量％以下。
[0090] 可以通過將單一單體或2種以上的單體混合物供于聚合來得到上述丙烯酸系聚 合物。也可以通過溶液聚合、乳液聚合、本體聚合、懸浮聚合等任意的方式來進(jìn)行聚合。在 防止對清潔的被粘物的污染等方面，優(yōu)選低分子量物質(zhì)的含量小。從該點(diǎn)考慮，丙烯酸系聚 合物的數(shù)均分子量優(yōu)選為30萬以上，進(jìn)一步優(yōu)選為40萬~300萬左右。
[0091] 另外，為了提高作為基礎(chǔ)聚合物的丙烯酸系聚合物等的數(shù)均分子量，也可以在上 述粘合劑中適當(dāng)采用外部交聯(lián)劑。作為外部交聯(lián)方法的具體的手段，可舉出添加聚異氰酸 酯化合物、環(huán)氧化合物、氮丙啶化合物、三聚氰胺系交聯(lián)劑等所謂的交聯(lián)劑而使其反應(yīng)的方 法。使用外部交聯(lián)劑時(shí)，可以根據(jù)與應(yīng)當(dāng)交聯(lián)的基礎(chǔ)聚合物的平衡、進(jìn)一步根據(jù)作為粘合劑 的使用用途而適當(dāng)確定其使用量。通常，相對于上述基礎(chǔ)聚合物100重量份，優(yōu)選配合5重 量份左右以下，進(jìn)一步優(yōu)選配合0. 1~5重量份。進(jìn)一步，在粘合劑中，除了上述成分以外， 可以根據(jù)需要使用以往公知的各種增粘劑、防老化劑等添加劑。
[0092] 可以通過輻射線固化型粘合劑形成粘合劑層lb。輻射線固化型粘合劑可以通過紫 外線等輻射線的照射而使交聯(lián)度增大并容易地使其粘合力降低。作為輻射線，可舉出X射 線、紫外線、電子束、α射線、β射線、中子射線等。
[0093] 輻射線固化型粘合劑可以沒有特別限制地使用具有碳-碳雙鍵等輻射線固化性 的官能團(tuán)、并且表現(xiàn)出粘合性的物質(zhì)。作為輻射線固化型粘合劑，可例示例如在上述丙烯酸 系粘合劑、橡膠系粘合劑等通常的壓敏性粘合劑中配合有輻射線固化性的單體成分、低聚 物成分的添加型的輻射線固化性粘合劑。
[0094] 作為配合的輻射線固化性的單體成分，可舉出例如氨基甲酸酯低聚物、氨基甲酸 酯（甲基）丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三（甲基）丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四（甲基）丙烯酸 酯、季戊四醇三（甲基）丙烯酸酯、季戊四醇四（甲基）丙烯酸酯、雙季戊四醇單羥基五（甲 基）丙烯酸酯、二季戊四醇六（甲基）丙烯酸酯、1，4_ 丁二醇二（甲基）丙烯酸酯等。另外 輻射線固化性的低聚物成分可舉出氨基甲酸酯系、聚醚系、聚酯系、聚碳酸酯系、聚丁二烯 系等各種低聚物，適合為其重均分子量為100~30000左右的范圍的物質(zhì)。輻射線固化性 的單體成分、低聚物成分的配合量可以根據(jù)上述粘合劑層的種類適當(dāng)確定可以降低粘合劑 層的粘合力的量。通常，相對于構(gòu)成粘合劑的丙烯酸系聚合物等基礎(chǔ)聚合物100重量份，例 如為5~500重量份，優(yōu)選為40~150重量份左右。
[0095] 另外，作為輻射線固化型粘合劑，除了上述說明的添加型的輻射線固化性粘合劑 以外，可舉出使用了在聚合物側(cè)鏈或主鏈中或者主鏈末端具有碳-碳雙鍵的物質(zhì)作為基礎(chǔ) 聚合物的內(nèi)在型的輻射線固化性粘合劑。內(nèi)在型的輻射線固化性粘合劑無需含有作為低分 子成分的低聚物成分等、或不含很多，因此粘合劑不會隨時(shí)間在低聚物成分等中移動，可以 形成穩(wěn)定的層結(jié)構(gòu)的粘合劑層，因此優(yōu)選。
