方法將基板表面粗面化，在其上設(shè)置金屬膜的方法。因此，目前的金屬膜上的界面凹凸一般為1000nm以上。但是，本發(fā)明中獲得的金屬膜即使使用基板表面凹凸小的制品，因?yàn)榕c在基板上直接化學(xué)鍵合的接枝聚合物處于混雜狀態(tài)，獲得的金屬膜(無(wú)機(jī)成分)和聚合物層(有機(jī)成分)的界面上的凹凸小，且能維持優(yōu)良的粘合性。通過(guò)本發(fā)明獲得的金屬膜優(yōu)選表面凹凸為500nm以下的基板，但是關(guān)于表面凹凸，更優(yōu)選為300nm以下，進(jìn)一步優(yōu)選為100nm以下，最優(yōu)選為50nm以下。下限值沒(méi)有特別限制，從容易制造等實(shí)用觀點(diǎn)考慮為5nm左右。并且，通過(guò)本發(fā)明獲得的金屬膜用作金屬配線時(shí)，表面凹凸越小，形成金屬配線的金屬和有機(jī)材料的界面凹凸越小，高頻送電時(shí)的電損失越少，是優(yōu)選的。如之前所述，基于JISB0601規(guī)定的10點(diǎn)平均粗糙度(Rz)的值，基板表面凹凸為500nm以下，優(yōu)選為300nm以下，更優(yōu)選為100nm以下，最優(yōu)選為50nm以下。這樣的平滑的基板可以選擇樹脂基板等其本身平滑的產(chǎn)品，并且對(duì)表面凹凸較大的產(chǎn)品，可以設(shè)置上述中間層，將表面凹凸調(diào)整到優(yōu)選的范圍內(nèi)。另外，根據(jù)本發(fā)明獲得的金屬膜其基板與金屬膜的粘合性為0.2kN/m以上，優(yōu)選為0.3kN/m以上，特別優(yōu)選為0.7kN/m以上。這里上述粘合性數(shù)值沒(méi)有上限，但是從常識(shí)的范圍而言，為0.22.0kN/m左右。另外，目前的金屬圖案中基板和金屬膜的粘合性一般為0.23.0kN/m左右?？紤]此，本發(fā)明的金屬膜明顯在實(shí)用上具有充分的粘合性。這樣，本發(fā)明的金屬圖案可以維持基板和金屬膜的粘合性，并且在基板側(cè)的界面中的凹凸保留在最小限度內(nèi)。通過(guò)本發(fā)明的金屬膜形成方法(1)和(2)獲得的金屬膜例如作為抗電磁波膜等，并且通過(guò)蝕刻金屬膜使其圖案化時(shí)，可以適用于半導(dǎo)體芯片、各種裝配電路板、FPC、COF、TAB、無(wú)線電天線、多層配線基板、母版等各種用途中。另外，通過(guò)金屬圖案形成方法(1)(4)獲得的金屬圖案也可以適用于上述各種用途。[實(shí)施例]下面通過(guò)實(shí)施例來(lái)詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明，但是本發(fā)明不限于這些實(shí)施例。[實(shí)施例l](基板的制備)將聚酰亞胺薄膜(制品名力-卜>、東^于'-求>社制)用作基材，在其表面上使用18號(hào)棒涂布器(rodbai'口'7卜"、一)涂布下述光聚合性組合物，在80'C下干燥2分鐘，形成膜厚6ym的中間層。然后，在帶有上述中間層的基材上使用40OW的高壓水銀燈(型號(hào)UVL一400P，理工科學(xué)產(chǎn)業(yè)公司制造)，照射l0分鐘的光，制備基板A。<中間層涂布液>甲基丙烯酸烯丙酯/甲基丙烯酸共聚物2g(共聚合摩爾比80/20、平均分子量l0萬(wàn))'環(huán)氧乙烷改性雙酚A二丙烯酸酯4g(IR125和光純藥劑)1一羥基環(huán)己基苯基酮1.6g.1—甲氧基一2_丙醇16g(接枝層的形成)在制備的基板A的表面上使用弁6棒涂布器(rodbar口7卜""一)涂布丙烯酸，以l5nm厚度的PP薄膜層壓涂布面。