一種反射電極制程工藝的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及LED芯片制作技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種反射電極制程工藝。
【背景技術(shù)】
[0002] 半導(dǎo)體發(fā)光二極管（light-emission diodes, LED)因其具有節(jié)能、環(huán)保、綠色健 康、長壽命等有著非常明顯的優(yōu)勢，在指示、顯示、背光領(lǐng)域逐漸得到廣泛應(yīng)用。隨著LED在 照明的應(yīng)用領(lǐng)域的推進(jìn)，人們需要開發(fā)高功率、高亮度LED的芯片，取代目前的其他光源。
[0003] 現(xiàn)有專利公布了用絕緣材料將深溝槽填充為較為平坦的表面，在此基礎(chǔ)上做金 屬布線。此類平坦化工藝復(fù)雜繁瑣，良率不高。另外如晶科電子（廣州）有限公司公開 的專利號為201020520114. 6的"一種由倒裝發(fā)光單元陣列組成的發(fā)光器件"專利，雖然 解決了金屬布線的難題，但由于沒有反射鏡結(jié)構(gòu)導(dǎo)致出光率低等新的問題。再如申請?zhí)?201210564002.4的專利，其公布的方法中有提到金屬反射鏡結(jié)構(gòu)，但因其結(jié)構(gòu)特點導(dǎo)致金 屬反射鏡面積不夠大，因此出光率還有較大的提高空間。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 本發(fā)明所解決的技術(shù)問題在于提供一種反射電極制程工藝，以解決上述【背景技術(shù)】 中的問題。
[0005] 本發(fā)明所解決的技術(shù)問題采用以下技術(shù)方案來實現(xiàn)：一種反射電極制程工藝，包 括以下步驟：
[0006] 步驟⑴：選取外延片，首先進(jìn)行外延片清洗，外延清洗后，進(jìn)行P-Si(y；〇R，黃光 光刻，化學(xué)腐蝕、去膠清洗，在外延片上得到P_Si0 2圖形；
[0007] 步驟⑵：將步驟（1)得到的外延片進(jìn)行IT0前清洗，再鍍IT0膜層；IT0膜層蒸鍍 完成后，進(jìn)行黃光Mesa光刻、再浸泡IT0蝕刻液，通過控制蝕刻時間來達(dá)到控制IT0薄膜邊 緣到Mesa邊緣的距離；
[0008] 步驟（3) :IT0蝕刻完成后甩干，進(jìn)行ICP刻蝕，去膠、清洗甩干；
[0009] 步驟⑷：進(jìn)行鈍化層SiO^光光刻，浸泡IT0蝕刻液進(jìn)行蝕刻，去膠、清洗，將P 電極區(qū)域露出；
[0010] 步驟（5) :RTA融合后，進(jìn)行鈍化層Si02沉積，然后進(jìn)行P-N負(fù)膠光刻，浸泡B0E蝕 刻液進(jìn)行蝕刻后甩干；再金屬蒸鍍，去膠、清洗。
[0011] 與已公開技術(shù)相比，本發(fā)明存在以下優(yōu)點：本發(fā)明將IT0薄膜的沉積工序前置，黃 光光刻后通過控制濕法腐蝕的時間來達(dá)到控制IT0薄膜邊緣到Mesa邊緣的距離的目的。同 時取消了 IT0黃光光刻工序，再將鈍化層氧化硅沉積工序前置避免了氫氟酸與金屬電極的 接觸。
【附圖說明】
[0012] 圖1為本發(fā)明的P_Si02圖形示意圖；
[0013] 圖2為本發(fā)明的IT0薄膜與Mesa示意圖；
[0014] 圖3為本發(fā)明的露出P電極區(qū)域示意圖。
【具體實施方式】
[0015] 為了使本發(fā)明的技術(shù)手段、創(chuàng)作特征、工作流程、使用方法達(dá)成目的與功效易于明 白了解，下面將結(jié)合本發(fā)明實施例，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述， 顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的 實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都 屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0016] 實施例1