[0096] 具有上述碳-碳雙鍵的基礎(chǔ)聚合物可以沒有特別限制地使用具有碳-碳雙鍵、并 且具有粘合性的物質(zhì)。作為這樣的基礎(chǔ)聚合物，優(yōu)選以丙烯酸系聚合物為基本骨架的聚合 物。作為丙烯酸系聚合物的基本骨架，可舉出上述例示的丙烯酸系聚合物。
[0097] 向上述丙烯酸系聚合物中導(dǎo)入碳-碳雙鍵的方法沒有特別的限制，可以采用各種 方法，將碳-碳雙鍵導(dǎo)入到聚合物側(cè)鏈中在分子設(shè)計(jì)上是容易的。例如可以列舉如下方法： 預(yù)先將丙烯酸系聚合物與具有官能團(tuán)的單體共聚后，使具有能夠與該官能團(tuán)反應(yīng)的官能團(tuán) 和碳-碳雙鍵的化合物在維持碳-碳雙鍵的輻射線固化性的情況下進(jìn)行縮聚或加成反應(yīng)。
[0098] 作為這些官能團(tuán)的組合例，可以列舉羧酸基與環(huán)氧基、羧酸基與氮丙啶基、羥基與 異氰酸酯基等。在這些官能團(tuán)的組合中，從反應(yīng)追蹤的容易性出發(fā)，優(yōu)選羥基與異氰酸酯基 的組合。另外，只要是通過這些官能團(tuán)的組合而生成上述具有碳-碳雙鍵的丙烯酸系聚合 物的組合，則官能團(tuán)可以位于丙烯酸系聚合物和上述化合物中的任意一方均可，在上述優(yōu) 選的組合中，優(yōu)選丙烯酸系聚合物具有羥基、上述化合物具有異氰酸酯基的情況。這種情況 下，作為具有碳-碳雙鍵的異氰酸酯化合物，可以列舉例如甲基丙烯酰基異氰酸酯、2-甲基 丙烯?；趸一惽杷狨ァ㈤g異丙烯基-α，α-二甲基芐基異氰酸酯等。另外，作為丙烯 酸系聚合物，使用將上述例示的含羥基單體、2-羥基乙基乙烯基醚、4-羥基丁基乙烯基醚、 二乙二醇單乙烯基醚的醚系化合物等共聚而得到的聚合物。
[0099] 上述內(nèi)在型的輻射線固化性粘合劑可以單獨(dú)使用上述具有碳-碳雙鍵的基礎(chǔ)聚 合物（特別是丙烯酸系聚合物），但也可以以不會使特性變差的程度配合上述輻射線固化 性的單體成分、低聚物成分。輻射線固化性的低聚物成分等通常相對于基礎(chǔ)聚合物100重 量份為30重量份的范圍內(nèi)，優(yōu)選為0~10重量份的范圍。
[0100] 在上述輻射線固化型粘合劑中，在利用紫外線等進(jìn)行固化的情況下，優(yōu)選含有光 聚合引發(fā)劑。作為光聚合引發(fā)劑，可以列舉例如：4-(2-羥基乙氧基）苯基（2-羥基-2-丙 基）酮、α-羥基-α，α 二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羥基苯丙酮、1-羥基環(huán)己基苯酮 等α -酮系化合物；甲氧基苯乙酮、2, 2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2, 2-二乙氧基苯乙酮、 2-甲基-1-[4-(甲基硫代）_苯基]-2-嗎啉代丙烷-1等苯乙酮系化合物；苯偶姻乙基醚、 苯偶姻異丙基醚、茴香偶姻甲基醚等苯偶姻醚系化合物；芐基二甲基縮酮等縮酮系化合物； 2-萘磺酰氯等芳香族磺酰氯系化合物；1-苯基-1，2-丙二酮-2-(0-乙氧基羰基）肟等光 活性肟系化合物；二苯甲酮、苯甲酰基苯甲酸、3, 3' -二甲基-4-甲氧基二苯甲酮等二苯酮 系化合物；噻噸酮、2-氯噻噸酮、2-甲基噻噸酮、2, 4-二甲基噻噸酮、異丙基噻噸酮、2, 4-二 氯噻噸酮、2, 4-二乙基噻噸酮、2, 4-二異丙基噻噸酮等噻噸酮系化合物；樟腦醌；鹵化酮； ?；趸?；?；姿狨サ?。光聚合引發(fā)劑的配合量相對于構(gòu)成粘合劑的丙烯酸系聚合物 等基礎(chǔ)聚合物100重量份，例如為0. 05~20重量份左右。
