電阻間隔層272具有摻雜區(qū)612。源極層281與可控電阻間隔層271上的摻雜區(qū)611相連，以通過可控電阻間隔層271與源極摻雜區(qū)231’相連，漏極層282與可控電阻間隔層272上的摻雜區(qū)612相連，以通過可控電阻間隔層272與漏極摻雜區(qū)232’相連。
[0088]其中，第二預定值是能夠使得摻雜區(qū)611、612為重摻雜區(qū)的離子濃度的邊界值，即可控電阻間隔層271、272上的摻雜區(qū)611、612為重摻雜區(qū)。
[0089]其中，可控電阻間隔層271、272為部分摻雜，即所摻雜的離子在可控電阻間隔層271、272中的深度小于可控電阻間隔層271、272的厚度，摻雜區(qū)611、612并沒有完全穿透可控電阻間隔層271、272。
[0090]在形成源極層281和漏極層282后，還依次形成有第一絕緣層、第一透明電極層、第二絕緣層以及第二透明電極層，具體的形成過程可參考圖5所示的步驟進行，在此不進行贅述。
[0091]通過本實施方式的可控電阻間隔層，能夠進一步減少薄膜晶體管器件的漏電。
[0092]需要說明的是，本發(fā)明的陣列基板適用于液晶顯示面板、OLED顯示面板以及其他具有薄膜晶體管器件的基板。
[0093]參閱圖10，在本發(fā)明液晶顯示面板的一實施方式中，液晶顯示面板包括陣列基板1001、彩膜基板1002以及位于陣列基板1001和彩膜基板1002之間的液晶層1003。其中，陣列基板1001為前述任一實施方式所述的陣列基板，或者為使用前述任一實施方式所述的陣列基板的制造方法所制造得到的陣列基板。
[0094]以上所述僅為本發(fā)明的實施方式，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內容所作的等效結構或等效流程變換，或直接或間接運用在其他相關的技術領域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護范圍內。
【主權項】
1.一種陣列基板的制造方法，其特征在于，包括: 利用第一光罩在基板上形成低溫多晶硅有源層； 利用第三光罩在所述低溫多晶硅有源層上形成層間介電層，所形成的所述層間介電層上形成有兩個導通孔，以暴露兩部分低溫多晶硅有源層； 對暴露的所述兩部分低溫多晶硅有源層進行離子摻雜處理，以分別形成所述低溫多晶硅有源層的源極摻雜區(qū)和漏極摻雜區(qū)； 至少在所述源極摻雜區(qū)或所述漏極摻雜區(qū)上形成可控電阻間隔層； 利用第四光罩在所述層間介電層上形成源極層和漏極層，并使所述源極層和漏極層分別通過所述層間介電層上的兩個導通孔與所述源極摻雜區(qū)和所述漏極摻雜區(qū)相連，其中形成有所述可控電阻間隔層的摻雜區(qū)通過所述可控電阻間隔層與對應的源極層或漏極層相連； 其中，利用第一光罩在所述基板上形成低溫多晶硅有源層之前或之后再利用第二光罩形成柵極層，所述可控電阻間隔層在所述柵極層未施加開啟信號時對流經的電流形成隔斷作用，而在所述柵極層施加開啟信號時對流經的電流形成導通作用。2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述至少在所述源極摻雜區(qū)或所述漏極摻雜區(qū)上形成可控電阻間隔層的步驟包括: 在所述源極摻雜區(qū)和所述漏極摻雜區(qū)上分別形成可控電阻間隔層，并且利用所述第四光罩在所述層間介電層上形成分別與源極層和漏極層對應的兩個可控電阻間隔層； 所述利用第四光罩在所述層間介電層上形成源極層和漏極層的步驟包括:利用所述第四光罩在所述層間介電層上的兩個可控電阻間隔層上分別形成源極層和漏極層，所述源極層和所述漏極層分別通過源極摻雜區(qū)和漏極摻雜區(qū)上的可控電阻間隔層與所述源極摻雜區(qū)和漏極摻雜區(qū)相連。3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述可控電阻間隔層為非晶硅層； 所述對暴露的所述兩部分低溫多晶硅有源層進行離子摻雜處理的步驟包括:對暴露的所述兩部分低溫多晶硅有源層進行離子注入，注入的離子的濃度大于或等于第一預定值，注入的離子為硼離子、磷離子或砷離子。4.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述可控電阻間隔層為非晶硅層； 所述對暴露的所述兩部分低溫多晶硅有源層進行離子摻雜處理的步驟包括:對暴露的所述兩部分低溫多晶硅有源層進行離子注入，注入的離子的濃度小于第一預定值，注入的離子為硼離子、磷離子或砷離子； 所述在所述源極摻雜區(qū)和所述漏極摻雜區(qū)上均分別形成可控電阻間隔層的步驟之后，包括:對在所述源極摻雜區(qū)和所述漏極摻雜區(qū)上的可控電阻間隔層進行離子注入，注入的離子的濃度大于或等于第二預定值。5.