陣列基板及制作方法、顯示面板及顯示裝置的制造方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術領域，特別是指一種陣列基板及制作方法、顯示面板及顯示
目.0
【背景技術】
[0002]為提高目前顯示產品在模組端的抗靜電能力，產品設計開發(fā)時將GOA(柵極驅動電路)結構里的驅動信號線由源漏金屬層制作改為由柵金屬層制作，這種設計導致在沉積源漏金屬層之前柵線屬于單獨的線，如圖1和圖2所示，柵線I和GOA單元2之間沒有連接，此種情況下柵線I由于接觸或其他原因引入靜電后無法釋放，會在柵線I尖端接近GOA單元2的區(qū)域進行放電，造成GOA單元損壞，嚴重影響顯示產品的良品率。

【發(fā)明內容】

[0003]本發(fā)明要解決的技術問題是提供一種陣列基板及制作方法、顯示面板及顯示裝置，能夠減少尖端放電導致的GOA單兀損壞，提尚顯不廣品的良品率。
[0004]為解決上述技術問題，本發(fā)明的實施例提供技術方案如下:
[0005]—方面，提供一種陣列基板的制作方法，包括:
[0006]在襯底基板上形成多個相互獨立的、包括有端部的第一金屬層圖形，所述端部位于所述陣列基板的非顯示區(qū)域；
[0007]在所述第一金屬層圖形上形成絕緣層；
[0008]沉積第二金屬層之前，在所述絕緣層上形成與所述端部對應的半導體圖形。
[0009]進一步地，所述方法還包括:
[0010]在沉積第二金屬層之前，對形成有所述半導體圖形的襯底基板進行加熱。
[0011]進一步地，所述在襯底基板上形成多個相互獨立的、包括有端部的第一金屬層圖形包括:
[0012]形成端部的寬度大于其他部分的寬度的所述第一金屬層圖形。
[0013]進一步地，所述形成端部的寬度大于其他部分的寬度的所述第一金屬層圖形包括:
[0014]在襯底基板上形成多個相互獨立的、包括有端部的柵線的圖形，其中，所述端部的寬度大于所述柵線其他部分的寬度，所述端部用于與所述陣列基板的柵極驅動電路連接。
[0015]進一步地，所述陣列基板上形成有多個薄膜晶體管，所述在所述絕緣層上形成與所述端部對應的半導體圖形包括:
[0016]在所述絕緣層上通過一次構圖工藝同時形成所述薄膜晶體管的有源層的圖形和所述半導體圖形。
[0017]本發(fā)明實施例還提供了一種陣列基板，包括:
[0018]位于襯底基板上的多個相互獨立的、包括有端部的第一金屬層圖形，所述端部位于所述陣列基板的非顯示區(qū)域；
[0019]位于所述第一金屬層圖形上的絕緣層；
[0020]位于所述絕緣層上與所述端部對應的半導體圖形，在預設溫度下所述半導體圖形與所述端部交疊的區(qū)域形成電容。
[0021]進一步地，所述端部的寬度大于所述第一金屬層圖形的其他部分的寬度。
[0022]進一步地，所述第一金屬層圖形為柵線的圖形，其中，所述端部的寬度大于所述柵線其他部分的寬度，所述端部用于與所述陣列基板的柵極驅動電路連接。
[0023]進一步地，所述陣列基板上形成有多個薄膜晶體管，所述半導體圖形與所述薄膜晶體管的有源層的圖形為同層同材料設置。
[0024]進一步地，所述半導體圖形與所述有源層的圖形為采用非晶硅。
[0025]本發(fā)明實施例還提供了一種顯示面板，包括如上所述的陣列基板。
[0026]本發(fā)明實施例還提供了一種顯示裝置，包括如上所述的陣列基板。
[0027]本發(fā)明的實施例具有以下有益效果:
[0028]上述方案中，在多個獨立的第一金屬層圖形上形成絕緣層，在沉積第二金屬層之前，在絕緣層上形成與端部對應的半導體圖形，這樣在沉積第二金屬層前進行預熱時，半導體圖形的導電性能增加，與端部交疊的區(qū)域形成電容，能夠通過電容充電的方式來降低第一金屬層圖形端部積累電荷的電壓值，使得第一金屬層圖形端部積累的電荷很難發(fā)生尖端放電，減少由于第一金屬層圖形端部尖端放電導致的GOA單元損壞，提高顯示產品的良品率。
【附圖說明】
[0029]圖1為現(xiàn)有陣列基板中柵線的布局示意圖；
[0030]圖2為現(xiàn)有陣列基板中柵線和GOA單元之間的位置關系示意圖；
[0031]圖3為現(xiàn)有陣列基板中柵線和GOA單元上累積電荷的示意圖；
