液晶顯示面板、陣列基板及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種液晶顯示面板、陣列基板及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]低溫多晶娃(Low Temperature Poly-Silicon，LTPS)技術(shù)是平板顯示器領(lǐng)域中的又一新技術(shù)，繼非晶硅(a-Si)之后的下一代技術(shù)。低溫多晶硅型的顯示面板具有電子迀移率更快、薄膜電路面積更小、分辨率更高、功耗更低、穩(wěn)定性更高等優(yōu)點(diǎn)。
[0003]低溫多晶硅型顯示面板即是指薄膜晶體管TFT的有源層采用低溫多晶硅制成的顯示面板。低溫多晶硅薄膜晶體管的制備工藝溫度通常低于600°C，可適用于普通的玻璃襯底，通常采用準(zhǔn)分子激光退火方式激光晶化的方式，利用一定能量的準(zhǔn)分子激光對(duì)非晶硅進(jìn)行激光輻射使非晶硅晶化成為多晶硅。
[0004]對(duì)于低溫多晶硅薄膜晶體管而言，漏電是影響薄膜晶體管性能以及顯示面板的顯示效果的重要因素，若薄膜晶體管發(fā)生漏電，容易產(chǎn)生對(duì)比度降低、產(chǎn)生閃爍和串?dāng)_等問(wèn)題。因此，如何有效減小低溫多晶硅薄膜晶體管的漏電成為亟需解決的技術(shù)問(wèn)題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明主要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種液晶顯示面板、陣列基板及其制造方法，能夠有效減少薄膜晶體管的漏電。
[0006]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明采用的一個(gè)技術(shù)方案是:提供一種陣列基板的制造方法，包括:利用第一光罩在基板上形成低溫多晶硅有源層；利用第三光罩在所述低溫多晶硅有源層上形成層間介電層，所形成的所述層間介電層上形成有兩個(gè)導(dǎo)通孔，以暴露兩部分低溫多晶硅有源層；對(duì)暴露的所述兩部分低溫多晶硅有源層進(jìn)行離子摻雜處理，以分別形成所述低溫多晶硅有源層的源極摻雜區(qū)和漏極摻雜區(qū)；至少在所述源極摻雜區(qū)或所述漏極摻雜區(qū)上形成可控電阻間隔層；利用第四光罩在所述層間介電層上形成源極層和漏極層，并使所述源極層和漏極層分別通過(guò)所述層間介電層上的兩個(gè)導(dǎo)通孔與所述源極摻雜區(qū)和所述漏極摻雜區(qū)相連，其中形成有所述可控電阻間隔層的摻雜區(qū)通過(guò)所述可控電阻間隔層與對(duì)應(yīng)的源極層或漏極層相連；其中，利用第一光罩在所述基板上形成低溫多晶硅有源層之前或之后再利用第二光罩形成柵極層，所述可控電阻間隔層在所述柵極層未施加開(kāi)啟信號(hào)時(shí)對(duì)流經(jīng)的電流形成隔斷作用，而在所述柵極層施加開(kāi)啟信號(hào)時(shí)對(duì)流經(jīng)的電流形成導(dǎo)通作用。
[0007]其中，所述至少在所述源極摻雜區(qū)或所述漏極摻雜區(qū)上形成可控電阻間隔層的步驟包括:在所述源極摻雜區(qū)和所述漏極摻雜區(qū)上分別形成可控電阻間隔層，并且利用所述第四光罩在所述層間介電層上形成分別與源極層和漏極層對(duì)應(yīng)的兩個(gè)可控電阻間隔層；所述利用第四光罩在所述層間介電層上形成源極層和漏極層的步驟包括:利用所述第四光罩在所述層間介電層上的兩個(gè)可控電阻間隔層上分別形成源極層和漏極層，所述源極層和所述漏極層分別通過(guò)源極摻雜區(qū)和漏極摻雜區(qū)上的可控電阻間隔層與所述源極摻雜區(qū)和漏極摻雜區(qū)相連。
[0008]其中，所述可控電阻間隔層為非晶硅層；所述對(duì)暴露的所述兩部分低溫多晶硅有源層進(jìn)行離子摻雜處理的步驟包括:對(duì)暴露的所述兩部分低溫多晶硅有源層進(jìn)行離子注入，注入的離子的濃度大于或等于第一預(yù)定值，注入的離子為硼離子、磷離子或砷離子。