進(jìn)而從上面照射UV光(40OW高壓水銀燈UVL—400P、理工科學(xué)產(chǎn)業(yè)公司制造，照射時(shí)間30秒)。光照射后，去除掩膜和層壓薄膜，通過(guò)水洗獲得接枝了聚丙烯酸的接枝材料B。(導(dǎo)電層的形成)在O.1重量％的硝酸鈀(和光純藥制造)水溶液中浸漬接枝形成材料B1小時(shí)后，用蒸餾水清洗。然后在0.2MNaBH,水溶液中浸漬20分鐘，還原成0價(jià)的鈀。用4點(diǎn)式表面電阻計(jì)測(cè)定該材料的表面電阻，為50Q/□。對(duì)該材料在下述的電鍍液中以0.5mA/cm2的電流量電鍍l0分鐘，然后以3OmA/cm2的電流量電鍍l5分鐘。電鍍后的表面電阻為0.02Q/□。如上所述，形成實(shí)施例l的金屬膜。<電鍍液的組成>*硫酸銅38g*硫酸95g-鹽酸lmL'添加劑coppergleamST901(>少f、;/夕X公司制)3mL'水500g(接枝層的制造)在與實(shí)施例1同樣制造的基板A上，使用旋涂器涂布由下述組成構(gòu)成的聚合物Pl涂布液。并且，獲得膜的膜厚為O.8um。<涂布液的組成>'親水性聚合物P1(合成方法如下所示)0.25g'水5g*乙腈3g〈親水性聚合物P1的合成方法〉在300g的DMAc中溶解l8g聚丙烯酸(平均分子量25000)，添加0.41g氫醌和19.4g的2-甲基丙烯酰氧基乙基異氰酸酯、0.25g二丁基錫二月桂酸酯，在65'C下反應(yīng)4小時(shí)。得到的聚合物的酸值為7.02meq/g。用1mo1/L的氫氧化鈉水溶液中和羧基，加入到乙酸乙酯中，沉淀聚合物，可以更好地清洗親水性聚合物。對(duì)獲得的膜使用400W低壓水銀燈曝光l分鐘。然后用水清洗得到的膜，得到曝光部變成親水性的接枝材料C。(導(dǎo)電層的形成)在1重量％的硝酸銀(和光純藥制)水溶液中浸漬獲得的接枝材料ClO分鐘后，用蒸餾水清洗。然后，在O.2M的NaBH,水溶液中浸漬20分鐘，還原成金屬銀。用4點(diǎn)式表面電阻計(jì)測(cè)定該材料的表面電阻，為100Q/□。對(duì)該材料用與上述實(shí)施例1一樣的電鍍液以1mA/cm2的電流量電鍍10分鐘，然后以30mA/c1112的電流量電鍍15分鐘。電鍍后的表面電阻為0.02Q/□。如上所述形成實(shí)施例2的金屬膜。[實(shí)施例3](接枝形成材料的制造)在丙烯酸叔丁基酯溶液(30重量％，溶劑丙二醇單甲基醚(MFG))中浸漬和實(shí)施例1同樣的制造的基板A，在氬氣氛圍下使用4Q0W高壓水銀燈曝光30分鐘。光照射后獲得的薄膜用丙二醇單甲基醚(MFG)好好清洗，獲得接枝了聚丙烯酸叔丁基酯的接枝形成材料E。(接枝層的形成)在獲得的接枝形成材料E上涂布下述組成的溶液。并且，聚丙烯酸叔丁基酯膜的膜厚為0.5nm。'三苯基锍三氟化碳鹽(triflate卜U7，一卜)0.05g-甲乙酮(MEK)1g接著，在獲得的膜上使用400W高壓水銀燈曝光l分鐘，在9(TC下加熱2分鐘后。然后用甲乙酮(MEK)清洗獲得的膜，曝光部的官能團(tuán)變成吸附性基團(tuán)(相互作用性基團(tuán))，形成接枝材料E。(導(dǎo)電層的形成)將形成的接枝材料E浸漬在由下述方法制造的分散了具有正電荷的Ag膠體粒子的液體中l(wèi)小時(shí)后，用蒸餾水清洗。然后在和實(shí)施例1同樣的電鍍液中進(jìn)行和實(shí)施例l同樣的電鍍。〈具有正電荷的Ag膠體粒子的合成方法〉在50m1過(guò)氯酸銀的乙醇溶液(5mM)中加入3g雙(1，1-三甲基銨癸?；被一?二硫化物，邊劇烈攪拌，邊緩慢滴加30m1氫化硼鈉溶液(0.4M)，還原離子，獲得用季胺鹽包覆的銀粒子的分散液。