根據權利要求1所述方法，其特征在于，在所述利用第一光罩在基板上形成低溫多晶硅有源層的步驟之前，包括:在所述基板上形成緩沖層； 所述利用第一光罩在基板上形成低溫多晶硅有源層的步驟包括:利用所述第一光罩在所述緩沖層上形成低溫多晶硅有源層； 在利用所述第一光罩在所述緩沖層上形成低溫多晶硅有源層的步驟之后，包括: 在所述低溫多晶硅有源層上形成柵極絕緣層； 利用所述第二光罩在所述柵極絕緣層上形成所述柵極層； 所述利用第三光罩在所述低溫多晶硅有源層上形成層間介電層，并暴露兩部分低溫多晶硅有源層的步驟包括: 利用所述第三光罩在所述柵極層上形成層間介電層，所形成的所述層間介電層上形成有兩個導通孔； 除去所述柵極絕緣層中分別對應所述層間介電層的兩個導通孔的部分，以暴露兩部分低溫多晶硅有源層； 在所述利用第四光罩在所述層間介電層上形成源極層和漏極層，并使所述源極層和漏極層分別通過所述層間介電層上的兩個導通孔與所述源極摻雜區(qū)和漏極摻雜區(qū)相連的步驟之后，包括: 利用第五光罩在所述源極層和漏極層上形成第一絕緣層，并暴露部分所述漏極層； 利用第六光罩在所述第一絕緣層上形成第一透明電極層，所述第一透明電極層不覆蓋暴露的所述漏極層，且與暴露的所述漏極層也不相連； 利用第七光罩在所述第一透明電極層上形成第二絕緣層，所述第二絕緣層不覆蓋暴露的所述漏極層，且與暴露的所述漏極層也不相連； 利用第八光罩在所述第二絕緣層上形成第二透明電極層，并使所述第二透明電極層與暴露的所述漏極層相連。6.一種陣列基板，其特征在于，包括形成于基板上的低溫多晶硅有源層、柵極層、層間介電層、源極層以及漏極層，所述層間介電層位于所述低溫多晶硅有源層上，所述源極層和所述漏極層位于所述層間介電層上，所述柵極層位于所述低溫多晶硅有源層之下或位于所述低溫多晶硅有源層和所述層間介電層之間； 所述層間介質層上設置有兩個導通孔，所述低溫多晶硅有源層包括源極摻雜區(qū)和漏極摻雜區(qū)，所述源極層和所述漏極層分別通過所述層間介質層上的兩個導通孔與所述源極摻雜區(qū)和漏極摻雜區(qū)相連，且至少在所述源極層和所述源極摻雜區(qū)之間或所述漏極層和所述漏極摻雜區(qū)之間設置有可控電阻間隔層，所述可控電阻間隔層在所述柵極層未施加開啟信號時對流經的電流形成隔斷作用，而在所述柵極層施加開啟信號時對流經的電流形成導通作用。7.根據權利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述源極層和所述源極摻雜區(qū)之間、所述漏極層和所述漏極摻雜區(qū)之間、所述源極層和所述層間介電層之間、所述漏極層和所述層間介電層之間分別設置有所述可控電阻間隔層。8.根據權利要求7所述的陣列基板，其特征在于，所述可控電阻間隔層為非晶硅層，所述源極摻雜區(qū)和所述漏極摻雜區(qū)所摻雜的離子的濃度大于或等于第一預定值，所述離子為硼離子、磷離子或砷離子。9.根據權利要求7所述的陣列基板，其特征在于，所述可控電阻間隔層為非晶硅層，所述源極摻雜區(qū)和所述漏極摻雜區(qū)所摻雜的離子的濃度小于第一預定值，所摻雜的所述離子為硼離子、磷離子或砷離子； 所述源極層和所述源極摻雜區(qū)之間的可控電阻間隔層中靠近所述源極層的一側摻雜有濃度大于或等于第二預定值的離子，所述漏極層和所述漏極摻雜區(qū)之間的可控電阻間隔層中靠近所述漏極層的一側摻雜有濃度大于或等于第二預定值的離子，所述濃度大于或等于第二預定值的離子為硼離子、磷離子或砷離子。10.一種液晶顯示面板，其特征在于，包括陣列基板、彩膜基板以及位于陣列基板和彩膜基板之間的液晶層，所述陣列基板包括形成于基板上的低溫多晶硅有源層、柵極層、層間介電層、源極層以及漏極層，所述層間介電層位于所述低溫多晶硅有源層上，所述源極層和所述漏極層位于所述層間介電層上，所述柵極層位于所述低溫多晶硅有源層之下或位于所述低溫多晶硅有源層和所述層間介電層之間； 所述層間介質層上設置有兩個導通孔，所述低溫多晶硅有源層包括源極摻雜區(qū)和漏極摻雜區(qū)，所述源極層和所述漏極層分別通過所述層間介質層上的兩個導通孔與所述源極摻雜區(qū)和漏極摻雜區(qū)相連，且至少在所述源極層和所述源極摻雜區(qū)之間或所述漏極層和所述漏極摻雜區(qū)之間設置有可控電阻間隔層，所述可控電阻間隔層在所述柵極層未施加開啟信號時對流經的電流形成隔斷作用，而在所述柵極層施加開啟信號時對流經的電流形成導通作用。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種液晶顯示面板、陣列基板及其制造方法，所述方法中，在低溫多晶硅有源層的源極摻雜區(qū)和漏極摻雜區(qū)中的至少其中一個摻雜區(qū)上形成可控電阻間隔層，所述可控電阻間隔層在柵極層未施加開啟信號時對流經的電流形成隔斷作用，而在柵極層施加開啟信號時對流經的電流形成導通作用，使形成有所述可控電阻間隔層的接觸區(qū)通過所述可控電阻間隔層與對應的源極層或漏極層相連。通過上述方式，本發(fā)明能夠減少薄膜晶體管器件的漏電。
【IPC分類】H01L27/12, H01L21/77, G02F1/136, H01L29/417, H01L29/08, H01L21/336, H01L29/786
【公開號】CN105185792
【申請?zhí)枴緾N201510646037
【發(fā)明人】肖軍城
【申請人】深圳市華星光電技術有限公司, 武漢華星光電技術有限公司
【公開日】2015年12月23日
【申請日】2015年9月30日