[0017] 首先選取外延片，首先進(jìn)行外延片清洗；后進(jìn)行P-Si02沉積，黃光光刻，化學(xué)腐蝕、 去膠清洗，在外延片上得到P-Si0 2圖形，如圖1所示；將上述晶片進(jìn)行IT0前清洗，再鍍IT0 膜層；然后進(jìn)行黃光Mesa光刻、再浸泡IT0蝕刻液，通過控制蝕刻時間來達(dá)到控制IT0薄膜 邊緣到Mesa邊緣的距離，如圖2所示；IT0蝕刻完成后甩干，進(jìn)行ICP刻蝕，去膠、清洗甩干； 再進(jìn)行鈍化層310 2黃光光刻，浸泡IT0蝕刻液進(jìn)行蝕刻，去膠、清洗，將P電極區(qū)域露出，如 圖3所示；RTA融合后，進(jìn)行鈍化層Si0 2沉積，然后進(jìn)行P-N負(fù)膠光刻，浸泡B0E蝕刻液進(jìn)行 蝕刻后甩干；再金屬蒸鍍，去膠、清洗，金屬熔合后完成點測。
[0018] 通過該驗證方法，可以減少一道黃光光刻，避免了化學(xué)腐蝕藥液（氫氟酸）對電極 的影響，所制備出的產(chǎn)品電性參數(shù)正常，具體數(shù)據(jù)如下：
[0019]
[0020] 以上顯示和描述了本發(fā)明的基本原理、主要特征及本發(fā)明的優(yōu)點。本行業(yè)的技術(shù) 人員應(yīng)該了解，本發(fā)明不受上述實施例的限制，上述實施例和說明書中描述的只是說明本 發(fā)明的原理，在不脫離本發(fā)明精神和范圍的前提下，本發(fā)明還會有各種變化和改進(jìn)，這些變 化和改進(jìn)都落入要求保護(hù)的本發(fā)明范圍內(nèi)。本發(fā)明的要求保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求書及 其等效物界定。
【主權(quán)項】
1. 一種反射電極制程工藝，其特征在于：包括以下步驟： 步驟（1):選取外延片，首先進(jìn)行外延片清洗，外延清洗后，進(jìn)行P-SiO2沉積，黃光光 亥IJ，化學(xué)腐蝕、去膠清洗，在外延片上得到P-SiO2圖形； 步驟（2):將步驟（1)得到的外延片進(jìn)行ITO前清洗，再鍍ITO膜層；ITO膜層蒸鍍完成 后，進(jìn)行黃光Mesa光刻、再浸泡ITO蝕刻液，通過控制蝕刻時間來達(dá)到控制ITO薄膜邊緣到 Mesa邊緣的距離； 步驟（3) :IT0蝕刻完成后甩干，進(jìn)行ICP刻蝕，去膠、清洗甩干； 步驟（4):進(jìn)行鈍化層5102黃光光刻，浸泡ITO蝕刻液進(jìn)行蝕刻，去膠、清洗，將P電極 區(qū)域露出； 步驟（5) :RTA融合后，進(jìn)行鈍化層5102沉積，然后進(jìn)行P-N負(fù)膠光刻，浸泡BOE蝕刻液 進(jìn)行蝕刻后甩干；再金屬蒸鍍，去膠、清洗。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種反射電極制程工藝，包括以下步驟：步驟(1)：首先進(jìn)行外延片清洗，進(jìn)行P-SiO2沉積，黃光光刻，化學(xué)腐蝕、去膠清洗，在外延片上得到P-SiO2圖形；步驟(2)：將步驟(1)得到的外延片進(jìn)行ITO前清洗，再鍍ITO膜層；進(jìn)行黃光Mesa光刻、再浸泡ITO蝕刻液；步驟(3)：ITO蝕刻完成后甩干；步驟(4)：進(jìn)行鈍化層SiO2黃光光刻，將P電極區(qū)域露出；步驟(5)：RTA融合后，進(jìn)行鈍化層SiO2沉積，然后進(jìn)行P-N負(fù)膠光刻，浸泡BOE蝕刻液進(jìn)行蝕刻后甩干；再金屬蒸鍍，去膠、清洗。本發(fā)明將ITO薄膜的沉積工序前置，同時取消了ITO黃光光刻工序，再將鈍化層氧化硅沉積工序前置避免了氫氟酸與金屬電極的接觸。
【IPC分類】H01L33/00
【公開號】CN105185876
【申請?zhí)枴緾N201510278486
【發(fā)明人】儲志兵
【申請人】合肥彩虹藍(lán)光科技有限公司
【公開日】2015年12月23日
【申請日】2015年5月27日