對(duì)該材料用上述的電鍍液以0.3mA/cm2的電流量電鍍l0分鐘，然后以30mA/cm2的電流量電鍍l5分鐘，得到金屬膜。電鍍后的表面電阻為0.02Q/□。(接枝膜的作制)和實(shí)施例2—樣，在基板A上制造涂布聚合物Pl的膜。獲得的膜使用400W低壓水銀燈，對(duì)整個(gè)表面曝光l分鐘。然后用水清洗膜，得到全面變成親水性的接枝材料F。(導(dǎo)電層的形成)在5重量％的硫酸銅(和光純藥制)水溶液中浸漬lO分鐘獲得的接枝材料F后，用蒸餾水清洗。然后，在0.2MNaBH,水溶液中浸漬20分鐘，還原成金屬銅。使用4點(diǎn)式表面電阻計(jì)測(cè)定該材料的表面電阻，為20Q/□。(金屬圖案的形成)在如上所述的形成導(dǎo)電層的材料上層壓干膜抗蝕劑(120'C，線速1分/m，0.5Pa)，在得到的膜上使用$力卄公司制造的7》夕7，4于一，對(duì)線寬和空間寬度為L(zhǎng)/S=5"m/25um的圖案、L/S=10ixm/20nm的圖案和3cmX6cm間隔部分(《夕部)進(jìn)行曝光。曝光后用1%NaC03浴顯影，得到抗蝕劑圖案。對(duì)該材料用和實(shí)施例1一樣的電鍍液以0.5mA/cm2的電流量電鍍l0分鐘，然后以3OmA/cm2的電流量電鍍l5分鐘，得到金屬薄膜圖案。電鍍后的表面電阻為0.02Q/□。用1%Na0H浴在50。C下剝離抗蝕劑后，用^》f'7夕義公司制造的柔性蝕刻液稀釋l0倍的液體在40'C下處理20分鐘，除去用抗蝕劑覆蓋部分的導(dǎo)電層。如上所述形成實(shí)施例4的金屬圖案。(評(píng)價(jià)〕1.金屬膜的膜厚測(cè)定在實(shí)施例14中獲得的金屬膜使用切片機(jī)相對(duì)應(yīng)基板平面垂直切斷，通過(guò)SEM觀察斷面，測(cè)定形成的金屬膜的厚度。測(cè)定是基于一個(gè)樣品，測(cè)定3點(diǎn)的平均來(lái)表示。測(cè)定結(jié)果如下述表l所示。2.基板界面的凹凸評(píng)價(jià)實(shí)施例14中獲得的金屬膜使用切片機(jī)相對(duì)應(yīng)基板平面垂直切斷，通過(guò)SEM觀察斷面時(shí)，能確認(rèn)基板界面的凹凸。接著，在該基板界面上對(duì)一個(gè)樣品隨機(jī)取3點(diǎn)作為觀測(cè)點(diǎn)，各觀測(cè)點(diǎn)的最大高度和最低谷深之差作為凹凸的大小，求得3點(diǎn)的平均值。測(cè)定結(jié)果示于下述表l中。02153.粘合性的評(píng)價(jià)實(shí)施例13中得到的金屬薄膜表面上用環(huán)氧系接著劑(環(huán)氧樹脂膠，^、'力'<年一制造)粘合銅板(0.1mm)，在140。C下干燥4時(shí)間后，基于JISC648l進(jìn)行90度剝離實(shí)驗(yàn)。在實(shí)施例4中，對(duì)3cmX6cm的間隔部分(《夕部)的金屬薄膜表面部分用和上述相同的方法測(cè)定剝離強(qiáng)度。測(cè)定結(jié)果示于下述表l中。0216J表1<table>tableseeoriginaldocumentpage49</column></row><table>4.金屬圖案的細(xì)線寬的測(cè)定在實(shí)施例4中得到的金屬圖案中，使用光學(xué)顯微鏡(尼康公司制造、OPTIPH0T0—2)測(cè)定細(xì)線寬。測(cè)定是對(duì)一個(gè)樣品測(cè)定3點(diǎn)，求得其平均值。L/S=5um/25um的圖案部分的銅線寬為5.5um，L/S=10um/20um的圖案部分的銅線寬為10.5um。如表1所示，通過(guò)實(shí)施例獲得的金屬圖案任何一個(gè)都明顯具有充分實(shí)現(xiàn)其導(dǎo)電性的銅厚。