[0009]其中，所述可控電阻間隔層為非晶硅層；所述對(duì)暴露的所述兩部分低溫多晶硅有源層進(jìn)行離子摻雜處理的步驟包括:對(duì)暴露的所述兩部分低溫多晶硅有源層進(jìn)行離子注入，注入的離子的濃度小于第一預(yù)定值，注入的離子為硼離子、磷離子或砷離子；所述在所述源極摻雜區(qū)和所述漏極摻雜區(qū)上均分別形成可控電阻間隔層的步驟之后，包括:對(duì)在所述源極摻雜區(qū)和所述漏極摻雜區(qū)上的可控電阻間隔層進(jìn)行離子注入，注入的離子的濃度大于或等于第二預(yù)定值。
[0010]其中，在所述利用第一光罩在基板上形成低溫多晶硅有源層的步驟之前，包括:在所述基板上形成緩沖層；所述利用第一光罩在基板上形成低溫多晶硅有源層的步驟包括:利用所述第一光罩在所述緩沖層上形成低溫多晶硅有源層；在利用所述第一光罩在所述緩沖層上形成低溫多晶硅有源層的步驟之后，包括:在所述低溫多晶硅有源層上形成柵極絕緣層；利用所述第二光罩在所述柵極絕緣層上形成所述柵極層；所述利用第三光罩在所述低溫多晶硅有源層上形成層間介電層，并暴露兩部分低溫多晶硅有源層的步驟包括:利用所述第三光罩在所述柵極層上形成層間介電層，所形成的所述層間介電層上形成有兩個(gè)導(dǎo)通孔；除去所述柵極絕緣層中分別對(duì)應(yīng)所述層間介電層的兩個(gè)導(dǎo)通孔的部分，以暴露兩部分低溫多晶硅有源層；在所述利用第四光罩在所述層間介電層上形成源極層和漏極層，并使所述源極層和漏極層分別通過(guò)所述層間介電層上的兩個(gè)導(dǎo)通孔與所述源極摻雜區(qū)和漏極摻雜區(qū)相連的步驟之后，包括:利用第五光罩在所述源極層和漏極層上形成第一絕緣層，并暴露部分所述漏極層；利用第六光罩在所述第一絕緣層上形成第一透明電極層，所述第一透明電極層不覆蓋暴露的所述漏極層，且與暴露的所述漏極層也不相連；利用第七光罩在所述第一透明電極層上形成第二絕緣層，所述第二絕緣層不覆蓋暴露的所述漏極層，且與暴露的所述漏極層也不相連；利用第八光罩在所述第二絕緣層上形成第二透明電極層，并使所述第二透明電極層與暴露的所述漏極層相連。
[0011]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明采用的另一個(gè)技術(shù)方案是:提供一種陣列基板，包括形成于基板上的低溫多晶硅有源層、柵極層、層間介電層、源極層以及漏極層，所述層間介電層位于所述低溫多晶硅有源層上，所述源極層和所述漏極層位于所述層間介電層上，所述柵極層位于所述低溫多晶硅有源層之下或位于所述低溫多晶硅有源層和所述層間介電層之間；所述層間介質(zhì)層上設(shè)置有兩個(gè)導(dǎo)通孔，所述低溫多晶硅有源層包括源極摻雜區(qū)和漏極摻雜區(qū)，所述源極層和所述漏極層分別通過(guò)所述層間介質(zhì)層上的兩個(gè)導(dǎo)通孔與所述源極摻雜區(qū)和漏極摻雜區(qū)相連，且至少在所述源極層和所述源極摻雜區(qū)之間或所述漏極層和所述漏極摻雜區(qū)之間設(shè)置有可控電阻間隔層，所述可控電阻間隔層在所述柵極層未施加開(kāi)啟信號(hào)時(shí)對(duì)流經(jīng)的電流形成隔斷作用，而在所述柵極層施加開(kāi)啟信號(hào)時(shí)對(duì)流經(jīng)的電流形成導(dǎo)通作用。
[0012]其中，所述源極層和所述源極摻雜區(qū)之間、所述漏極層和所述漏極摻雜區(qū)之間、所述源極層和所述層間介電層之間、所述漏極層和所述層間介電層之間分別設(shè)置有所述可控電阻間隔層。
[0013]其中，所述可控電阻間隔層為非晶硅層，所述源極摻雜區(qū)和所述漏極摻雜區(qū)所摻雜的離子的濃度大于或等于第一預(yù)定值，所述離子為硼離子、磷離子或砷離子。
[0014]其中，所述可控電阻間隔層為非晶硅層，所述源極摻雜區(qū)和所述漏極摻雜區(qū)所摻雜的離子的濃度小于第一預(yù)定值，所摻雜的所述離子為硼離子、磷離子或砷離子；所述源極層和所述源極摻雜區(qū)之間的可控電阻間隔層中靠近所述源極層的一側(cè)摻雜有濃度大于或等于第二預(yù)定值的離子，所述漏極層和所述漏極摻雜區(qū)之間的可控電阻間隔層中靠近所述漏極層的一側(cè)摻雜有濃度大于或等于第二預(yù)定值的離子，所述濃度大于或等于第二預(yù)定值的離子為硼離子、磷離子或砷離子。