[0101] 此外，在輻射線照射時(shí)因氧而阻礙固化的情況下，優(yōu)選利用某些方法從輻射線固 化型的粘合劑層Ib的表面阻斷氧（空氣）?？梢粤信e例如：使用隔片被覆粘合劑層Ib的 表面的方法；在氮?dú)鈿夥罩羞M(jìn)行紫外線等輻射線的照射的方法等。
[0102] 此外，可以在粘合劑層Ib中含有各種添加劑（例如著色劑、增稠劑、增量劑、填充 劑、增粘劑、增塑劑、防老化劑、抗氧化劑、表面活性劑、交聯(lián)劑等）。
[0103] 粘合劑層Ib的厚度沒有特別限制，例如為1~50 μ m左右，優(yōu)選為2~30 μ m，進(jìn) 一步優(yōu)選為5~25 μ m。
[0104] 作為粘合帶1，可以適宜地使用半導(dǎo)體晶片的背面磨削用帶、切割帶。
[0105] 例如可以預(yù)先分別制作粘合帶1和底部填充膜2,最后使它們貼合，由此制成密封 片10〇
[0106] 密封片10中，自底部填充膜2的粘合劑層Ib的剝離力優(yōu)選為0. 03~0. 10N/20mm。 若為0· 03N/20mm以上，則可以防止切割時(shí)的芯片飛散。若為0· 10N/20mm以下，則可以得到 良好的拾取性。
[0107] [半導(dǎo)體裝置的制造方法]
[0108] 本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法制造半導(dǎo)體裝置，所述半導(dǎo)體裝置具備：被粘物、 與上述被粘物電連接的半導(dǎo)體元件、和將上述被粘物與上述半導(dǎo)體元件之間的空間填充的 底部填充膜。
[0109] 而且，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法包括：準(zhǔn)備工序，準(zhǔn)備底部填充膜貼合于半 導(dǎo)體元件后的帶底部填充膜的半導(dǎo)體元件，和連接工序，用上述帶底部填充膜的半導(dǎo)體元 件的上述底部填充膜將上述被粘物與上述半導(dǎo)體元件之間的空間填充，同時(shí)將上述被粘物 與上述半導(dǎo)體元件電連接。
[0110] 本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法只要包括準(zhǔn)備工序和連接工序就沒有特別限定， 但優(yōu)選包括位置調(diào)整工序，即對所述帶底部填充膜的半導(dǎo)體元件的所述底部填充膜的露出 面照射斜光，使所述半導(dǎo)體元件與所述被粘物的相對位置調(diào)整至相互的連接預(yù)定位置。由 此，可以容易地進(jìn)行半導(dǎo)體元件與被粘物的向連接預(yù)定位置的位置調(diào)整。
[0111] 以下，列舉實(shí)施方式，詳細(xì)地說明本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法，但本發(fā)明的半 導(dǎo)體裝置的制造方法不限于這些實(shí)施方式。
[0112] (實(shí)施方式1)
[0113] 對實(shí)施方式1的半導(dǎo)體裝置的制造方法進(jìn)行說明。圖2是表示實(shí)施方式1的半導(dǎo) 體裝置的制造方法的各工序的圖。
[0114] 在實(shí)施方式1中使用密封片10。
[0115] 實(shí)施方式1的半導(dǎo)體裝置的制造方法包括：使半導(dǎo)體晶片3的形成有連接構(gòu)件4 的電路面3a與密封片10的底部填充膜2貼合的貼合工序、將半導(dǎo)體晶片3的背面3b磨削 的磨削工序、在半導(dǎo)體晶片3的背面3b貼附切割帶11的晶片固定工序、將粘合帶1剝離的 剝離工序、對帶底部填充膜2的半導(dǎo)體晶片3的底部填充膜2的露出面照射斜光L并確定 切割位置的切割位置確定工序、將半導(dǎo)體晶片3切割而形成帶底部填充膜2的半導(dǎo)體元件5 的切割工序、和從切割帶11剝離帶底部填充膜2的半導(dǎo)體元件5的拾取工序、對帶底部填 充膜2的半導(dǎo)體元件5的底部填充膜2的露出面照射斜光L并使半導(dǎo)體元件5與被粘物6 的相對位置調(diào)整至相互的連接預(yù)定位置的位置調(diào)整工序、和用帶底部填充膜2的半導(dǎo)體元 件5的底部填充膜2填充被粘物6與半導(dǎo)體元件5之間的空間同時(shí)將被粘物6與半導(dǎo)體元 件5電連接的連接工序。