進(jìn)而，通過(guò)實(shí)施例獲得的金屬圖案明顯其任何一個(gè)膜界面的凹凸都在l00nm以下，表面平滑性優(yōu)良，并且基板和金屬膜的粘合性也優(yōu)良。另外，通過(guò)實(shí)施例獲得的金屬圖案其任何一個(gè)都明顯能形成寬l0um以下的細(xì)線。另外，這些細(xì)線寬確認(rèn)可以通過(guò)接枝圖案的形成方法、曝光條件來(lái)控制。曰本申請(qǐng)2005—323442公開的內(nèi)容其全部可以引入本說(shuō)明書作為參照。本說(shuō)明書中記載的全部文獻(xiàn)、專利申請(qǐng)和技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)通過(guò)參照各個(gè)文獻(xiàn)、專利申請(qǐng)和技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)引入，與具體各自記載時(shí)相同程度地引入本說(shuō)明書中作為參照。權(quán)利要求1、一種金屬膜形成方法，其特征在于具有下列工序(a1)在基板上設(shè)置由具有與金屬離子或金屬鹽相互作用的官能團(tuán)、且與該基板直接化學(xué)鍵合的聚合物構(gòu)成的聚合物層的工序，(a2)在上述聚合物層上提供金屬離子或金屬鹽的工序，(a3)還原上述金屬離子或金屬鹽，形成表面電阻率為10～100kΩ/□的導(dǎo)電層的工序，(a4)通過(guò)電鍍，形成表面電阻率為1×10-1Ω/□以下的導(dǎo)電層的工序。2、如權(quán)利要求1中所述的金屬膜形成方法，其特征在于上述金屬離子或金屬鹽中所含的金屬為選自銅、銀、金、鎳和鉻的金屬離子或鹽。3、如權(quán)利要求1中所述的金屬膜形成方法，其特征在于上述(a4)工序中使用的電鍍液含有添加劑。4、如權(quán)利要求1中所述的金屬膜形成方法，其特征在于在上述(a4)工序中的電鍍是在通電開始時(shí)的電量達(dá)到通電結(jié)束時(shí)需要的電量的1/101/4時(shí)，在電流密度為0.13mA/cm2條件下進(jìn)行。5、如權(quán)利要求1中所述的金屬膜形成方法，其特征在于使用表面凹凸為500nm以下的基板。6、一種金屬膜形成方法，其特征在于具有下列工序(b1)在基板上設(shè)置由具有與金屬膠體相互作用的官能團(tuán)、且與該基板直接化學(xué)鍵合的聚合物構(gòu)成的聚合物層的工序，(b2)在上述聚合物層上提供金屬膠體，形成表面電阻率為10100kQ/口的導(dǎo)電層的工序，(b3)通過(guò)電鍍，形成表面電阻率為lXI0—'Q/口以下的導(dǎo)電層的工序。7、如權(quán)利要求6中所述的金屬膜形成方法，其特征在于使用表面凹凸為500nm以下的基板。8、一種金屬膜，其特征在于是由權(quán)利要求1或權(quán)利要求6中所述的金屬膜形成方法形成的金屬膜，其表面的凹凸為500nm以下。9、一種金屬膜，其特征在于是由權(quán)利要求1或權(quán)利要求6中所述的金屬膜形成方法形成的金屬膜，其和基板的粘合力為O.5kN/m以上。10、一種金屬圖案形成方法，其特征在于具有下列工序(c1)在基板上設(shè)置由具有與金屬離子或金屬鹽相互作用的官能團(tuán)、且與該基板直接化學(xué)鍵合的聚合物構(gòu)成的聚合物層的工序，(c2)在上述聚合物層上提供金屬離子或金屬鹽的工序，(c3)還原上述金屬離子或金屬鹽，形成表面電阻率為10100kQ/□的導(dǎo)電層的工序，(c4)在上述表面電阻率為10100kQ/口的導(dǎo)電層上形成圖案狀的抗蝕層的工序，(c5)通過(guò)電鍍，在未形成上述抗蝕層的區(qū)域形成1X10—'Q/□以下的圖案狀的導(dǎo)電層的工序，(c6)剝離上述抗蝕層的工序，和(c7)在上述(c3)工序中形成的導(dǎo)電層中，除去由上述抗蝕層保護(hù)的區(qū)域的導(dǎo)電層的工序。