[0015]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明采用的又一個(gè)技術(shù)方案是:提供一種液晶顯示面板，包括陣列基板、彩膜基板以及位于陣列基板和彩膜基板之間的液晶層，所述陣列基板包括形成于基板上的低溫多晶硅有源層、柵極層、層間介電層、源極層以及漏極層，所述層間介電層位于所述低溫多晶硅有源層上，所述源極層和所述漏極層位于所述層間介電層上，所述柵極層位于所述低溫多晶硅有源層之下或位于所述低溫多晶硅有源層和所述層間介電層之間；所述層間介質(zhì)層上設(shè)置有兩個(gè)導(dǎo)通孔，所述低溫多晶硅有源層包括源極摻雜區(qū)和漏極摻雜區(qū)，所述源極層和所述漏極層分別通過(guò)所述層間介質(zhì)層上的兩個(gè)導(dǎo)通孔與所述源極摻雜區(qū)和漏極摻雜區(qū)相連，且至少在所述源極層和所述源極摻雜區(qū)之間或所述漏極層和所述漏極摻雜區(qū)之間設(shè)置有可控電阻間隔層，所述可控電阻間隔層在所述柵極層未施加開(kāi)啟信號(hào)時(shí)對(duì)流經(jīng)的電流形成隔斷作用，而在所述柵極層施加開(kāi)啟信號(hào)時(shí)對(duì)流經(jīng)的電流形成導(dǎo)通作用。
[0016]本發(fā)明的有益效果是:區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)的情況，本發(fā)明陣列基板的制造方法中，通過(guò)至少在低溫多晶硅層的源極摻雜區(qū)或所述漏極摻雜區(qū)上形成可控電阻間隔層，使形成有可控電阻間隔層的摻雜區(qū)通過(guò)可控電阻間隔層與對(duì)應(yīng)的源極層或漏極層相連，而可控電阻間隔層在柵極層未施加開(kāi)啟信號(hào)時(shí)對(duì)流經(jīng)的電流起隔斷作用，由此可以有效的阻擋低溫多晶硅有源層的載流子，從而能夠減少薄膜器件的漏電。
【附圖說(shuō)明】
[0017]圖1是本發(fā)明陣列基板的制造方法一實(shí)施方式的流程圖；
[0018]圖2是本發(fā)明陣列基板的制造方法一實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0019]圖3是本發(fā)明陣列基板的制造方法另一實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020]圖4是本發(fā)明陣列基板的制造方法一實(shí)施方式中，在利用第三光罩在層間介電層上的兩個(gè)可控電阻間隔層上分別形成源極層和漏極層，并使源極層和漏極層分別與源極摻雜區(qū)和漏極摻雜區(qū)相連的步驟之后的流程圖；
[0021]圖5是本發(fā)明陣列基板的制造方法一實(shí)施方式中，在利用第三光罩在層間介電層上的兩個(gè)可控電阻間隔層上分別形成源極層和漏極層，并使源極層和漏極層分別與源極摻雜區(qū)和漏極摻雜區(qū)相連步驟之后的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖6是本發(fā)明陣列基板的制造方法另一實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖7是本發(fā)明陣列基板一實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖8是本發(fā)明陣列基板另一實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]圖9是本發(fā)明陣列基板又一實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026]圖10是本發(fā)明液晶