[0116] 〈貼合工序〉
[0117] 貼合工序中，使半導(dǎo)體晶片3的形成有連接構(gòu)件4的電路面3a與密封片10的底 部填充膜2貼合（參照圖2A)。
[0118] 在半導(dǎo)體晶片3的電路面3a形成了多個連接構(gòu)件4(參照圖2A)。作為連接構(gòu)件 4的材質(zhì)，沒有特別限制，可舉出例如錫-鉛系金屬材料、錫-銀系金屬材料、錫-銀-銅系 金屬材料、錫-鋅系金屬材料、錫-鋅-鉍系金屬材料等焊料類（合金）、金系金屬材料、銅 系金屬材料等。連接構(gòu)件4的高度也根據(jù)用途而定，通常為15~100 μ m左右。當(dāng)然，半導(dǎo) 體晶片3中的各連接構(gòu)件4的高度可以相同也可以不同。
[0119] 首先，可以適宜地剝離在密封片10的底部填充膜2上任意設(shè)置的隔片，如圖2A所 示，使半導(dǎo)體晶片3的形成有連接構(gòu)件4的電路面3a與底部填充膜2對置，使底部填充膜 2與半導(dǎo)體晶片3貼合（安裝）。
[0120] 貼合的方法沒有特別限定，但優(yōu)選基于壓接的方法。壓接的壓力優(yōu)選為0.1 MPa以 上，更優(yōu)選為〇.2MPa以上。若為0.1 MPa以上，則可以將半導(dǎo)體晶片3的電路面3a的凹凸 良好地填埋。另外，壓接的壓力的上限沒有特別限定，但優(yōu)選為IMPa以下，更優(yōu)選為0. 5MPa 以下。
[0121] 貼合的溫度優(yōu)選為60°C以上，更優(yōu)選為70°C以上。若為60°C以上，則底部填充膜 2的粘度降低，可以無空隙地填充半導(dǎo)體晶片3的凹凸。另外，貼合的溫度優(yōu)選為KKTC以 下，更優(yōu)選為80°C以下。若為KKTC以下，則變得能在抑制底部填充膜2的固化反應(yīng)的狀態(tài) 下進(jìn)行貼合。
[0122] 優(yōu)選在減壓下進(jìn)行貼合，例如為1000 Pa以下，優(yōu)選為500Pa以下。下限沒有特別 限定，例如為IPa以上。
[0123] 〈磨削工序〉
[0124] 在磨削工序中，將與半導(dǎo)體晶片3的電路面3a相反側(cè)的面（即，背面）3b磨削（參 照圖2B)。作為半導(dǎo)體晶片3的背面磨削中使用的薄型加工機(jī)沒有特別限制，可以例示例如 磨削機(jī)（back grinder)、研磨盤等。另外，可以通過蝕刻等化學(xué)方法進(jìn)行背面磨削。進(jìn)行背 面磨削直到半導(dǎo)體晶片3達(dá)到所希望的厚度（例如，700~25 μ m)。
[0125] 〈晶片固定工序〉
[0126] 磨削工序后，使切割帶11貼附于半導(dǎo)體晶片3的背面3b (參照圖2C)。此外，切割 帶11具有在基材Ila上層疊有粘合劑層Ilb的結(jié)構(gòu)。作為基材Ila和粘合劑層11b，可以 使用在粘合帶1的基材Ia和粘合劑層Ib的項(xiàng)中示出的成分和制法適宜地制作。
[0127] 〈剝離工序〉
[0128] 接著，將粘合帶1剝離（參照圖2D)。由此，成為底部填充膜2露出的狀態(tài)。
[0129] 剝離背面磨削用帶1時(shí)，在粘合劑層Ib具有輻射線固化性的情況下，通過對粘合 劑層Ib照射輻射線而使粘合劑層Ib固化，就可以容易地進(jìn)行