11、如權(quán)利要求10中所述的金屬圖案形成方法，其特征在于使用表面凹凸為500nm以下的基板。12、一種金屬圖案形成方法，其特征在于具有下列工序(d1)在基板上設(shè)置由具有與金屬膠體相互作用的官能團(tuán)、且與該基板直接化學(xué)鍵合的聚合物構(gòu)成的聚合物層的工序，(d2)在上述聚合物層上提供金屬膠體，形成表面電阻率為10100kQ/口的導(dǎo)電層的工序，(d3)在上述表面電阻率為10100kQ/口的導(dǎo)電層上形成圖案狀抗蝕層的工序，(d4)通過(guò)電鍍，未形成上述抗蝕層的區(qū)域中形成表面電阻率為1X10—A/口以下的圖案狀導(dǎo)電層的工序，(d5)剝離上述抗蝕層的工序，和(d6)在上述(d2)工序中形成的導(dǎo)電層中，除去上述抗蝕層保護(hù)的區(qū)域的導(dǎo)電層的工序。13、如權(quán)利要求12中所述的金屬圖案形成方法，其特征在于使用表面凹凸為500nm以下的基板。14、一種金屬圖案形成方法，其特征在于具有下列工序(e1)在基板上以圖案狀設(shè)置由具有與金屬離子或金屬鹽相互作用的官能團(tuán)、且與該基板直接化學(xué)鍵合的聚合物構(gòu)成的聚合物層的工序，(e2)在上述聚合物層上提供金屬離子或金屬鹽的工序，(e3)還原上述金屬離子或金屬鹽，形成表面電阻率為10100kQ/□的導(dǎo)電層的工序，(e4)通過(guò)電鍍，形成表面電阻率為1X10—1Q/□以下的導(dǎo)電層的工序。15、如權(quán)利要求14中所述的金屬圖案形成方法，其特征在于使用表面凹凸為500nm以下的基板。16、一種金屬圖案形成方法，其特征在于具有下列工序(f1)在基板上設(shè)置圖案狀的具有由與金屬膠體相互作用的官能團(tuán)、且與該基板直接化學(xué)鍵合的聚合物構(gòu)成的聚合物層的工序，(f2)在上述聚合物層上提供金屬膠體，形成表面電阻率為10100kQ/口的導(dǎo)電層的工序，(f3)通過(guò)電鈹，形成表面電阻率為lXI0—'Q/口以下的圖案狀導(dǎo)電層的工序。17、如權(quán)利要求16中所述的金屬圖案形成方法，其特征在于使用表面凹凸為500nm以下的基板。18、一種金屬圖案，其特征在于由權(quán)利要求IO、12、14和16中任意一項(xiàng)所述的金屬圖案形成方法形成，表面凹凸為500nm以下。19、一種金屬圖案，其特征在于由權(quán)利要求IO、12、14和16中任意一項(xiàng)所述的金屬圖案形成方法形成，與基板的粘合力為0.5kN/m以上。全文摘要本發(fā)明提供一種金屬膜形成方法，其特征在于具有(a1)在基板上設(shè)置由具有與金屬離子或金屬鹽相互作用的官能團(tuán)、且與該基板直接化學(xué)鍵合的聚合物構(gòu)成的聚合物層的工序，(a2)在聚合物層上提供金屬離子或金屬鹽的工序，(a3)還原金屬離子或金屬鹽，形成表面電阻率為10～100kΩ/□的導(dǎo)電層的工序，(a4)通過(guò)電鍍形成表面電阻率為1×10^-1Ω/□以下的導(dǎo)電層的工序。文檔編號(hào)C25D21/12GK101300375SQ20068004096公開日2008年11月5日申請(qǐng)日期2006年11月8日優(yōu)先權(quán)日2005年11月8日發(fā)明者松本和彥申請(qǐng)人:富士膠片株式會(huì)社