[0032]圖4為本發(fā)明實施例中柵線和GOA單元之間的位置關系示意圖；
[0033]圖5為本發(fā)明實施例中柵線和半導體圖形的布局示意圖。
[0034]附圖標記
[0035]I柵線2 GOA單元 3驅動信號線 4a_si圖形
[0036]5柵線的端部 6半導體圖形
【具體實施方式】
[0037]為使本發(fā)明的實施例要解決的技術問題、技術方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結合附圖及具體實施例進行詳細描述。
[0038]本發(fā)明的實施例針對現(xiàn)有技術中在沉積源漏金屬層之前柵線屬于單獨的線，柵線和GOA單元之間沒有連接，柵線尖端接近GOA單元的區(qū)域容易進行放電，造成GOA單元損壞的問題，提供一種陣列基板及制作方法、顯示面板及顯示裝置，能夠減少尖端放電導致的GOA單兀損壞，提尚顯不廣品的良品率。
[0039]實施例一
[0040]本實施例提供了一種陣列基板的制作方法，包括:
[0041]在襯底基板上形成多個相互獨立的、包括有端部的第一金屬層圖形，所述端部位于所述陣列基板的非顯示區(qū)域；
[0042]在所述第一金屬層圖形上形成絕緣層；
[0043]沉積第二金屬層之前，在所述絕緣層上形成與所述端部對應的半導體圖形。
[0044]本實施例在多個獨立的第一金屬層圖形上形成絕緣層，在沉積第二金屬層之前，在絕緣層上形成與端部對應的半導體圖形，這樣在沉積第二金屬層前進行預熱時，半導體圖形的導電性能增加，與端部交疊的區(qū)域形成電容，能夠通過電容充電的方式來降低第一金屬層圖形端部積累電荷的電壓值，使得第一金屬層圖形端部積累的電荷很難發(fā)生尖端放電，減少由于第一金屬層圖形端部尖端放電導致的GOA單元損壞，提高顯示產品的良品率。
[0045]進一步地，所述方法還包括:
[0046]在沉積第二金屬層之前，對形成有所述半導體圖形的襯底基板進行加熱。
[0047]在常溫下，半導體圖形的導電性能較差，雖然與端部交疊的區(qū)域也能夠形成電容，但是進行電容充電的效果不大。在沉積第二金屬層前進行預熱時，半導體圖形所處的環(huán)境溫度從室溫上升到170攝氏度左右，半導體圖形的導電性能增加，能夠有效地進行電容充電，大幅降低第一金屬層圖形端部積累電荷的電壓值。
[0048]進一步地，所述在襯底基板上形成多個相互獨立的、包括有端部的第一金屬層圖形包括:
[0049]形成端部的寬度大于其他部分的寬度的所述第一金屬層圖形。本實施例中，端部的寬度大于第一金屬層圖形其他部分的寬度，這樣對應的半導體圖形也可以設置的比較寬，由于電容大小是和兩個電容基板面積成正比的，這樣能夠增加第一金屬層圖形端部與半導體圖形之間形成電容的大小，進一步加強電容充電的效果。
[0050]具體實施例中，所述形成端部的寬度大于其他部分的寬度的所述第一金屬層圖形包括:
[0051]在襯底基板上形成多個相互獨立的、包括有端部的柵線的圖形，其中，所述端部的寬度大于所述柵線其他部分的寬度，所述端部用于與所述陣列基板的柵極驅動電路連接。即具體實施例中，第一金屬層圖形為柵線的圖形，柵線端部的寬度大于柵線其他部分的寬度，柵線端部位于陣列基板的非顯示區(qū)域且用于與陣列基板的柵極驅動電路連接。
[0052]這樣在沉積源漏金屬層進行預熱時，柵線端部與半導體圖形交疊的區(qū)域形成電容，能夠通過電容充電的方式來降低柵線端部積累電荷的電壓值，使得柵線端部積累的電荷很難發(fā)生尖端放電，減少由于柵線端部尖端放電導致的GOA單元損壞，提高顯示產品的良品率。
[0053]進一步地，所述陣列基板上形成有多個薄膜晶體管，所述在所述絕緣層上形成與所述端部對應的半導體圖形包括:
[0054]在所述絕緣層上通過一次構圖工藝同時形成所述薄膜晶體管的有源層的圖形和所述半導體圖形，這樣能夠在不增加構圖工藝的前提下形成半導體圖形，節(jié)省了構圖工藝，降低了產品的生產成本。
[0055]實施例二
[0056]本實施例提供了一種陣列基板，包括:
[0057]位于襯底基板上的多個相互獨立的、包括有端部的第一金屬層圖形，所述端部位于所述陣列基板的非顯示區(qū)域；
[0058]位于所述第一金屬層圖形上的絕緣層；
[0059]位于所述絕緣層上與所述端部對應的半導體圖